JPH0712650B2 - フレキシブル銅張回路基板の製法 - Google Patents
フレキシブル銅張回路基板の製法Info
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- JPH0712650B2 JPH0712650B2 JP60023520A JP2352085A JPH0712650B2 JP H0712650 B2 JPH0712650 B2 JP H0712650B2 JP 60023520 A JP60023520 A JP 60023520A JP 2352085 A JP2352085 A JP 2352085A JP H0712650 B2 JPH0712650 B2 JP H0712650B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、印刷回路板用フレキシブル銅張回路基板の製
造法に係り、さらに詳細には耐熱性に優れ、高度の接着
性を有するフレキシブル銅張回路基板の製法に関する。
造法に係り、さらに詳細には耐熱性に優れ、高度の接着
性を有するフレキシブル銅張回路基板の製法に関する。
電子機器用の印刷回路基板として、従来一般にエポキシ
樹脂を用いたガラス布エポキシ積層板が用いられていた
が、実装密度の増大と配線パターンの高密度化に伴って
発熱量の増加が大きな問題となり、基板の耐熱性向上が
重要な課題となっている。従来のエポキシ樹脂にかわる
耐熱性樹脂としては、耐熱性エポキシ、ポリアミドイミ
ド、ポリベンズイミダゾール、シリコーン、ポリイミド
樹脂等が挙げられるが、銅箔の引き剥し強さに関し、必
ずしも満足のゆくものは得られていない。これらの樹脂
のうち、特にポリイミドは耐熱性に優れているばかりで
なく、電気特性にも優れ、従って電気絶縁材料として関
心が高まっている。然しながらポリイミド樹脂は金属等
に対する接着力が劣り、銅張回路基板のベースフィルム
として用いる場合には銅箔を接着させる接着剤が必要と
なる。接着力、耐熱性共に優れているものは、D.J.Prog
ar等によって開発されたポリイミド接着剤（米国特許第
4,065,345号）が知られているにすぎない。
樹脂を用いたガラス布エポキシ積層板が用いられていた
が、実装密度の増大と配線パターンの高密度化に伴って
発熱量の増加が大きな問題となり、基板の耐熱性向上が
重要な課題となっている。従来のエポキシ樹脂にかわる
耐熱性樹脂としては、耐熱性エポキシ、ポリアミドイミ
ド、ポリベンズイミダゾール、シリコーン、ポリイミド
樹脂等が挙げられるが、銅箔の引き剥し強さに関し、必
ずしも満足のゆくものは得られていない。これらの樹脂
のうち、特にポリイミドは耐熱性に優れているばかりで
なく、電気特性にも優れ、従って電気絶縁材料として関
心が高まっている。然しながらポリイミド樹脂は金属等
に対する接着力が劣り、銅張回路基板のベースフィルム
として用いる場合には銅箔を接着させる接着剤が必要と
なる。接着力、耐熱性共に優れているものは、D.J.Prog
ar等によって開発されたポリイミド接着剤（米国特許第
4,065,345号）が知られているにすぎない。
本発明は高温で使用しても使用中、使用後に於て銅箔と
の接着力の低下しない耐熱性に優れたフレキシブル銅張
回路基板を提供することにある。
の接着力の低下しない耐熱性に優れたフレキシブル銅張
回路基板を提供することにある。
本発明者等は前記問題を達成するために鋭意検討した結
果、熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を
有機溶媒に溶解した溶液を銅箔上に直接コーティングし
た後、加熱、脱水することを特徴とするフレキシブル銅
張回路基板の製造方法を発明した。
果、熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を
有機溶媒に溶解した溶液を銅箔上に直接コーティングし
た後、加熱、脱水することを特徴とするフレキシブル銅
張回路基板の製造方法を発明した。
本発明に用いられる熱可塑性ポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸の製造方法は、特に限定されるものではな
いが、通常はジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを
有機溶媒中で重合させて製造することができる。
ポリアミド酸の製造方法は、特に限定されるものではな
いが、通常はジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを
有機溶媒中で重合させて製造することができる。
熱可塑性ポリイミドを与えるジアミンとしては、ｍ−ア
ミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、3,
3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルフィド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホキ
シド、3,4′−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4′
−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,4−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノベンゾフェノン、3,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、1,1−ビ
ス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、
1,1−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、1,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エタン、1,2−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕エタン、2,2−ビス〔４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−
ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタ
ン、2,2−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ブタン、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、4,4′−ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビ
ス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィ
ド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホキシド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホキシド、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エーテル等が挙げられる。
ミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、3,
3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアミノジ
フェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4′−ジ
アミノジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルフィド、3,3′−ジアミノジフェニルスルホキ
シド、3,4′−ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4′
−ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,4−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジア
ミノベンゾフェノン、3,4′−ジアミノベンゾフェノ
