JP2741674B2 - 回路基板およびその製造方法 - Google Patents
回路基板およびその製造方法Info
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- JP2741674B2 JP2741674B2 JP63299593A JP29959388A JP2741674B2 JP 2741674 B2 JP2741674 B2 JP 2741674B2 JP 63299593 A JP63299593 A JP 63299593A JP 29959388 A JP29959388 A JP 29959388A JP 2741674 B2 JP2741674 B2 JP 2741674B2
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- polyimide
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、金属箔表面に接着剤層を介することなくポ
リイミド樹脂の薄膜を形成した、生産性及び経済性に優
れた回路基板及びその製造方法に関する。
リイミド樹脂の薄膜を形成した、生産性及び経済性に優
れた回路基板及びその製造方法に関する。
（従来の技術） 可撓性の回路基板は、金属箔とその上に形成された薄
い絶縁層とによって構成されている。絶縁層として、ポ
リイミド、ポリエステル等のフィルムやエポキシ樹脂含
浸ガラスクロス等が用いられている。エポキシ樹脂含浸
ガラスクロスは、可撓性、低誘電特性に劣るという欠点
があり、またポリエステルフィルムは耐熱性に劣るとい
う問題がある。ポリイミドフィルムは、それ自体の耐熱
性、低誘電特性、耐薬品性が優れているものの、金属箔
に対するポリイミドフィルムの接着特性などが劣るとい
う欠点がある。
い絶縁層とによって構成されている。絶縁層として、ポ
リイミド、ポリエステル等のフィルムやエポキシ樹脂含
浸ガラスクロス等が用いられている。エポキシ樹脂含浸
ガラスクロスは、可撓性、低誘電特性に劣るという欠点
があり、またポリエステルフィルムは耐熱性に劣るとい
う問題がある。ポリイミドフィルムは、それ自体の耐熱
性、低誘電特性、耐薬品性が優れているものの、金属箔
に対するポリイミドフィルムの接着特性などが劣るとい
う欠点がある。
従来、回路基板製造における金属箔上のポリイミドと
の形成には、金属箔に接着剤を介してポリイミドフィ
ルムを接着したもの、金属箔上にポリイミド前駆体の
ポリアミド酸樹脂を塗布し、300℃以上の高温で熱処理
してイミド化させたもの、金属箔上にポリイミドフィ
ルムを少なくとも300℃以上の高温で熱融着させたもの
がある。
の形成には、金属箔に接着剤を介してポリイミドフィ
ルムを接着したもの、金属箔上にポリイミド前駆体の
ポリアミド酸樹脂を塗布し、300℃以上の高温で熱処理
してイミド化させたもの、金属箔上にポリイミドフィ
ルムを少なくとも300℃以上の高温で熱融着させたもの
がある。
しかし、の回路基板は接着剤の耐熱性が低いためポ
リイミドの耐熱性の特徴を十分に発揮させることができ
ない欠点がある。また接着剤の使用に伴い工程が複雑に
なるという欠点がある。及びの回路基板は、いずれ
も高温での熱処理が必要で生産性、経済性に劣る欠点が
ある。更にの回路基板はポリイミド前駆体の組成によ
っては生成ポリイミド膜と金属箔との接着力が不十分と
なり、それが回路パターン形成時に剥離現象が生じ不良
の原因となる欠点があった。
リイミドの耐熱性の特徴を十分に発揮させることができ
ない欠点がある。また接着剤の使用に伴い工程が複雑に
なるという欠点がある。及びの回路基板は、いずれ
も高温での熱処理が必要で生産性、経済性に劣る欠点が
ある。更にの回路基板はポリイミド前駆体の組成によ
っては生成ポリイミド膜と金属箔との接着力が不十分と
なり、それが回路パターン形成時に剥離現象が生じ不良
の原因となる欠点があった。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもの
で、接着剤を介在させずに、耐熱性、接着性に優れ、か
つ生産性、経済性の高い回路基板及びその製造方法を提
供しようとするものである。
で、接着剤を介在させずに、耐熱性、接着性に優れ、か
つ生産性、経済性の高い回路基板及びその製造方法を提
供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明者らは、上記の目的を達成するため鋭意研究を
進めた結果、金属箔上に接着剤を介することなく直接
に、特定ポリイミド樹脂の薄膜を形成させることによっ
て、耐熱性、接着性に優れ、かつ生産性、経済性の高い
回路基板が得られることを見いだし、本発明を完成した
ものである。
進めた結果、金属箔上に接着剤を介することなく直接
に、特定ポリイミド樹脂の薄膜を形成させることによっ
て、耐熱性、接着性に優れ、かつ生産性、経済性の高い
回路基板が得られることを見いだし、本発明を完成した
ものである。
すなわち、本発明の回路基板は、 金属箔と、該金属箔の表面にポリイミド樹脂溶液を塗
布することにより形成したポリイミド樹脂薄膜とを具備
し、該ポリイミド樹脂が、 （Ａ）3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
を95モル％以上含む芳香族テトラカルボン酸と、 （Ｂ）一般式（１）又は（２） （但し式中ＸはCH2，SO2,C（CH3）2,C（CF3）2,O又はＳ
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている）で示される芳香族ジアミンを90モル％
以上含むジアミンとを反応させてなるものであることを
特徴とするものであり、 本発明の回路基板の製造方法は、金属箔表面に、上記
のポリイミド樹脂溶液を、直接塗布した後タックフリー
