JPS61245512A - 高電圧用コンデンサ - Google Patents
高電圧用コンデンサInfo
- Publication number
- JPS61245512A JPS61245512A JP8668085A JP8668085A JPS61245512A JP S61245512 A JPS61245512 A JP S61245512A JP 8668085 A JP8668085 A JP 8668085A JP 8668085 A JP8668085 A JP 8668085A JP S61245512 A JPS61245512 A JP S61245512A
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- Japan
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- glass film
- resin
- voltage capacitor
- ceramic
- ceramic dielectric
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばカラーＴＶ等の高電圧回路に用いられ
る高電圧用コンデンサに関する。
る高電圧用コンデンサに関する。
高電圧で使用されるセラミック部品、例えば高電圧用コ
ンデンサや高電圧用抵抗などは、空中で電圧を印加する
と放電を起してしまうため通常は熱硬化性樹脂により樹
脂モールドされて使用される。
ンデンサや高電圧用抵抗などは、空中で電圧を印加する
と放電を起してしまうため通常は熱硬化性樹脂により樹
脂モールドされて使用される。
第３図（イ）、（ロ）はそれぞれ従来の高電圧用コンデ
ンサ（以下高圧コンデンサという）の例である。第３図
（イ）、（ロ）において、１はチタン酸バリウム、チタ
ン酸ストロンチューム等のセラミックから成る誘電体で
あり、その両面に電極２．２′が設けられ、コンデンサ
素子が作られている。このコンデンサ素子は、エボキシ
ン樹脂等の樹脂３によりモールドされている。
ンサ（以下高圧コンデンサという）の例である。第３図
（イ）、（ロ）において、１はチタン酸バリウム、チタ
ン酸ストロンチューム等のセラミックから成る誘電体で
あり、その両面に電極２．２′が設けられ、コンデンサ
素子が作られている。このコンデンサ素子は、エボキシ
ン樹脂等の樹脂３によりモールドされている。
第３図（イ）は、誘電体１の端部まで電極２．２′を設
けた例であり、第３図（ロ）は、電極２．２′を誘電体
１の端部まで設けずに端部に誘電体を残したものである
。
けた例であり、第３図（ロ）は、電極２．２′を誘電体
１の端部まで設けずに端部に誘電体を残したものである
。
以」二に述べた従来例の場合、コンデンザ素子を樹脂に
よりモールドしているため、耐圧性はかなり改善された
が、樹脂とセラミック表面との接着は徐々に劣化し、場
合によっては、セラミックと樹脂との界面である端面Ａ
で間隙が生ずることがあり、この間隙で放電が起ること
があるという問題点を有している。特にセラミック素体
の熱膨張係数が約１００〜１１０ Ｘ １０−’／ｄｅ
ｇ程度であるのに樹脂の熱膨張係数が約２５０〜１３０
０Ｘ１０引／ｄｅｇ程度と差があることがこの界面での
間隙の発生の一因となっている。
よりモールドしているため、耐圧性はかなり改善された
が、樹脂とセラミック表面との接着は徐々に劣化し、場
合によっては、セラミックと樹脂との界面である端面Ａ
で間隙が生ずることがあり、この間隙で放電が起ること
があるという問題点を有している。特にセラミック素体
の熱膨張係数が約１００〜１１０ Ｘ １０−’／ｄｅ
ｇ程度であるのに樹脂の熱膨張係数が約２５０〜１３０
０Ｘ１０引／ｄｅｇ程度と差があることがこの界面での
間隙の発生の一因となっている。
また、第３図（ロ）のように電極２．２′をセラミック
誘電体１の端面より内側になるようにしたものでは、端
面の沿面距離が長くなるので前記放電は起りにくくなる
が、第３図（ロ）に示すように亀裂６が入り易く、ここ
から放電が起るという問題点を有している。
誘電体１の端面より内側になるようにしたものでは、端
面の沿面距離が長くなるので前記放電は起りにくくなる
が、第３図（ロ）に示すように亀裂６が入り易く、ここ
から放電が起るという問題点を有している。
また、樹脂として硬いものを用いると、耐湿性が高く、
セラミックとの接着強度も比較的強いが、樹脂にクラッ
クが入り易く、またセラミック自身を破壊してしまう、
逆に樹脂として軟いものを用いるとセラミックを破壊す
ることはないが、耐湿性に劣りまたセラミックとの接着
強度に問題があり、いずれにしても樹脂のみによっては
上記問題点を解決することばできなかった。
セラミックとの接着強度も比較的強いが、樹脂にクラッ
クが入り易く、またセラミック自身を破壊してしまう、
逆に樹脂として軟いものを用いるとセラミックを破壊す
ることはないが、耐湿性に劣りまたセラミックとの接着
強度に問題があり、いずれにしても樹脂のみによっては
上記問題点を解決することばできなかった。
