JP2545602Y2 - ジャンパチップ - Google Patents
ジャンパチップInfo
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- JP2545602Y2 JP2545602Y2 JP1989144464U JP14446489U JP2545602Y2 JP 2545602 Y2 JP2545602 Y2 JP 2545602Y2 JP 1989144464 U JP1989144464 U JP 1989144464U JP 14446489 U JP14446489 U JP 14446489U JP 2545602 Y2 JP2545602 Y2 JP 2545602Y2
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- Japan
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- nickel
- solder
- solder resist
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、回路基板の上の回路パターンの部分間を電
気的に接続するジャンパチップに関するものである。
気的に接続するジャンパチップに関するものである。
［従来の技術］ 第５図は半田レジストを備えた従来のジャンパチップ
の構造を示す断面図である。このジャンパチップは、絶
縁性基体１の両端部に半田付け可能な一対の端部電極2,
3と、一対の端部電極2,3を相互に接続するように絶縁性
基体１の一方の面上に形成された導電層４と、導電層４
の上方に端部電極2,3を残すように設けられた半田レジ
スト層５とを備えている。導電層４は、ニッケル導電塗
料を用いて形成されているものが多い。端部電極2,3
は、電極層６と、金属メッキ層７と半田メッキ層８とか
ら構成される。
の構造を示す断面図である。このジャンパチップは、絶
縁性基体１の両端部に半田付け可能な一対の端部電極2,
3と、一対の端部電極2,3を相互に接続するように絶縁性
基体１の一方の面上に形成された導電層４と、導電層４
の上方に端部電極2,3を残すように設けられた半田レジ
スト層５とを備えている。導電層４は、ニッケル導電塗
料を用いて形成されているものが多い。端部電極2,3
は、電極層６と、金属メッキ層７と半田メッキ層８とか
ら構成される。
なおジャンパチップには、第３図に示したもののよう
に半田レジスト層を備えるものと備えないものの２種類
がある。半田レジスト層を備えていないジャンパチップ
は、半田の付着面積を大きくして、ジャンパチップを回
路基板に強固に半田付けする目的で開発された。これに
対して半田レジスト層を備えたジャンパチップは、取付
時に使用する半田の量をできるだけ減らすことや、導電
層４の保護の目的で開発された。
に半田レジスト層を備えるものと備えないものの２種類
がある。半田レジスト層を備えていないジャンパチップ
は、半田の付着面積を大きくして、ジャンパチップを回
路基板に強固に半田付けする目的で開発された。これに
対して半田レジスト層を備えたジャンパチップは、取付
時に使用する半田の量をできるだけ減らすことや、導電
層４の保護の目的で開発された。
［考案が解決しようとする課題］ しかしながら最近、半田レジスト層を備えたジャンパ
チップでも、抵抗値をできるだけ下げるために、導電層
に銀を主材料とする導電層を用いたジャンパチップにお
いて、硫化によるマイグレーションが発生し、抵抗値が
増加したり、隣接する回路や電子部品との間で短絡事故
が発生することが判ってきた。
チップでも、抵抗値をできるだけ下げるために、導電層
に銀を主材料とする導電層を用いたジャンパチップにお
いて、硫化によるマイグレーションが発生し、抵抗値が
増加したり、隣接する回路や電子部品との間で短絡事故
が発生することが判ってきた。
本考案の目的は、導電層として銀を主導電材料とする
銀導電層を用い且つ半田レジスト層を備えたジャンパチ
ップにおいて、マイグレーションの発生を防止できるジ
ャンパチップを提供することにある。
銀導電層を用い且つ半田レジスト層を備えたジャンパチ
ップにおいて、マイグレーションの発生を防止できるジ
ャンパチップを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本考案は、絶縁性基体と、絶縁性基体の両端部に形成
された半田付け可能な一対の端部電極と、一対の端部電
極を相互に接続するように絶縁性基体の一方の面上に形
成された銀を主導電材料とする銀導電層と、銀導電層の
上方に一対の端部電極を残すように設けられた半田レジ
スト層とを備えてなるジャンパチップを対象とする。そ
して請求項１の考案では、銀導電層をニッケルまたは銅
の導電塗料層で覆い、一対の端部電極で導電塗料層の両
端を覆い、該導電塗料層の上に半田レジスト層を設け
る。
された半田付け可能な一対の端部電極と、一対の端部電
極を相互に接続するように絶縁性基体の一方の面上に形
成された銀を主導電材料とする銀導電層と、銀導電層の
上方に一対の端部電極を残すように設けられた半田レジ
スト層とを備えてなるジャンパチップを対象とする。そ
して請求項１の考案では、銀導電層をニッケルまたは銅
の導電塗料層で覆い、一対の端部電極で導電塗料層の両
端を覆い、該導電塗料層の上に半田レジスト層を設け
る。
また請求項２の考案では、端部電極として電極層がニ
ッケルまたは銅のメッキ層と半田メッキ層とで覆われた
構造を有するものを用いる。そして銀導電層を端部電極
から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田メッキ
層で覆い、半田メッキ層の上に半田レジスト層を設け
る。
ッケルまたは銅のメッキ層と半田メッキ層とで覆われた
構造を有するものを用いる。そして銀導電層を端部電極
から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田メッキ
層で覆い、半田メッキ層の上に半田レジスト層を設け
る。
［考案の作用］ 銀は、ニッケルや銅と比べて、マイグレーションを起
し易く、わずかな隙間やクラックでも、マイグレーショ
ンを引き起こす腐蝕ガスの侵入通路となる。考案者の研
究の結果、従来構造のジャンパチップでは、半田レジス
ト層５と他の金属層（2,4）との熱膨脹係数の差に基く
ストレスが、腐蝕ガスの侵入通路を発生させる原因にな
っていることが判った。このストレスは、半田レジスト
層５と端子電極２の金属層（7,8）の端部との間及び半
田レジスト層５と導電層４との接合面において発生す
る。したがってストレスが発生すると、導電層４と端部
電極2,3との間及び導電層４と半田レジスト層との接合
部間に導電層４に通じる腐蝕ガスの侵入通路が形成され
ることがある。
し易く、わずかな隙間やクラックでも、マイグレーショ
ンを引き起こす腐蝕ガスの侵入通路となる。考案者の研
究の結果、従来構造のジャンパチップでは、半田レジス
ト層５と他の金属層（2,4）との熱膨脹係数の差に基く
ストレスが、腐蝕ガスの侵入通路を発生させる原因にな
っていることが判った。このストレスは、半田レジスト
層５と端子電極２の金属層（7,8）の端部との間及び半
田レジスト層５と導電層４との接合面において発生す
る。したがってストレスが発生すると、導電層４と端部
電極2,3との間及び導電層４と半田レジスト層との接合
部間に導電層４に通じる腐蝕ガスの侵入通路が形成され
ることがある。
請求項１の考案では、銀導電層をニッケルまたは銅の
導電塗料層で覆い、該導電塗料層の上に半田レジスト層
を設けている。ニッケルまたは銅の導電塗料層は、銀と
比べればマイグレーションを起し難い。そしてこれらの
導電塗料層の熱膨脹係数（一般的に熱膨脹係数は３×10
-5／℃程度）は、銀導電層の熱膨脹係数（一般的に熱膨
脹係数は２×10-5／℃程度）に近いかまたは半田レジス
ト層の熱膨脹係数（一般的に熱膨脹係数は８×10-5／℃
程度）と銀導電層の熱膨脹係数との中間にあるため、銀
導電層との間で大きなストレスを発生させことがなく、
しかも導電塗料層は保護層となるため、半田レジスト層
を設けても腐蝕ガスの侵入通路となるようなクラックが
銀導電層まで延びるのを防止できる。また導電塗料層は
安価にしかも簡単な設備で形成できるため、この構造に
よれば、ジャンパチップの価格の低減化を図ることがで
きる。
導電塗料層で覆い、該導電塗料層の上に半田レジスト層
を設けている。ニッケルまたは銅の導電塗料層は、銀と
比べればマイグレーションを起し難い。そしてこれらの
導電塗料層の熱膨脹係数（一般的に熱膨脹係数は３×10
-5／℃程度）は、銀導電層の熱膨脹係数（一般的に熱膨
脹係数は２×10-5／℃程度）に近いかまたは半田レジス
ト層の熱膨脹係数（一般的に熱膨脹係数は８×10-5／℃
程度）と銀導電層の熱膨脹係数との中間にあるため、銀
導電層との間で大きなストレスを発生させことがなく、
しかも導電塗料層は保護層となるため、半田レジスト層
を設けても腐蝕ガスの侵入通路となるようなクラックが
銀導電層まで延びるのを防止できる。また導電塗料層は
安価にしかも簡単な設備で形成できるため、この構造に
よれば、ジャンパチップの価格の低減化を図ることがで
きる。
また請求項２の考案では、端部電極として電極層がニ
ッケルまたは銅のメッキ層と半田メッキ層とで覆われた
構造を有するものを用いる場合に、銀導電層を端部電極
から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田メッキ
層で覆う。端部電極として電極層がニッケルまたは銅の
メッキ層と半田メッキ層とで覆われた構造を用いると、
端子部の半田喰われを有効に防止できる。銀導電層を端
部電極から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田
メッキ層で覆うと、銀導電層をマイグレーションが起き
難い金属層で完全に覆うことができる。そしてニッケル
または銅のメッキ層及び半田メッキ層の二層構造は、二
重の保護層となるため、半田レジスト層を設けても、腐
蝕ガスの侵入通路となるようなクラックが銀導電層まで
延びるのを確実に防止できる。また端部電極を形成する
時に同時に銀導電層を被覆できるため、製造が容易であ
る。
ッケルまたは銅のメッキ層と半田メッキ層とで覆われた
構造を有するものを用いる場合に、銀導電層を端部電極
から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田メッキ
層で覆う。端部電極として電極層がニッケルまたは銅の
メッキ層と半田メッキ層とで覆われた構造を用いると、
端子部の半田喰われを有効に防止できる。銀導電層を端
部電極から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田
メッキ層で覆うと、銀導電層をマイグレーションが起き
難い金属層で完全に覆うことができる。そしてニッケル
または銅のメッキ層及び半田メッキ層の二層構造は、二
重の保護層となるため、半田レジスト層を設けても、腐
蝕ガスの侵入通路となるようなクラックが銀導電層まで
延びるのを確実に防止できる。また端部電極を形成する
時に同時に銀導電層を被覆できるため、製造が容易であ
る。
［実施例］ 以下図面を参照して本考案の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は請求項１項の考案の一実施例を示しており、
第２図（Ａ）は第１図のＡ−Ａ線断面図、第２図（Ｂ）
は第１図のＢ−Ｂ線断面図を示している。これらの図に
おいて、11はアルミナ板を矩形状に形成してなる絶縁性
基体である。基体11の一方の面（表面）11a上には、ガ
ラス銀塗料と呼ばれ銀塗料を用いて形成した銀導電層12
が形成されている。実施例で用いたガラス銀塗料は、ガ
ラス粉末と銀−パラジューム粉末とを適宜に混合した物
である。銀塗料としては、熱硬化性エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂と銀粉末とを適宜に混合したものも用いるこ
とができる。銀導電層12は、基体11の上にスクリーン印
刷で所定のパターンを印刷した後、基体を炉に入れて熱
硬化性樹脂を硬化させることにより形成される。本実施
例の銀導電層12の厚みは、好ましくは５μｍ〜15μｍ程
度であり、その許容範囲は２〜50μｍである。
第２図（Ａ）は第１図のＡ−Ａ線断面図、第２図（Ｂ）
は第１図のＢ−Ｂ線断面図を示している。これらの図に
おいて、11はアルミナ板を矩形状に形成してなる絶縁性
基体である。基体11の一方の面（表面）11a上には、ガ
ラス銀塗料と呼ばれ銀塗料を用いて形成した銀導電層12
が形成されている。実施例で用いたガラス銀塗料は、ガ
ラス粉末と銀−パラジューム粉末とを適宜に混合した物
である。銀塗料としては、熱硬化性エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂と銀粉末とを適宜に混合したものも用いるこ
とができる。銀導電層12は、基体11の上にスクリーン印
刷で所定のパターンを印刷した後、基体を炉に入れて熱
硬化性樹脂を硬化させることにより形成される。本実施
例の銀導電層12の厚みは、好ましくは５μｍ〜15μｍ程
度であり、その許容範囲は２〜50μｍである。
銀導電層12の上、基体11の長手方向の両端面11b,11c
及び基体11の他方の面（裏面）11dの両端面側の部分の
上には、ニッケルまたは銅の導電塗料を用いて導電塗料
層13が形成されている。ニッケルまたは銅の導電塗料
は、熱硬化性樹脂に、ニッケル粉末または銅粉末を適当
な配合比で混合してなるものである。導電塗料層13は、
基体11の表面、裏面及び側面への複数回のスクリーン印
刷により形成される。本実施例での導電塗料層13の厚み
は、好ましくは1.5〜５μｍであり、その許容範囲は１
〜100μｍである。
及び基体11の他方の面（裏面）11dの両端面側の部分の
上には、ニッケルまたは銅の導電塗料を用いて導電塗料
層13が形成されている。ニッケルまたは銅の導電塗料
は、熱硬化性樹脂に、ニッケル粉末または銅粉末を適当
な配合比で混合してなるものである。導電塗料層13は、
基体11の表面、裏面及び側面への複数回のスクリーン印
刷により形成される。本実施例での導電塗料層13の厚み
は、好ましくは1.5〜５μｍであり、その許容範囲は１
〜100μｍである。
導電塗料層13の中央部には、端部電極を形成する部分
を残すようにして半田レジスト層14が形成されている。
半田レジスト層14は、ガラスと絶縁性の熱硬化性樹脂を
混合したレジスト塗料をスクリーン印刷法で形成したも
のである。
を残すようにして半田レジスト層14が形成されている。
半田レジスト層14は、ガラスと絶縁性の熱硬化性樹脂を
混合したレジスト塗料をスクリーン印刷法で形成したも
のである。
また基体11の長手方向の両端の導電塗料層13の上に
は、端部電極の形状にニッケルメッキ層15がそれぞれ形
成されている。ニッケルメッキ層15は、無電解メッキで
形成されており、本実施例でのニッケルメッキ層15の厚
みは、好ましくは1.5〜５μｍであり、その許容範囲は
１〜100μｍである。
は、端部電極の形状にニッケルメッキ層15がそれぞれ形
成されている。ニッケルメッキ層15は、無電解メッキで
形成されており、本実施例でのニッケルメッキ層15の厚
みは、好ましくは1.5〜５μｍであり、その許容範囲は
１〜100μｍである。
ニッケルメッキ層15の上には、半田メッキ層16が、無
電解メッキ法によって形成されている。半田メッキ層16
の厚みは、好ましくは1.5〜10μｍであり、その許容範
囲は１〜100μｍである。本実施例では、導電塗料層1
2、ニッケルメッキ層14及び半田メッキ層15によって一
対の端部電極17及び18が構成されている。
電解メッキ法によって形成されている。半田メッキ層16
の厚みは、好ましくは1.5〜10μｍであり、その許容範
囲は１〜100μｍである。本実施例では、導電塗料層1
2、ニッケルメッキ層14及び半田メッキ層15によって一
対の端部電極17及び18が構成されている。
本実施例によれば、銀導電層12を完全に導電塗料層13
で覆っているため、ニッケルメッキ層15を形成する場合
に、銀導電層12は全くメッキの影響を受けることがな
い。また本実施例では端部電極17及び18と半田レジスト
層14とが境界部を形成しているが、境界部の下方に導電
塗料層13があるため境界部で発生するストレスで境界部
にクラックが発生しても、腐蝕ガスが銀導電層12に触れ
ることはない。
で覆っているため、ニッケルメッキ層15を形成する場合
に、銀導電層12は全くメッキの影響を受けることがな
い。また本実施例では端部電極17及び18と半田レジスト
層14とが境界部を形成しているが、境界部の下方に導電
塗料層13があるため境界部で発生するストレスで境界部
にクラックが発生しても、腐蝕ガスが銀導電層12に触れ
ることはない。
第３図は請求項２の考案の一実施例の断面図を示して
おり、第４図は第３図のＣ−Ｃ線断面図を示している。
おり、第４図は第３図のＣ−Ｃ線断面図を示している。
これらの図において、21はアルミナ製の矩形状絶縁性
基体である。基体21の一方の面（表面）21a上には、第
１図の実施例と同様に、ガラス銀塗料を用いて銀導電層
22が形成されている。本実施例で許容される銀導電層22
の厚みは、第１図の実施例である。
基体である。基体21の一方の面（表面）21a上には、第
１図の実施例と同様に、ガラス銀塗料を用いて銀導電層
22が形成されている。本実施例で許容される銀導電層22
の厚みは、第１図の実施例である。
基体21の他方の面（裏面）21dの長手方向の両端部に
は銀塗料を用いて裏電極25,25が形成されている。そし
てこの裏電極25,25と表面21a側の銀導電層22とを電気的
に接続するために、基体21の側面21b及び21c上に銀塗料
を用いて側面電極26,26が形成されている。
は銀塗料を用いて裏電極25,25が形成されている。そし
てこの裏電極25,25と表面21a側の銀導電層22とを電気的
に接続するために、基体21の側面21b及び21c上に銀塗料
を用いて側面電極26,26が形成されている。
銀導電層22、側面電極26,26及び裏電極25,25の上に
は、無電解メッキ法で形成したニッケルまたは銅のメッ
キ層23が形成されており、またニッケルまたは銅のメッ
キ層23の上には半田メッキ層27が形成されている。半田
レジスト層24は、半田メッキ層27の上に端部電極を残す
ようにスクリーン法で形成されている。本実施例でのメ
ッキ層23及び半田メッキ層27の厚みは、好ましくは1.5
〜10μｍであり、その許容範囲は１〜100μｍである。
は、無電解メッキ法で形成したニッケルまたは銅のメッ
キ層23が形成されており、またニッケルまたは銅のメッ
キ層23の上には半田メッキ層27が形成されている。半田
レジスト層24は、半田メッキ層27の上に端部電極を残す
ようにスクリーン法で形成されている。本実施例でのメ
ッキ層23及び半田メッキ層27の厚みは、好ましくは1.5
〜10μｍであり、その許容範囲は１〜100μｍである。
本実施例では、構造的には端部電極28及び29から延び
るニッケルまたは銅のメッキ層23及び半田メッキ層27
で、銀導電層22が覆われた構造となっている。端部電極
28及び29のメッキ層23,27を形成する工程で、同時に銀
導電層を覆うメッキ層を形成することができるので、少
ないメッキ工程で簡単に銀導電層を被覆することができ
る。また本実施例では、第１図の実施例と比べて、半田
レジスト層24の両端と端部電極28及び29を構成する金属
層との間に境界部（長手方向に突き当たる境界）を形成
しないため、半田レジスト層24が存在することにより発
生するストレスを小さくすることができる上、メッキ層
23と半田メッキ層27との二重の保護層が半田レジスト層
24の下方にあるため、半田レジスト層24の存在で発生す
るストレスによって、銀導電層に腐蝕ガスを導くような
クラックが発生することはない。
るニッケルまたは銅のメッキ層23及び半田メッキ層27
で、銀導電層22が覆われた構造となっている。端部電極
28及び29のメッキ層23,27を形成する工程で、同時に銀
導電層を覆うメッキ層を形成することができるので、少
ないメッキ工程で簡単に銀導電層を被覆することができ
る。また本実施例では、第１図の実施例と比べて、半田
レジスト層24の両端と端部電極28及び29を構成する金属
層との間に境界部（長手方向に突き当たる境界）を形成
しないため、半田レジスト層24が存在することにより発
生するストレスを小さくすることができる上、メッキ層
23と半田メッキ層27との二重の保護層が半田レジスト層
24の下方にあるため、半田レジスト層24の存在で発生す
るストレスによって、銀導電層に腐蝕ガスを導くような
クラックが発生することはない。
なお上記両実施例では、銀導電層24をガラス銀塗料を
用いて形成したが、銀導電層24を銀メッキで形成しても
よいのは勿論である。
用いて形成したが、銀導電層24を銀メッキで形成しても
よいのは勿論である。
［考案の効果］ 請求項１の考案によれば、銀導電層をニッケルまたは
銅の導電塗料層で覆い、該導電塗料層の上に半田レジス
ト層を設けているので、導電塗料層が保護層となり、半
田レジスト層を設けても腐蝕ガスの侵入通路となるクラ
ックが銀導電層まで延びるのを防止できる。
銅の導電塗料層で覆い、該導電塗料層の上に半田レジス
ト層を設けているので、導電塗料層が保護層となり、半
田レジスト層を設けても腐蝕ガスの侵入通路となるクラ
ックが銀導電層まで延びるのを防止できる。
また請求項２の考案では、端部電極として電極層がニ
ッケルまたは銅のメッキ層と半田メッキ層とで覆われた
構造を有するものを用いる場合に、銀導電層を端部電極
から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田メッキ
層で覆うため、銀導電層をマイグレーションが起き難い
金属層で完全に覆うことができ、しかもニッケルまたは
銅のメッキ層及び半田メッキ層が二重の保護層となるた
め、半田レジスト層を設けても腐蝕ガスの侵入通路とな
るようなクラックが銀導電層まで延びるのを確実に防止
できる。
ッケルまたは銅のメッキ層と半田メッキ層とで覆われた
構造を有するものを用いる場合に、銀導電層を端部電極
から延びるニッケルまたは銅のメッキ層及び半田メッキ
層で覆うため、銀導電層をマイグレーションが起き難い
金属層で完全に覆うことができ、しかもニッケルまたは
銅のメッキ層及び半田メッキ層が二重の保護層となるた
め、半田レジスト層を設けても腐蝕ガスの侵入通路とな
るようなクラックが銀導電層まで延びるのを確実に防止
できる。
第１図は本考案の一実施例の縦断面図、第２図（Ａ）は
第１図のＡ−Ａ線断面図、第２図（Ｂ）は第１図のＢ−
Ｂ線断面図、第３図は本考案の他の実施例の縦断面図、
第４図は第３図の実施例のＣ−Ｃ線断面図、第５図は従
来のジャンパチップの縦断面図である。 11,21……絶縁性基体、12,22……銀導電層、13……導電
塗料層、14,24……半田レジスト層、15……ニッケル・
メッキ層、16,27……半田メッキ層、17,18,28,29……端
部電極、23……ニッケルまたは銅のメッキ層、25……裏
電極、26……側面電極。
第１図のＡ−Ａ線断面図、第２図（Ｂ）は第１図のＢ−
Ｂ線断面図、第３図は本考案の他の実施例の縦断面図、
第４図は第３図の実施例のＣ−Ｃ線断面図、第５図は従
来のジャンパチップの縦断面図である。 11,21……絶縁性基体、12,22……銀導電層、13……導電
塗料層、14,24……半田レジスト層、15……ニッケル・
メッキ層、16,27……半田メッキ層、17,18,28,29……端
部電極、23……ニッケルまたは銅のメッキ層、25……裏
電極、26……側面電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−108413（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−294776（ＪＰ，Ａ) 実願 昭55−165971号（実開 昭57− 87558号）の願書に添付した明細書及び 図面の内容を撮影したマイクロフィルム （ＪＰ，Ｕ) 実願 昭61−171626号（実開 昭62− 79368号）の願書に添付した明細書及び 図面の内容を撮影したマイクロフィルム （ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基体と、 前記絶縁性基体の両端部に形成された半田付け可能な一