な状態に乾燥して塗布金属箔を得、該塗布金属箔を不活
性ガス中で加熱して金属箔表面にポリイミド樹脂薄膜を
形成することを特徴とするものである。
布することにより形成したポリイミド樹脂薄膜とを具備
し、該ポリイミド樹脂が、 （Ａ）3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
を95モル％以上含む芳香族テトラカルボン酸と、 （Ｂ）一般式（１）又は（２） （但し式中ＸはCH2，SO2,C（CH3）2,C（CF3）2,O又はＳ
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている）で示される芳香族ジアミンを90モル％
以上含むジアミンとを反応させてなるものであることを
特徴とするものであり、 本発明の回路基板の製造方法は、金属箔表面に、上記
のポリイミド樹脂溶液を、直接塗布した後タックフリー
な状態に乾燥して塗布金属箔を得、該塗布金属箔を不活
性ガス中で加熱して金属箔表面にポリイミド樹脂薄膜を
形成することを特徴とするものである。
本発明に用いる（Ａ）芳香族テトラカルボン酸は、そ
の95モル％以上が3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸であるが、本発明でいう3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸にはその無水物もしくはそ
のアルキルエステルを含むものである。また（Ａ）芳香
族テトラカルボン酸は3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸の他の芳香族テトラカルボン酸を５モル
％未満含んでいてもよい。
の95モル％以上が3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸であるが、本発明でいう3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸にはその無水物もしくはそ
のアルキルエステルを含むものである。また（Ａ）芳香
族テトラカルボン酸は3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸の他の芳香族テトラカルボン酸を５モル
％未満含んでいてもよい。
本発明に用いる（Ｂ）芳香族ジアミンは、その90モル
％以上が次の一般式（１）又は（２）で示されるジアミ
ンである。
％以上が次の一般式（１）又は（２）で示されるジアミ
ンである。
（但し式中ＸはCH2，SO2,C（CH3）2,C（CF3）2,O又はＳ
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている） （Ｂ）芳香族ジアミンの具体的な化合物としては、3,
3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン、3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル−4,4′−
ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3′−ジメトキシ
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジエトキ
シ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジエチ
ル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメ
トキシ−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′
−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニル
プロパン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルプロパン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフ
ェニルプロパン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノ
ジフェニルプロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルファイド、3,3′−ジエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジメトキシ
−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジ
エトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、
4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン等が挙げられ、これらは単独又は２種以
上混合して用いることができる。またこれらの芳香族ジ
アミンの他にも10モル％未満のジアミンを配合すること
ができる。
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている） （Ｂ）芳香族ジアミンの具体的な化合物としては、3,
3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン、3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル−4,4′−
ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3′−ジメトキシ
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジエトキ
シ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジエチ
ル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメ
トキシ−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−
ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′
−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルス
ルホン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフェニル
プロパン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニ
ルプロパン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフ
ェニルプロパン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノ
ジフェニルプロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミ
ノジフェニルスルファイド、3,3′−ジエチル−4,4′−
ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジメトキシ
−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジ
エトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、
4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘキサフ
ルオロプロパン等が挙げられ、これらは単独又は２種以
上混合して用いることができる。またこれらの芳香族ジ
アミンの他にも10モル％未満のジアミンを配合すること
ができる。
（Ａ）芳香族テトラカルボン酸と（Ｂ）芳香族ジアミ
ンとの反応は、ほぼ等モルを有機溶媒中で30℃以下、好
ましくは０℃以下の温度下で３〜12時間付加反応させた
後、脱水環化して次の構造式（３）、（４）を有するポ
リイミド樹脂が得られる。
ンとの反応は、ほぼ等モルを有機溶媒中で30℃以下、好
ましくは０℃以下の温度下で３〜12時間付加反応させた
後、脱水環化して次の構造式（３）、（４）を有するポ
リイミド樹脂が得られる。
（但し式中ＸはCH2，SO2,C（CH3）2,C（CF3）2,O又はＳ
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている） この付加重合反応において用いる有機溶媒としては、
例えば、N,N′−ジメチルスルホオキシド、N,N′−ジメ
チルホルムアミド、N,N′−ジエチルホルムアミド、N,
N′−ジメチルアセトアミド、N,N′−ジエチルアセトア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホ
スホアミド等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混
合して使用することができる。
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている） この付加重合反応において用いる有機溶媒としては、
例えば、N,N′−ジメチルスルホオキシド、N,N′−ジメ
チルホルムアミド、N,N′−ジエチルホルムアミド、N,
N′−ジメチルアセトアミド、N,N′−ジエチルアセトア
ミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホ
スホアミド等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混
合して使用することができる。
このポリイミド樹脂溶液を金属箔にコーティングする
場合は、ポリイミド樹脂を５〜40重量％、特に好ましく
は10〜30重量％含有し、かつ固有粘度（intrinsic visc
osity）が0.5〜6dl/g、特に１〜4dl/gである溶液を用い
ることが好ましい。それは、ポリイミド樹脂の薄膜の物
性及び塗布・乾燥工程において経済的に好ましいからで
ある。
場合は、ポリイミド樹脂を５〜40重量％、特に好ましく
は10〜30重量％含有し、かつ固有粘度（intrinsic visc
osity）が0.5〜6dl/g、特に１〜4dl/gである溶液を用い
ることが好ましい。それは、ポリイミド樹脂の薄膜の物
性及び塗布・乾燥工程において経済的に好ましいからで
ある。
ポリイミド樹脂溶液をコーティングする金属箔として
は、一般に銅箔、アルミニウム箔が用いられる。また、
特殊な場合にはニッケル箔等を用いることもできる。ポ
リイミド溶液を金属箔にコーティングする方法は、流延
塗布、例えば金属箔表面にポリイミド溶液を製膜用スリ
ットから吐出させて均一な厚さ（30〜300μｍとなるよ
うに調節する）の塗膜層を形成することが好ましい。し
かし、他のコーティング方法、例えばロールコーター、
ナイフコーター、コンマコーター、ドクターブレード、
フローコーター等の公知の手段を利用することも可能で
ある。こうしてポリイミド樹脂の塗布をした後は、100
〜290℃、好ましくは100〜150℃に加熱して脱溶媒を行
う。この脱溶媒工程で、金属箔表面が酸化される温度以
上になると、金属箔表面の酸化が起こり、金属箔の機械
的特性、電気的特性及び接着性の低下が起こり易くな
る。このため、金属箔表面が酸化される温度以上では不
活性ガス中で行うことが、特に好ましい。加熱乾燥は金
属箔を広げた状態で行うのが一般的であるが、ポリイミ