上記の問題点を解決するために、この発明ではセラミッ
ク誘電体の両面に電極を設け、これを樹脂モールドした
高圧コンデンサにおいて、セラミック誘電体の端面に表
面粗さの大きなガラス膜を設け、このガラス膜を介して
樹脂モールドしたことを特徴とする。
ク誘電体の両面に電極を設け、これを樹脂モールドした
高圧コンデンサにおいて、セラミック誘電体の端面に表
面粗さの大きなガラス膜を設け、このガラス膜を介して
樹脂モールドしたことを特徴とする。
これにより、端面での間隙の発生を防止し、放電の発生
をおさえた耐電圧の高い高圧コンデンサが得られる。ま
た、電極をセラミック誘電体の端面にまで伸ばしても放
電は起りにくり、従って同じ容量のコンデンサを得るに
は小型化が可能となる。特に両面での放電が起りにくい
ので、厚さを小さくすることができ、この面からも一層
小型化された高圧コンデンサを得ることができる。
をおさえた耐電圧の高い高圧コンデンサが得られる。ま
た、電極をセラミック誘電体の端面にまで伸ばしても放
電は起りにくり、従って同じ容量のコンデンサを得るに
は小型化が可能となる。特に両面での放電が起りにくい
ので、厚さを小さくすることができ、この面からも一層
小型化された高圧コンデンサを得ることができる。
第１図は、この発明の一実施例である。第１図において
、第３図の従来例と同じ部材には、同じ番号が付与しで
あるので、詳かい説明は省く。第１図において、両面に
電極２．２′を設けたセラミンク誘電体１は、樹脂モー
ルド３されているが、この発明に従って電極２．２′間
のセラミック誘電体１の端面に、表面が粗なガラス膜５
を設けている。
、第３図の従来例と同じ部材には、同じ番号が付与しで
あるので、詳かい説明は省く。第１図において、両面に
電極２．２′を設けたセラミンク誘電体１は、樹脂モー
ルド３されているが、この発明に従って電極２．２′間
のセラミック誘電体１の端面に、表面が粗なガラス膜５
を設けている。
この表面が粗なガラス膜５としては、アルミナ、ジルコ
ニア、マグネシア等の酸化物磁気粉末を混入したガラス
によって作られる。
ニア、マグネシア等の酸化物磁気粉末を混入したガラス
によって作られる。
第２図は、アルミナの重量％と表面粗さの関係を示すグ
ラフである。アルミナの量が増加すると膜自体の強度が
低下してくるが、アルミナの重量％２０〜６５の範囲の
ものが好結果を得ている。
ラフである。アルミナの量が増加すると膜自体の強度が
低下してくるが、アルミナの重量％２０〜６５の範囲の
ものが好結果を得ている。
酸化物磁気粉末を混入したガラス膜の製造方法としては
、まず、ガラス材に大きな数μ程度の酸化物磁気粉末を
混ぜる。例えば、ガラスフリット１００重量部に対し、
ラッカー９重量部（エチルセルロース１１−５０を２０
重量部、エチルセルロースＮ−２００を１０重量部、α
−テルピネホールを２７０重量部を混入溶解したもの）
、アルミナ５０重量部を混ぜ、ペースト状としてセラミ
ック誘電体１の端面に膜状に塗る。これを焼成してアル
ミナ混入ガラス膜５を得る。
、まず、ガラス材に大きな数μ程度の酸化物磁気粉末を
混ぜる。例えば、ガラスフリット１００重量部に対し、
ラッカー９重量部（エチルセルロース１１−５０を２０
重量部、エチルセルロースＮ−２００を１０重量部、α
−テルピネホールを２７０重量部を混入溶解したもの）
、アルミナ５０重量部を混ぜ、ペースト状としてセラミ
ック誘電体１の端面に膜状に塗る。これを焼成してアル
ミナ混入ガラス膜５を得る。
ガラス膜５は、その表面に多数の凹凸が形成された粗面
となっており、このガラス膜５と樹脂モールド３との接
着はきわめて強力となる。またガラス膜５とセラミック
誘電体は、その性質も近似したものであり、接着力は強
いので、結局端面に間隙、空隙の生ずる恐れはない。
となっており、このガラス膜５と樹脂モールド３との接
着はきわめて強力となる。またガラス膜５とセラミック
誘電体は、その性質も近似したものであり、接着力は強
いので、結局端面に間隙、空隙の生ずる恐れはない。
粗表面を有するガラス膜５の他の例は結晶化ガラスを用
いるものである。ホウケイ酸鉛系のガラス、例えば、Ｐ
ｂＯ−３ｉ０２ Ｂ２Ｏ３等の結晶化ガラスを用いた
場合にも、第１の実施例同様ガラス膜表面を粗にするこ
とができた。その外の結晶化ガラスにはＰｂＯ−Ｂ２０
３−ＺｎＯ，Ｐｂｏ−Ｂ：ｚ０３、ＰｂＯ−３１ｏ２−
Ｂ２０３−に２０等がありいずれも膜面を粗にすること
かできる。この場合、セラミック誘電体１の熱膨張係数
に対し、わずかにガラス膜の熱膨張係数を小さくすると
、両者のヱ１１１４１１が起りにクク、優れた高圧コン
デンサを得ることができる。１例として、セラミック誘
電体１の熱膨張係数１００〜１１０×１０冑／ｄｅｇ、
に対し、ガラス膜の熱膨張係数９０〜１００ ｘ １０
’／ｄｅｇ、のものが好結果を示した。
いるものである。ホウケイ酸鉛系のガラス、例えば、Ｐ
ｂＯ−３ｉ０２ Ｂ２Ｏ３等の結晶化ガラスを用いた
場合にも、第１の実施例同様ガラス膜表面を粗にするこ
とができた。その外の結晶化ガラスにはＰｂＯ−Ｂ２０
３−ＺｎＯ，Ｐｂｏ−Ｂ：ｚ０３、ＰｂＯ−３１ｏ２−
