JP2712082B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JP2712082B2 JP2712082B2 JP1016235A JP1623589A JP2712082B2 JP 2712082 B2 JP2712082 B2 JP 2712082B2 JP 1016235 A JP1016235 A JP 1016235A JP 1623589 A JP1623589 A JP 1623589A JP 2712082 B2 JP2712082 B2 JP 2712082B2
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- Japan
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- circuit board
- film
- polyimide resin
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- polyimide
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、金属板や金属箔にポリイミド樹脂フイルム
を直接接着した、耐熱性、接着性に優れた回路基板の製
造方法に関する。
を直接接着した、耐熱性、接着性に優れた回路基板の製
造方法に関する。
（従来の技術） 従来使用されている回路基板は、（１）金属箔または
金属板上に接着剤を介して基材を接着したもの、（２）
金属箔または金属板をエポキシ樹脂系接着剤或いはエポ
キシ樹脂含浸ガラスクロスで150℃以上の高温で加熱加
圧一体化したもの、（３）金属箔または金属板上にポリ
アミド酸樹脂溶液を直接塗布し、少なくとも300℃以上
の高温でイミド化させたものである。
金属板上に接着剤を介して基材を接着したもの、（２）
金属箔または金属板をエポキシ樹脂系接着剤或いはエポ
キシ樹脂含浸ガラスクロスで150℃以上の高温で加熱加
圧一体化したもの、（３）金属箔または金属板上にポリ
アミド酸樹脂溶液を直接塗布し、少なくとも300℃以上
の高温でイミド化させたものである。
しかし、（１）の回路基板は接着剤の耐熱性が低く回
路基板として不適当である。（２）の回路基板は、使用
するエポキシ樹脂系接着剤またはエポキシ樹脂含浸ガラ
スクロスが可撓性、低誘電特性に劣る欠点がある。また
（３）ではポリイミド前駆体の組成によって生成ポリイ
ミド膜と金属箔または金属板との接着力が不十分とな
り、回路パターン形成時に剥離現象を生じ不良の原因と
なる欠点がある。
路基板として不適当である。（２）の回路基板は、使用
するエポキシ樹脂系接着剤またはエポキシ樹脂含浸ガラ
スクロスが可撓性、低誘電特性に劣る欠点がある。また
（３）ではポリイミド前駆体の組成によって生成ポリイ
ミド膜と金属箔または金属板との接着力が不十分とな
り、回路パターン形成時に剥離現象を生じ不良の原因と
なる欠点がある。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもの
で、接着剤層の介在がなく、耐熱性、接着性、可撓性に
優れたもので回路パターン形成時に剥離現象を生じない
回路基板の製造方法を提供しようとするものである。
で、接着剤層の介在がなく、耐熱性、接着性、可撓性に
優れたもので回路パターン形成時に剥離現象を生じない
回路基板の製造方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、接着剤を介在させることなく、特定のポリイ
ミド樹脂フイルムを直接に金属箔や金属板に接着すれば
上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成し
たものである。
ねた結果、接着剤を介在させることなく、特定のポリイ
ミド樹脂フイルムを直接に金属箔や金属板に接着すれば
上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完成し
たものである。
すなわち、本発明は、 （Ａ）3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
（その無水物及び低級アルキルエステルを含む）を95モ
ル％以上の主成分として含む芳香族テトラカルボン酸
と、 （Ｂ）一般式（Ｉ）又は（II） （但し、式中Ｘは、CH2,O,SO2,C（CH3）2,C（CF3）２又
はＳを、R1,R2はCH3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2
H5を、R5はフェニル基又はシクロヘキサン基を表し、R1
〜R4はいずれもR5に関しアミノ基のオルソ位に置換され
ている）で示される芳香族ジアミンを90モル％以上の主
成分として含むジアミンとを反応させてなるポリイミド
樹脂フイルムを、金属箔又は金属板に対して直接に接着
することを特徴とする回路基板の製造方法である。
（その無水物及び低級アルキルエステルを含む）を95モ
ル％以上の主成分として含む芳香族テトラカルボン酸
と、 （Ｂ）一般式（Ｉ）又は（II） （但し、式中Ｘは、CH2,O,SO2,C（CH3）2,C（CF3）２又
はＳを、R1,R2はCH3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2
H5を、R5はフェニル基又はシクロヘキサン基を表し、R1
〜R4はいずれもR5に関しアミノ基のオルソ位に置換され
ている）で示される芳香族ジアミンを90モル％以上の主
成分として含むジアミンとを反応させてなるポリイミド
樹脂フイルムを、金属箔又は金属板に対して直接に接着
することを特徴とする回路基板の製造方法である。
本発明に用いる（Ａ）芳香族テトラカルボン酸に含ま
れる3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
は、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸並
びにその無水物及び低級アルキルエステルを意味する。
（Ａ）芳香族テトラカルボン酸は3,3′4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸が全量であることが望ましい
が、それ以外の芳香族テトラカルボン酸を５モル％未満
含んでもよい。
れる3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
は、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸並
びにその無水物及び低級アルキルエステルを意味する。