ド樹脂溶液を長尺金属箔に直接コートした後、実質的に
タックフリーな状態迄乾燥した後、ロール状に巻き取
り、その巻き取った物を不活性ガス中で加熱して脱溶媒
を完全に行うことがよい。こうして接着剤層を含まない
で優れた回路基板をつくることができる。
は、一般に銅箔、アルミニウム箔が用いられる。また、
特殊な場合にはニッケル箔等を用いることもできる。ポ
リイミド溶液を金属箔にコーティングする方法は、流延
塗布、例えば金属箔表面にポリイミド溶液を製膜用スリ
ットから吐出させて均一な厚さ（30〜300μｍとなるよ
うに調節する）の塗膜層を形成することが好ましい。し
かし、他のコーティング方法、例えばロールコーター、
ナイフコーター、コンマコーター、ドクターブレード、
フローコーター等の公知の手段を利用することも可能で
ある。こうしてポリイミド樹脂の塗布をした後は、100
〜290℃、好ましくは100〜150℃に加熱して脱溶媒を行
う。この脱溶媒工程で、金属箔表面が酸化される温度以
上になると、金属箔表面の酸化が起こり、金属箔の機械
的特性、電気的特性及び接着性の低下が起こり易くな
る。このため、金属箔表面が酸化される温度以上では不
活性ガス中で行うことが、特に好ましい。加熱乾燥は金
属箔を広げた状態で行うのが一般的であるが、ポリイミ
ド樹脂溶液を長尺金属箔に直接コートした後、実質的に
タックフリーな状態迄乾燥した後、ロール状に巻き取
り、その巻き取った物を不活性ガス中で加熱して脱溶媒
を完全に行うことがよい。こうして接着剤層を含まない
で優れた回路基板をつくることができる。
（作用） 本発明の回路基板は、金属箔表面に直接所定のポリイ
ミド樹脂の薄膜を形成したことによって、接着剤を使用
することによって起こる欠点が除去され、生産性、経済
性を向上させたものである。
ミド樹脂の薄膜を形成したことによって、接着剤を使用
することによって起こる欠点が除去され、生産性、経済
性を向上させたものである。
（実施例） 次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換し
た後、3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン310gを入れ、これにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン（NMP）2530mlを加え溶解した。溶解後、０℃
に冷却し攪拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物（BTDA）322gを加えた。反応によ
る発熱を氷水中で押さえながら６時間攪拌を続けて前駆
体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤である無
水酢酸408mlとピリジン40mlを加え、100℃で酢酸を留出
させながら閉環反応を３時間行った。その後、無水酢酸
／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミド化した。
た後、3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルメタン310gを入れ、これにＮ−メチル−２−ピ
ロリドン（NMP）2530mlを加え溶解した。溶解後、０℃
に冷却し攪拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物（BTDA）322gを加えた。反応によ
る発熱を氷水中で押さえながら６時間攪拌を続けて前駆
体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤である無
水酢酸408mlとピリジン40mlを加え、100℃で酢酸を留出
させながら閉環反応を３時間行った。その後、無水酢酸
／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミド化した。
反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.5）590gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノン85
0mlにて溶解し、圧延銅箔（厚さ35μｍ）にドクターブ
レードを用いて均一にコーティングした。このコーティ
ング銅箔を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素
雰囲気の中で60分間加熱して、膜厚25μｍのポリイミド
樹脂薄膜をコートした回路基板を得た。この場合、コー
トする銅箔の表面は酸化処理又はプライマー処理しても
よい。
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.5）590gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノン85
0mlにて溶解し、圧延銅箔（厚さ35μｍ）にドクターブ
レードを用いて均一にコーティングした。このコーティ
ング銅箔を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素
雰囲気の中で60分間加熱して、膜厚25μｍのポリイミド
樹脂薄膜をコートした回路基板を得た。この場合、コー
トする銅箔の表面は酸化処理又はプライマー処理しても
よい。
第１図は本発明に係る回路基板の断面図を示した。銅
箔等の金属箔１の片面に厚さ25μｍのポリイミド樹脂薄
膜２が形成されている。
箔等の金属箔１の片面に厚さ25μｍのポリイミド樹脂薄
膜２が形成されている。
実施例２ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換し
た後、4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘ
キサフルオロプロパン362gを入れ、これにＮ−メチル−
２−ピロリドン（NMP）3420mlを加え溶解した。溶解
後、０℃に冷却し攪拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物（BTDA）322gを加えた。
反応による発熱を氷水中で押さえながら６時間攪拌を続
けて前駆体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤
である無水酢酸408mlとピリジン40mlとを加え、100℃で
酢酸を留出させながら閉環反応を３時間行った。その
後、無水酢酸／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミ
ド化した。
た後、4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘ
キサフルオロプロパン362gを入れ、これにＮ−メチル−
２−ピロリドン（NMP）3420mlを加え溶解した。溶解
後、０℃に冷却し攪拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物（BTDA）322gを加えた。
反応による発熱を氷水中で押さえながら６時間攪拌を続
けて前駆体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤
である無水酢酸408mlとピリジン40mlとを加え、100℃で
酢酸を留出させながら閉環反応を３時間行った。その
後、無水酢酸／ピリジンを減圧下で留出除去させてイミ
ド化した。
反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度3.44）640gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノン85
0mlにて溶解し、圧延銅箔（厚さ35μｍ）にドクターブ
レードを用いて均一にコーティングした。このコーティ
ング銅箔を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素
雰囲気の中で60分間加熱して、膜厚25μｍのポリイミド
樹脂薄膜をコートした回路基板を得た。
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度3.44）640gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノン85
0mlにて溶解し、圧延銅箔（厚さ35μｍ）にドクターブ
レードを用いて均一にコーティングした。このコーティ
ング銅箔を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素
雰囲気の中で60分間加熱して、膜厚25μｍのポリイミド
樹脂薄膜をコートした回路基板を得た。
実施例３ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換し
た後、3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン282gを入れ、これにＮ−メチル
−２−ピロリドン（NMP）2420mlを加え溶解した。溶解
後、０℃に冷却し攪拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物（BTDA）322gを加えた。
反応による発熱を氷水中で押さえながら６時間攪拌を続
けて前駆体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤
である無水酢酸408mlとピリジン40mlとを加え、100℃で
酢酸を留出させながらイミド閉環反応を３時間行った。
た後、3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン282gを入れ、これにＮ−メチル
−２−ピロリドン（NMP）2420mlを加え溶解した。溶解
後、０℃に冷却し攪拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸無水物（BTDA）322gを加えた。
反応による発熱を氷水中で押さえながら６時間攪拌を続
けて前駆体の反応をさせた。次いで、反応溶液に脱水剤
である無水酢酸408mlとピリジン40mlとを加え、100℃で
酢酸を留出させながらイミド閉環反応を３時間行った。
反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投入
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.33）564gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサン850m
lにて溶解し、圧延銅箔（厚さ35μｍ）にドクターブレ
ードを用いて均一にコーティングした。このコーティン
グ銅箔を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素雰
囲気の中で60分間加熱して、膜厚25μｍのポリイミド樹
脂薄膜をコートした回路基板を得た。
してポリイミド樹脂を析出させた。析出物を乾燥し、黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.33）564gを得た。
得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサン850m
lにて溶解し、圧延銅箔（厚さ35μｍ）にドクターブレ
ードを用いて均一にコーティングした。このコーティン
グ銅箔を130℃で60分間加熱乾燥した後、250℃の窒素雰
囲気の中で60分間加熱して、膜厚25μｍのポリイミド樹
