JPS61220364A - くし形ボンデイングパツド - Google Patents
くし形ボンデイングパツドInfo
- Publication number
- JPS61220364A JPS61220364A JP6122685A JP6122685A JPS61220364A JP S61220364 A JPS61220364 A JP S61220364A JP 6122685 A JP6122685 A JP 6122685A JP 6122685 A JP6122685 A JP 6122685A JP S61220364 A JPS61220364 A JP S61220364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- bonding pads
- pectinate
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
くし形ボンディングパッドであって、電気的に分離され
た第１．第２のボンディングパッド間の接続をワイヤ先
端の圧着によって行う構造のボンディングパッドの形状
をくしの歯の形にしたものである。
た第１．第２のボンディングパッド間の接続をワイヤ先
端の圧着によって行う構造のボンディングパッドの形状
をくしの歯の形にしたものである。
本発明は半導体チップに形成されるボンディングパッド
の構造に関するものであって、さらに詳しく言えば、ワ
イヤ先端の圧着によって接続されるボンディングパッド
をくしの歯の形に構成し、１回のワイヤの圧着によって
ボンディングパッドの接続が確実になされるボンディン
グパッドに関するものである。
の構造に関するものであって、さらに詳しく言えば、ワ
イヤ先端の圧着によって接続されるボンディングパッド
をくしの歯の形に構成し、１回のワイヤの圧着によって
ボンディングパッドの接続が確実になされるボンディン
グパッドに関するものである。
ウェハから切り出した集積回路の形成されたチップ、例
えば光電子集積回路チップの測定において、その回路中
の重要単体素子（例えばレーザダイオード）の特性を他
の回路から切り離して別個に測定することができると、
チップ選別や寿命試験等に有用であるので、その方法が
検討されている。前記のレーザダイオードの歩留りは一
般に他の回路よりは悪いので、チップに形成された集積
回路の測定をする前にレーザダイオードのみの測定を行
い、測定結果が悪いときはそのチップを不良とし、結果
が良の場合にのみ他の回路について測定を行うと、製造
歩留りがそれだけ改善されることになる。
えば光電子集積回路チップの測定において、その回路中
の重要単体素子（例えばレーザダイオード）の特性を他
の回路から切り離して別個に測定することができると、
チップ選別や寿命試験等に有用であるので、その方法が
検討されている。前記のレーザダイオードの歩留りは一
般に他の回路よりは悪いので、チップに形成された集積
回路の測定をする前にレーザダイオードのみの測定を行
い、測定結果が悪いときはそのチップを不良とし、結果
が良の場合にのみ他の回路について測定を行うと、製造
歩留りがそれだけ改善されることになる。
第２図に従来のボンディングパッドが平面図で示され、
同図において、２１はレーザダイオードの如き単体素子
、２２ａ、 ２２ｂ、 ２２ｃはボンディングパッド、
２３と２４は他の駆動回路へ導く配線、をそれぞれ示す
。単体素子２１のみの測定においては、ボンディングパ
ッド２２ａと２２ｃに試験用の針を接触させて測定をな
し、その結果が良であればボンディングワイヤ２５の先
端２５ａを圧着してボンディングパッド２２ａと２２ｂ
を電気的に接続する。配線２３と２４は他の回路へ導く
から、次に単体素子２１が組み込まれた回路全体につい
て次の測定をなす。
同図において、２１はレーザダイオードの如き単体素子
、２２ａ、 ２２ｂ、 ２２ｃはボンディングパッド、
２３と２４は他の駆動回路へ導く配線、をそれぞれ示す
。単体素子２１のみの測定においては、ボンディングパ
ッド２２ａと２２ｃに試験用の針を接触させて測定をな
し、その結果が良であればボンディングワイヤ２５の先
端２５ａを圧着してボンディングパッド２２ａと２２ｂ
を電気的に接続する。配線２３と２４は他の回路へ導く
から、次に単体素子２１が組み込まれた回路全体につい
て次の測定をなす。
一般にボンディングパッド２２ａと２２ｂとの間のギャ
ップ２６は１０〜２０μｍに設定され、ボンディングワ
イヤ２５の直径は２５μ糟であり、先端部分２５ａの拡
がりはワイヤの直径の２倍程度となる。
ップ２６は１０〜２０μｍに設定され、ボンディングワ
イヤ２５の直径は２５μ糟であり、先端部分２５ａの拡
がりはワイヤの直径の２倍程度となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記したワイヤ２５の圧着により先端２５ａがギャップ
２６を完全に埋めるとボンディングパッド２２ａと２２
