JPS61182941A - フレキシブル銅張回路基板の製法 - Google Patents
フレキシブル銅張回路基板の製法Info
- Publication number
- JPS61182941A JPS61182941A JP2352085A JP2352085A JPS61182941A JP S61182941 A JPS61182941 A JP S61182941A JP 2352085 A JP2352085 A JP 2352085A JP 2352085 A JP2352085 A JP 2352085A JP S61182941 A JPS61182941 A JP S61182941A
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- Japan
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- bis
- aminophenoxy
- phenyl
- dianhydride
- copper foil
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は印刷回路板用フレキシブル鋼張回路基板の製造
法に係り、さらに詳細には耐熱性に優れ、高度の接着性
を有するフレキシブル銅張回路基板の製法に関する。
法に係り、さらに詳細には耐熱性に優れ、高度の接着性
を有するフレキシブル銅張回路基板の製法に関する。
電子機器用の印刷回路基板として、従来一般に工、ボキ
シ樹脂を用いたガラス布エポキシ禎層板が用いられてい
たが、実装密度の増大と配線パターンの高密度化に伴っ
て発熱量の増加が大きな問題となり、基板の耐熱性向上
が重要な課題となっている。従来のエポキシ樹脂にかわ
る耐熱性樹脂としては、耐熱性エポキシ、ポリアミドイ
ミド、ポリベンズイミダゾール、シリコーン、ポリイミ
ド樹脂等が挙げられるが、ｍ箔の引き剥し強さに関し、
必ずしも満足のゆくものは得られていない。
シ樹脂を用いたガラス布エポキシ禎層板が用いられてい
たが、実装密度の増大と配線パターンの高密度化に伴っ
て発熱量の増加が大きな問題となり、基板の耐熱性向上
が重要な課題となっている。従来のエポキシ樹脂にかわ
る耐熱性樹脂としては、耐熱性エポキシ、ポリアミドイ
ミド、ポリベンズイミダゾール、シリコーン、ポリイミ
ド樹脂等が挙げられるが、ｍ箔の引き剥し強さに関し、
必ずしも満足のゆくものは得られていない。
これらの樹脂のうち、特にポリイミドは耐熱性に優れて
いるばかりでな（、電気特性にも優れ、従って電気絶縁
材料として関心が高まっている。然しなからポリイミド
樹脂は金属等に対する接着力が劣り、銅張回路基板のベ
ースフィルムとして用いる場合には銅箔を接着させる接
着剤が必要となる。接着力、耐熱性共に優れているもの
は、Ｄ、Ｊ。
いるばかりでな（、電気特性にも優れ、従って電気絶縁
材料として関心が高まっている。然しなからポリイミド
樹脂は金属等に対する接着力が劣り、銅張回路基板のベ
ースフィルムとして用いる場合には銅箔を接着させる接
着剤が必要となる。接着力、耐熱性共に優れているもの
は、Ｄ、Ｊ。
１’ｒｏｇａｒ等によって開発されたポリイミド接着剤
（米国特許第４，０６５，３４５号）が知られているに
すぎない。
（米国特許第４，０６５，３４５号）が知られているに
すぎない。
本発明は高温で使用しても使用中、使用後に於て銅箔と
の接着力の低下しない耐熱性に優れたフレキシブル銅張
回路基板を提供することにある。
の接着力の低下しない耐熱性に優れたフレキシブル銅張
回路基板を提供することにある。
本発明者等は前記問題を達成するために鋭意検討した結
果、熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を
有機溶媒に溶解した溶液を銅箔上に直接コーティングし
た後、加熱、脱水することを特徴とするフレキシブル銅
張回路基板の製造方法を発明した。
果、熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を
有機溶媒に溶解した溶液を銅箔上に直接コーティングし
た後、加熱、脱水することを特徴とするフレキシブル銅
張回路基板の製造方法を発明した。
本発明に用いられる熱可塑性ポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸は特に限定されるものではないが、通常は
各種ジアミンをテトラカルボン酸二無水物と有機溶媒中
で重合させて製造することができる。
ポリアミド酸は特に限定されるものではないが、通常は
各種ジアミンをテトラカルボン酸二無水物と有機溶媒中
で重合させて製造することができる。
ごの方法で使用されるジアミンとしては、ｍ −アミノ
ヘンシルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、３．３’
−ジアミノジフェニルエーテル、３．４’−ジアミノジ
フエニルエーテル、 ４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３．３’−ジアミノジフェニルスルフィド、
３．４′−ジアミノジフェニルスルフィド、 ４，４′
−ジアミノジフェニルスルフィト、 ３．３７−ジアミ
ツジフエニルスルホキシド、３．４７−ジアミツジフエ
ニルスルホキシド、 ４，４７−ジアミツジフエニルス
ルホキシド、 ３．３′−ジアミノジフェニルスルホン
、 ３，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４．４’
−ジアミノジフェニルスルホン、 ３，３′−ジアミノ
ベンゾフェノン、３゜４′−ジアミノベンゾフェノン、
４．４′−ジアミノベンゾフェノン、ビス（４−（３
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス（４−（
４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、 ■、１−
ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン
、 ■、１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕エタン、 １．２−ビス（４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、１，２−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、２．２−ビス（
