JPS61198344A - ブロツクデ−タ書込方式 - Google Patents
ブロツクデ−タ書込方式Info
- Publication number
- JPS61198344A JPS61198344A JP60039142A JP3914285A JPS61198344A JP S61198344 A JPS61198344 A JP S61198344A JP 60039142 A JP60039142 A JP 60039142A JP 3914285 A JP3914285 A JP 3914285A JP S61198344 A JPS61198344 A JP S61198344A
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- JP
- Japan
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- word
- data
- write
- timing
- write data
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- Memory System (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報処理装置等における記憶装置のブロックデ
ータ書込方式に関する。
ータ書込方式に関する。
従来の情報処理装置では演算処理部に高速の記憶部を設
け、主記憶部の内容の一部を記憶しておき、演算処理部
からみた主記憶部に対するアクセスタイムを改善するバ
ッファメモリ方式をとるのが一般的である。通常演算処
理部におかれた高速記憶部をキャッシュメモリと呼んで
いる。また、大型の情報処理装置では複数個の演算処理
部と周辺制御部をもつことが多く、主記憶部に対して請
求される総データ転送量は大きくなってきている。
け、主記憶部の内容の一部を記憶しておき、演算処理部
からみた主記憶部に対するアクセスタイムを改善するバ
ッファメモリ方式をとるのが一般的である。通常演算処
理部におかれた高速記憶部をキャッシュメモリと呼んで
いる。また、大型の情報処理装置では複数個の演算処理
部と周辺制御部をもつことが多く、主記憶部に対して請
求される総データ転送量は大きくなってきている。
総データ転送量を向上するためには一回当りのデータ幅
を大きくするか、インターリーブ数をふやす等の方法が
とられる。総データ転送量がシステムの要求性能を満足
させることができないとバッファメモリ方式を採用して
いても記憶部へのアクセスが待たされることで実効的な
アクセスタイムが悪くなってしまう。その結果複数台あ
る演算処理部が各々が持っている最高性能を発揮できな
いことになる。
を大きくするか、インターリーブ数をふやす等の方法が
とられる。総データ転送量がシステムの要求性能を満足
させることができないとバッファメモリ方式を採用して
いても記憶部へのアクセスが待たされることで実効的な
アクセスタイムが悪くなってしまう。その結果複数台あ
る演算処理部が各々が持っている最高性能を発揮できな
いことになる。
以上のような状況が生じるのは一般に主記憶部に使用し
ている記憶素子がダイナミック型RAM(D−RAM:
Dynamic Randomkccess Memo
ry )といわれるもので演算処理部のクロック周期に
比べ大幅に遅いためである。D−RAMの集積度すなわ
ち記憶容量は4倍で向上しているがアクセス、サイクル
については現状のままで変っていない。一方、演算処理
部は集積度向上とともに遅延時間が小さくなっているの
でクロック周期はますます小さくなシ主記憶部とのギャ
ップが拡大する一方である。
ている記憶素子がダイナミック型RAM(D−RAM:
Dynamic Randomkccess Memo
ry )といわれるもので演算処理部のクロック周期に
比べ大幅に遅いためである。D−RAMの集積度すなわ
ち記憶容量は4倍で向上しているがアクセス、サイクル
については現状のままで変っていない。一方、演算処理
部は集積度向上とともに遅延時間が小さくなっているの
でクロック周期はますます小さくなシ主記憶部とのギャ
ップが拡大する一方である。
最近大型システムにおいては以上の問題を解決する方法
として演算処理部と主記憶部の間に高速または中速の比
較的大容量のシステムキャッシュ(またけセカンドキャ
ッシュ)を持つ方法が一般的釦なってきている。
として演算処理部と主記憶部の間に高速または中速の比
較的大容量のシステムキャッシュ(またけセカンドキャ
ッシュ)を持つ方法が一般的釦なってきている。
実際の使用例としては文献日経エレクトロニクス198
1.10.26 号3階層メモリ方式や高密度化技術に
より性能向上を図った大型コンピュータM−380/3
82に詳しくでている。
1.10.26 号3階層メモリ方式や高密度化技術に
より性能向上を図った大型コンピュータM−380/3
82に詳しくでている。
システムキャッシュ付のシステムにおいては主記憶部と
システムキャッシュの間のデータ転送はシステムキャッ
シュのブロック単位で行う。さらに主記憶へのアクセス
はブロック単位の読出動作、または書込動作しかない。
システムキャッシュの間のデータ転送はシステムキャッ
シュのブロック単位で行う。さらに主記憶へのアクセス
はブロック単位の読出動作、または書込動作しかない。
また、ブロックは一般にはs 4 BYTEのデータ幅
を持っている。したがって、主記憶部は54BYTEの
読み出し、書き込みを行う必要がある。システムキャッ
シュと主記憶部間のインタフェースデータ幅はHW量等
の制約から5BYTE幅若しくは16 BYTE幅が一
般的であり、64BYTEのデータを転送するためには
4回または8回の転送回数を必要とする。
を持っている。したがって、主記憶部は54BYTEの
読み出し、書き込みを行う必要がある。システムキャッ
シュと主記憶部間のインタフェースデータ幅はHW量等
の制約から5BYTE幅若しくは16 BYTE幅が一
般的であり、64BYTEのデータを転送するためには
4回または8回の転送回数を必要とする。
第3図は従来のブロックデータ書込方式の一例を示すブ
ロック図である。第3図に示す従来例では簡単化するた
めにブロック32BYTEインタフエース8BYTEで
4回転送を行う場合を示している。
ロック図である。第3図に示す従来例では簡単化するた
めにブロック32BYTEインタフエース8BYTEで
4回転送を行う場合を示している。
第3図に示すブロックデータ書込方式は、各々4BYT
Eからなる書込データレジスタ1.2と、書込データワ
ードレジスタ3〜6.7−10と、転送毎に分割されて
いるD−RAMアレイ11〜14゜15〜18と、転送
毎に切り換る読出データ選択回路19.20と、番地方
向に分割されているメモリカード21〜24.25〜2
8と、番地方向に分割されたメモリカード21〜28の
1つを選択する。読出データ選択回路29.30とを含
んでいる。第4図は書き込みの場合のタイミングチャー
トを示している。
Eからなる書込データレジスタ1.2と、書込データワ
ードレジスタ3〜6.7−10と、転送毎に分割されて
いるD−RAMアレイ11〜14゜15〜18と、転送
毎に切り換る読出データ選択回路19.20と、番地方
向に分割されているメモリカード21〜24.25〜2
8と、番地方向に分割されたメモリカード21〜28の
1つを選択する。読出データ選択回路29.30とを含
んでいる。第4図は書き込みの場合のタイミングチャー
トを示している。
システムキャッシュ側から主記憶部への書込要求が発生
した場合、リクエストと書き込みを行なうアドレスと書
込指示を示すコマンドおよび4回に時分割された書込デ
ータが送られてくる。書込データは書込データレジスタ
1,2にセットされ、続いて書込ワードレジスタ3〜6
.7〜10にセットされる。データをレジスタにセット
する間にD−FLAMを動作させるπmタイミングとで
X百タイミングをD−RAM素子に与え書き込みの準備
を行う。D−RAM素子はデータを書き込む場合2つの
方法がある。1つけ書込タイミングであるWEタイミン
グをCASタイオングよシ早く与えることによりCAS
タイミングの立下りで書き込む方法(Early Wr
iteと呼称している)とWEタイミングをCA8タイ
ミングよυ遅く与えることによりWEタイミングの立下
シで書き込む方法(Delayed Write )と
がある。これらは当該業者間では周知のことであシ特に
説明は要しない。第3図に示す従来例では書込データの
確定が遅いためDelayed Writeとなってい
る。このような構成では転送ワード毎にレジスタを有し
、メモリカード21〜28の入力ピンが4回転送分必要
になること(本例では1メモリロード当、り4BYTE
x4回分のデータビットに当る入力ビンが必要)、マた
D−RAλ1素子への信号パターンも転送間で独立であ
るためパターン数が増大する等の問題がある。
した場合、リクエストと書き込みを行なうアドレスと書
込指示を示すコマンドおよび4回に時分割された書込デ
ータが送られてくる。書込データは書込データレジスタ
1,2にセットされ、続いて書込ワードレジスタ3〜6
.7〜10にセットされる。データをレジスタにセット
する間にD−FLAMを動作させるπmタイミングとで
X百タイミングをD−RAM素子に与え書き込みの準備
を行う。D−RAM素子はデータを書き込む場合2つの
方法がある。1つけ書込タイミングであるWEタイミン
グをCASタイオングよシ早く与えることによりCAS
タイミングの立下りで書き込む方法(Early Wr
iteと呼称している)とWEタイミングをCA8タイ
ミングよυ遅く与えることによりWEタイミングの立下
シで書き込む方法(Delayed Write )と
がある。これらは当該業者間では周知のことであシ特に
説明は要しない。第3図に示す従来例では書込データの
確定が遅いためDelayed Writeとなってい
る。このような構成では転送ワード毎にレジスタを有し
、メモリカード21〜28の入力ピンが4回転送分必要
になること(本例では1メモリロード当、り4BYTE
x4回分のデータビットに当る入力ビンが必要)、マた
D−RAλ1素子への信号パターンも転送間で独立であ
るためパターン数が増大する等の問題がある。
本発明のブロックデータ書込方式は、キャッシュメモリ
から主記憶部へのブロックデータ書込におけるブロック
データについてキャッシュメモリと主記憶部間インタフ
ェース信号幅ワードにて複数ワードに分割して転送する
手段と、転送ワード毎にデータを保持するための書込デ
ータワードレジスタと、複数ワードに分割されたデータ
群の前半のワード群と後半のワード群の書込データワー
ドレジスタを選択するための選択回路と、前半のワード
群または後半のワード群のみに対し書き込みを行うため
の、書込タイミング発生回路とを含んで構成される。
から主記憶部へのブロックデータ書込におけるブロック
データについてキャッシュメモリと主記憶部間インタフ
ェース信号幅ワードにて複数ワードに分割して転送する
手段と、転送ワード毎にデータを保持するための書込デ
ータワードレジスタと、複数ワードに分割されたデータ
群の前半のワード群と後半のワード群の書込データワー
ドレジスタを選択するための選択回路と、前半のワード
群または後半のワード群のみに対し書き込みを行うため
の、書込タイミング発生回路とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
第1図に示すブロックデータ書込方式は、同一の構成を
なす二つの記憶モジュール部120.121で構成され
ている。
なす二つの記憶モジュール部120.121で構成され
ている。
配憶モジュール部120は書込データレジスタ100と
、書込データワードレジスタ102〜105と、書込デ
ータワード選択回路106.107と、転送毎に分割さ
れているD−RAMマレイ108〜111と、読出デー
タワード選択回路112と、読出データカード選択回路
113と、番地方向の分割がされているメモリカード1
14〜117と、0,1ワード用と2.3ワード用と独
立にある。書込タイミング発生回路118,119とを
含んでいる。
、書込データワードレジスタ102〜105と、書込デ
ータワード選択回路106.107と、転送毎に分割さ
れているD−RAMマレイ108〜111と、読出デー
タワード選択回路112と、読出データカード選択回路
113と、番地方向の分割がされているメモリカード1
14〜117と、0,1ワード用と2.3ワード用と独
立にある。書込タイミング発生回路118,119とを
含んでいる。
記憶モジエール部120.121は4BYTE単位に分
割されていることを示している。システムキャッシュと
は8BYTEのデータ幅にてインタフェースされており
、32BYTEを4回に分割転送してデータの読み出し
、書き込みを行なう。D−RAMアレイ108〜111
に鉱RASタイミング、CASタイミング、とWEタイ
ミングが与えられており、預タイミングとCAS−タイ
ミングは4ワ一ド共通に、また、WEタイミング#−1
:Oワードと1ワードに1本、酊タイミングが、2ワー
ドと3ワードに1本、訴1タイミングが分割されて与え
られている。
割されていることを示している。システムキャッシュと
は8BYTEのデータ幅にてインタフェースされており
、32BYTEを4回に分割転送してデータの読み出し
、書き込みを行なう。D−RAMアレイ108〜111
に鉱RASタイミング、CASタイミング、とWEタイ
ミングが与えられており、預タイミングとCAS−タイ
ミングは4ワ一ド共通に、また、WEタイミング#−1
:Oワードと1ワードに1本、酊タイミングが、2ワー
ドと3ワードに1本、訴1タイミングが分割されて与え
られている。
第2図は第1図に示す実施例のタイミングを示すタイミ
ングチャートである。リクエスト、アドレス/コマンド
、書込データはシステムキャッシュと主記憶部との間の
インタフェース信号を示している。主記憶部はシステム
キャッシュ部から送られてきたリクエストとアトt・ス
/コマンドを解読して書込動作を開始する。システムキ
ャッシュ部から送られてきた書込データは書込データレ
ジスタ101にセットされる。32BYTEのデータは
BBYTEJ回に分割されて送られてくる。したがって
、書込データレジスタ101にセットされた情報はクロ
ック印加毎に次段の書込データワードレジスタ102〜
105に1順次とり込まれる。第1番目の8BYTEは
Oワード目の書込データワードレジスタ102にセット
される。第2番目の8BYTEは1ワード目の書込デー
タワードレジスタ104に、第3番目の13BYTEは
2ワード目の書込データワードレジスタ103に、第4
番目の8BYTEは3ワード目の書込データワードレジ
スタ105にそれぞれセットされる。各々セットされた
書込データは曽込データワード選択回路106゜107
に送られる。0ワード目と2ワード目は書込データワー
ド選択回路106に1ワード目と3ワード目は書込デー
タワード選択回路107に送られる。書込データワード
選択回路106 、107は最初はOフード目と1ワー
ド目のデータを選択する。パス130.131にはそれ
ぞれ0ワード目のデータと1ワード目のデータを出力し
メモリカード114〜117に印加する。メモリカード
114〜117はアドレス情報によって選択された1枚
のメモリカードのみが動作し、他の3枚は動作しない。
ングチャートである。リクエスト、アドレス/コマンド
、書込データはシステムキャッシュと主記憶部との間の
インタフェース信号を示している。主記憶部はシステム
キャッシュ部から送られてきたリクエストとアトt・ス
/コマンドを解読して書込動作を開始する。システムキ
ャッシュ部から送られてきた書込データは書込データレ
ジスタ101にセットされる。32BYTEのデータは
BBYTEJ回に分割されて送られてくる。したがって
、書込データレジスタ101にセットされた情報はクロ
ック印加毎に次段の書込データワードレジスタ102〜
105に1順次とり込まれる。第1番目の8BYTEは
Oワード目の書込データワードレジスタ102にセット
される。第2番目の8BYTEは1ワード目の書込デー
タワードレジスタ104に、第3番目の13BYTEは
2ワード目の書込データワードレジスタ103に、第4
番目の8BYTEは3ワード目の書込データワードレジ
スタ105にそれぞれセットされる。各々セットされた
書込データは曽込データワード選択回路106゜107
に送られる。0ワード目と2ワード目は書込データワー
ド選択回路106に1ワード目と3ワード目は書込デー
タワード選択回路107に送られる。書込データワード
選択回路106 、107は最初はOフード目と1ワー
ド目のデータを選択する。パス130.131にはそれ
ぞれ0ワード目のデータと1ワード目のデータを出力し
メモリカード114〜117に印加する。メモリカード
114〜117はアドレス情報によって選択された1枚
のメモリカードのみが動作し、他の3枚は動作しない。
メモリロード117が選択されているとする。メモリカ
ード内では書込データは0ワード目のD−R,AI’v
lアレイ108と2ワード目のD−几晶1アレイ110
の同一ビットに分配されている。同様に1ワード目のD
−RAMアレイ109と3ワード目のD−RλN4ア
レイ111のl1iJ−ビットに分配されている。メモ
リカード117に送られた0ワード目のデータはOワー
ド目と2ワード目のD−RAMアレイ108.110に
印加される。同様にして1ワード目のデータは1ワード
目と3ワード目のD−4AMアレイ109 、111に
印加される。このとき書込タイミング信号は書込タイミ
ング発生回路118.119によシ0ワード目、1ワー
ド目と2ワード目、3ワード目と独立して制御可能にな
っておシ、書込データワード選択回路106.107に
よりoワードと1ワードが選択されているときにはWE
Oタイミングのみを出力する。このとき、0ワード目、
1ワード目は時間的に早く送られてくるので、D−RA
Mの書き込み方法はEarly Write方式となる
。もちろん記憶部の性能、クロック周期によってはDe
layed Write方式になるケースもあるが早く
書き込みを終了するためにはEarly Write方
式で書き込むことが望ましい。0ワード目と1ワード目
についてD−RAMアレイ108.109への書キ込み
が終了したなら、次に書込データワード選択回路106
.107で2ワード目、3ワード目を選択しパス130
.131に2ワード目、3ワード目を出力する。第2図
に示すタイミングチャートでは0.1ワード目を出力し
てから2クロツク目に切り換ることになっている。書込
データがD−RAMアレイ108〜111に印加された
ら書込タイミングWEIタイミングを出力し2ワード目
、3ワード目のD−RAMアレイ110.111のみに
データの書き込みが行なわれる。この場合にはデータの
送られてくれる時間が遅いのでD−R,AMアレイへの
書き込みとしてはDelayed Writeになる。
ード内では書込データは0ワード目のD−R,AI’v
lアレイ108と2ワード目のD−几晶1アレイ110
の同一ビットに分配されている。同様に1ワード目のD
−RAMアレイ109と3ワード目のD−RλN4ア
レイ111のl1iJ−ビットに分配されている。メモ
リカード117に送られた0ワード目のデータはOワー
ド目と2ワード目のD−RAMアレイ108.110に
印加される。同様にして1ワード目のデータは1ワード
目と3ワード目のD−4AMアレイ109 、111に
印加される。このとき書込タイミング信号は書込タイミ
ング発生回路118.119によシ0ワード目、1ワー
ド目と2ワード目、3ワード目と独立して制御可能にな
っておシ、書込データワード選択回路106.107に
よりoワードと1ワードが選択されているときにはWE
Oタイミングのみを出力する。このとき、0ワード目、
1ワード目は時間的に早く送られてくるので、D−RA
Mの書き込み方法はEarly Write方式となる
。もちろん記憶部の性能、クロック周期によってはDe
layed Write方式になるケースもあるが早く
書き込みを終了するためにはEarly Write方
式で書き込むことが望ましい。0ワード目と1ワード目
についてD−RAMアレイ108.109への書キ込み
が終了したなら、次に書込データワード選択回路106
.107で2ワード目、3ワード目を選択しパス130
.131に2ワード目、3ワード目を出力する。第2図
に示すタイミングチャートでは0.1ワード目を出力し
てから2クロツク目に切り換ることになっている。書込
データがD−RAMアレイ108〜111に印加された
ら書込タイミングWEIタイミングを出力し2ワード目
、3ワード目のD−RAMアレイ110.111のみに
データの書き込みが行なわれる。この場合にはデータの
送られてくれる時間が遅いのでD−R,AMアレイへの
書き込みとしてはDelayed Writeになる。
尚、上述の実施例ではキャッシュブロックデータ幅32
BYTEとして示したが64BYTE、128BYTE
でも可能である。また、転送回路についても4回に限ら
ず同様に考えることができる。
BYTEとして示したが64BYTE、128BYTE
でも可能である。また、転送回路についても4回に限ら
ず同様に考えることができる。
本発明のブロックデータ書込方式は、書込データを時分
割でD−RAM素子に印加し、D−RAM素子の書込タ
イミングを制御してやることでメモリカードに送る信号
本数の削減と、メモリカード上のパターン信号数を削減
できるという効果がある。
割でD−RAM素子に印加し、D−RAM素子の書込タ
イミングを制御してやることでメモリカードに送る信号
本数の削減と、メモリカード上のパターン信号数を削減
できるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第第2図
は第1図に示す実施例の動作タイミングを示すタイミン
グチャート、第3図は従来の一例を示すブロック図、第
4図は第3図に示す従来例の動作タイミングを示すタイ
ミングチャートである。 101・・・・・・書込データレジスタ、102〜10
5・・・・・・書込データワードレジスタ、106,1
07・・・・・・書込データワード選択回路、108〜
111・・・・・・D−RAMアレイ、112・・・・
・・読出データワード選択回路、113・・・・・・読
出データカード選択回路、114〜117・・・・・・
メモリカード、118.119・・・・・・書込タイミ
ング発生回路、120,121・・・・・・記憶モジュ
ール部、1.2・・・・・・書込データレジスタ、3〜
10・・・・・・書込データワードレジスタ、11〜1
8・・・・・・D−RAMアレイ、19.20・・・・
・・読出データワード選択回路、21〜28・・・・・
・メモリカード、29.30・・・・・・読出データカ
ード選択回路。 11−+関
は第1図に示す実施例の動作タイミングを示すタイミン
グチャート、第3図は従来の一例を示すブロック図、第
4図は第3図に示す従来例の動作タイミングを示すタイ
ミングチャートである。 101・・・・・・書込データレジスタ、102〜10
5・・・・・・書込データワードレジスタ、106,1
07・・・・・・書込データワード選択回路、108〜
111・・・・・・D−RAMアレイ、112・・・・
・・読出データワード選択回路、113・・・・・・読
出データカード選択回路、114〜117・・・・・・
メモリカード、118.119・・・・・・書込タイミ
ング発生回路、120,121・・・・・・記憶モジュ
ール部、1.2・・・・・・書込データレジスタ、3〜
10・・・・・・書込データワードレジスタ、11〜1
8・・・・・・D−RAMアレイ、19.20・・・・
・・読出データワード選択回路、21〜28・・・・・
・メモリカード、29.30・・・・・・読出データカ
ード選択回路。 11−+関
Claims (1)
- キャッシュメモリ付の情報処理装置において、キャッシ
ュメモリから主記憶装置に対するブロック書込時に、ブ
ロックデータをキャッシュメモリと主記憶装置間インタ
フェースデータ信号幅ワードにて分割し、複数ワードで
送信されてくる各ワード毎に対応して書込データを保持
するための書込データワードレジスタと、複数ワードに
分割されたデータの前半のワード群と後半のワード群の
書込データワードレジスタを選択するための選択回路と
、前半のワード群または後半のワード群に対してのみ書
込タイミングを与えるための書込タイミング発生回路と
を有し、前半のワード群に対してはダイナミックRAM
のEarly Writeモードで、後半のワード群に
対してはDelayed Writeモードで書き込む
ことを特徴とするブロックデータ書込方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60039142A JPS61198344A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | ブロツクデ−タ書込方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60039142A JPS61198344A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | ブロツクデ−タ書込方式 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61198344A true JPS61198344A (ja) | 1986-09-02 |
JPH0350297B2 JPH0350297B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=12544854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60039142A Granted JPS61198344A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | ブロツクデ−タ書込方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61198344A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH032943A (ja) * | 1989-02-24 | 1991-01-09 | Data General Corp | 記憶システム |
JPH0526236A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-02 | Yamazaki Mazak Corp | 直線運動機構の密封装置 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60039142A patent/JPS61198344A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH032943A (ja) * | 1989-02-24 | 1991-01-09 | Data General Corp | 記憶システム |
JPH0526236A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-02 | Yamazaki Mazak Corp | 直線運動機構の密封装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0350297B2 (ja) | 1991-08-01 |
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