JP2985178B2 - 角板型チップジャンパー素子 - Google Patents
角板型チップジャンパー素子Info
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- JP2985178B2 JP2985178B2 JP1086249A JP8624989A JP2985178B2 JP 2985178 B2 JP2985178 B2 JP 2985178B2 JP 1086249 A JP1086249 A JP 1086249A JP 8624989 A JP8624989 A JP 8624989A JP 2985178 B2 JP2985178 B2 JP 2985178B2
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- Japan
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- pattern layer
- type chip
- jumper element
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、角板型チップ状ジャンパー素子に関するも
のである。
のである。
従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます
増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、ジ
ャンパー素子には非常に小型な角板型チップジャンパー
素子が多く用いられるようになってきた。
増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、ジ
ャンパー素子には非常に小型な角板型チップジャンパー
素子が多く用いられるようになってきた。
従来の小型の角板型チップジャンパー素子の構造を、
第２図に示す。（例えば、実開昭57−87558号） 従来の小型の角板型チップジャンパー素子は焼成済み
の96アルミナ基板８による基材と、Ag系厚膜による上面
導体パターン層９と端面電極層10、上面導体パターン層
９の一部を覆うホウケイ酸鉛系ガラスによる絶縁層11、
さらに絶縁層11上にホウケイ酸鉛系ガラスによる捺印パ
ターン層12、捺印パターン層12を覆うホウケイ酸鉛系ガ
ラスによる捺印保護層13からなっている。なお、露出電
極面には半田付け性を向上させるために、Niメッキ層14
とSn−Pbメッキ層15を電解メッキにより施している。
第２図に示す。（例えば、実開昭57−87558号） 従来の小型の角板型チップジャンパー素子は焼成済み
の96アルミナ基板８による基材と、Ag系厚膜による上面
導体パターン層９と端面電極層10、上面導体パターン層
９の一部を覆うホウケイ酸鉛系ガラスによる絶縁層11、
さらに絶縁層11上にホウケイ酸鉛系ガラスによる捺印パ
ターン層12、捺印パターン層12を覆うホウケイ酸鉛系ガ
ラスによる捺印保護層13からなっている。なお、露出電
極面には半田付け性を向上させるために、Niメッキ層14
とSn−Pbメッキ層15を電解メッキにより施している。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来の小型の角板型チップジャンパー素子
は、絶縁層と捺印パターン層に600℃系のホウケイ酸鉛
系ガラスを用いているため、（１）絶縁層上に捺印パタ
ーン層による凹凸が生じ、その為に捺印パターン層に磨
耗が生じやすい、（２）角板型チップジャンパー素子の
抗折強度が弱い。といった問題があり、この（１）の問
題点を解決するために従来の小型の角板型チップジャン
パー素子では、捺印パターン層上に捺印保護層を施して
いる。しかし、捺印保護層には材料及び製造コストがか
かり、これが大きな問題となっている。
は、絶縁層と捺印パターン層に600℃系のホウケイ酸鉛
系ガラスを用いているため、（１）絶縁層上に捺印パタ
ーン層による凹凸が生じ、その為に捺印パターン層に磨
耗が生じやすい、（２）角板型チップジャンパー素子の
抗折強度が弱い。といった問題があり、この（１）の問
題点を解決するために従来の小型の角板型チップジャン
パー素子では、捺印パターン層上に捺印保護層を施して
いる。しかし、捺印保護層には材料及び製造コストがか
かり、これが大きな問題となっている。
本発明は、このような課題を解決するもので、捺印保
護層を施さなくても、（１）絶縁層上に捺印パターン層
による凹凸が生じず、その為に捺印パターン層にも磨耗
が生じ難い、（２）角板型チップ状ジャンパー素子の抗
折強度が強い。という様な性能を有する角板型チップジ
ャンパー素子を提供するものである。
護層を施さなくても、（１）絶縁層上に捺印パターン層
による凹凸が生じず、その為に捺印パターン層にも磨耗