４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２
．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン、 ２．２−ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニルコブタン、２．２−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルコブタン、２．２−ビス（４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル） −ＬＬＩ、３，
３．３−へキサフルオロプロパン、２．２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル） −１，１，１
，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、 １．３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、 ４，４′−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（
３−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス（４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィ
ド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホキシド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホキシド、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルボン、ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、ビス（４−（３−アミノ
フェノキン）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エーテル等が挙げられ、こ
れらは単独或いは２種以上混合して用いられる。
ヘンシルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、３．３’
−ジアミノジフェニルエーテル、３．４’−ジアミノジ
フエニルエーテル、 ４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３．３’−ジアミノジフェニルスルフィド、
３．４′−ジアミノジフェニルスルフィド、 ４，４′
−ジアミノジフェニルスルフィト、 ３．３７−ジアミ
ツジフエニルスルホキシド、３．４７−ジアミツジフエ
ニルスルホキシド、 ４，４７−ジアミツジフエニルス
ルホキシド、 ３．３′−ジアミノジフェニルスルホン
、 ３，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４．４’
−ジアミノジフェニルスルホン、 ３，３′−ジアミノ
ベンゾフェノン、３゜４′−ジアミノベンゾフェノン、
４．４′−ジアミノベンゾフェノン、ビス（４−（３
−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス（４−（
４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、 ■、１−
ビス〔４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン
、 ■、１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕エタン、 １．２−ビス（４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、１，２−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、２．２−ビス（
４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２
．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン、 ２．２−ビス〔４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニルコブタン、２．２−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルコブタン、２．２−ビス（４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル） −ＬＬＩ、３，
３．３−へキサフルオロプロパン、２．２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル） −１，１，１
，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、 １．３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、 ４，４′−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（
３−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス（４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィド、ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルフィ
ド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕ス
ルホキシド、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕スルホキシド、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル〕スルボン、ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホン、ビス（４−（３−アミノ
