JPH07176402A - 角形チップ固定抵抗器 - Google Patents
角形チップ固定抵抗器Info
- Publication number
- JPH07176402A JPH07176402A JP5319519A JP31951993A JPH07176402A JP H07176402 A JPH07176402 A JP H07176402A JP 5319519 A JP5319519 A JP 5319519A JP 31951993 A JP31951993 A JP 31951993A JP H07176402 A JPH07176402 A JP H07176402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- layer
- surface electrode
- upper electrode
- fixed resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、角形チップ固定抵抗器に関するも
のであり、硫黄分が介在するような特殊雰囲気中にて使
用する場合の、耐ウィスカ性の特性を向上させることを
目的とする。 【構成】 アルミナ基板１と、アルミナ基板１上の銀系
厚膜による第一上面電極層３と、第一上面電極層３を完
全に覆う貴金属系薄膜による第二上面電極層４、第二上
面電極層４の一部に重なるルテニウム系の抵抗層２と、
抵抗層２を完全に覆う保護膜層８、第二上面電極層４の
一部に重なる端面電極層７と第二上面電極層４をはんだ
喰われ等から保護するニッケルめっきによる第三上面電
極層５、はんだ付け性を確保するためのはんだめっきに
よる第四上面電極層６により構成され、第一上面電極層
３中の銀が硫化して析出し断線することを防止する。
のであり、硫黄分が介在するような特殊雰囲気中にて使
用する場合の、耐ウィスカ性の特性を向上させることを
目的とする。 【構成】 アルミナ基板１と、アルミナ基板１上の銀系
厚膜による第一上面電極層３と、第一上面電極層３を完
全に覆う貴金属系薄膜による第二上面電極層４、第二上
面電極層４の一部に重なるルテニウム系の抵抗層２と、
抵抗層２を完全に覆う保護膜層８、第二上面電極層４の
一部に重なる端面電極層７と第二上面電極層４をはんだ
喰われ等から保護するニッケルめっきによる第三上面電
極層５、はんだ付け性を確保するためのはんだめっきに
よる第四上面電極層６により構成され、第一上面電極層
３中の銀が硫化して析出し断線することを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度配線回路に用いら
れる角形チップ固定抵抗器に関するものである。
れる角形チップ固定抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の角形チップ固定抵抗器の電極構造
は図２に示すように、アルミナ基板１１上に形成された
一対の厚膜電極による第一上面電極層１３と、この第一
上面電極層１３に接するように形成されたルテニウム系
厚膜抵抗体による抵抗層１２と、この抵抗層１２を覆う
保護膜層１８と、第一上面電極層１３の一部と重なる端
面電極層１７と、はんだ喰われ等から第一上面電極層１
３を保護するためのニッケルめっきによる第二上面電極
層１４、及びはんだ付け性を確保するためにはんだめっ
きによる第三上面電極層１５により形成している。
は図２に示すように、アルミナ基板１１上に形成された
一対の厚膜電極による第一上面電極層１３と、この第一
上面電極層１３に接するように形成されたルテニウム系
厚膜抵抗体による抵抗層１２と、この抵抗層１２を覆う
保護膜層１８と、第一上面電極層１３の一部と重なる端
面電極層１７と、はんだ喰われ等から第一上面電極層１
３を保護するためのニッケルめっきによる第二上面電極
層１４、及びはんだ付け性を確保するためにはんだめっ
きによる第三上面電極層１５により形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の上面電極
構造では、硫黄分が介在するような特殊雰囲気で使用す
る場合、硫黄分は保護膜層１８−第二上面電極層１４間
や使用の際保護膜層１８に発生した微細なクラック部よ
り浸透し、第一上面電極層１３中の銀成分と反応する。
その結果、硫化銀の針状結晶となるウィスカ現象が発生
する。この現象については使用時間の経過と共に進行
し、最終的には第一上面電極層１３の銀成分の消失によ
り断線状態になることが確認されている。
構造では、硫黄分が介在するような特殊雰囲気で使用す
る場合、硫黄分は保護膜層１８−第二上面電極層１４間
や使用の際保護膜層１８に発生した微細なクラック部よ
り浸透し、第一上面電極層１３中の銀成分と反応する。
その結果、硫化銀の針状結晶となるウィスカ現象が発生
する。この現象については使用時間の経過と共に進行
し、最終的には第一上面電極層１３の銀成分の消失によ
