JPS61196596A - ポリイミドを含有する被覆層を有する印刷回路 - Google Patents
ポリイミドを含有する被覆層を有する印刷回路Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、１つ以上の金属導体路層と、１層と固着され
た絶縁層とから成る印刷回路であって、外側の導体路層
又は該導体路層上に配置された電子素子の一方又は両者
上に被櫟層が施されている形式のものに胸する。
た絶縁層とから成る印刷回路であって、外側の導体路層
又は該導体路層上に配置された電子素子の一方又は両者
上に被櫟層が施されている形式のものに胸する。
従来の技術
印刷回路は、特にエレクトロニック、無線及びコンピュ
ータ技術、航空又は宇宙飛行の広範な分野及び電動機に
おいて使用される。印刷電子回路の電気的絶縁のため忙
、該回路には一部分絶縁被樟層が施される。
ータ技術、航空又は宇宙飛行の広範な分野及び電動機に
おいて使用される。印刷電子回路の電気的絶縁のため忙
、該回路には一部分絶縁被樟層が施される。
これらの電気絶縁被栓層は一般に回路上に塗布された絶
縁ラッカーから成る。
縁ラッカーから成る。
しかしながら、これらの常用の絶縁ラッカーはそれが施
された一１路に一連の欠点をもたらす。
された一１路に一連の欠点をもたらす。
ａ）印刷回路を使用する際に生じ得る極端な温度に無傷
で耐える釦は熱的に十分に安定でない。従って、温度作
用を受けると変形を起すことがあり、ひいては絶Ｉ＃＆
特性の劣化が住じる。
で耐える釦は熱的に十分に安定でない。従って、温度作
用を受けると変形を起すことがあり、ひいては絶Ｉ＃＆
特性の劣化が住じる。
ｂ）要求された機械的畳求會しばしば満足せず、容易に
引掻傷が付きかつ剥離することがあり、このことは同様
に電気絶縁作用の劣化を引起す。
引掻傷が付きかつ剥離することがあり、このことは同様
に電気絶縁作用の劣化を引起す。
Ｃ）ラッカーの誘電性特性はなお満足されず、ルラッカ
ーはしばしば十分な電気的絶縁破壊強さ含有せず、該ラ
ッカーが施された回路の周波数特性は、例えばａＣｔ巡
の変動のために、妨害されることがある。
ーはしばしば十分な電気的絶縁破壊強さ含有せず、該ラ
ッカーが施された回路の周波数特性は、例えばａＣｔ巡
の変動のために、妨害されることがある。
発明が解決しようとする問題点
従って、本発明の線題は、電子的に高価な、フレキシブ
ルな、かつ極端な熱的並びに轡械的条件に対して安定な
僅情層が施された、冒頭Ｋ 。
ルな、かつ極端な熱的並びに轡械的条件に対して安定な
僅情層が施された、冒頭Ｋ 。
記載した形式の印刷回路を提供することであった。
問題点を解決するための手段
前記ｇ、題は、冒頭に記載した形式の印刷回路において
、［ａＮ−がもはや変形不能な、フェノール系溶剤中に
不治性の完全芳香族ポリイミドと、該ポリイミドと直接
接合されたヒートシール性高＠Ａ袋化接着剤とから成り
、上記完全芳香族ポリイミドと接合していない高温硬化
接着剤の表面が外側の導体路層又は誘導体路層上に配置
された電子素子と接合されていることにより解決される
。
、［ａＮ−がもはや変形不能な、フェノール系溶剤中に
不治性の完全芳香族ポリイミドと、該ポリイミドと直接
接合されたヒートシール性高＠Ａ袋化接着剤とから成り
、上記完全芳香族ポリイミドと接合していない高温硬化
接着剤の表面が外側の導体路層又は誘導体路層上に配置
された電子素子と接合されていることにより解決される
。
この場合、１印刷回路“とけ、配線図形が加法又は減法
によって形成された絶縁性支持休止の面状回路であると
理解されるべきである。減法においては、支持体材料（
絶縁層）に出発状態で片面又は両面に導電性金属で被（
至）しておく。
によって形成された絶縁性支持休止の面状回路であると
理解されるべきである。減法においては、支持体材料（
絶縁層）に出発状態で片面又は両面に導電性金属で被（
至）しておく。
配線図を保護ラッカー被機として印刷又は電子写真法で
金属層上に施す。引続き、金属層の所望されない露出部
分をエツチングしかつ保護ラッカー′ｉｋ排除する、従
って配線は導体路の形で残る。加法では、配線図金触纒
層として絶縁性支持体上に印刷しかつ引続きこの触媒Ｈ
Ａ Ｋ金属層を析出させる。次いで、減法又は加法で得
られた導体路上に、を子素子を一般にははんだ付けによ
って淑付ける。特に導体路上に電気絶縁被覆層を施す。
金属層上に施す。引続き、金属層の所望されない露出部
分をエツチングしかつ保護ラッカー′ｉｋ排除する、従
って配線は導体路の形で残る。加法では、配線図金触纒
層として絶縁性支持体上に印刷しかつ引続きこの触媒Ｈ
Ａ Ｋ金属層を析出させる。次いで、減法又は加法で得
られた導体路上に、を子素子を一般にははんだ付けによ
って淑付ける。特に導体路上に電気絶縁被覆層を施す。
しかし１だ差込み側に、絶縁被覆層を施すこともできる
。
。
この絶縁被覆層は導体路又は燈込み面に十分に接着しな
ければならずかつ良好な電気絶縁を行うべきである。更
忙、極端な熱的負荷に耐えるべきである。
ければならずかつ良好な電気絶縁を行うべきである。更
忙、極端な熱的負荷に耐えるべきである。
もはや変形不能な、完全芳香族ポリイミドは、電気絶縁
性及び熱安定性に関係する優れた特性を有する。このこ
とは例えば西独国特許出願公開第２２２７９５３号明細
書から明らかである。
性及び熱安定性に関係する優れた特性を有する。このこ
とは例えば西独国特許出願公開第２２２７９５３号明細
書から明らかである。
従って、これらは上記特性に関しては印刷回路のための
被覆層として適当であると見なされる。
被覆層として適当であると見なされる。
しかしながら、このようなポリイミドは直接的に導体路
又はその上に配置された電子素子と接合して、ボリイば
ドから成る被覆層と回路素子との間の接着力が強力な機
械的負荷に耐えるのに十分な高さである回路を形成する
ことはできないことが判明した。このことは、芳香族テ
トラカルボン酸又はその二無水物と芳香族ジアミンとか
ら祷られるボリイミｒは、その硬化後には変形不能であ
りまた硬化前の溶剤中に可溶性でないことに起因する。
又はその上に配置された電子素子と接合して、ボリイば
ドから成る被覆層と回路素子との間の接着力が強力な機
械的負荷に耐えるのに十分な高さである回路を形成する
ことはできないことが判明した。このことは、芳香族テ
トラカルボン酸又はその二無水物と芳香族ジアミンとか
