JP2961925B2 - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JP2961925B2 JP2961925B2 JP7150991A JP7150991A JP2961925B2 JP 2961925 B2 JP2961925 B2 JP 2961925B2 JP 7150991 A JP7150991 A JP 7150991A JP 7150991 A JP7150991 A JP 7150991A JP 2961925 B2 JP2961925 B2 JP 2961925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- ceramic dielectric
- resin
- synthetic resin
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波回路等に有用な回
路基板に関するものである。
路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、回路基板は主としてガラスやセラ
ミック誘電体粉末を分散させた樹脂基板が利用されてい
る。これは、ガラスの場合はガラスクロスと樹脂を複合
させることにより基板の機械的強度を向上させるためで
あり、セラミック誘電体粉末の場合は、基板の合成比誘
電率を高めるためである。
ミック誘電体粉末を分散させた樹脂基板が利用されてい
る。これは、ガラスの場合はガラスクロスと樹脂を複合
させることにより基板の機械的強度を向上させるためで
あり、セラミック誘電体粉末の場合は、基板の合成比誘
電率を高めるためである。
【０００３】以下に従来の回路基板について説明する。
図３は従来の回路基板の要部断面図である。
図３は従来の回路基板の要部断面図である。
【０００４】１はセラミック誘電体微粉末、２はセラミ
ック誘電体微粉末１を均一に分散した合成樹脂層であ
る。セラミック誘電体微粉末１は回路基板の機械的強度
を低下させないため合成樹脂２中に数１０％程度しか含
有させることができない。
ック誘電体微粉末１を均一に分散した合成樹脂層であ
る。セラミック誘電体微粉末１は回路基板の機械的強度
を低下させないため合成樹脂２中に数１０％程度しか含
有させることができない。
【０００５】セラミック誘電体微粉末の場合、セラミッ
ク誘電体の比誘電率εcを１００、樹脂単体の比誘電率
εaを３、充填率Ｖを０．３とすると、次式（数１）か
らセラミック誘電体微粉末と樹脂との混合物の合成比誘
電率εsは１０程度となる。
ク誘電体の比誘電率εcを１００、樹脂単体の比誘電率
εaを３、充填率Ｖを０．３とすると、次式（数１）か
らセラミック誘電体微粉末と樹脂との混合物の合成比誘
電率εsは１０程度となる。
【０００６】
【数１】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、例えばガラス−エポキシ樹脂基板の比誘電
率は４〜５と極めて低いため、インターデジタル回路の
ギャップ距離が小さくなり信頼性を損なうという問題点
があった。又、回路基板上に共振器を形成させる場合、
共振器寸法は回路基板の比誘電率の平方根に反比例する
ことから、形状が大きくなり、回路の小型化を阻害する
という問題点を有していた。
の構成では、例えばガラス−エポキシ樹脂基板の比誘電
率は４〜５と極めて低いため、インターデジタル回路の
ギャップ距離が小さくなり信頼性を損なうという問題点
があった。又、回路基板上に共振器を形成させる場合、
共振器寸法は回路基板の比誘電率の平方根に反比例する
ことから、形状が大きくなり、回路の小型化を阻害する
という問題点を有していた。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、比誘電率が大きく、又、高周波誘電損失の少ない回
路基板を提供することを目的とする。
で、比誘電率が大きく、又、高周波誘電損失の少ない回
路基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の回路基板は、セラミック誘電体基板をベース
とし前記ベース上にセラミック誘電体が分散している合
成樹脂層、電極層が形成された構成を有している。
に本発明の回路基板は、セラミック誘電体基板をベース
とし前記ベース上にセラミック誘電体が分散している合
成樹脂層、電極層が形成された構成を有している。
【００１０】
【作用】この構成によって、合成比誘電率は次式（数
２）に近似される。
２）に近似される。
【００１１】
【数２】
【００１２】（数２）に一般的な代表値である合成樹脂
単体の比誘電率εaを３、セラミック誘電体層厚ｔcとし
て１mmを用い回路基板の合成比誘電率εrを求めた結果
を図１に示す。
単体の比誘電率εaを３、セラミック誘電体層厚ｔcとし
て１mmを用い回路基板の合成比誘電率εrを求めた結果
を図１に示す。
【００１３】この図１から明らかなように本発明による
回路基板は、比誘電率を著しく向上させることがわか
る。また、この構成によって誘電損失を下げることもわ
かる。
回路基板は、比誘電率を著しく向上させることがわか
る。また、この構成によって誘電損失を下げることもわ
かる。
【００１４】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
【００１５】（実施例１〜９）次のａ〜ｃの工程を経
て、（表１）に示す試料１〜９を得た。
て、（表１）に示す試料１〜９を得た。
【００１６】ａ．セラミック誘電体基板の成形工程 次の３つの原料で調整した。
【００１７】(1)比誘電率εcが１０の基板材料としての
混合物。 Ａｌ2Ｏ3 ９３mol％ ＳｉＯ2 ３mol％ ＣａＯ ２mol％ ＭｇＯ ２mol％ (2)比誘電率εcが３２の基板材料としての混合物。
混合物。 Ａｌ2Ｏ3 ９３mol％ ＳｉＯ2 ３mol％ ＣａＯ ２mol％ ＭｇＯ ２mol％ (2)比誘電率εcが３２の基板材料としての混合物。
【００１８】Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3 ７５mol％ Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3 ２５mol％ (3)比誘電率εcが１００の基板材料としての混合物。