ン、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、1,1−ビ
ス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、
1,1−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、1,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕エタン、1,2−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕エタン、2,2−ビス〔４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−
ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタ
ン、2,2−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕ブタン、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、4,4′−ビス
（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビ
ス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィ
ド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホキシド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホキシド、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エーテル等が挙げられる。
本発明の方法では、これらのジアミンの中から3,3′−
ジアミノジフェニルエーテル、3,4′ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、
3,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,3−ジアミノベンゾフェノン、
3,4−ジアミノベンゾフェノン、2,2−ビス〔４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、4,4′−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ビフェニル、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテルお
よびビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
ーテルジアミンからなる群から選ばれる一種または２種
以上が特に好ましいジアミン化合物として使用される。
ジアミノジフェニルエーテル、3,4′ジアミノジフェニ
ルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルスルフィド、
3,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4−ジアミノ
ジフェニルスルホン、3,3−ジアミノベンゾフェノン、
3,4−ジアミノベンゾフェノン、2,2−ビス〔４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、4,4′−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、4,4′−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ビフェニル、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エーテルお
よびビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
ーテルジアミンからなる群から選ばれる一種または２種
以上が特に好ましいジアミン化合物として使用される。
また、熱可塑性ポリイミドを与えるテトラカルボン酸二
無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二
無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ピ
ロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,
4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、1,1
−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二無水
物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−
ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセン
テトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントレン
テトラカルボン酸二無水物等があげられる。これらは単
独或いは２種以上混合して用いられる。
無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二
無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ピ
ロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカ
ルボキシフェニル）プロパン二無水物、2,2−ビス（2,3
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（3,
4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、1,1
−ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）エタン二無水
物、ビス（2,3−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,
5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−
ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセン
テトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントレン
テトラカルボン酸二無水物等があげられる。これらは単
独或いは２種以上混合して用いられる。
本発明の方法では、これらのテトラカルボン酸無水物の
中から、ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−
ビスフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物お
よびビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無
水物からなる群から選ばれる一種または２種以上のテト
ラカルボン酸二無水物が好ましいテトラカルボン酸二無
水物として使用される。
中から、ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−
ビスフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
（3,4−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物お
よびビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二無
水物からなる群から選ばれる一種または２種以上のテト
ラカルボン酸二無水物が好ましいテトラカルボン酸二無
水物として使用される。
有機溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノン、N,N−
ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿
素、Ｎ−メチルカプロラクタム、ヒトラヒドロフラン、
ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、1,2−ジメトキシエ
タン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、1,2−ビ
ス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス−〔２−（２
−メトキシエトキシ）エチル〕エーテル等がある。
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、1,3−ジメチル−２−イミダゾリジノン、N,N−
ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿
素、Ｎ−メチルカプロラクタム、ヒトラヒドロフラン、
ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、1,2−ジメトキシエ
タン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、1,2−ビ
ス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス−〔２−（２
−メトキシエトキシ）エチル〕エーテル等がある。
ポリアミド酸溶液の粘度は所定のコーティング方法によ
り、所望の厚さのコーティング膜が得られるような最適
粘度を与えるように実施するのが肝要である。
り、所望の厚さのコーティング膜が得られるような最適
粘度を与えるように実施するのが肝要である。
コーティングは出来るだけ均一になされなければなら
ず、かかるコーティングはバーコーター、ドクターブレ
ード等を用いて実施することができる。
ず、かかるコーティングはバーコーター、ドクターブレ
ード等を用いて実施することができる。
銅箔にポリアミド酸溶液をコーティングした後、所要時
間100℃〜400℃、好ましくは200〜300℃に加熱、溶媒を
除去すると共に、ポリアミド酸をより安定なポリイミド
に転化する。加熱と同時に１〜1000kg/cm2、好ましくは
１〜5kg/cm2の圧力をかけることも好ましい。加圧する
ことにより銅箔とポリマーフィルムの引き剥し強さを更
に強くすることができる。
間100℃〜400℃、好ましくは200〜300℃に加熱、溶媒を
除去すると共に、ポリアミド酸をより安定なポリイミド
に転化する。加熱と同時に１〜1000kg/cm2、好ましくは
１〜5kg/cm2の圧力をかけることも好ましい。加圧する
ことにより銅箔とポリマーフィルムの引き剥し強さを更
に強くすることができる。
以下実施例により本発明を説明する。尚、実施例中の対
数粘度は35℃、0.5g/100ml、N,N−ジメチルアセトアミ
ドで測定した値であり、回転粘度はＥ型粘度計の高粘度
用ロータを用いて25℃で測定した値である。
数粘度は35℃、0.5g/100ml、N,N−ジメチルアセトアミ
ドで測定した値であり、回転粘度はＥ型粘度計の高粘度
用ロータを用いて25℃で測定した値である。
また、銅張回路基板の銅箔引き剥し強さはJIS C−6481
の方法に従って測定した。
の方法に従って測定した。
実施例−１ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で、3,
3′−ジアミノベンゾフェノン53.0g（0.25モル）を、N,
N−ジメチルアセトミド240mlに溶解した。この溶液に3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物7
8.6g（0.244モル）の粉末を添加し、10℃で24時間攪拌
してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶液中のポリア
ミド酸の対数粘度は0.59dl/g、回転粘度は32,000cpsで
あった。この溶液をドクターブレードを用いて電解銅箔
（厚さ35μｍ）に均一にコーティングした。このコーテ
ィング銅箔を100℃、200℃及び300℃で各々１時間加熱
して銅張回路基板を得た。コーティング膜の膜厚は約50
μｍであった。この銅張回路基板の銅箔引き剥し強さ
は、常温（25℃）で3.5kg/cm、260℃で180秒はんだ処理
後は3.5kg/cm、300℃で180秒はんだ処理後は3.5kg/cmで
あった。
3′−ジアミノベンゾフェノン53.0g（0.25モル）を、N,
N−ジメチルアセトミド240mlに溶解した。この溶液に3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物7
8.6g（0.244モル）の粉末を添加し、10℃で24時間攪拌
してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶液中のポリア
ミド酸の対数粘度は0.59dl/g、回転粘度は32,000cpsで
あった。この溶液をドクターブレードを用いて電解銅箔
（厚さ35μｍ）に均一にコーティングした。このコーテ
ィング銅箔を100℃、200℃及び300℃で各々１時間加熱
して銅張回路基板を得た。コーティング膜の膜厚は約50
μｍであった。この銅張回路基板の銅箔引き剥し強さ
は、常温（25℃）で3.5kg/cm、260℃で180秒はんだ処理
後は3.5kg/cm、300℃で180秒はんだ処理後は3.5kg/cmで
あった。
実施例−２ 連続キャスト製膜に用いられるスチールドラム面に電解
銅箔（35μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリアミ
ド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延した。
スチールドラムを100℃から250℃迄徐々に加熱し、最後
に300℃のロールを通して加圧し、連続的に銅張回路基
板を得た。コーティング膜の膜厚は約55μｍで、銅張回
路基板の銅箔引き剥し強さは、常温（25℃）で3.7kg/c
m、260℃で180秒はんだ処理後は3.7kg/cm、300℃で180
秒はんだ処理後は3.7kg/cmであった。
銅箔（35μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリアミ
ド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延した。
スチールドラムを100℃から250℃迄徐々に加熱し、最後
に300℃のロールを通して加圧し、連続的に銅張回路基
板を得た。コーティング膜の膜厚は約55μｍで、銅張回
路基板の銅箔引き剥し強さは、常温（25℃）で3.7kg/c
m、260℃で180秒はんだ処理後は3.7kg/cm、300℃で180
秒はんだ処理後は3.7kg/cmであった。
実施例−３ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器に、2,
2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン41.0g（0.1モル）と、N,N−ジメチルアセトアミ
ド200mlを装填し、０℃付近まで冷却し、窒素雰囲気下
に於てピロメリット酸無水物21.8g（0.1モル）の粉末を
加え０℃付近で２時間攪拌した。次に上記溶液を室温に
戻し、窒素雰囲気下で約20時間攪拌を行なった。こうし
て得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は1.5dl/g、回
転粘度は56,000cpsであった。
2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン41.0g（0.1モル）と、N,N−ジメチルアセトアミ
ド200mlを装填し、０℃付近まで冷却し、窒素雰囲気下
に於てピロメリット酸無水物21.8g（0.1モル）の粉末を
加え０℃付近で２時間攪拌した。次に上記溶液を室温に
戻し、窒素雰囲気下で約20時間攪拌を行なった。こうし
て得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は1.5dl/g、回
転粘度は56,000cpsであった。
この溶液を厚さ35μｍの電解銅箔に均一にコーティング
した。このコーティングされた銅箔を、100℃、200℃及
び300℃で各々１時間加熱して銅張回路基板を得た。コ
ーティング膜の膜厚は約125μｍで、銅箔引き剥し強さ
は、常温（25℃）で3.8kg/cm、260℃で180秒はんだ処理