ら祷られるボリイミｒは、その硬化後には変形不能であ
りまた硬化前の溶剤中に可溶性でないことに起因する。
ポリイミドと導体路との接着力は確か釦、ポリイミド又
はその先駆物質を完全に硬化する前に回路に施すことＫ
より高めることができる。しかしながら、硬化の際に揮
発性成分、特に水が遊離するので、この成分の遊離が取
付けられた回ｇ素子によって妨害されることがあり、か
つポリイミドＩ−内に気泡を形成することがある。
はその先駆物質を完全に硬化する前に回路に施すことＫ
より高めることができる。しかしながら、硬化の際に揮
発性成分、特に水が遊離するので、この成分の遊離が取
付けられた回ｇ素子によって妨害されることがあり、か
つポリイミドＩ−内に気泡を形成することがある。
ところで、被覆層がもはや変形不能な、フェノール系溶
剤中に不溶性の完全芳香族ボリイミＰから成り、該ポリ
イミドがヒートシール性高温硬化接着剤と直接的に、す
なわち別の中間層を介さずに接合されていれば、高価な
被覆層を有する印刷回路が得られることが判明した。こ
の場合、被覆層はシートシール性高温硬化接着剤の側で
導体路又はその上に配置された素子と結合される。
剤中に不溶性の完全芳香族ボリイミＰから成り、該ポリ
イミドがヒートシール性高温硬化接着剤と直接的に、す
なわち別の中間層を介さずに接合されていれば、高価な
被覆層を有する印刷回路が得られることが判明した。こ
の場合、被覆層はシートシール性高温硬化接着剤の側で
導体路又はその上に配置された素子と結合される。
この場合、もはや変形不能な、フェノール系溶剤中に不
溶性の完全芳香族ポリイミドとしては、芳香族テトラカ
ルボン酸又はその二無水物と芳香族の第一ジアミンとか
ら得られ、しかもカルボキシル基又は第一級アミン基が
直接芳香族環に結合されているポリイミドが理解される
べきである。更忙、該ポリイミドは分解せずには溶融不
能でありかつ以前の溶剤、従ってまたフェノール系溶剤
例えばフェノール、クレゾール及びハロゲン化フェノー
ル中には不溶である。
溶性の完全芳香族ポリイミドとしては、芳香族テトラカ
ルボン酸又はその二無水物と芳香族の第一ジアミンとか
ら得られ、しかもカルボキシル基又は第一級アミン基が
直接芳香族環に結合されているポリイミドが理解される
べきである。更忙、該ポリイミドは分解せずには溶融不
能でありかつ以前の溶剤、従ってまたフェノール系溶剤
例えばフェノール、クレゾール及びハロゲン化フェノー
ル中には不溶である。
従って、この檀のポリイミドにおいては溶融を介しても
また溶解を介しても新たな成形は不可能である。
また溶解を介しても新たな成形は不可能である。
この檀のポリイミドはテトラカルボン酸又はその銅又は
二無水物とシアミンとの反応により得られる。適当な二
無水物の例は、ピロメリット鈑二無水物、２，３，６．
７−ナフタリンチトラカルざン酸二無水物、３． ４．
３’、 ４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボ
ン酸二無水物、３． ４．３’、 ４’−ジフェニル
エーテル−テトラカルボン酸二無水物である。
二無水物とシアミンとの反応により得られる。適当な二
無水物の例は、ピロメリット鈑二無水物、２，３，６．
７−ナフタリンチトラカルざン酸二無水物、３． ４．
３’、 ４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボ
ン酸二無水物、３． ４．３’、 ４’−ジフェニル
エーテル−テトラカルボン酸二無水物である。
テトラカルボン酸又はその誘導体と反応させて適当なも
はや変形不能な、完全芳香族ポリイミドを得ることがで
きるシアミンの例は、４゜４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、５−アミノ−２（ｐ−アミノフェニル）−ベン
ゾチアゾール、４−アミノ−２−（ｐ−７ミノフエニル
）−ベンゾチアゾール、５−アミノ−２−（ｍ−アミノ
フェニル）−ベンゾチアゾール、５−アミノ−２−（ｐ
−アミノフェニル）−ベンゾオキサゾール、４−アミノ
−２−（ｍ−アミノフェニル）−ベンゾチアゾール、ｐ
−及びｍ−フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノ−
ジフェニル、ビス−（４−アミノフェニル）−メ／ン、
４−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）−ベンゾオキ
サゾール、４−アミノ−２−（ｍ−アミノフェニル）−
ベンゾオキサゾール、５−アミノ−２−（ｍ−アミノフ
ェニル）−ベンゾオキサゾール、２，５−シアミノ−ベ
ンゾオキサゾール、２，５−ジアミノ−ベンゾチアゾー
ルである。
はや変形不能な、完全芳香族ポリイミドを得ることがで
きるシアミンの例は、４゜４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、５−アミノ−２（ｐ−アミノフェニル）−ベン
ゾチアゾール、４−アミノ−２−（ｐ−７ミノフエニル
）−ベンゾチアゾール、５−アミノ−２−（ｍ−アミノ
フェニル）−ベンゾチアゾール、５−アミノ−２−（ｐ
−アミノフェニル）−ベンゾオキサゾール、４−アミノ
−２−（ｍ−アミノフェニル）−ベンゾチアゾール、ｐ
−及びｍ−フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノ−
ジフェニル、ビス−（４−アミノフェニル）−メ／ン、
４−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）−ベンゾオキ
サゾール、４−アミノ−２−（ｍ−アミノフェニル）−
ベンゾオキサゾール、５−アミノ−２−（ｍ−アミノフ
ェニル）−ベンゾオキサゾール、２，５−シアミノ−ベ
ンゾオキサゾール、２，５−ジアミノ−ベンゾチアゾー
ルである。
ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ ）と４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＥ）との反応により
得られるポリイミドが特に有利であることが判明した。
アミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＥ）との反応により
得られるポリイミドが特に有利であることが判明した。