り断線状態になることが確認されている。
【０００４】また、硫黄分については保護膜層１８−第
二上面電極層１４間、及び第二上面電極層１４の覆われ
ていない保護膜層１８のクラック部などの微細な隙間か
ら浸透する為、第二上面電極層１４により第一上面電極
層１３を硫黄分から完全に保護するのは不可能である。
二上面電極層１４間、及び第二上面電極層１４の覆われ
ていない保護膜層１８のクラック部などの微細な隙間か
ら浸透する為、第二上面電極層１４により第一上面電極
層１３を硫黄分から完全に保護するのは不可能である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明は、絶縁基板と絶縁基板上に形成した銀あ
るいは銀系合金からなる一対の第一上面電極層と、金等
の貴金属からなり前記第一上面電極層を完全に覆うよう
に形成した第二上面電極層と、前記第二上面電極層の一
部に重なるように形成した抵抗層と、前記抵抗層を完全
に覆うように形成した保護膜層と、前記第二上面電極層
の一部に重なるように前記絶縁基板の端部に形成した一
対の端面電極層と、ニッケルからなり前記第二上面電極
層及び前記端面電極層の露出面を完全に覆うように形成
した第三上面電極層と、はんだからなり前記第三上面電
極層を完全に覆うように形成した第四上面電極層とから
なるものである。
めに、本発明は、絶縁基板と絶縁基板上に形成した銀あ
るいは銀系合金からなる一対の第一上面電極層と、金等
の貴金属からなり前記第一上面電極層を完全に覆うよう
に形成した第二上面電極層と、前記第二上面電極層の一
部に重なるように形成した抵抗層と、前記抵抗層を完全
に覆うように形成した保護膜層と、前記第二上面電極層
の一部に重なるように前記絶縁基板の端部に形成した一
対の端面電極層と、ニッケルからなり前記第二上面電極
層及び前記端面電極層の露出面を完全に覆うように形成
した第三上面電極層と、はんだからなり前記第三上面電
極層を完全に覆うように形成した第四上面電極層とから
なるものである。
【０００６】
【作用】この構成により、第一上面電極層を貴金属の薄
膜による第二上面電極層にて保護することから、浸透し
た硫黄分の第一上面電極層への浸透を妨げることができ
るため硫化による銀の消失を防ぐことができる。第二上
面電極層の貴金属については標準単極電位が高いため、
硫黄分とは反応しにくい。
膜による第二上面電極層にて保護することから、浸透し
た硫黄分の第一上面電極層への浸透を妨げることができ
るため硫化による銀の消失を防ぐことができる。第二上
面電極層の貴金属については標準単極電位が高いため、
硫黄分とは反応しにくい。
【０００７】
【実施例】以下本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【０００８】図１は本発明の角形チップ固定抵抗器の一
実施例の断面状態を示す。図において１はアルミナ基板
である。２は抵抗層である。３は第一上面電極層であ
る。４は第二上面電極層である。５は第三上面電極層で
ある。６は第四上面電極層である。７は端面電極層であ
る。８は保護膜層である。
実施例の断面状態を示す。図において１はアルミナ基板
である。２は抵抗層である。３は第一上面電極層であ
る。４は第二上面電極層である。５は第三上面電極層で
ある。６は第四上面電極層である。７は端面電極層であ
る。８は保護膜層である。
【０００９】アルミナ基板１上に、銀あるいは銀系厚膜
により形成した第一上面電極層３と、第一上面電極層３
を完全に覆う金系薄膜により形成した第二上面電極層４
と、第二上面電極層４の一部に重なるルテニウム系の抵
抗層２と、抵抗層２を完全に覆う保護膜層８と、第二上
面電極層４の一部に重なり銀系厚膜により形成した端面
電極層７と、第二上面電極層４をはんだ喰われ等から保
護するニッケルめっきにより形成した第三上面電極層５
と、はんだ付け性を確保するためのはんだめっきにより
形成した第四上面電極層６により構成される。
により形成した第一上面電極層３と、第一上面電極層３
を完全に覆う金系薄膜により形成した第二上面電極層４
と、第二上面電極層４の一部に重なるルテニウム系の抵
抗層２と、抵抗層２を完全に覆う保護膜層８と、第二上
面電極層４の一部に重なり銀系厚膜により形成した端面
電極層７と、第二上面電極層４をはんだ喰われ等から保
護するニッケルめっきにより形成した第三上面電極層５
と、はんだ付け性を確保するためのはんだめっきにより
形成した第四上面電極層６により構成される。
【００１０】次に図１に示した本発明の一実施例の製造
方法について説明する。アルミナ基板１は耐熱性及び絶
縁性に優れたものを用いる。このアルミナ基板１には短
冊状及び個片状に分割し複数のアルミナ基板１を得るた
めに分割溝が形成されたアルミナ絶縁板を用いる。次に
このアルミナ絶縁板の表面に厚膜銀ペーストをスクリー
ン印刷・乾燥し、ベルト式連続乾燥炉により８５０度の
温度で焼成し第一上面電極層３を形成する。次に第一上