が生じ難い、（２）角板型チップ状ジャンパー素子の抗
折強度が強い。という様な性能を有する角板型チップジ
ャンパー素子を提供するものである。
課題を解決するための手段 本発明の角板型チップジャンパー素子は、絶縁性の焼
結基板と、前記基板上に形成されるAg系厚膜の上面導体
パターン層と、前記上面導体パターン層の一部に重なり
Al2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が15/85〜40/60のガラス
セラミックからなる絶縁層と、前記絶縁層中の表面部に
形成されAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が41/59〜70/30
の低温焼成ガラスセラミックからなりかつ前記絶縁層と
異なる色を有した捺印パターン層と、前記上面導体パタ
ーン層の一部に重なるAg系厚膜の端面電極層より構成す
るものである。
結基板と、前記基板上に形成されるAg系厚膜の上面導体
パターン層と、前記上面導体パターン層の一部に重なり
Al2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が15/85〜40/60のガラス
セラミックからなる絶縁層と、前記絶縁層中の表面部に
形成されAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が41/59〜70/30
の低温焼成ガラスセラミックからなりかつ前記絶縁層と
異なる色を有した捺印パターン層と、前記上面導体パタ
ーン層の一部に重なるAg系厚膜の端面電極層より構成す
るものである。
本発明は、絶縁層と捺印パターン層の、アルミナとガ
ラスの混合比をかえ、それを800〜1000℃という高温で
焼結させているが、800〜1000℃という高温焼成中にお
いて、アルミナ分の少ない絶縁層はガラスが溶けた時、
流れやすい状態となり、またアルミナ分の多い捺印パタ
ーン層はガラスが溶けた時、流れにくい状態となり捺印
パターン層の形が崩れにくい。したがって、焼成中に、
捺印パターン層の形が崩れずに、絶縁層中に沈み込みを
生じるものである。
ラスの混合比をかえ、それを800〜1000℃という高温で
焼結させているが、800〜1000℃という高温焼成中にお
いて、アルミナ分の少ない絶縁層はガラスが溶けた時、
流れやすい状態となり、またアルミナ分の多い捺印パタ
ーン層はガラスが溶けた時、流れにくい状態となり捺印
パターン層の形が崩れにくい。したがって、焼成中に、
捺印パターン層の形が崩れずに、絶縁層中に沈み込みを
生じるものである。
作用 これにより、捺印保護層なしで、（１）絶縁層上に捺
印パターン層による凹凸が生じず、その為に捺印パター
ン層にも磨耗が生じにくい、（２）絶縁層中にアルミナ
を混合しているので、角板型チップ状状ジャンパー素子
の抗折強度が強い、という角板型チップジャンパー素子
を提供することができる。
印パターン層による凹凸が生じず、その為に捺印パター
ン層にも磨耗が生じにくい、（２）絶縁層中にアルミナ
を混合しているので、角板型チップ状状ジャンパー素子
の抗折強度が強い、という角板型チップジャンパー素子
を提供することができる。
実施例 以下、本発明の実施例について、第１図を用いて説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。第１
図において、本発明の角板型チップジャンパー素子は、
96アルミナ基板１と、前記基板１上に形成されるAg系厚
膜の上面導体パターン層２と、前記上面導体パターン層
の一部に重なるAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が、15/8
5〜40/60のガラスセラミックからなる絶縁層４と、前記
絶縁層中の表面部に形成され、Al2O3/ホウケイ酸鉛系ガ
ラス比が41/59〜70/30の低温焼成ガラスセラミックから
なりかつ前記絶縁層と異なる色を有した捺印パターン層
５と、前記上面導体パターン層の一部に重なるAg系厚膜
の端面電極層３、前記端面電極層に重なるNiメッキ層
６、さらに前記Niメッキ層６に重なるSn−Pbメッキ層７
より構成されている。
図において、本発明の角板型チップジャンパー素子は、
96アルミナ基板１と、前記基板１上に形成されるAg系厚
膜の上面導体パターン層２と、前記上面導体パターン層
の一部に重なるAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が、15/8
5〜40/60のガラスセラミックからなる絶縁層４と、前記
絶縁層中の表面部に形成され、Al2O3/ホウケイ酸鉛系ガ
ラス比が41/59〜70/30の低温焼成ガラスセラミックから
なりかつ前記絶縁層と異なる色を有した捺印パターン層