前記化合物から、もはや変形不能なポリイミドは例えば
以下に配軟の方法に基づきポリアミド酸の中間段階を介
して得ることができ、この場合にはまず金属箔、例えば
銅箔上にポリイミド層を形成する： ポリアミド酸の製造は、芳香族テトラカルボン酸、有利
にはピロメリット酸又は有利にはその二無水物、ピロメ
リット酸二無水物（ＰＭＤＡ ）を第一級芳香族ジアミ
ノ、有利には４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（
ＤＡＤＩＣ）と、溶剤例えばジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡＣ）中で反応させること忙より行う。ポリイミドで
被膜した箔を得る忙は、ポリアミド＃溶液の被膜を金属
箔上に施しかつ該被膜をその場で少なくとも２時間熱処
理することにより硬化させ、ポリイミド層が箔忙接着し
たいわゆるシングルクラット（ｓｉｎｇｌｅ ｃｌａｄ
）が得られる。
以下に配軟の方法に基づきポリアミド酸の中間段階を介
して得ることができ、この場合にはまず金属箔、例えば
銅箔上にポリイミド層を形成する： ポリアミド酸の製造は、芳香族テトラカルボン酸、有利
にはピロメリット酸又は有利にはその二無水物、ピロメ
リット酸二無水物（ＰＭＤＡ ）を第一級芳香族ジアミ
ノ、有利には４，４′−ジアミノジフェニルエーテル（
ＤＡＤＩＣ）と、溶剤例えばジメチルアセトアミド（Ｄ
ＭＡＣ）中で反応させること忙より行う。ポリイミドで
被膜した箔を得る忙は、ポリアミド＃溶液の被膜を金属
箔上に施しかつ該被膜をその場で少なくとも２時間熱処
理することにより硬化させ、ポリイミド層が箔忙接着し
たいわゆるシングルクラット（ｓｉｎｇｌｅ ｃｌａｄ
）が得られる。
第一級芳香族ジアミノを芳香族アミン又は芳香族テトラ
カルボン酸又はその二無水物と、溶剤中のポリアミド酸
の溶／＆を形成する条件下で、例えば押出機内で反応さ
せる。引続き、直接的に路上へのポリアミド酸溶液の層
の押出しを行うことができ、この場合には引続き溶剤を
その場でまず第１の加熱帯域内で十分にポリアミド酸層
から除去しかつ次いでポリアミド酸層を少なくとも第２
の加熱帯域内で、実質的に完全なイミド化ｔＸ起する高
臨で硬化させる。ポリアミド酸溶液を押出しＫより路上
に施す代り釦。
カルボン酸又はその二無水物と、溶剤中のポリアミド酸
の溶／＆を形成する条件下で、例えば押出機内で反応さ
せる。引続き、直接的に路上へのポリアミド酸溶液の層
の押出しを行うことができ、この場合には引続き溶剤を
その場でまず第１の加熱帯域内で十分にポリアミド酸層
から除去しかつ次いでポリアミド酸層を少なくとも第２
の加熱帯域内で、実質的に完全なイミド化ｔＸ起する高
臨で硬化させる。ポリアミド酸溶液を押出しＫより路上
に施す代り釦。
これらはまたドクタによって施すこともできる。
引続いての温度処理により、溶剤が除去されかつポリイ
ミドが形成される。表皮作用及び溶剤の急速すぎる蒸発
又はイミド化又は硬化の際に生じる水蒸気の共同作用に
より惹起された気泡に基づく中断又は欠陥を有していす
かつ基体に固着された、例えば１０μｍよりも大きな厚
さを有するポリイミド層は、加熱処理の特別な結果とし
て得られる。
ミドが形成される。表皮作用及び溶剤の急速すぎる蒸発
又はイミド化又は硬化の際に生じる水蒸気の共同作用に
より惹起された気泡に基づく中断又は欠陥を有していす
かつ基体に固着された、例えば１０μｍよりも大きな厚
さを有するポリイミド層は、加熱処理の特別な結果とし
て得られる。
前記方法で使用されかつ芳香族テトラカルざン酸又はそ
の無水物と第一級芳香族ジアミノとを極性溶剤中で反応
させること忙より得られたポリアミド酸元組物負け、以
下の構造式：〔式中、 Ｒは４価の芳香族基を表わしかつ Ｒ′は２価の芳香族基を表わしかつ ｎは臭素化リチウム０．１七ル／ｌを含有するジメチル
アセトアミド中の０．５％の溶液として測定して、０．
５以上の還元粘度含有するポリアミド酸を形成するため
に十分である数を表わす］を有する。、ポリアミド酸は
基体に施した後に開示された硬化法により硬化させられ
、この場合以下の繰返し構造式： （式中、Ｒ及びＲ′は前記と同じものを表わす）を有す
る、もはや変形不能な、フェノール又はフェノール系溶
剤中で不溶性のポリイミドが生成する。
の無水物と第一級芳香族ジアミノとを極性溶剤中で反応
させること忙より得られたポリアミド酸元組物負け、以
下の構造式：〔式中、 Ｒは４価の芳香族基を表わしかつ Ｒ′は２価の芳香族基を表わしかつ ｎは臭素化リチウム０．１七ル／ｌを含有するジメチル
アセトアミド中の０．５％の溶液として測定して、０．
５以上の還元粘度含有するポリアミド酸を形成するため
に十分である数を表わす］を有する。、ポリアミド酸は
基体に施した後に開示された硬化法により硬化させられ
、この場合以下の繰返し構造式： （式中、Ｒ及びＲ′は前記と同じものを表わす）を有す
る、もはや変形不能な、フェノール又はフェノール系溶
剤中で不溶性のポリイミドが生成する。
ポリアミド酸’を製造する際には、出発物質としてはピ
ロメリット酸二無水物及び４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテルをかつ溶剤としてはジメチルアセトアミドを
使用するのが有利である。
ロメリット酸二無水物及び４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテルをかつ溶剤としてはジメチルアセトアミドを
使用するのが有利である。
この方法によれば、シングルクラッド、すなわちポリイ
ミドで被機されたシートを製造するためには、以前の７
エノール系溶剤、例えばフェノール又は置換された溶剤
、例えばフェノール又は置換されたフェノール（）・ロ
ダン化フェノール）中に不溶性の、もはや変形不能なボ
リイミ）Ｉｔ−形成する別の反応成分を押出すことがで
きる。
ミドで被機されたシートを製造するためには、以前の７
エノール系溶剤、例えばフェノール又は置換された溶剤
、例えばフェノール又は置換されたフェノール（）・ロ
ダン化フェノール）中に不溶性の、もはや変形不能なボ
リイミ）Ｉｔ−形成する別の反応成分を押出すことがで
きる。
溶剤としてはジメチルアセトアミド（ＤＭＡ０ ）を使
用するのが有利であるが、別の極性有機溶剤、例えばＮ
、Ｎ−ジメチル−メトキシアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド（Ｉ）ＭＩＦ ）、ジエチルホルムアミｒ％Ｎ