フェノキン）フェニル〕エーテル、ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕エーテル等が挙げられ、こ
れらは単独或いは２種以上混合して用いられる。
ジアミンと反応させるテトラカルボン酸二無水物として
は、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、シク
ロペンクンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、３．３’ 、４．４’ −ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、 ２，２１．３．３’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３．３’ 、４
．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２．２
’ 、３．３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロ
パンニ無水物、２．２−ビス（２゜３−ジカルボキシフ
ェニル）プロパンニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）エーテルニｊＭ水物、Ｉ ζ（３，４−
ジカルボキシフェニル）スルホンニ無ｆ物、１．１−ビ
ス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物
、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水
物、２．３Ｉ６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１゜４．５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１、．２，５．６−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、］、 、 ２ 、３ 、４−ヘンゼンテト
ラカルボン酸二無水物、３．４，９．１０−ペリレンテ
トラカルボン酸二無水物、２．３，６．７−アンドラセ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７．８−フェナ
ントレンテトラカルボン酸二無水物等が用いられる。こ
れらは単独或いは２種以上混合して用いられる。
は、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、シク
ロペンクンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、３．３’ 、４．４’ −ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、 ２，２１．３．３’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３．３’ 、４
．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２．２
’ 、３．３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロ
パンニ無水物、２．２−ビス（２゜３−ジカルボキシフ
ェニル）プロパンニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）エーテルニｊＭ水物、Ｉ ζ（３，４−
ジカルボキシフェニル）スルホンニ無ｆ物、１．１−ビ
ス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物
、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水
物、２．３Ｉ６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１゜４．５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、１、．２，５．６−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、］、 、 ２ 、３ 、４−ヘンゼンテト
ラカルボン酸二無水物、３．４，９．１０−ペリレンテ
トラカルボン酸二無水物、２．３，６．７−アンドラセ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７．８−フェナ
ントレンテトラカルボン酸二無水物等が用いられる。こ
れらは単独或いは２種以上混合して用いられる。
有機溶剤としては、例えば、 Ｎ−メチル−２＝ピロド
リン、Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、 Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、 １．３−ジメチル−２−イミダ
ゾリジノン、Ｎ、 Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホス
ホルアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラク
タム、ヒドラヒドロフラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオ
キサン、 １．２−ジメトキシエタン、ビス（２−メト
キシエチル）エーテル、 １．２−ヒス（２−メトキシ
エトキシ）エタン、ヒス−Ｃ２−（２−メトキシエトキ
シ）エチル〕エーテル等がある。
リン、Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、 Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、 １．３−ジメチル−２−イミダ
ゾリジノン、Ｎ、 Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホス
ホルアミド、テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラク
タム、ヒドラヒドロフラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオ
キサン、 １．２−ジメトキシエタン、ビス（２−メト
キシエチル）エーテル、 １．２−ヒス（２−メトキシ
エトキシ）エタン、ヒス−Ｃ２−（２−メトキシエトキ
シ）エチル〕エーテル等がある。
ポリアミド酸溶液の粘度は所定のコーティング方法によ
り、所望の厚さのコーテイング膜が得られるような最適
粘度を与えるように実施するのが肝要である。
り、所望の厚さのコーテイング膜が得られるような最適
粘度を与えるように実施するのが肝要である。
コーティングは出来るだけ均一になされなければならず
、かかるコーティングはバーコーター、ドクターブレー
ド等を用いて実施することができる。
、かかるコーティングはバーコーター、ドクターブレー
ド等を用いて実施することができる。
銅箔にポリアミド酸溶液をコーティングした後、所要時
間１００°Ｃ〜４００°Ｃ１好ましくは２００〜３００
℃に加熱し、溶媒を除去すると共に、ポリアミド酸をよ
り安定なポリイミドに転化する。加熱と同時に１〜１０
００ｋｇ／ｃｎ＋２、好ましくは１〜５０ｋｇ ／ ｃ
ｍ ２の圧力をかけることも好ましい。加圧することに
より銅箔とポリマーフィルムの引き剥し強さを更に強く
することができる。
間１００°Ｃ〜４００°Ｃ１好ましくは２００〜３００
℃に加熱し、溶媒を除去すると共に、ポリアミド酸をよ
り安定なポリイミドに転化する。加熱と同時に１〜１０
００ｋｇ／ｃｎ＋２、好ましくは１〜５０ｋｇ ／ ｃ
ｍ ２の圧力をかけることも好ましい。加圧することに
より銅箔とポリマーフィルムの引き剥し強さを更に強く
することができる。
以下実施例により本発明を説明する。尚、実施例中の対
数粘度は３５°Ｃ１０，５ｇ ／ １００ｍＡ Ｎ、
Ｎ −ジメチルアセトアミドで測定した値であり、回
転粘度はＥ型粘度計の高粘度用ロータを用いて２５°Ｃ
で測定した値である。
数粘度は３５°Ｃ１０，５ｇ ／ １００ｍＡ Ｎ、
Ｎ −ジメチルアセトアミドで測定した値であり、回
転粘度はＥ型粘度計の高粘度用ロータを用いて２５°Ｃ
で測定した値である。
また、銅張回路基板の銅箔引き剥し強さはＪＩＳＣ−６
４８１の方法に従って測定した。
４８１の方法に従って測定した。
実施例−１
攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で、３
，３′−ジアミノベンゾフェノン５３．０ｇ （０，
２５モル）を、Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセ１−ミド２４０
ｍ１にン容解した。このン容ン夜に３．３’ 、４．４
’−ベンツ゛フェノンテトラカルボン酸二無水物７８．
６ｇ （０，２４４モル）の粉末を添加し、１０’ｃで
２４時間攪拌してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶
液中のポリアミド酸の対数粘度は０．５９ａ／ｇ、回転
粘度は３２゜０００ ｃｐｓであった。この溶液をドク
ターブレードを用いて電解銅箔（厚さ３５μｍ）に均一
にコーティングした。このコーティング銅箔を１００℃
、 ２００℃及び３００°Ｃで各々１時間加熱して銅張
回路基板を得た。コーテイング膜の膜厚は約５０μｍで
あった。この銅張回路基板の銅箔引き剥し強さは、常温
（２５℃）で３．５ｋｇ／ａｍ、２６０℃で１８０秒は
んだ処理後は３．５ｋｇ／■、３００℃で１８０秒はん
だ処理後は３．５ｋｇ／ａｍであった。
，３′−ジアミノベンゾフェノン５３．０ｇ （０，
２５モル）を、Ｎ、 Ｎ−ジメチルアセ１−ミド２４０
ｍ１にン容解した。このン容ン夜に３．３’ 、４．４
’−ベンツ゛フェノンテトラカルボン酸二無水物７８．
６ｇ （０，２４４モル）の粉末を添加し、１０’ｃで
２４時間攪拌してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶
液中のポリアミド酸の対数粘度は０．５９ａ／ｇ、回転
粘度は３２゜０００ ｃｐｓであった。この溶液をドク
ターブレードを用いて電解銅箔（厚さ３５μｍ）に均一
にコーティングした。このコーティング銅箔を１００℃
、 ２００℃及び３００°Ｃで各々１時間加熱して銅張
回路基板を得た。コーテイング膜の膜厚は約５０μｍで
あった。この銅張回路基板の銅箔引き剥し強さは、常温
（２５℃）で３．５ｋｇ／ａｍ、２６０℃で１８０秒は
んだ処理後は３．５ｋｇ／■、３００℃で１８０秒はん
だ処理後は３．５ｋｇ／ａｍであった。
実施例−２
連続キャスト製膜に用いられるスチールドラム面に電解
銅箔（３５μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリア
ミド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延した
。スチールトラムを１００°Ｃから２５０℃迄徐々に加
熱し、最後に３００℃のロールを通して加圧し、連続的
に銅張回路基板をｔｌた。
銅箔（３５μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリア
ミド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延した
。スチールトラムを１００°Ｃから２５０℃迄徐々に加
熱し、最後に３００℃のロールを通して加圧し、連続的
に銅張回路基板をｔｌた。
コーテイング膜の膜厚は約５５μｍで、銅張回路基板の
銅箔引き剥し強さは、常温（２５°Ｃ）で３．７ｋｇ／
ｃｍ、２６０℃で１．８０秒はんだ処理後は３．７ｋ
ｇ ／ ｃｍ、３００℃で１８０秒はんだ処理後は３
、７ｋｇ ／ ｃｍであった。
銅箔引き剥し強さは、常温（２５°Ｃ）で３．７ｋｇ／
ｃｍ、２６０℃で１．８０秒はんだ処理後は３．７ｋ
ｇ ／ ｃｍ、３００℃で１８０秒はんだ処理後は３
、７ｋｇ ／ ｃｍであった。
実施例−３
攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器に、２
Ｉ２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン４１．０ｇ （０，１モル）と、Ｎ。
Ｉ２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン４１．０ｇ （０，１モル）と、Ｎ。
Ｎ−ジメチルアセトアミド２００ ｍｌ！を装填し、０
℃付近まで冷却し、窒素雰囲気下に於てピロメリノＩ−
酸二無水物２１．８ｇ （０，１モル）の粉末を加え０
°Ｃ付近で２時間攪拌した。次に上記溶液を室温に戻し