ｂとは電気的に接続されるが、第２図に示されるように
、ギャップ２６が完全に埋められない場合、ボンディン
グパッド２２ａと２２ｂとは電気的に接続されないので
、ワイヤ２５を剥がし、再度ワイヤを圧着しなければな
らない。そのとき、ワイヤが圧着されたボンディングパ
ッド、第２図に図示の例ではボンディングバンド２２ｂ
が剥がされることがあり、そうなるとそのボンディング
パッドが形成されているチップは不良品となる。
２６を完全に埋めるとボンディングパッド２２ａと２２
ｂとは電気的に接続されるが、第２図に示されるように
、ギャップ２６が完全に埋められない場合、ボンディン
グパッド２２ａと２２ｂとは電気的に接続されないので
、ワイヤ２５を剥がし、再度ワイヤを圧着しなければな
らない。そのとき、ワイヤが圧着されたボンディングパ
ッド、第２図に図示の例ではボンディングバンド２２ｂ
が剥がされることがあり、そうなるとそのボンディング
パッドが形成されているチップは不良品となる。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、ワイ
ヤの圧着により確実に電気的に接続されるボンディング
パッドを提供することを目的とする。
ヤの圧着により確実に電気的に接続されるボンディング
パッドを提供することを目的とする。
第１図は本発明のボンディングバンドを示す。
レーザダイオード１１とその駆動用電子回路１２をモノ
リシックに集積したデバイスにおいて、レーザダイオー
ド１１のみの測定を、パッド１３と１４とを用いて行っ
た後に、くし形ボンディングパッド１５上ヘボンディン
グワイヤ１６を圧着することによって、レーザダイオー
ドと駆動回路１２とを接続し、回路全体の測定を行い、
次いでパンケージングをなすものである。
リシックに集積したデバイスにおいて、レーザダイオー
ド１１のみの測定を、パッド１３と１４とを用いて行っ
た後に、くし形ボンディングパッド１５上ヘボンディン
グワイヤ１６を圧着することによって、レーザダイオー
ドと駆動回路１２とを接続し、回路全体の測定を行い、
次いでパンケージングをなすものである。
２つのボンディングパッド１３と１５とは、くし形に構
成されているので、ワイヤ１６の先端は、くし形部分の
中央から位置ずれしたとしてもその先端部分によってく
しの歯のいずれかのギャップは埋められて、２つのボン
ディングパッドが確実に電気的に接続されるのである。
成されているので、ワイヤ１６の先端は、くし形部分の
中央から位置ずれしたとしてもその先端部分によってく
しの歯のいずれかのギャップは埋められて、２つのボン
ディングパッドが確実に電気的に接続されるのである。
再び第１図を参照すると、駆動回路１２は、ＰＥＴ１７
ａ＋ ｉ７ｂ、 １７ｃから構成され、これらＰＥＴと
レーザダイオード１１から成るループ回路は、配線１８
゜１９によって電源の一例と＋側に接続され、そして図
示の回路は１個の半導体チップに形成されている。
ａ＋ ｉ７ｂ、 １７ｃから構成され、これらＰＥＴと
レーザダイオード１１から成るループ回路は、配線１８
゜１９によって電源の一例と＋側に接続され、そして図
示の回路は１個の半導体チップに形成されている。
前記した如く、最初にボンディングパッド１３と１５と
が接続されていない状態で、試験針をボンディングパッ
ド１３と１４に接触させてレーザダイオード１１のみの
特性を試験する。その結果が良であれば、ボンディング
パッド１３と１５とを電気的に接続する。そのためには
ワイヤ１６の先端を圧着してボンディングパッド１３と
１５とを接続しなければならないが、本発明によるとボ
ンディングパッドをくし形にし、くシの歯の間のギャッ
プを埋めるのである。
が接続されていない状態で、試験針をボンディングパッ
ド１３と１４に接触させてレーザダイオード１１のみの
特性を試験する。その結果が良であれば、ボンディング
パッド１３と１５とを電気的に接続する。そのためには
ワイヤ１６の先端を圧着してボンディングパッド１３と
１５とを接続しなければならないが、本発明によるとボ
ンディングパッドをくし形にし、くシの歯の間のギャッ
プを埋めるのである。
すなわち、ボンディングパッド１３と１５の相手方に面
する側にはそれぞれ相補的な歯１３ａ、 １５ａを形成
し、歯１３ａの間に歯１５ａが配置されるようにする。
する側にはそれぞれ相補的な歯１３ａ、 １５ａを形成
し、歯１３ａの間に歯１５ａが配置されるようにする。
そして、くしの歯相互間のギャップは例えば１０μ−程
度に設定する。歯１３ａ、 １５ａは多数配列されてい
るので、ワイヤ１６の先端がくしの歯１３ａ。
度に設定する。歯１３ａ、 １５ａは多数配列されてい
るので、ワイヤ１６の先端がくしの歯１３ａ。
１５ａのどこかに来さえすれば２つのボンディングパッ
ドは確実に電気的に接続される。その後に試験とパフケ
ージングとを従来同様に行う。
ドは確実に電気的に接続される。その後に試験とパフケ
ージングとを従来同様に行う。
くしの歯の形成は、リフトオフ法によってなされる。す
なわち、ボンディングパッド１３．１５の形成において