−メチル−２−ピロリドンＣＩＭＰ ）及びジメチルス
ルホキシド（ＤＭ８０ ）を使用することもできる。別
の溶剤としては、例えばＮ−メチルカプロラクタム、ジ
メチルスルホン、ピリジン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、テトラメチル尿素
及びテトラメチレンスルホンを使用することができる。
用するのが有利であるが、別の極性有機溶剤、例えばＮ
、Ｎ−ジメチル−メトキシアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド（Ｉ）ＭＩＦ ）、ジエチルホルムアミｒ％Ｎ
−メチル−２−ピロリドンＣＩＭＰ ）及びジメチルス
ルホキシド（ＤＭ８０ ）を使用することもできる。別
の溶剤としては、例えばＮ−メチルカプロラクタム、ジ
メチルスルホン、ピリジン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、テトラメチル尿素
及びテトラメチレンスルホンを使用することができる。
ポリアミド酸は、例えば米国特許明細書第５，１７９，
６１４号及び第３，１７９．６３４号忙記載されている
ような公知技術に基つき製造することができる。
６１４号及び第３，１７９．６３４号忙記載されている
ような公知技術に基つき製造することができる。
実施例
次に図示の実施例につき本発明の詳細な説明する。
第１図に示した装置で、例えば二無水物とジアミンから
ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）：４．４′−ジア
ミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＫ ）のモル比−０，
９５： １〜１．０５ ： １ ｔ−有する乾燥混合物
を製造する。この混合物を１量計量式供給装置３に供給
する。次いで、この混合物を正確に制御した速度で押出
反応器４に供給する。
ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）：４．４′−ジア
ミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＫ ）のモル比−０，
９５： １〜１．０５ ： １ ｔ−有する乾燥混合物
を製造する。この混合物を１量計量式供給装置３に供給
する。次いで、この混合物を正確に制御した速度で押出
反応器４に供給する。
調量ボンデ５ｔ−用いて、押出反応器４内に存在する混
合物に極性溶剤を加える。ポリアミド酸の分子量を二無
水物とジアミンとのモル比忙よって決定する。ポリアミ
ド酸の至適分子量範囲は０．９８〜１．０２のモル比で
達成されかつ該範囲は臭化リチウム０．１モル／ｌを富
有するジメチルアセトアミド甲の０．５係の溶液の還元
粘度として測定される。ポリアミド酸の還元粘度はＰＭ
ＤＡ ： ＤＡＤＥ −０，９５： １．０５のモル比
で０．５でありかつ至適比（ＰＭＤＡ ： ＤＡＤＩ
−０，９８〜１．０２ ）で約１．０〜４．０である。
合物に極性溶剤を加える。ポリアミド酸の分子量を二無
水物とジアミンとのモル比忙よって決定する。ポリアミ
ド酸の至適分子量範囲は０．９８〜１．０２のモル比で
達成されかつ該範囲は臭化リチウム０．１モル／ｌを富
有するジメチルアセトアミド甲の０．５係の溶液の還元
粘度として測定される。ポリアミド酸の還元粘度はＰＭ
ＤＡ ： ＤＡＤＥ −０，９５： １．０５のモル比
で０．５でありかつ至適比（ＰＭＤＡ ： ＤＡＤＩ
−０，９８〜１．０２ ）で約１．０〜４．０である。
モル比０．９５で、形成されるポリアミド酸の平均分子
量は３２０００．１．０で約２０００００．１．０６で
約３５０００（ＦｌＫＡ元分散光分散光度計ルＰＧＤ
４２０００でλ−４３６ｎｌｎで測定）であることが判
明した。
量は３２０００．１．０で約２０００００．１．０６で
約３５０００（ＦｌＫＡ元分散光分散光度計ルＰＧＤ
４２０００でλ−４３６ｎｌｎで測定）であることが判
明した。
押出反応器４内の温度は約８０℃未満のレベルに保持す
べきであるが、但し該温度は実際に約２０℃から出発し
て保々に高めるか又は最高８０℃までの上昇温度を有す
る帯域内で高めることができる。溶剤は押出反応器４の
第１の帯域に加える。押出反応器４内の帯留時間は１〜
５分間の範囲内にある。
べきであるが、但し該温度は実際に約２０℃から出発し
て保々に高めるか又は最高８０℃までの上昇温度を有す
る帯域内で高めることができる。溶剤は押出反応器４の
第１の帯域に加える。押出反応器４内の帯留時間は１〜
５分間の範囲内にある。
この帯留時間の終了時忙は、ポリアミド酸を形成するた
めの反応は停止させる。次いで、０．５〜４．０、有利
には１．０よりも大きな還元粘度を有するポリアミド酸
をスリットノズル６を通してシートに押出すことができ
る。
めの反応は停止させる。次いで、０．５〜４．０、有利
には１．０よりも大きな還元粘度を有するポリアミド酸
をスリットノズル６を通してシートに押出すことができ
る。
次いで、ポリアミド酸溶液で被覆したシートをボ１，１
ミｌ：縮合させるために５〜２０分間又はそれ以上、供
給導管１１を用いて窒素が供給される炉１０を貫通させ
る。貫流時間は被榎厚さに左右される、その場合厚さが
大さくなると長い時間が必要である。
ミｌ：縮合させるために５〜２０分間又はそれ以上、供
給導管１１を用いて窒素が供給される炉１０を貫通させ
る。貫流時間は被榎厚さに左右される、その場合厚さが
大さくなると長い時間が必要である。
温度は炉内で連続した帯域で制御するのが１要であるこ
とが判明した。しかしながら、この制御を前１ピの範囲
内で実施すれば、シート７上に極めて短時間で優れた電
気的及び機械的特性を有するもはや変形不能な、気泡不
含のポリイミド層が形成される。溶剤は、膨張しかつ重
合体層母材中に封じ込められる溶液気泡が形成され得な
い程ＦＣＭ＊にポリアミド酸層ｔ−経て拡散しかつ露出
した層表面から放出させることが必要であると見なされ
る。また、溶剤の大部分は、イミド化が終了する以前に
ポリアミド酸層の露出側から放出させるべきである。更
に、イミド化反応は８０〜９０係まで、閉環反応の際に
形成される水の大部分も層表面に拡散しかつ放出される
よ５に、約１８０℃未満の温度で終了させるべきである
。
とが判明した。しかしながら、この制御を前１ピの範囲