５と、前記上面導体パターン層の一部に重なるAg系厚膜
の端面電極層３、前記端面電極層に重なるNiメッキ層
６、さらに前記Niメッキ層６に重なるSn−Pbメッキ層７
より構成されている。
まず、3.2mm×1.6mmの大きさの96アルミナ基板を用意
する。次いで、この上に銀系導体ペーストをスクリーン
印刷した後に乾燥する。この上にAl2O3/ホウケイ酸鉛系
ガラス比が、15/85〜40/60の低温焼成セラミックの絶縁
ペーストをスクリーン印刷した後に乾燥する。更にこの
上にAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が41/59〜70/30の低
温焼成セラミックの捺印ペーストをスクリーン印刷した
後に乾燥し、空気中で900℃・２時間焼成し上面導体パ
ターン層２と絶縁層４と捺印パターン層５を形成した。
する。次いで、この上に銀系導体ペーストをスクリーン
印刷した後に乾燥する。この上にAl2O3/ホウケイ酸鉛系
ガラス比が、15/85〜40/60の低温焼成セラミックの絶縁
ペーストをスクリーン印刷した後に乾燥する。更にこの
上にAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス比が41/59〜70/30の低
温焼成セラミックの捺印ペーストをスクリーン印刷した
後に乾燥し、空気中で900℃・２時間焼成し上面導体パ
ターン層２と絶縁層４と捺印パターン層５を形成した。
さらに、銀系導体ペーストを、前記、上面導体パター
ン層２に重なるようにスクリーン印刷し、空気中で600
℃・１時間焼成を行い端面電極層３を形成した。
ン層２に重なるようにスクリーン印刷し、空気中で600
℃・１時間焼成を行い端面電極層３を形成した。
最後に、端面電極層３にNiメッキとSn−Pbメッキを施
し、Niメッキ層６とSn−Pbメッキ層７を形成した。
し、Niメッキ層６とSn−Pbメッキ層７を形成した。
この実施例の角板型チップジャンパー素子の性能は、
導体抵抗が、5mΩ以下となり、耐湿試験（60℃ 95％RH
1000時間）による導体抵抗の劣化はほとんどなく、現
行角板型チップジャンパー素子と同等の性能を有した。
さらに絶縁層上の捺印パターン層による凹凸がなくな
り、捺印保護層なしでも捺印パターン層の磨耗が生じに
くくなった。
導体抵抗が、5mΩ以下となり、耐湿試験（60℃ 95％RH
1000時間）による導体抵抗の劣化はほとんどなく、現
行角板型チップジャンパー素子と同等の性能を有した。
さらに絶縁層上の捺印パターン層による凹凸がなくな
り、捺印保護層なしでも捺印パターン層の磨耗が生じに
くくなった。
これらの説明より明らかなように、実施例の角板型チ
ップジャンパー素子は非常に優れた性能を有すると言え
る。
ップジャンパー素子は非常に優れた性能を有すると言え
る。
実施例において絶縁層および捺印パターン層の焼成温
度が800℃未満になると、絶縁層および捺印パターン層
が十分に焼結しなくなり、耐メッキ性が劣化する。ま
た、焼成温度が1000℃を越えると、導体抵抗が高くな
る。
度が800℃未満になると、絶縁層および捺印パターン層
が十分に焼結しなくなり、耐メッキ性が劣化する。ま
た、焼成温度が1000℃を越えると、導体抵抗が高くな
る。
なお、実施例においては、基材に95アルミナ基板を用
いたが、これは絶縁性の焼結基板なら何でも良い。
いたが、これは絶縁性の焼結基板なら何でも良い。
発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明の角板型チップ
ジャンパー素子は、絶縁性の焼結基板と前記基板上に形
成されるAg系厚膜の上面導体パターン層と、前記上面導
体パターン層の一部に重なりAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラ
ス比が、15/85〜40/60のガラスセラミックからなる絶縁
層と、前記絶縁層中の表面部に形成され、Al2O3/ホウケ
イ酸鉛系ガラス比が41/59〜70/30の低温焼成ガラスセラ
ミックからなりかつ前記絶縁層と異なる色を有した捺印
パターン層と、前記上面導体パターン層の一部に重なる
Ag系厚膜の端面電極層より構成されているので、捺印保
護層なしで、（１）絶縁層上に捺印パターン層による凹
凸が生じず、その為に捺印パターン層にも磨耗が生じに
くい、（２）角板型チップ状ジャンパー素子の抗折強度
が強い、という優れた性能を有する角板型チップジャン
パー素子を提供できる。
ジャンパー素子は、絶縁性の焼結基板と前記基板上に形
成されるAg系厚膜の上面導体パターン層と、前記上面導
体パターン層の一部に重なりAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラ
ス比が、15/85〜40/60のガラスセラミックからなる絶縁