面電極層３を完全に覆うように金−レジネートを印刷・
乾燥し、ベルト式乾燥炉により８５０度で焼成して第二
上面電極層４を形成する。
方法について説明する。アルミナ基板１は耐熱性及び絶
縁性に優れたものを用いる。このアルミナ基板１には短
冊状及び個片状に分割し複数のアルミナ基板１を得るた
めに分割溝が形成されたアルミナ絶縁板を用いる。次に
このアルミナ絶縁板の表面に厚膜銀ペーストをスクリー
ン印刷・乾燥し、ベルト式連続乾燥炉により８５０度の
温度で焼成し第一上面電極層３を形成する。次に第一上
面電極層３を完全に覆うように金−レジネートを印刷・
乾燥し、ベルト式乾燥炉により８５０度で焼成して第二
上面電極層４を形成する。
【００１１】次に第二上面電極層４の一部に重なるよう
に酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）を主成分とする厚膜抵抗
ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式焼成炉により８
５０度の温度で焼成し抵抗層２を形成する。次に抵抗層
２の抵抗値を揃えるために、レーザーにより抵抗層２を
破壊し抵抗値修正を行う。続いて抵抗層２を完全に覆う
ように、ホウ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷し
た後６２０度の温度で焼成し保護膜層８を形成する。
に酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）を主成分とする厚膜抵抗
ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式焼成炉により８
５０度の温度で焼成し抵抗層２を形成する。次に抵抗層
２の抵抗値を揃えるために、レーザーにより抵抗層２を
破壊し抵抗値修正を行う。続いて抵抗層２を完全に覆う
ように、ホウ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷し
た後６２０度の温度で焼成し保護膜層８を形成する。
【００１２】次に端面電極層７を形成するためにアルミ
ナ基板１を短冊状に分割し、端面電極層７塗布部を露出
させる。短冊状に分割したアルミナ絶縁板の印刷部に、
前記の厚膜銀ペーストを塗布した後ベルト式連続焼成炉
によって６００度の温度で焼成し、端面電極層７を形成
する。次に電気めっきを行うために、短冊状のアルミナ
絶縁板を個片状に分割する。
ナ基板１を短冊状に分割し、端面電極層７塗布部を露出
させる。短冊状に分割したアルミナ絶縁板の印刷部に、
前記の厚膜銀ペーストを塗布した後ベルト式連続焼成炉
によって６００度の温度で焼成し、端面電極層７を形成
する。次に電気めっきを行うために、短冊状のアルミナ
絶縁板を個片状に分割する。
【００１３】最後に電気めっきにより、第二上面電極層
４と端面電極層７上にはんだ喰われ防止とはんだ付け性
を確保するため、５のニッケルめっき層と６のはんだめ
っき層を形成する。
４と端面電極層７上にはんだ喰われ防止とはんだ付け性
を確保するため、５のニッケルめっき層と６のはんだめ
っき層を形成する。
【００１４】以上の工程により、本実施例の角形チップ
固定抵抗器を製造した。（表１）に実施例の角形チップ
固定抵抗器と従来の角形チップ固定抵抗器の針状結晶発
生率を示す。
固定抵抗器を製造した。（表１）に実施例の角形チップ
固定抵抗器と従来の角形チップ固定抵抗器の針状結晶発
生率を示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】なお、本実施例においては、第二上面電極
層を実験による特性結果から望ましくは金系薄膜とした
が、これに限定されるものではなく、銀系の第一上面電
極層を構成する金属の標準単極電位よりも低いもしくは
高い標準単極電位を持つ金属を用いることも可能であ
る。
層を実験による特性結果から望ましくは金系薄膜とした
が、これに限定されるものではなく、銀系の第一上面電
極層を構成する金属の標準単極電位よりも低いもしくは
高い標準単極電位を持つ金属を用いることも可能であ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の角形チップ固定抵抗器は第一上面電極層を金などの標
準単極電位の高い貴金属からなる第二上面電極層で完全
に覆う構造を特徴としており、保護膜層−第三、第四上
面電極層間及び保護膜層の微細なクラックより浸透した
硫黄分による第一上面電極層の硫化を妨げられる。その
ため、従来に比べ、耐ウィスカ性に優れた角形チップ固
定抵抗器を提供できるという効果を有するものである。
の角形チップ固定抵抗器は第一上面電極層を金などの標
準単極電位の高い貴金属からなる第二上面電極層で完全
に覆う構造を特徴としており、保護膜層−第三、第四上
面電極層間及び保護膜層の微細なクラックより浸透した
硫黄分による第一上面電極層の硫化を妨げられる。その