後は3.8kg/cm、300℃で180秒はんだ処理後は3.8kg/cmで
あった。
した。このコーティングされた銅箔を、100℃、200℃及
び300℃で各々１時間加熱して銅張回路基板を得た。コ
ーティング膜の膜厚は約125μｍで、銅箔引き剥し強さ
は、常温（25℃）で3.8kg/cm、260℃で180秒はんだ処理
後は3.8kg/cm、300℃で180秒はんだ処理後は3.8kg/cmで
あった。
実施例 ４〜14 実施例３におけるジアミン成分とテトラカルボン酸二無
水物成分を表１に示すものに変更した以外は実施例３と
全く同様にして、銅張回路基板を作成し、その銅箔引き
剥がし強さを常温と300℃で180秒はんだ処理後測定し
た。その結果を表１に示す。
水物成分を表１に示すものに変更した以外は実施例３と
全く同様にして、銅張回路基板を作成し、その銅箔引き
剥がし強さを常温と300℃で180秒はんだ処理後測定し
た。その結果を表１に示す。
比較例 特公昭50−2637の実施例15と全く同様にして重合溶液を
得た。この重合溶液を用いて実施例３と全く同様にし
て、銅張回路基板を作成し、その銅箔引き剥がし強さを
常温と300℃で180秒はんだ処理後測定した。その結果を
表１に示す。
得た。この重合溶液を用いて実施例３と全く同様にし
て、銅張回路基板を作成し、その銅箔引き剥がし強さを
常温と300℃で180秒はんだ処理後測定した。その結果を
表１に示す。
〔発明の効果〕 本発明のフレキシブル銅張回路基板は、熱可塑性ポリイ
ミドそのものに接着力があるため、銅箔との接着に於て
接着剤を使用する必要がなく、本発明の方法によれば簡
便な操作によって耐熱性に極めて優れた銅張回路基板を
得ることができる。
ミドそのものに接着力があるため、銅箔との接着に於て
接着剤を使用する必要がなく、本発明の方法によれば簡
便な操作によって耐熱性に極めて優れた銅張回路基板を
得ることができる。
フロントページの続き (72)発明者 及川 英明 神奈川県横浜市戸塚区飯島町2070 (72)発明者 山口 彰宏 神奈川県鎌倉市材木座１―13―24 (56)参考文献 特開 昭58−190093（ＪＰ，Ａ) 特公 昭50−2637（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,
4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジ
フェニルスルフィド、3,4′−ジアミノジフェニルスル
フィド、3,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−
ジアミノベンゾフェノン、3,4′−ジアミノベンゾフェ
ノン、2,2−ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス〔４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロ
パン、1,3−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
4,4′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、4,
4′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス
〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビ
ス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、
ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフ
ィド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
スルフィド、ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕スルホン、ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕エーテルおよびビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エーテルからなる群から選ばれ
る一種または２種以上のジアミン化合物とピロメリット
酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物およびビス（3,4−ジカルボキ
シフェニル）スルホン二無水物からなる群から選ばれる
一種または２種以上のテトラカルボン酸二無水物とを重
合させて得られる熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポ
リアミド酸を有機溶媒に溶解した溶液を銅箔上に直接コ
ーティングした後、加熱、脱水することを特徴とするフ
レキシブル銅張回路基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023520A JPH0712650B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
| US07/159,850 US4883718A (en) | 1985-02-12 | 1986-06-30 | Flexible copper-clad circuit substrate |
| CA000515592A CA1288327C (en) | 1985-02-12 | 1986-08-08 | Flexible copper-clad circuit substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023520A JPH0712650B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182941A JPS61182941A (ja) | 1986-08-15 |
| JPH0712650B2 true JPH0712650B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=12112722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023520A Expired - Lifetime JPH0712650B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712650B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100391730C (zh) * | 1999-03-17 | 2008-06-04 | 日矿材料美国有限公司 | 防止软性电路中显微裂纹的铜表面处理 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0719939B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1995-03-06 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブル両面金属箔積層板 |
| JP2743185B2 (ja) * | 1988-11-29 | 1998-04-22 | 東芝ケミカル株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
| JP2741674B2 (ja) * | 1988-11-29 | 1998-04-22 | 東芝ケミカル株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60023520A patent/JPH0712650B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100391730C (zh) * | 1999-03-17 | 2008-06-04 | 日矿材料美国有限公司 | 防止软性电路中显微裂纹的铜表面处理 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182941A (ja) | 1986-08-15 |
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