（Ａ）芳香族テトラカルボン酸は3,3′4,4′−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸が全量であることが望ましい
が、それ以外の芳香族テトラカルボン酸を５モル％未満
含んでもよい。
本発明に用いる（Ｂ）ジアミンは、次の一般式（Ｉ）
又は（II） （但し、式中Ｘは、CH2,O,SO2,C（CH3）2,C（CF3）２又
はＳを、R1,R2はCH3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2
H5を、R5はフェニル基又はシクロヘキサン基を表し、そ
してR1〜R4はいずれもR5に関しアミノ基のオルソ位に置
換されている）で示される芳香族ジアミンを含んでい
る。この構造式（Ｉ）又は（II）の芳香族ジアミンとし
ては、3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、3,3′,5,5′−テトラエチル
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3′−ジ
メトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−
ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′
−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−メチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルスル
ホン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフ
ェニルプロパン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルプロパン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルプロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−
ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジエチル−
4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジメ
トキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、3,
3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルファ
イド、4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘ
キサフルオロプロパン等が挙げられ、これらは単独又は
２種以上混合して用いることができる。
又は（II） （但し、式中Ｘは、CH2,O,SO2,C（CH3）2,C（CF3）２又
はＳを、R1,R2はCH3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2
H5を、R5はフェニル基又はシクロヘキサン基を表し、そ
してR1〜R4はいずれもR5に関しアミノ基のオルソ位に置
換されている）で示される芳香族ジアミンを含んでい
る。この構造式（Ｉ）又は（II）の芳香族ジアミンとし
ては、3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、3,3′,5,5′−テトラエチル
−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3,3′−ジ
メトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−
ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′
−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、3,3′−メチル−4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジフェニルスル
ホン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノジフェニル
スルホン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノジフ
ェニルプロパン、3,3′−ジエチル−4,4′−ジアミノジ
フェニルプロパン、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミ
ノジフェニルプロパン、3,3′−ジエトキシ−4,4′−ジ
アミノジフェニルプロパン、3,3′−ジメチル−4,4′−
ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジエチル−
4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、3,3′−ジメ
トキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルファイド、3,
3′−ジエトキシ−4,4′−ジアミノジフェニルスルファ
イド、4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェニルヘ
キサフルオロプロパン等が挙げられ、これらは単独又は
２種以上混合して用いることができる。
また、この芳香族ジアミンの他に10モル％未満の他の
ジアミンを配合することもできる。
ジアミンを配合することもできる。
（Ａ）の芳香族テトラカルボン酸と（Ｂ）ジアミンの
反応は、ほぼ等モルを有機溶媒中で30℃以下、好ましく
は０℃以下の反応温度下に３〜12時間付加反応させた
後、脱水剤を加えて100℃で脱水環化して次の構造式（I
II）あるいは（IV）のポリイミド樹脂が得られる。
反応は、ほぼ等モルを有機溶媒中で30℃以下、好ましく
は０℃以下の反応温度下に３〜12時間付加反応させた
後、脱水剤を加えて100℃で脱水環化して次の構造式（I
II）あるいは（IV）のポリイミド樹脂が得られる。
（但し、式中Ｘは、CH2,O,SO2,C（CH3）2,C（CF3）２又
はＳを、R1,R2は、CH3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4は
C2H5を、R5は、C6H5又はシクロヘキサン基を、ｎは整数
をそれぞれ表し、そしてR1〜R4はいずれもR5に関しアミ