脂薄膜をコートした回路基板を得た。
比較例１ 市販の厚さ25μｍのポリイミドフィルムと実施例で用
いた圧延銅箔とを、アクリルゴム系接着剤を用いて、室
温で圧力0.7kg/cm2の条件で加圧して、回路基板を得
た。
いた圧延銅箔とを、アクリルゴム系接着剤を用いて、室
温で圧力0.7kg/cm2の条件で加圧して、回路基板を得
た。
これらの実施例及び比較例で得られた回路基板におけ
るポリイミドフィルムと銅箔との接着力をASTM−Ｄ−18
75に準じて測定し、耐はんだ性をJIS−Ｃ−6481に準じ
て行ったので、その結果を第１表に示す。
るポリイミドフィルムと銅箔との接着力をASTM−Ｄ−18
75に準じて測定し、耐はんだ性をJIS−Ｃ−6481に準じ
て行ったので、その結果を第１表に示す。
［発明の効果］ 以上の説明および第１表から明らかなように、本発明
の、また本発明方法による回路基板は、金属箔に接着剤
を介在させることなく直接に、特定のポリイミド樹脂の
薄膜を形成したので、耐熱性、接着性に優れ、かつ生産
性、経済性が高く、従ってプリント配線板、ハイブリッ
ド基板、LSI実装用基板等に好適なものである。
の、また本発明方法による回路基板は、金属箔に接着剤
を介在させることなく直接に、特定のポリイミド樹脂の
薄膜を形成したので、耐熱性、接着性に優れ、かつ生産
性、経済性が高く、従ってプリント配線板、ハイブリッ
ド基板、LSI実装用基板等に好適なものである。
第１図は本発明に係る回路基板の一実施例を示す断面図
である。 １…金属箔、２…ポリイミド樹脂薄膜。
である。 １…金属箔、２…ポリイミド樹脂薄膜。
Claims (2)
- 【請求項１】金属箔と、該金属箔の表面にポリイミド樹
脂溶液を塗布することにより形成したポリイミド樹脂薄
膜とを具備し、該ポリイミド樹脂が、 （Ａ）3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
を95モル％以上含む芳香族テトラカルボン酸と、 （Ｂ）一般式（１）又は（２） （但し式中ＸはCH2，SO2,C（CH3）2,C（CF3）2,O又はＳ
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている）で示される芳香族ジアミンを90モル％
以上含むジアミンとを反応させてなるものであることを
特徴とする回路基板。 - 【請求項２】金属箔表面に、（Ａ）3,3′,4,4′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸を95モル％以上含む芳香族
テトラカルボン酸と、 （Ｂ）一般式（１）又は（２） （但し式中ＸはCH2，SO2,C（CH3）2,C（CF3）2,O又はＳ
を、R5はベンゼン核又はシクロヘキサン核を、R1，R2は
CH3，C2H5，OCH3又はOC2H5を、R3，R4はC2H5を、それぞ
れ表し、そしてR1〜R4はいずれもアミノ基のオルソ位に
置換されている）で示される芳香族ジアミンを90モル％
以上含むジアミンとを反応させてなるポリイミド樹脂溶
液を、直接塗布した後タックフリーな状態に乾燥して塗
布金属箔を得、該塗布金属箔を不活性ガス中で加熱して
金属箔表面にポリイミド樹脂薄膜を形成することを特徴
とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299593A JP2741674B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299593A JP2741674B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02147234A JPH02147234A (ja) | 1990-06-06 |
| JP2741674B2 true JP2741674B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17874644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63299593A Expired - Lifetime JP2741674B2 (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2741674B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4669715B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-04-13 | 株式会社康井精機 | 複合材料シートの製造装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712650B2 (ja) * | 1985-02-12 | 1995-02-15 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
| JPH0682892B2 (ja) * | 1986-02-28 | 1994-10-19 | 住友ベ−クライト株式会社 | 可撓性印刷回路用基板の製造方法 |
| JPS63265629A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フレキシブル配線基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63299593A patent/JP2741674B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02147234A (ja) | 1990-06-06 |
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