Ｂ２０３−に２０等がありいずれも膜面を粗にすること
かできる。この場合、セラミック誘電体１の熱膨張係数
に対し、わずかにガラス膜の熱膨張係数を小さくすると
、両者のヱ１１１４１１が起りにクク、優れた高圧コン
デンサを得ることができる。１例として、セラミック誘
電体１の熱膨張係数１００〜１１０×１０冑／ｄｅｇ、
に対し、ガラス膜の熱膨張係数９０〜１００ ｘ １０
’／ｄｅｇ、のものが好結果を示した。
以上述べたように、この発明によれば、円板状のセラミ
ック誘電体の両面に電極を設け、全体を樹脂モールドし
た高圧コンデンサの端面を、その表面が粗なガラス膜で
被覆したので、端面での樹脂との剥離が防止でき、その
部分から発生する放電を防ぐことができる。従って、円
板状のセラミック誘電体の厚さを減することができ、同
じ容量のコンデンサであれば、電極面積をその分だけ減
することができる。また、表面に設ける電極も端１ 面
ぎりぎりまで設けることができるので同し大きさのセラ
ミック誘電体ならばその分だけ容量を大きくすることが
できるので、高圧コンデンサの小型化が可能である。
ック誘電体の両面に電極を設け、全体を樹脂モールドし
た高圧コンデンサの端面を、その表面が粗なガラス膜で
被覆したので、端面での樹脂との剥離が防止でき、その
部分から発生する放電を防ぐことができる。従って、円
板状のセラミック誘電体の厚さを減することができ、同
じ容量のコンデンサであれば、電極面積をその分だけ減
することができる。また、表面に設ける電極も端１ 面
ぎりぎりまで設けることができるので同し大きさのセラ
ミック誘電体ならばその分だけ容量を大きくすることが
できるので、高圧コンデンサの小型化が可能である。
第１図はこの発明の実施例を示す図、第２図はガラス中
のアルミナの含有量と表面粗さを示す図、第３図は従来
例を示す図である。 １−セラミック誘電体、 ２．２′−電極、３−樹脂モ
ールド、 ４．４′−リード線、５−表面が粗な
ガラス膜、
のアルミナの含有量と表面粗さを示す図、第３図は従来
例を示す図である。 １−セラミック誘電体、 ２．２′−電極、３−樹脂モ
ールド、 ４．４′−リード線、５−表面が粗な
ガラス膜、
Claims (3)
- （１）円板状のセラミック誘電体の両面に電極を設け、
これを樹脂モールドした高圧コンデンサにおいて、セラ
ミック誘電体の端面に表面粗さの大きなガラス膜を設け
たことを特徴とする高圧コンデンサ。 - （２）表面粗さの大きなガラス膜として酸化物粉末を混
入したガラス膜を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の高圧コンデンサ。 - （３）表面粗さの大きなガラス膜として結晶化ガラス膜
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
高圧コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8668085A JPS61245512A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8668085A JPS61245512A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245512A true JPS61245512A (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=13893728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8668085A Pending JPS61245512A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 高電圧用コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245512A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431388A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High-frequency heating device |
| JPH0263522U (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP8668085A patent/JPS61245512A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431388A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | High-frequency heating device |
| JPH0263522U (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 |
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