ノ基のオルソ位に置換されている） この付加重合反応において用いる有機溶媒としては、
例えばジメチルスルホオキシド、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルア
セトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド等が用
いられる。
はＳを、R1,R2は、CH3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4は
C2H5を、R5は、C6H5又はシクロヘキサン基を、ｎは整数
をそれぞれ表し、そしてR1〜R4はいずれもR5に関しアミ
ノ基のオルソ位に置換されている） この付加重合反応において用いる有機溶媒としては、
例えばジメチルスルホオキシド、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルア
セトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミド等が用
いられる。
ポリイミド樹脂からフイルムを製造する場合は、ポリ
イミド溶液を離型紙またはフイルムにコーティングして
つくる。この場合、ポリイミド溶液はポリイミド樹脂５
〜40重量％、好ましくは10〜30重量％溶液とし、かつ固
有粘度が0.5〜6dl/g、特に0.1〜4dl/gである溶液を用い
ることがポリイミドの物性及び塗布・乾燥工程での経済
性から好ましい。ポリイミド樹脂溶液を離型紙またはフ
イルムコーティングする操作は流延塗布して行われる
が、具体的には次のような方法で行われる。離型紙又は
フイルムにポリイミド樹脂溶液を製膜用スリットから吐
出させて均一な厚さ（一般的には10〜300μｍとなるよ
うに調節される）の塗膜層が形成される。他のコーティ
ング手段としては、ロールコーター、ナイフコーター、
コンマコーター、ドクターブレード、フローコーターな
どの他の公知の手段を利用することも可能である。
イミド溶液を離型紙またはフイルムにコーティングして
つくる。この場合、ポリイミド溶液はポリイミド樹脂５
〜40重量％、好ましくは10〜30重量％溶液とし、かつ固
有粘度が0.5〜6dl/g、特に0.1〜4dl/gである溶液を用い
ることがポリイミドの物性及び塗布・乾燥工程での経済
性から好ましい。ポリイミド樹脂溶液を離型紙またはフ
イルムコーティングする操作は流延塗布して行われる
が、具体的には次のような方法で行われる。離型紙又は
フイルムにポリイミド樹脂溶液を製膜用スリットから吐
出させて均一な厚さ（一般的には10〜300μｍとなるよ
うに調節される）の塗膜層が形成される。他のコーティ
ング手段としては、ロールコーター、ナイフコーター、
コンマコーター、ドクターブレード、フローコーターな
どの他の公知の手段を利用することも可能である。
このようにして調製されたポリイミド塗布層を加熱し
て脱溶媒を行う。加熱温度は一般的には100〜200℃で、
好ましくは100〜180℃である。こうして離型紙又はフイ
ルム上にポリイミド樹脂フイルムを形成し、その後、離
型紙やフイルムを剥がしてポリイミド樹脂フイルムを得
る。
て脱溶媒を行う。加熱温度は一般的には100〜200℃で、
好ましくは100〜180℃である。こうして離型紙又はフイ
ルム上にポリイミド樹脂フイルムを形成し、その後、離
型紙やフイルムを剥がしてポリイミド樹脂フイルムを得
る。
このポリイミド樹脂のフイルムは、銅箔、アルミニウ
ム箔、ニッケル箔、その他金属板等に加熱加圧接着す
る。加熱加圧接着する方法は、金属箔や金属板上にフイ
ルムを直接重ねた後、加熱加圧してポリイミドフイルム
を融着させる。この時の温度は200〜300℃、好ましくは
150〜290℃の範囲である。金属箔や金属板はポリイミド
フイルムを間に介して多層化することもできる。
ム箔、ニッケル箔、その他金属板等に加熱加圧接着す
る。加熱加圧接着する方法は、金属箔や金属板上にフイ
ルムを直接重ねた後、加熱加圧してポリイミドフイルム
を融着させる。この時の温度は200〜300℃、好ましくは
150〜290℃の範囲である。金属箔や金属板はポリイミド
フイルムを間に介して多層化することもできる。
（作用） 本発明の回路基板の製造方法は、新規なポリイミド樹
脂フイルムを直接に銅箔などと接着させることによっ
て、その効果を奏するものである。この新規なポリイミ
ド樹脂はフイルム形成能力に優れており、このフイルム
を接着剤の介在なしで金属板や金属箔に融着させること
ができる。かかる製造方法によりポリイミド樹脂本来の
耐熱性は保持される。
脂フイルムを直接に銅箔などと接着させることによっ
て、その効果を奏するものである。この新規なポリイミ
ド樹脂はフイルム形成能力に優れており、このフイルム
を接着剤の介在なしで金属板や金属箔に融着させること
ができる。かかる製造方法によりポリイミド樹脂本来の
耐熱性は保持される。
（実施例） 次に本発明を実施例によって説明する。
実施例 １ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で
置換した後、3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン310gを入れ、これにＮ−メチル−
２−ピロリドン（NMP）2530mlを加え溶解した。溶解
後、０℃に冷却して撹拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸無水物322gを加えた。反応熱
を氷水中で抑えながら６時間撹拌を続けて反応させた。
次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸408ml、および
ピリジン40mlを加え、100℃で酢酸を留出させながら３
時間の閉環反応を行った。その後、無水酢酸／ピリジン
を減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。イミ
ド化反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投
入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥して黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.5dl/g）590gを得
た。得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノ
ン850mlに溶解して、離型フイルム上に流延塗布によっ
て厚さ35μｍに均一にコーティングし、150℃で加熱乾
燥してポリイミドフイルムを得た。このフイルムを厚さ
35μｍの銅箔に重ね、290℃で10分間加圧してポリイミ
ド樹脂フイルムを絶縁層とする回路基板を製造した。
置換した後、3,3′,5,5′−テトラエチル−4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン310gを入れ、これにＮ−メチル−
２−ピロリドン（NMP）2530mlを加え溶解した。溶解
後、０℃に冷却して撹拌しながら3,3′,4,4′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸無水物322gを加えた。反応熱
を氷水中で抑えながら６時間撹拌を続けて反応させた。
次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸408ml、および
ピリジン40mlを加え、100℃で酢酸を留出させながら３
時間の閉環反応を行った。その後、無水酢酸／ピリジン
を減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。イミ
ド化反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投
入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥して黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.5dl/g）590gを得
た。得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノ
ン850mlに溶解して、離型フイルム上に流延塗布によっ
て厚さ35μｍに均一にコーティングし、150℃で加熱乾
燥してポリイミドフイルムを得た。このフイルムを厚さ
35μｍの銅箔に重ね、290℃で10分間加圧してポリイミ
ド樹脂フイルムを絶縁層とする回路基板を製造した。
実施例 ２ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で
置換した後、4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェ
ニルヘキサフルオロプロパン362gを入れ、これにＮ−メ
チル−２−ピロリドン（NMP）3420mlを加えて溶解し
た。溶解後０℃に冷却して撹拌しながら3,3′,4,4′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物322gを加えた。
反応熱を氷水中で抑えながら６時間撹拌を続け反応させ
た。次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸408ml、お
よびピリジン40ml加え、100℃で酢酸を留出させながら
３時間の閉環反応を行った。その後無水酢酸／ピリジン
を減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。イミ
ド化反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投
入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥して黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度3.44dl/g）640gを得
た。得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノ
ン850mlに溶解し、離型フイルム上に流延塗布して厚さ3
5μｍに均一にコーティングし、150℃で加熱乾燥してポ
リイミドフイルムを得た。このフイルムを厚さ35μｍの
銅箔に重ね、290℃で10分間加圧してポリイミド樹脂を
絶縁層とする回路基板を製造した。
置換した後、4,4′−ジメチル−5,5′−ジアミノジフェ
ニルヘキサフルオロプロパン362gを入れ、これにＮ−メ
チル−２−ピロリドン（NMP）3420mlを加えて溶解し
た。溶解後０℃に冷却して撹拌しながら3,3′,4,4′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物322gを加えた。
反応熱を氷水中で抑えながら６時間撹拌を続け反応させ
た。次いで反応溶液に脱水剤である無水酢酸408ml、お
よびピリジン40ml加え、100℃で酢酸を留出させながら
３時間の閉環反応を行った。その後無水酢酸／ピリジン
を減圧下で留出除去させてイミド化を完結させた。イミ
ド化反応後、反応溶液をメタノールと水の混合溶液に投
入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾燥して黄
色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度3.44dl/g）640gを得
た。得られたポリイミド樹脂粉末150gをシクロヘキサノ
ン850mlに溶解し、離型フイルム上に流延塗布して厚さ3
5μｍに均一にコーティングし、150℃で加熱乾燥してポ
リイミドフイルムを得た。このフイルムを厚さ35μｍの
銅箔に重ね、290℃で10分間加圧してポリイミド樹脂を
絶縁層とする回路基板を製造した。
実施例 ３ 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を窒素で
置換した後、3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,
4′−ジアミノジフェニルメタン282gを入れ、これにＮ
−メチル−２−ピロリドン（NMP）2420mlを加え溶解し
た。溶解後、０℃に冷却し撹拌しながら3,3′,4,4′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物322gを加えた。
反応熱を氷水中で抑えながら６時間撹拌を続けて反応さ
せた。次いで、反応溶液に脱水剤である無水酢酸408m
l、およびピリジン40mlを加え、100℃で酢酸を留出させ
ながら３時間の閉環反応を行った。その後無水酢酸／ピ
リジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結させ
た。イミド化反応後、反応溶液をメタノールと水の混合
溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾
燥して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.33dl/g）
564gを得た。得られたポリイミド樹脂150gをシクロヘキ
サノン850mlに溶解して、離型フイルム上に流延塗布し
厚さ35μｍに均一にコーティングし、150℃で加熱乾燥
してポリイミドフイルムを得た。このフイルムを厚さ35
μｍの銅箔に重ね、290℃で10分間加圧してポリイミド
樹脂を絶縁層とする回路基板を製造した。
置換した後、3,3′−ジメチル−5,5′−ジエチル−4,
4′−ジアミノジフェニルメタン282gを入れ、これにＮ
−メチル−２−ピロリドン（NMP）2420mlを加え溶解し
た。溶解後、０℃に冷却し撹拌しながら3,3′,4,4′−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物322gを加えた。
反応熱を氷水中で抑えながら６時間撹拌を続けて反応さ
せた。次いで、反応溶液に脱水剤である無水酢酸408m
l、およびピリジン40mlを加え、100℃で酢酸を留出させ
ながら３時間の閉環反応を行った。その後無水酢酸／ピ
リジンを減圧下で留出除去させてイミド化を完結させ
た。イミド化反応後、反応溶液をメタノールと水の混合
溶液に投入してポリイミド樹脂を析出させ、析出物を乾
燥して黄色のポリイミド樹脂粉末（固有粘度2.33dl/g）
564gを得た。得られたポリイミド樹脂150gをシクロヘキ
サノン850mlに溶解して、離型フイルム上に流延塗布し
厚さ35μｍに均一にコーティングし、150℃で加熱乾燥
してポリイミドフイルムを得た。このフイルムを厚さ35
μｍの銅箔に重ね、290℃で10分間加圧してポリイミド
樹脂を絶縁層とする回路基板を製造した。
比較例 市販の厚さ25μｍのポリイミドフイルムと実施例で用
いた銅箔とをアクリルゴム系接着剤を用いて室温で0.7k
g/cm2の条件で加圧して回路基板を製造した。
いた銅箔とをアクリルゴム系接着剤を用いて室温で0.7k
g/cm2の条件で加圧して回路基板を製造した。
実施例１〜３及び比較例で得られた回路基板のポリイ
ミドフイルムと銅箔との接着力（ASTM−Ｄ−1875に準じ
て測定）、耐はんだ性（JIS−Ｃ−6481に準じて測定）
を試験したので、その結果を第１表に示した。本発明の
回路基板は外観の異常がなく、接着力も優れており、本
発明の効果が認められた。
ミドフイルムと銅箔との接着力（ASTM−Ｄ−1875に準じ
て測定）、耐はんだ性（JIS−Ｃ−6481に準じて測定）
を試験したので、その結果を第１表に示した。本発明の
回路基板は外観の異常がなく、接着力も優れており、本
発明の効果が認められた。
［発明の効果］ 以上の説明および第１表から明らかなように、本発明
の回路基板の製造方法によれば、耐熱性、接着力、可撓
性に優れており、接着剤の介在がなくても剥離現象を生
じない回路基板を得ることができる。
の回路基板の製造方法によれば、耐熱性、接着力、可撓
性に優れており、接着剤の介在がなくても剥離現象を生
じない回路基板を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）3,3′,4−４′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸（その無水物及び低級アルキルエステル
を含む）を95モル％以上の主成分として含む芳香族テト
ラカルボン酸と、 （Ｂ）一般式（Ｉ）又は（II） （但し、式中Ｘは、CH2,O,SO2,C（CH3）2,C（CF3）２又
はＳを、R1,R2はCH3,C2H5,OCH3又はOC2H5を、R3,R4はC2
H5を、R5はフェニル基又はシクロヘキサン基を表し、R1
〜R4はいずれもR5に関しアミノ基のオルソ位に置換され
ている）で示される芳香族ジアミンを90モル％以上の主
成分として含むジアミンとを反応させてなるポリイミド
樹脂フィルムを、金属箔又は金属板に対して直接に接着
することを特徴とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016235A JP2712082B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1016235A JP2712082B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198837A JPH02198837A (ja) | 1990-08-07 |
| JP2712082B2 true JP2712082B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=11910893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1016235A Expired - Lifetime JP2712082B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712082B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196500A (en) * | 1990-12-17 | 1993-03-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tetrapolyimide film containing benzophenone tetracarboxylic dianhydride |
| JP2002368393A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Toray Eng Co Ltd | 金属配線回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115825A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Lion Corp | 練歯磨組成物 |
| JPH0682895B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1994-10-19 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブルプリント回路基板及びその製法 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1016235A patent/JP2712082B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02198837A (ja) | 1990-08-07 |
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