、窒素雰囲気下で約２０時間攪拌を行なった。
℃付近まで冷却し、窒素雰囲気下に於てピロメリノＩ−
酸二無水物２１．８ｇ （０，１モル）の粉末を加え０
°Ｃ付近で２時間攪拌した。次に上記溶液を室温に戻し
、窒素雰囲気下で約２０時間攪拌を行なった。
こうして得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は１．５
ｄ１／ｇ、回転粘度は５６．０ＯＯｃｐｓであった。
ｄ１／ｇ、回転粘度は５６．０ＯＯｃｐｓであった。
この溶液を厚さ３５μｍの電解銅箔に均一にコーティン
グした。このコーティングされた銅箔を、１００°Ｃ１
２００℃及び３００°Ｃで各々１時間加熱して銅張回路
基板を得た。コーテイング膜の膜厚は約１２５μｍで、
銅箔引き剥し強さは、常温（２５°Ｃ）で３．８ｋｇ／
ｃｍ、 ２６０ ’Ｃで１８０秒はんだ処、理後は３゜
８ ｋｇ ／ ｃｍ、３００°Ｃで１８０秒はんだ処理
後は３．８ｋｇ／ ｃｍであった。
グした。このコーティングされた銅箔を、１００°Ｃ１
２００℃及び３００°Ｃで各々１時間加熱して銅張回路
基板を得た。コーテイング膜の膜厚は約１２５μｍで、
銅箔引き剥し強さは、常温（２５°Ｃ）で３．８ｋｇ／
ｃｍ、 ２６０ ’Ｃで１８０秒はんだ処、理後は３゜
８ ｋｇ ／ ｃｍ、３００°Ｃで１８０秒はんだ処理
後は３．８ｋｇ／ ｃｍであった。
〔発明の効果］
本発明のフレキシブル銅張回路基板は、熱可塑製ポリイ
ミドそのものに接着力があるため、銅箔との接着に於て
接着剤を使用する必要がなく、本発明の方法によれば簡
便な操作によって耐熱性に梅めて優れた銅張回路基板を
得ることができる。
ミドそのものに接着力があるため、銅箔との接着に於て
接着剤を使用する必要がなく、本発明の方法によれば簡
便な操作によって耐熱性に梅めて優れた銅張回路基板を
得ることができる。
Claims (1)
- 熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を有機
溶媒に溶解した溶液を銅箔上に直接コーティングした後
、加熱、脱水することを特徴とするフレキシブル銅張回
路基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023520A JPH0712650B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
| US07/159,850 US4883718A (en) | 1985-02-12 | 1986-06-30 | Flexible copper-clad circuit substrate |
| CA000515592A CA1288327C (en) | 1985-02-12 | 1986-08-08 | Flexible copper-clad circuit substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023520A JPH0712650B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182941A true JPS61182941A (ja) | 1986-08-15 |
| JPH0712650B2 JPH0712650B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=12112722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023520A Expired - Lifetime JPH0712650B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712650B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281495A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル両面金属箔積層板 |
| JPH02147234A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Toshiba Chem Corp | 回路基板およびその製造方法 |
| JPH02147235A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Toshiba Chem Corp | 回路基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221176B1 (en) * | 1999-03-17 | 2001-04-24 | Gould Electronics, Inc. | Surface treatment of copper to prevent microcracking in flexible circuits |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60023520A patent/JPH0712650B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190093A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | 宇部興産株式会社 | フレキシブル配線基板の製法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0281495A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル両面金属箔積層板 |
| JPH02147234A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Toshiba Chem Corp | 回路基板およびその製造方法 |
| JPH02147235A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Toshiba Chem Corp | 回路基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712650B2 (ja) | 1995-02-15 |
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