は、チップ表面にレジスト膜を形成しそれをボンディン
グパッドの形状と逆パターンにパターニングし、金属を
全面に蒸着し、しかる後にレジストを除去すると、レジ
ストのあった部分の上の金属は除去され、図示のパター
ンの金属パターンが基板上に残る。または、最初に金属
を蒸着し、しかる後に図示のパターンにエツチングして
もよい。いずれの方法によるにせよくし形のボンディン
グパッドは通常の技術を用いて形成可能である。
なわち、ボンディングパッド１３．１５の形成において
は、チップ表面にレジスト膜を形成しそれをボンディン
グパッドの形状と逆パターンにパターニングし、金属を
全面に蒸着し、しかる後にレジストを除去すると、レジ
ストのあった部分の上の金属は除去され、図示のパター
ンの金属パターンが基板上に残る。または、最初に金属
を蒸着し、しかる後に図示のパターンにエツチングして
もよい。いずれの方法によるにせよくし形のボンディン
グパッドは通常の技術を用いて形成可能である。
以上述べてきたように本発明によれば、ボンディングワ
イヤの圧着位置がボンディングパッドのくしの歯部分の
どこにきても、レーザダイオード単体と駆動回路を確実
に接続することができる効果がある。
イヤの圧着位置がボンディングパッドのくしの歯部分の
どこにきても、レーザダイオード単体と駆動回路を確実
に接続することができる効果がある。
第１図は本発明のくし形ボンディングパッドを示すため
の光電子集積回路の平面図、 第２図は従来のボンディングパッドの平面図である。 第１図において、 １１はレーザダイオード、 １２は駆動回路、 １３と１５はくし形ボンディングパッド、１３ａと１５
ａはくしの歯、 １４はボンディングパッド、 １６はボンディングワイヤ、 １７ａ、 １７ｂ、 １７ｃはＰＥＴ 。 １８と１９は配線である。
の光電子集積回路の平面図、 第２図は従来のボンディングパッドの平面図である。 第１図において、 １１はレーザダイオード、 １２は駆動回路、 １３と１５はくし形ボンディングパッド、１３ａと１５
ａはくしの歯、 １４はボンディングパッド、 １６はボンディングワイヤ、 １７ａ、 １７ｂ、 １７ｃはＰＥＴ 。 １８と１９は配線である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電気的に分離されボンディングワイヤ（１６）の先端
の圧着により接続される第１、第２のボンディングパッ
ド（１３、１５）にして、 各ボンディングパッド（１３、１５）の相手方に面する
側はそれぞれ相補的なくしの歯形状に形成し、一方側の
歯（１３ａ、１５ａ）は他方側の歯（１３ａ、１５ａ）
の間に配置される構成としたことを特徴とするくし形ボ
ンディングパッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122685A JPS61220364A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | くし形ボンデイングパツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122685A JPS61220364A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | くし形ボンデイングパツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220364A true JPS61220364A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13165082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6122685A Pending JPS61220364A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | くし形ボンデイングパツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256754A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS62174934A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP6122685A patent/JPS61220364A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256754A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS62174934A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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