内で実施すれば、シート７上に極めて短時間で優れた電
気的及び機械的特性を有するもはや変形不能な、気泡不
含のポリイミド層が形成される。溶剤は、膨張しかつ重
合体層母材中に封じ込められる溶液気泡が形成され得な
い程ＦＣＭ＊にポリアミド酸層ｔ−経て拡散しかつ露出
した層表面から放出させることが必要であると見なされ
る。また、溶剤の大部分は、イミド化が終了する以前に
ポリアミド酸層の露出側から放出させるべきである。更
に、イミド化反応は８０〜９０係まで、閉環反応の際に
形成される水の大部分も層表面に拡散しかつ放出される
よ５に、約１８０℃未満の温度で終了させるべきである
。
所定の目的ｔ−達成するために、縮合に利用される炉内
で抵抗素子１２．１３．１４及び１５によって以下の加
熱帯域が設けられている：第１の帯域では、温度は電気
抵抗素子１２によって１００〜１５０℃の範囲内に保持
され、第２の帯域では温度は約り３０℃〜約２００℃、
有利には１８０℃未満に高められ、第６の帝斌では温度
は約２００〜４００℃に高められ、実質的に全ての溶剤
が表面まで拡散しかつ除去されかつ筐た閉環反応の際に
形成された水の大部分が除去された後に、ｉ１４の帯域
では温度は再度、有利には約６００〜６００℃に高めら
れる。これらの帯域の夫々はほぼ同じ長さであり、従っ
てまた個々の帯域内での涌在時間もほぼ同じである。し
かしながら、第１及び／又は第２の帯域を延長するか又
は第１の帯域の前方に、５０℃よりも高く、但し第１の
帯域よりも低く保持される付加的な加熱帯域を接続する
こと忙より、通過速度、ひいては通過量を高めることが
できる。第２図に示した装量では、炉内の積層体への容
易な接近を可能にするために、炉１０に可動蓋１６が設
けられていてもよい。
で抵抗素子１２．１３．１４及び１５によって以下の加
熱帯域が設けられている：第１の帯域では、温度は電気
抵抗素子１２によって１００〜１５０℃の範囲内に保持
され、第２の帯域では温度は約り３０℃〜約２００℃、
有利には１８０℃未満に高められ、第６の帝斌では温度
は約２００〜４００℃に高められ、実質的に全ての溶剤
が表面まで拡散しかつ除去されかつ筐た閉環反応の際に
形成された水の大部分が除去された後に、ｉ１４の帯域
では温度は再度、有利には約６００〜６００℃に高めら
れる。これらの帯域の夫々はほぼ同じ長さであり、従っ
てまた個々の帯域内での涌在時間もほぼ同じである。し
かしながら、第１及び／又は第２の帯域を延長するか又
は第１の帯域の前方に、５０℃よりも高く、但し第１の
帯域よりも低く保持される付加的な加熱帯域を接続する
こと忙より、通過速度、ひいては通過量を高めることが
できる。第２図に示した装量では、炉内の積層体への容
易な接近を可能にするために、炉１０に可動蓋１６が設
けられていてもよい。
本方法によれば、シートに固着し、かつもはや変形不能
な完全芳香族の、フェノール系浴剤中に不溶性のポリイ
ミドが得られる。金縞箔のエッチラング彼処、本発明に
よる回路の被梼層の１成分を成すポリイミドノーが侍ら
れる。
な完全芳香族の、フェノール系浴剤中に不溶性のポリイ
ミドが得られる。金縞箔のエッチラング彼処、本発明に
よる回路の被梼層の１成分を成すポリイミドノーが侍ら
れる。
この被檀層のｈ２の成分は、ポリイミドＪ−と直接接合
されるヒートシール性高温硬化接着剤である。
されるヒートシール性高温硬化接着剤である。
ヒートシール性高温硬化接着剤としては、１４０〜５０
０℃の範囲内の一度で、場合により圧力を適用して、変
形可能であり、かつこの際に接着ｏＴ能である住成物が
理解されるべきである。更に、これは２００℃未満では
溶融すべきでない。しかしながら、高温硬化接着剤とし
て使用される製品は主として％足の一点又は浴融範囲を
有する必要はない。これらは浴融せずに所定の温贋範囲
内で成形可能であれは十分である。高温硬化接着剤は、
既述のとおり、接着作用を有するべきである。すなわち
、以下に記載する方法で＃造された、ポリイミドとプラ
スチックから成るラミネートは、工ＰＣＴ Ｍ ６５
Ｌｌ。
０℃の範囲内の一度で、場合により圧力を適用して、変
形可能であり、かつこの際に接着ｏＴ能である住成物が
理解されるべきである。更に、これは２００℃未満では
溶融すべきでない。しかしながら、高温硬化接着剤とし
て使用される製品は主として％足の一点又は浴融範囲を
有する必要はない。これらは浴融せずに所定の温贋範囲
内で成形可能であれは十分である。高温硬化接着剤は、
既述のとおり、接着作用を有するべきである。すなわち
、以下に記載する方法で＃造された、ポリイミドとプラ
スチックから成るラミネートは、工ＰＣＴ Ｍ ６５
Ｌｌ。
２．４．９ Ｋ記−の方法で測足して、少なくとも２−
ＯＮ／ｃＲの剥離強度を有すべきである。この試験のた
めに使用されるラミネートは以下のようにして＆Ｉ造さ
れる：金属及びポリイミドから成るシングルクラッド會
前記方法に基づき製造する。このシングルクラッドのポ
リイミド層に、試験すべき接着剤を＃液の形で又はフィ
ルムとして施しかつ前者の場合には溶剤を加熱により除
去する。引続き、１４０〜５００℃の範囲内の温度で、
場合により圧力を適用してヒートシールする。適当な温
度及び圧力条件は接着剤の種類に左右されかつ簡単な実
験によって確認することができる。例えばエツチングに
より金属層を除去した後に、剥離強度上測定することが
できる。浴欣からであれまたフィルムとしてであれ施し
た場合に前記の全ての温度範囲にわたって圧力を使用し
ても少なくとも２．ＯＮ／ｃｍの剥離強度を生じない製
品は、本発明による回路のための接着剤としては不適当
である。
ＯＮ／ｃＲの剥離強度を有すべきである。この試験のた
めに使用されるラミネートは以下のようにして＆Ｉ造さ
れる：金属及びポリイミドから成るシングルクラッド會
前記方法に基づき製造する。このシングルクラッドのポ
リイミド層に、試験すべき接着剤を＃液の形で又はフィ
ルムとして施しかつ前者の場合には溶剤を加熱により除
去する。引続き、１４０〜５００℃の範囲内の温度で、
場合により圧力を適用してヒートシールする。適当な温
度及び圧力条件は接着剤の種類に左右されかつ簡単な実
験によって確認することができる。例えばエツチングに
より金属層を除去した後に、剥離強度上測定することが
できる。浴欣からであれまたフィルムとしてであれ施し
た場合に前記の全ての温度範囲にわたって圧力を使用し
ても少なくとも２．ＯＮ／ｃｍの剥離強度を生じない製