層と、前記絶縁層中の表面部に形成され、Al2O3/ホウケ
イ酸鉛系ガラス比が41/59〜70/30の低温焼成ガラスセラ
ミックからなりかつ前記絶縁層と異なる色を有した捺印
パターン層と、前記上面導体パターン層の一部に重なる
Ag系厚膜の端面電極層より構成されているので、捺印保
護層なしで、（１）絶縁層上に捺印パターン層による凹
凸が生じず、その為に捺印パターン層にも磨耗が生じに
くい、（２）角板型チップ状ジャンパー素子の抗折強度
が強い、という優れた性能を有する角板型チップジャン
パー素子を提供できる。
第１図は本発明の一実施例による角板型チップジャンパ
ー素子の構造を示す断面図、第２図は従来の角板型チッ
プジャンパー素子の構造を示す断面図である。 １……96アルミナ基板、２……上面導体パターン層、３
……端面電極層、４……絶縁層、５……捺印パターン
層、６……Niメッキ層、７……Sn−Pbメッキ層。
ー素子の構造を示す断面図、第２図は従来の角板型チッ
プジャンパー素子の構造を示す断面図である。 １……96アルミナ基板、２……上面導体パターン層、３
……端面電極層、４……絶縁層、５……捺印パターン
層、６……Niメッキ層、７……Sn−Pbメッキ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−319901（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−166414（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−259467（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−87558（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 5/14 H01R 11/01
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性の焼結基板と前記基板上に形成され
るAg系厚膜の上面導体パターン層と、前記上面導体パタ
ーン層の一部に重なりかつAl2O3/ホウケイ酸鉛系ガラス
比が15/85〜40/60のガラスセラミックからなる絶縁層
と、前記絶縁層中の表面部に形成されAl2O3/ホウケイ酸
鉛系ガラス比が41/59〜70/30の低温焼成ガラスセラミッ
クからなりかつ前記絶縁層と異なる色を有した捺印パタ
ーン層と、前記上面導体パターン層の一部に重なるAg系
厚膜の端面電極層より構成したことを特徴とする角板型
チップ状ジャンパー素子。 - 【請求項２】絶縁層と捺印パターン層の焼成温度が800
℃〜1000℃であることを特徴とする請求項１の角板型チ
ップ状ジャンパー素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086249A JP2985178B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 角板型チップジャンパー素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086249A JP2985178B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 角板型チップジャンパー素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265179A JPH02265179A (ja) | 1990-10-29 |
| JP2985178B2 true JP2985178B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=13881544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086249A Expired - Fee Related JP2985178B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 角板型チップジャンパー素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985178B2 (ja) |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1086249A patent/JP2985178B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02265179A (ja) | 1990-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |