JPH01319901A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はチップ型固定抵抗器に関するものである。

従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます増
大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、固定
抵抗器には非常に小型なチップ抵抗器が多く用いられる
ようになってきた。

従来の小型のチップ抵抗器の構造を、第３図に示す。（
工業調査会発行最新サーフェイスマウントテクノロジー
ｐ２７〜ｐ３３） 従来の小型のチップ抵抗器は焼成済みの９６アルミナ基
板１１による基材と、銀系厚膜電極による上面電極層１
２と端面電極層１３、上面電極層１２の一部に重なるル
テニウム系厚膜抵胱にょる抵抗層１４と、抵抗層１４を
覆うホウケイ酸鉛系ガラスによる絶縁ガラスパターン層
１５からなっている。なお、露出電極面には半田付は性
を向上させるために、Ｎ１メツキ層１６とＳｎ　−Ｐｂ
メツキ層１７を電解メツキにより施している。

発明が解決しようとする課題 しかし、従来の小型のチップ抵抗器は、上面電極層と端
面電極層に銀系厚膜電極を用いているため、（１）半田
デイツプの時の銀系厚膜電極の半田喰われが生じる。？
）半田付は性が悪いといった問題があり、この問題点を
解決するために従来の小型のチップ抵抗器では、Ｎ１メ
ツキ層とＳｎ　−Ｐｂメツキ層を電解メツキを施してい
る。しかし、電解メツキにはコストがかかりチップ抵抗
器の原価の中の大きなウェイトを占めており、これが大
きな問題となっている。

本発明は、このような問題点を解決するもので。

電解メツキ無しで、０）半田デイツプの時の銀系厚膜電
極の半田食われが無い、＠）半田付は性が良い、チップ
抵抗器を提供するものである。

課題を解決するための手段 本発明のチップ抵抗器は、絶縁性の焼結基板を基材とし
、銀系厚膜電極を上面電極層とし、前記上面電極層の一
部に重なるルテニウム系厚膜抵抗を抵抗層とし、前記上
面電極層の一部に重なる銅を主成分とする厚膜電極を端
面電極層とするものである。またガラス・アルミナ系の
低温焼成セラミックを基材とし、前記基材と同時に焼成
することにより形成された銀系厚膜電極を上面電極層と
し、前記上面電極層の一部に重なシかつ前記基材と同時
に焼成することにより形成されたルテニウム系厚膜抵抗
を抵抗層とし、前記上面電極層の一部に重なる銅を主成
分とする厚膜電極を端面電極層とするように構成されて
いる。

作用 これにより、メツキ無しで、０）半田デイツプの時の銀
系厚膜電極の半田食われが無い、（２）半田付は性が良
い、チップ抵抗器を提供することができる。

実施例 以下、本発明の実施例１について、第１図を用いて説明
する。

第１図において、本発明のチップ抵抗器は、９６アルミ
ナ基板１を基材とし、銀系厚膜電極を上面電極層２とし
、前記上面電極層２の一部に重なるルテニウム系厚膜抵
抗を抵抗層４とし、前記抵抗層４の保護層としてホウケ
イ酸鉛系ガラスを絶縁ガラスパターン層６とし、前記上
面電極ＮＩ２の一部に重なる銅を主成分とする厚膜電極
を端面電極層３としたものである。

まず、３．２ｍ０ＩＸ　１．６１０Ｉｎの大きさの９６
アルミナ基板を用意する。

次いで、この上に銀糸導体ペーストをスクリーン印刷し
た後に乾燥し、空気中で９００”０１時間焼成し上面電
極層２を形成した。

さらに、上面電極層２の一部に重なるようにルテニウム
系抵抗ペーストをスクリーン印刷し乾燥し、空気中で９
００”０１時間焼成し抵抗層４ｔ−形成した。

次いで、抵抗値修正の為にレーザートリミングを行った
。更にこの後、低融点のホウケイ酸鉛系ガラスペースト
’ｔスクリーン印刷し、空気中で６００℃・１時間焼成
を行い絶縁ガラスパターン層６を形成した。

最後に、銅系導体ペーストを、前記上面電極層２に重な
るようにスクリーン印刷し、窒素雰囲気中で６００”（
、・１時間焼成を行い端面電極層３を形成した。

この実施例１のチップ抵抗器の抵抗性能は、抵抗値バラ
付きが±５％以内、ＴＣＲ（抵抗温度係数）が±２ｏｏ
ｐｐｍ／’Ｃ以内、耐湿試験（６０”０９６％ＲＨ１０
００時間）による抵抗値ドリフトが±１チ以内となシ、
現行チップ抵抗器とほとんど同じになった。さらに半田
付は性についても大幅に向上（リフロー半田付けにおい
て電極面積の９５％が半田に覆われるようになった。）
した。

次に、本発明の実施例２について、第２図を用いて説明
する。

第２図において、本発明のチップ抵抗器はム１２０．／
ホウケイ酸鉛系ガラス比が５０７５　Ｑのガラス・アル
ミナ系の低温焼成セラミック基板６を基材とし、前記低
温焼成セラミック基板６と同時に焼成することにより形
成された銀系厚膜電極を上面電極層７とし、上面電極＠
７の一部に重なり、前記低温焼成セラミック基板６と同
時に焼成することにより形成されたルテニウム系厚膜抵
抗を抵抗層９とし、さらに抵抗層９の保護層としてホウ
ケイ酸鉛系ガラスを、前記低温焼成セラミック基板６と
個別に焼成したものを絶縁ガラスパターン層１０とし、
前記上面電極層７に重なり、前記低温焼成セラミック基
板６と個別に焼成することにより形成された銅系厚膜電
極を端面電極層８としたものである。

まず、ムβ２０．粉末とホウケイ酸鉛系ガラス粉本を１
：１の割合で混合した。次いでこの組成物にアクリル系
の有機バインダーを添却し、２４時間ボールミルにより
混練することによシ、スラリー状にした。次いでこれを
ドクターブレードを用いて幅２０ｃｍ、厚さｏ、ｓｍｍ
のシートに成型し、乾燥後に３．２ｍｍＸ　１．６ａ＋
ｍの大きさに切断した。

次いで、この上に銀糸導体ペーストをスクリーン印刷し
た後に乾燥し、さらにルテニウム系抵抗ペースｔｆスク
リーン印刷し乾燥した。

この後、前記印刷物を空気中で脱パイ温度４６０℃ピー
ク温度９００℃で１時間黒バイ・１時間焼成を行い、低
温焼成セラミック基板６と上面電極層７と抵抗層９を同
時に形成した。

次いで、抵抗値修正のためにレーザートリミングを行っ
た。更にこの後、低融点のホウケイ酸鉛系ガラスペース
トｔスクリーン印刷し、空気中で６００℃・１時間焼成
を行い絶縁ガラスパターン層１０を形成した。

最後に、銅系導体ペーストを、前記上面電極層７に重な
るようにスクリーン印刷し、窒素雰囲気中で６００℃・
１時間焼成を行い端面電極層８を形成した。

この実施例２のチップ抵抗器の抵抗性能は、抵抗値バラ
付きが±５チ以内、ＴＣＲ（抵抗温度係数）が±２００
ｐｐｍ／℃以内、耐湿試験（ｅｏ”ｃ９５％ＲＨ１００
０時間）による抵抗値ドリフトが±１％以内となり、現
行チップ抵抗器とほとんど同じになった。さらに半田付
は性についても大幅に向上（リフロー半田付けにおいて
電極面積の９６チが半田に覆われるようになった。）し
た。

これらの説明より明らかなように、実施例１゜２のチッ
プ抵抗器は優れた性能を有すると言える。

実施例１．２において端面電極層の焼成温度が５５０℃
未満になると、端面電極層が十分に基材に焼き付かなく
なり端面電極の接着強度が劣化する。また、焼成温度が
６６０℃を越えると、抵抗値のパラ付きが増大する。

実施例２において基材の焼成温度が８００℃未満になる
と、基材が十分に焼結しないため、チップ抵抗器の抗折
強度が小さくなシ、また焼成温度が１０００℃を越える
と、抵抗性能が劣化する。

なお、実施例１．２においては、銅系導体ペーストを、
上面電極層に重なるようにスクリーン印刷し、窒素雰囲
気中で６００℃・１時間焼成を行い端面電極層全形成し
ているが、これは、樹脂系の銅系ペーストを用いても良
い。また、実施例１においでは、基材に９６アルミナ基
板を用いたが。

これは絶縁性焼結基板なら何でも良い。また、実施例２
においては、基材にム１２０．／ガラス比が５０７５０
のガラスセラミックを用いたが、これはガラス・アルミ
ナ系の低温焼成セラミックなら何でも良い。また実施例
１．２においては、抵抗層の保護層として絶縁ガラスを
用いているが、これは樹脂系のコート材料を用いても良
い。また、実施例１．２において端面電極層の酸化を防
止するために端面電極層にＳｎ　−Ｐｂメツキを施して
おいても良い。

発明の効果 以上の説明から明らかなように本発明のチップ抵抗器は
、絶縁性の焼結基板を基材とし、銀系厚膜電極を上面電
極層とし、前記上面電極層の一部に重なるルテニウム系
厚膜抵抗を抵抗層とし、前記上面電極層の一部に重なる
銅を主成分とする厚膜電極を端面電極層とするか、ガラ
ス・アルミナ系の低温焼成セラミックを基材とし、前記
基材と同時に焼成することによシ形成された銀系厚膜電
極を上面電極層とし、前記上面電極層の一部に重なりか
つ前記基材と同時に焼成することにより形成されたルテ
ニウム系厚膜抵抗を抵抗層とし、前記上面電極層の一部
に重なりかつ銅を主成分とする厚膜電極を端面電極層と
するように構成されているので、メツキ無しで、（１）
半田デイツプの時の銀系厚膜電極の半田食われが無い、
（２）半田付は性が良いというチップ抵抗器を提供する
ことができるといった優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一実施例によるチ
ップ抵抗器の構造を示す断面図、第３図は従来の小型の
チップ抵抗器の構造を示す断面図である。 １・・・・・・９６アルミナ基板、２・・・・・・上面
電極層、３・・・・・・端面電極層、４・・・・・・抵
抗層、６・・・・・・絶縁ガラスパターン層、６・・・
・・・低温焼成セラミック基板、７・・・・・・上面電
極層、８・・・・・・端面電極層、９・・・・・・抵抗
層、１０・・・・・・絶縁ガラスパターン層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名１−
９６アルミナ基板 ２−　上面電ゑ１ ３−一一兼面＠臘漫 Ｓ−、絶縁ガラスパターン層 第１図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性の焼結基板の基材に銀系厚膜電極を上面電
   極層として形成し、前記上面電極層の一部に重なるよう
   にルテニウム系厚膜抵抗の抵抗層を形成し、かつ前記上
   面電極層の一部に重なるよりに銅を生成分とする厚膜電
   極を端面電極層として形成したことを特徴とするチップ
   抵抗器。
2. （２）ガラス・アルミナ系の低温焼成セラミックの基材
   に、前記基材と同時に焼成される銀系厚膜電極を上面電
   極層として形成し、前記上面電極層の一部に重なりかつ
   前記基材と同時に焼成されるルテニウム系厚膜抵抗を抵
   抗層として形成し、かつ前記上面電極層の一部に重なる
   ように銅を主成分とする厚膜電極を端面電極層として形
   成したことを特徴とするチップ抵抗器。
3. （３）端面電極層の焼成温度が５５０℃〜６５０℃であ
   ることを特徴とする請求項１または２記載のチップ抵抗
   器。
4. （４）基材の焼成温度が８００℃〜１０００℃であるこ
   とを特徴とする請求項２記載のチップ抵抗器。