品は、本発明による回路のための接着剤としては不適当
である。
接着剤が１４０〜５００℃の範囲内の温度でヒートシー
ル性である、すなわち変形ｅ＝ｆ能であるべきである必
要性は、この要求を満足する全ての接着剤が本発明によ
る回路の全ての用途のために適当であることを意味する
ものではない。
ル性である、すなわち変形ｅ＝ｆ能であるべきである必
要性は、この要求を満足する全ての接着剤が本発明によ
る回路の全ての用途のために適当であることを意味する
ものではない。
むしろ、％−足の用途のためには、２５０℃以上で初め
て変形可能であるという接着剤だけを使用することが必
要となる場合もある。
て変形可能であるという接着剤だけを使用することが必
要となる場合もある。
本発明による回路においては、ポリイミドと接着剤との
層複合体が４．ＯＮ／ｃＲよりも大きい剥離強度ｒ有す
るのが有利である。
層複合体が４．ＯＮ／ｃＲよりも大きい剥離強度ｒ有す
るのが有利である。
本発明の有利な１実施態様では、ヒートシール性高温接
着剤はヒートシール性ポリイミドである。ヒートシール
性ポリイミドは良好な電気及び機械的特性ｔ−有する。
着剤はヒートシール性ポリイミドである。ヒートシール
性ポリイミドは良好な電気及び機械的特性ｔ−有する。
ヒートシール性ポリイミドのための特処有利す例ｆｉ、
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ
）又は該二無水物とピロメリット酸二無水物の混合物と
、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３．３’−
ジアミノジフェニルエーテル、６．６′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，６′−ジアミノジフェニルメタン
、４゜４′−ソアミノシフェニルスルホン（ＤＤ８ ）
、４゜４′−ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ ）又
１ｄヘンジシンもしくはこれらのジアミンの混合物との
反応により得られるものである。この場合忙は、上記ジ
アミンの２つ以上を含有する混合物を使用することがで
きる。ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物は、
２． ３． ２’、 ３銅又は３． ４．３’、
４’銅又は２． ３．３’、 ４’異性体もしくはこ
れらの異性体の混合物であってよい。
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ
）又は該二無水物とピロメリット酸二無水物の混合物と
、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３．３’−
ジアミノジフェニルエーテル、６．６′−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，６′−ジアミノジフェニルメタン
、４゜４′−ソアミノシフェニルスルホン（ＤＤ８ ）
、４゜４′−ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ ）又
１ｄヘンジシンもしくはこれらのジアミンの混合物との
反応により得られるものである。この場合忙は、上記ジ
アミンの２つ以上を含有する混合物を使用することがで
きる。ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物は、
２． ３． ２’、 ３銅又は３． ４．３’、
４’銅又は２． ３．３’、 ４’異性体もしくはこ
れらの異性体の混合物であってよい。
史に、ヒートシール性ポリアミドが二無水物上ジアミン
の反応生成物であり、しかも該二無水物が式： ％式％ を有し、該式中、Ｘｉ：ｉ酸素原子を表わすか又はＣｎ
Ｆ２ｎ基（ｎ−１〜１０）又は式：で示される原子団を
表わし、上記式中Ｒは水素原子又は弗素原子表わしかっ
（ＣＲ３）２基は夫々当該酸素原子に対してメタ又はパ
ラ位に存在し、かつシアきンが式： 又は式 を有し、該式中Ｙは酸素原子を表わすか又は０ｎＦａｎ
：！に、（ｎ ＝ １〜１０ ）又はカルボニル基を表
わしかつＹは夫々当該アミノ基に対するメタ又はパラ位
に存在することに％徴とするヒートシール性ポリイミド
がｔ￥ｊＫ有利であることが判明した。上記０ｎＦ２ｎ
＆は線状又は枝分れ鎖状の過弗素化されたアルキル基
であってよい。
の反応生成物であり、しかも該二無水物が式： ％式％ を有し、該式中、Ｘｉ：ｉ酸素原子を表わすか又はＣｎ
Ｆ２ｎ基（ｎ−１〜１０）又は式：で示される原子団を
表わし、上記式中Ｒは水素原子又は弗素原子表わしかっ
（ＣＲ３）２基は夫々当該酸素原子に対してメタ又はパ
ラ位に存在し、かつシアきンが式： 又は式 を有し、該式中Ｙは酸素原子を表わすか又は０ｎＦａｎ
：！に、（ｎ ＝ １〜１０ ）又はカルボニル基を表
わしかつＹは夫々当該アミノ基に対するメタ又はパラ位
に存在することに％徴とするヒートシール性ポリイミド
がｔ￥ｊＫ有利であることが判明した。上記０ｎＦ２ｎ
＆は線状又は枝分れ鎖状の過弗素化されたアルキル基
であってよい。
シアミンと反応してヒートシール性ポリイミドを形成す
ることができる別の適当な二無水物の例は、前記式： で示され、該式中Ｘが −８− ＊ −８−、ＣｎＨ２ｎ。
ることができる別の適当な二無水物の例は、前記式： で示され、該式中Ｘが −８− ＊ −８−、ＣｎＨ２ｎ。
（上記式中、ｎは１〜１０の値であってよくかつＲは機
状又は枝分れ鎖アルキル基、線状又は枝分れ鎖状の、完
全又は部分ハロゲン化されたアルキル基、芳香族又は複
素環式基を表わす）を表わす化合物である。
状又は枝分れ鎖アルキル基、線状又は枝分れ鎖状の、完
全又は部分ハロゲン化されたアルキル基、芳香族又は複
素環式基を表わす）を表わす化合物である。
二無水物と反応させること忙よりヒートシール性ポリイ
ミ＃Ｐ′ｆｔ得ることができる適当なシアミンの別の例
は、一般式： （式中、Ｘは前記と同じものを表わす）で示されるジア
ミンである。前記シアミン忙おいては、一方又は両者の
芳香族環忙場合により１個以上の別の置換置が存在する
ことができる。これらのヒートシール性ポリイミドはも
ちろん別の出発化合物、例えばこれらの二無水物を基礎
とするテトラカルボン酸と前記ジアミンとの反応によっ
ても製造することができる。
ミ＃Ｐ′ｆｔ得ることができる適当なシアミンの別の例
は、一般式： （式中、Ｘは前記と同じものを表わす）で示されるジア
ミンである。前記シアミン忙おいては、一方又は両者の
芳香族環忙場合により１個以上の別の置換置が存在する
ことができる。これらのヒートシール性ポリイミドはも
ちろん別の出発化合物、例えばこれらの二無水物を基礎
とするテトラカルボン酸と前記ジアミンとの反応によっ
ても製造することができる。
これらの一連の公知のヒートシール性ポリイミドは、例
えば西独国脣許第２４１６５９５号明細書、同第２４４
１１０１号明細書、米国特許第３２６４２５０号明細書
、１ケミス） ＩＪ−・アンド・インダストリー（Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄＩｎｄｕｓｔｒ７ ） ’ （
１９６９年７月１２日、９６４頁）忙記載されている。
えば西独国脣許第２４１６５９５号明細書、同第２４４
１１０１号明細書、米国特許第３２６４２５０号明細書
、１ケミス） ＩＪ−・アンド・インダストリー（Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄＩｎｄｕｓｔｒ７ ） ’ （
１９６９年７月１２日、９６４頁）忙記載されている。
ポリイミドのヒートシール性ないしは変形性の要求は、
出発化合物、従って二無水物及びジアミンの化学的出発
化合物の化学的性質だけが重要であるのではない。むし
ろまた、製造条件、例えば反応成分の温度又はそル比が
重要である。
出発化合物、従って二無水物及びジアミンの化学的出発
化合物の化学的性質だけが重要であるのではない。むし
ろまた、製造条件、例えば反応成分の温度又はそル比が
重要である。
換目すれば、同じ出発化合物からもはや変形不能なポリ
イミド又は変形可能な、ひいてはヒートシール性ポリイ
ミドが生成するかどうかは、製造条件の選択に左右され
ることがある。
イミド又は変形可能な、ひいてはヒートシール性ポリイ
ミドが生成するかどうかは、製造条件の選択に左右され
ることがある。
本発明による回路のもう１つの実施態様は、ヒートシー
ル性高温硬化接着剤が、アクリレート、エポキシ樹脂、
フルオル重合体樹脂、ポリスルホン樹脂、シリコン樹脂
又はブチルゴムの群細から選択される高温硬化接着剤で
あることを特徴とする。本発明による回路の外側導体路
層は、銅、ニッケル、アルミニウム、鋏、金、ステンレ
ス鋼もしくはチタン、又は上記金属の１つ以上を主成分
として含有する合金から成る。
ル性高温硬化接着剤が、アクリレート、エポキシ樹脂、
フルオル重合体樹脂、ポリスルホン樹脂、シリコン樹脂
又はブチルゴムの群細から選択される高温硬化接着剤で
あることを特徴とする。本発明による回路の外側導体路
層は、銅、ニッケル、アルミニウム、鋏、金、ステンレ
ス鋼もしくはチタン、又は上記金属の１つ以上を主成分
として含有する合金から成る。
前記方法に基づき製造された、もはや変形不能なポリイ
ミドと金属箔から成るシングルブラッドから出発して、
以下の方法に基づき本発明による回路を得ることができ
る：ポリイミド層の露出側にヒートシール性高温硬化接
着剤から成る層を、溶液の形で又はフィルムとして施す
。
ミドと金属箔から成るシングルブラッドから出発して、
以下の方法に基づき本発明による回路を得ることができ
る：ポリイミド層の露出側にヒートシール性高温硬化接
着剤から成る層を、溶液の形で又はフィルムとして施す
。
ポリイミド層と接着層との結合は、接着剤が変形可能で
ある、すなわちシール性である温度で、場合により圧力
を適用して行う。大抵の場合、硬化後にポリイミドと接
着剤との間の高い接着力を得るためには、接着剤は既に
シングル・クラッドの製造中、従ってもはや変形不能な
ポリイミドの完全な硬化前に施すのが有利である。
ある、すなわちシール性である温度で、場合により圧力
を適用して行う。大抵の場合、硬化後にポリイミドと接
着剤との間の高い接着力を得るためには、接着剤は既に
シングル・クラッドの製造中、従ってもはや変形不能な
ポリイミドの完全な硬化前に施すのが有利である。
高温硬化接着剤から成る層と回路の導体路層との接合前
忙、もはや変形不能なポリイミドと接合された金属箔を
除去する。この操作は例えば水性ベルオキソニ硫酸でエ
ツチングすることにより行うことができる。金属箔のエ
ツチングはもはや変形不能なボリイミげと接着剤との接
合前又は後に行うことができる。
忙、もはや変形不能なポリイミドと接合された金属箔を
除去する。この操作は例えば水性ベルオキソニ硫酸でエ
ツチングすることにより行うことができる。金属箔のエ
ツチングはもはや変形不能なボリイミげと接着剤との接
合前又は後に行うことができる。
次いで、ポリイミド及び接着剤から成る被覆層を外側の
導体層又はその上に配置された電子素子上に施す。この
操作も接着剤が変形可能である温度でかつ場合により減
圧又は加圧を適当して導体路層又は累子と接着剤層のヒ
ートシールによって行う。場合により、接着剤と、もは
や変形不能なポリイミドから成る層（予め金属箔をエツ
チングした）及び導体路層とのシールは同一工程で行う
こともできる。
導体層又はその上に配置された電子素子上に施す。この
操作も接着剤が変形可能である温度でかつ場合により減
圧又は加圧を適当して導体路層又は累子と接着剤層のヒ
ートシールによって行う。場合により、接着剤と、もは
や変形不能なポリイミドから成る層（予め金属箔をエツ
チングした）及び導体路層とのシールは同一工程で行う
こともできる。
発明の効果
本発明による回路は以下の利点を有する。
ａ）高い熱安定性を有し、かつ例えば航空及び宇宙飛行
、鉱業、海運業、高価な電動機、伝動装置の制御及びコ
ンピュータ技術において使用する際に生じるような回路
のために適当である。
、鉱業、海運業、高価な電動機、伝動装置の制御及びコ
ンピュータ技術において使用する際に生じるような回路
のために適当である。
ｂ）誘電損率に対して小さな値を示し、ひいてはＭＨｚ
範囲及びそれ以上の極めて高い周波数でも使用可能であ
る。
範囲及びそれ以上の極めて高い周波数でも使用可能であ
る。
本発明による回路は、ろう付けを必要とせすに導体路側
にマスクを用いて施されかつ被接層で封止される高集積
素子群を直接的Ｋかつ固有のケーシングを必要とせず忙
内蔵することができる。それにより、ＩＣ（集積回路）
の高い充填密度と印刷回路の高い充填密度を相互に組合
せることができる。
にマスクを用いて施されかつ被接層で封止される高集積
素子群を直接的Ｋかつ固有のケーシングを必要とせず忙
内蔵することができる。それにより、ＩＣ（集積回路）
の高い充填密度と印刷回路の高い充填密度を相互に組合
せることができる。
第１図は本発明による印刷回路素材ｔ−表造するため忙
適当な装置の略示縦断面図及び第２図は第１図の２−２
巌に沿った縮合又は硬化炉の断面図である。
適当な装置の略示縦断面図及び第２図は第１図の２−２
巌に沿った縮合又は硬化炉の断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、１つ以上の金属導体路層と、該層と固着された絶縁
層とから成る印刷回路であって、外側の導体路層又は該
導体路層上に配置された電子素子の一方又は両者上に被
覆層が施されている形式のものにおいて、該被覆層がも
はや変形不能な、フェノール系溶剤中に不溶性の完全芳
香族ポリイミドと、該ポリイミドと直接接合されたヒー
トシール性高温硬化接着剤とから成り、上記完全芳香族
ポリイミドと接合していない高温硬化接着剤の表面が外
側の導体路層又は該導体路層上に配置された電子素子と
接合されていることを特徴とする、ポリイミドを含有す
る被覆層を有する印刷回路。 ２、高温硬化接着剤がヒートシール性ポリイミドである
特許請求の範囲第１項記載の電子回路。 ３、ヒートシール性ポリイミドがベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）又はＢＴＤＡとピロメ
リット酸二無水物の混合物と、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’
−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン
又はベンジジン又はこれらのジアミンの混合物との反応
生成物である特許請求の範囲第２項記載の印刷回路。 ４、ヒートシール性ポリイミドが二無水物とジアミンと
の反応生成物であり、該二無水物が式：▲数式、化学式
、表等があります▼ を有し、該式中Ｘは酸素原子又はＣ＿ｎＦ＿２＿ｎ基（
ｎ＝１〜１０）又は式：▲数式、化学式、表等がありま
す▼ の基を表わし、該式中Ｒは水素原子又は弗素原子を表わ
しかつ（ＣＲ＿３）＿２基は夫々当該酸素原子に対して
メタ又はパラ位に存在し、かつジアミンが式：▲数式、
化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼ を有し、該式中Ｙは酸素原子を表わすか又はＣ＿ｎＦ＿
２＿ｎ基（ｎ＝１〜１０）又はカルボニル基を表わしか
つＹは当該アミノ基に対してメタ又はパラ位に存在する
、特許請求の範囲第２項記載の印刷回路。 ５、ヒートシール性高温硬化接着剤が、アクリレート、
エポキシ樹脂、フルオル重合体樹脂、ポリスルホン樹脂
、シリコーン樹脂又はブチルゴムの群類から選択された
高温硬化接着剤である特許請求の範囲第１項記載の印刷
回路。 ６、外側導体路が、銅、ニッケル、アルミニウム、銀、
金、ステンレス銅又はチタンもしくはこれらの金属の１
つ以上を主成分として含有する合金から成る特許請求の
範囲第１項から第５項までのいずれか１項に記載の印刷
回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3506526.5 | 1985-02-25 | ||
| DE19853506526 DE3506526A1 (de) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Gedrucktes schaltelement mit polyimid enthaltender deckschicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196596A true JPS61196596A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=6263469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038462A Pending JPS61196596A (ja) | 1985-02-25 | 1986-02-25 | ポリイミドを含有する被覆層を有する印刷回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4746561A (ja) |
| EP (1) | EP0194413A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61196596A (ja) |
| CA (1) | CA1248242A (ja) |
| DE (1) | DE3506526A1 (ja) |
| DK (1) | DK80786A (ja) |
| ES (1) | ES8705183A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1986
- 1986-01-15 EP EP19860100444 patent/EP0194413A3/de not_active Withdrawn
- 1986-02-21 DK DK80786A patent/DK80786A/da not_active Application Discontinuation
- 1986-02-24 ES ES552313A patent/ES8705183A1/es not_active Expired
- 1986-02-24 CA CA000502504A patent/CA1248242A/en not_active Expired
- 1986-02-24 US US06/832,229 patent/US4746561A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-02-25 JP JP61038462A patent/JPS61196596A/ja active Pending
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| EP0194413A3 (de) | 1989-03-29 |
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