【００１９】ＢａＯ ７．５mol％ ＮｄＯ3/2 １０mol％ ＴｉＯ2 ８２．５mol％ 上記各材料を、高速粉砕混合機を用い目標とする原料を
得た。得られた粉体の粒子径は、０．３〜０．５μｍで
あった。前記原料にポリビニルアルコール１０ｗ／ｖ％
液を１０ｖ／ｗ％添加して造粒し、得られた造粒粉体を
用い成形焼成し５０mm×５０mm×１mmのセラミック誘電
体基板を得た。焼成条件としては、１６００℃で２時間
焼成し、次いで１４００℃で１０時間焼成し、更に１３
５０℃で３時間焼成した。
得た。得られた粉体の粒子径は、０．３〜０．５μｍで
あった。前記原料にポリビニルアルコール１０ｗ／ｖ％
液を１０ｖ／ｗ％添加して造粒し、得られた造粒粉体を
用い成形焼成し５０mm×５０mm×１mmのセラミック誘電
体基板を得た。焼成条件としては、１６００℃で２時間
焼成し、次いで１４００℃で１０時間焼成し、更に１３
５０℃で３時間焼成した。
【００２０】ｂ．樹脂のコーティング工程 前記セラミック誘電体基板の成形工程で得られた誘電体
基板の全面に次の樹脂を膜厚５〜５００μｍでコーティ
ングした。
基板の全面に次の樹脂を膜厚５〜５００μｍでコーティ
ングした。
【００２１】1ポリエステル樹脂。 2ポリイミド樹脂。
【００２２】3前記(3)比誘電率εc＝１００のセラミッ
ク誘電体の基板材料を１５〜３０vol％ポリイミド樹脂
中に分散させた分散系。
ク誘電体の基板材料を１５〜３０vol％ポリイミド樹脂
中に分散させた分散系。
【００２３】ｃ．メッキ又は電極箔を圧着して電極を形
成する電極形成工程 前記ｂの工程で得られたコーティング基板上に第一層と
してＣｕメッキを施し、次いでエッチングにより所定の
回路を形成した後、Ｃｕ層の保護層として第二層にＮｉ
メッキを行い、図２に示す回路基板を得た。
成する電極形成工程 前記ｂの工程で得られたコーティング基板上に第一層と
してＣｕメッキを施し、次いでエッチングにより所定の
回路を形成した後、Ｃｕ層の保護層として第二層にＮｉ
メッキを行い、図２に示す回路基板を得た。
【００２４】図２は本発明の回路基板の要部断面図であ
る。３は粒径０．１〜１．０μｍのセラミック誘電体の
微粉末を前記（ａ）工程で製造したセラミック誘電体基
板、４はセラミック誘電体基板３の表面にコーティング
された合成樹脂コート層、５は電極である。
る。３は粒径０．１〜１．０μｍのセラミック誘電体の
微粉末を前記（ａ）工程で製造したセラミック誘電体基
板、４はセラミック誘電体基板３の表面にコーティング
された合成樹脂コート層、５は電極である。
【００２５】このようにして得られた各試料について、
見掛けの合成比誘電率、誘電損失、電極ピール強度、熱
衝撃試験を行った。その試験結果を（表１）に示す。
見掛けの合成比誘電率、誘電損失、電極ピール強度、熱
衝撃試験を行った。その試験結果を（表１）に示す。
【００２６】（比較例１〜４）樹脂膜厚を５μｍ未満又
は５００μｍを越えた他は実施例と同様にして回路基板
を得、実施例と同様に試験を行った。その結果を（表
１）に示す。
は５００μｍを越えた他は実施例と同様にして回路基板
を得、実施例と同様に試験を行った。その結果を（表
１）に示す。
【００２７】（比較例５）従来のガラス−エポキシ樹脂
からなる回路基板について、実施例と同様に試験を行っ
た。その結果を（表１）に示す。
からなる回路基板について、実施例と同様に試験を行っ
た。その結果を（表１）に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】この（表１）から明らかなように従来例に
比較し本発明の回路基板は、誘電損失が低く高周波回路
基板として優れていることがわかる。又、樹脂層厚が５
μｍ未満では、樹脂と電極間の電極ピール強度（接着強
度）が低下し、５００μｍを超えるとセラミックと樹脂
間の熱膨張差によりセラミックと樹脂間に剥離現象が発
生する傾向が見られ好ましくない。樹脂中にセラミック
誘電体粉末を配合すると、（数２）中のεrが上昇し、
回路基板としての合成比誘電率が増加するので、共振回
路寸法の小型化を達成することが可能となった。尚、合
成樹脂がポリイミド樹脂、テフロン樹脂の場合、高周波
に対する誘電損失を最小にすることができるということ
がわかった。
比較し本発明の回路基板は、誘電損失が低く高周波回路
基板として優れていることがわかる。又、樹脂層厚が５
μｍ未満では、樹脂と電極間の電極ピール強度（接着強
度）が低下し、５００μｍを超えるとセラミックと樹脂
間の熱膨張差によりセラミックと樹脂間に剥離現象が発
生する傾向が見られ好ましくない。樹脂中にセラミック
誘電体粉末を配合すると、（数２）中のεrが上昇し、
回路基板としての合成比誘電率が増加するので、共振回
路寸法の小型化を達成することが可能となった。尚、合
成樹脂がポリイミド樹脂、テフロン樹脂の場合、高周波
に対する誘電損失を最小にすることができるということ
がわかった。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明は、セラミック誘電
体基板をベースとし、その上にセラミック誘電体が分散
している合成樹脂層、電極層を形成することにより、比
誘電率が高く、高周波特性に優れ、さらに基板と樹脂層
との間の密着強度が高く、かつ樹脂基板の特徴である例
えば銅張り基板等の電極一体構造にもすることができる
優れた回路基板を実現できるものである。
体基板をベースとし、その上にセラミック誘電体が分散
している合成樹脂層、電極層を形成することにより、比
誘電率が高く、高周波特性に優れ、さらに基板と樹脂層
との間の密着強度が高く、かつ樹脂基板の特徴である例
えば銅張り基板等の電極一体構造にもすることができる
優れた回路基板を実現できるものである。
【図１】セラミック誘電体の比誘電率（εc）に対する
回路基板の合成比誘電率（εr）の依存性
回路基板の合成比誘電率（εr）の依存性
【図２】本発明の回路基板の要部断面図
【図３】従来例の回路基板の要部断面図
１ セラミック誘電体微粉末 ２ 合成樹脂層 ３ セラミック誘電体基板 ４ 合成樹脂コート層 ５ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多木 宏光 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−30392（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 1/03