ため、従来に比べ、耐ウィスカ性に優れた角形チップ固
定抵抗器を提供できるという効果を有するものである。
【図１】本発明の角形チップ固定抵抗器の構造を示す断
面図
面図
【図２】従来の角形チップ固定抵抗器の構造を示す断面
図
図
１ アルミナ基板 ２ 抵抗層 ３ 第一上面電極層 ４ 第二上面電極層 ５ 第三上面電極層 ６ 第四上面電極層 ７ 端面電極層 ８ 保護膜層
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板と、絶縁基板上に形成した銀あ
るいは銀系合金からなる一対の第一上面電極層と、金等
の貴金属からなり前記第一上面電極層を完全に覆うよう
に形成した第二上面電極層と、前記第二上面電極層の一
部に重なるように形成した抵抗層と、前記抵抗層を完全
に覆うように形成した保護膜層と、前記第二上面電極層
の一部に重なるように前記絶縁基板の端部に形成した一
対の端面電極層と、ニッケルからなり前記第二上面電極
層および前記端面電極層の露出面を完全に覆うように形
成した第三上面電極層と、はんだからなり前記第三上面
電極層を完全に覆うように形成した第四上面電極層とか
らなる角形チップ固定抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319519A JPH07176402A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 角形チップ固定抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5319519A JPH07176402A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 角形チップ固定抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176402A true JPH07176402A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18111139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5319519A Pending JPH07176402A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 角形チップ固定抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07176402A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242999B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-06-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor |
| JP2006156629A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗素子及びその製造方法 |
| CN107331486A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-11-07 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 抗硫化电阻器及其制备方法 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5319519A patent/JPH07176402A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242999B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-06-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor |
| JP2006156629A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗素子及びその製造方法 |
| JP4506433B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2010-07-21 | 凸版印刷株式会社 | 抵抗素子及びその製造方法 |
| CN107331486A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-11-07 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 抗硫化电阻器及其制备方法 |
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