対の端部電極と、 前記一対の端部電極を相互に接続するように前記絶縁性
基体の一方の面上に形成された銀を主導電材料とする銀
導電層と、 前記銀導電層の上方に前記一対の端部電極を残すように
設けられた半田レジスト層とを備えてなるジャンパチッ
プにおいて、 前記銀導電層がニッケルまたは銅の導電塗料層で覆わ
れ、前記一対の端部電極は前記導電塗料層の両端を覆う
ように形成され、前記導電塗料層の上に前記半田レジス
ト層が設けられていることを特徴とするジャンパチッ
プ。 - 【請求項２】絶縁性基体と、 前記絶縁性基体の両端部に形成された半田付け可能な一
対の端部電極と、 前記一対の端部電極を相互に接続するように前記絶縁性
基体の一方の面上に形成された銀を主導電材料とする銀
導電層と、 前記銀導電層の上方に前記一対の端部電極を残すように
設けられた半田レジスト層とを備えてなるジャンパチッ
プにおいて、 前記端部電極は電極層がニッケルまたは銅のメッキ層と
半田メッキ層とで覆われた構造を有し、 前記銀導電層が前記端部電極から延びる前記ニッケルま
たは銅のメッキ層及び半田メッキ層で覆われ、 前記半田メッキ層の上に前記半田レジスト層が設けられ
ていることを特徴とするジャンパチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989144464U JP2545602Y2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | ジャンパチップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989144464U JP2545602Y2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | ジャンパチップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382512U JPH0382512U (ja) | 1991-08-22 |
| JP2545602Y2 true JP2545602Y2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=31691161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989144464U Expired - Lifetime JP2545602Y2 (ja) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | ジャンパチップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545602Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4978230B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | ジャンパーチップ部品およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165971A (en) * | 1979-06-13 | 1980-12-24 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | Cation type electrodeposition coating composition and production thereof |
| JPS61294776A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | 興亜電工株式会社 | クロスコンダクタの製造方法 |
| JPH0249651Y2 (ja) * | 1985-11-06 | 1990-12-27 | ||
| JPS62108413A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | ロ−ム株式会社 | ジヤンパ−チツプの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1989144464U patent/JP2545602Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0382512U (ja) | 1991-08-22 |
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