Claims (4)
- 【請求項１】セラミック誘電体基板と、前記セラミック
誘電体基板を被覆する合成樹脂コート層と、前記合成樹
脂コート層上に形成された電極と、を備え、前記合成樹
脂コート層にセラミック誘電体が分散していることを特
徴とする回路基板。 - 【請求項２】合成樹脂コート層の膜厚が５〜５００μｍ
であることを特徴とする請求項１記載の回路基板。 - 【請求項３】合成樹脂がフッ素系樹脂及び／又はポリイ
ミド系樹脂であることを特徴とする請求項１記載の回路
基板。 - 【請求項４】電極を複数層で形成したことを特徴とする
請求項１記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150991A JP2961925B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150991A JP2961925B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307788A JPH04307788A (ja) | 1992-10-29 |
| JP2961925B2 true JP2961925B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=13462739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150991A Expired - Lifetime JP2961925B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961925B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5004922B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2012-08-22 | 京セラ株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP7150991A patent/JP2961925B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04307788A (ja) | 1992-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3019541B2 (ja) | コンデンサ内蔵型配線基板およびその製造方法 | |
| US2566666A (en) | Printed electronic circuit | |
| US5474834A (en) | Superconducting circuit sub-assembly having an oxygen shielding barrier layer | |
| US4689262A (en) | Electrically insulating substrate | |
| JP2002015939A (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JP3327045B2 (ja) | 誘電体ペースト及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| US5122930A (en) | High heat-conductive, thick film multi-layered circuit board | |
| JP2961925B2 (ja) | 回路基板 | |
| US4719443A (en) | Low capacitance power resistor using beryllia dielectric heat sink layer and low toxicity method for its manufacture | |
| JPH025019B2 (ja) | ||
| JPH10135073A (ja) | 複合セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH03296205A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| US5352482A (en) | Process for making a high heat-conductive, thick film multi-layered circuit board | |
| JP3078415B2 (ja) | 窒化アルミニウム配線基板 | |
| JPS6145851B2 (ja) | ||
| JPH0940933A (ja) | 銅箔用接着剤 | |
| JPH05135991A (ja) | 面実装用電子部品 | |
| US6007900A (en) | Dielectric paste and thick-film capacitor using same | |
| JP2703456B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH1013036A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2002252444A (ja) | 多数個取り配線基板 | |
| EP0390944B1 (en) | Manufacturing method for a multilayer ceramic substrate | |
| JP2000182435A (ja) | 導電性ペースト及びセラミック電子部品 | |
| JPH08288643A (ja) | 配線基板 | |
| JPH02177589A (ja) | セラミック回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070806 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100806 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806 Year of fee payment: 12 |