JPS6116004A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　技術分野 本発明は磁気ヘッド、特に非晶質磁性合金を用いたフロ
ッピーディスク等のデジタル記録に用いるナローキャッ
プ型の磁気ヘッドに関するものである。

ＩＩ　　先行技術 近年、情報機器の性能の向上とＯＡ化が進むなかで記録
媒体の１つであるフロッピーディスクの高性能化と小型
化が望まれている。

このような要求に応えて、８インチのフロッピーディス
クからさらに小型化された５、２５インチのフロッピー
ディスクが開発されてきた。

また、＠近さらに小型化し、記憶容量も８インチフロッ
ピーディスクと同容量の３．５インチのマイクロフロッ
ピーディスク（ＭＦＤ）が実用化に向けて開発されてい
る。

このように小型化し、かつ大記憶容量をもったフロンピ
ーディスクを実現するには、高密度記録を実現しなけれ
ばならない。　高密度記録を実現するには、記録媒体と
磁気ヘッドとに関して新たな特性が要求される。

記録媒体では性能向上の１つとして高保磁力の磁性材料
の開発が必要になっている。

磁気へ’ｙ　トにも新たに特性の向上が要求される。　
従来、フロンビーディスク川の磁気ヘッドは、フロンピ
ーディスクの実用化の初期の段階では磁気へント用コア
材にパーマロイか使用されていた。

シカシ、パーマロイでは種々の問題がある。

例えば、　フロンピーヘントの使用周波数帯域（１２５
ＫＨｚ　〜２５−ＯＫＨｚ）とオーディオヘッドの使用
周波数帯域（２０ＫＨｚ以下）を比較すると、フロンピ
ーへンドの使用周波数帯域は高周波数の帯域である。

しかし、パーマロイは比抵抗が５０〜１５０μΩＣｍと
小さいので、高周波帯域での実効透硼率は急激に減少し
、再生出力、Ｓ／Ｎ比、分解俺等の磁気特性が悪くなる
。

他方、同じく多様されているフェライトは比抵抗１ｘｌ
Ｏ６ｐＬΩ　ｃｍ　と大きく、シかも磁気ギャップもガ
ラス溶着法を用いるので、強固な狭磁気ギャップが製造
できる。

したがって、最近ではフロッピー用磁気ヘッドのコア材
は、フェライトが主に使用されている。　そして、高密
度記録は、磁気ヘッドのコア材にフェライトを用いるこ
とによって、ある水準までは達成することができる。

ところで、さらに高密度記録を達成するためには、ｒａ
気記録媒体であるフロッピーディスクの保磁力（Ｈｃ）
は初期の頃のＨｃ＝２７００ｅ　（磁性体としてγ−Ｆ
ｅ２Ｏ３を使用）から、高保磁力の記録媒体（磁性体と
してＣｏをトープしたＣｏ−γ−Ｆｅ２Ｏ３を使用）の
Ｈｃ　＝　６３０　０ｅに移行している。

そして、さらに合金粉を磁性体としだ高保磁力の記録媒
体ではＨｃ　＝　１３００　０ｅに至っている。

従って、磁気ヘッド用コア材はこのような高保磁力記録
媒体に記録するために、高飽和磁束密度をもち、かつ高
周波帯域において実効透磁−にか減少しない材料の開発
が必要になってきた。

このため、磁気ヘッド用コア材としてセンタストと非晶
質合金とが注ｌコされている。

これらの材料は、フェライトと比較すると飽和磁束密度
も大きいので、高保磁力記録媒体への記録も可能になる
。

しかし、磁気ヘッドの問題は、コアの材質の磁気特性だ
けの問題でなく、信頼性の点から強固なナローギャップ
を有する磁気ベントのキャップ製造法の確立も必要であ
る。

センダストについては、銀ロウ溶接による接合が検討さ
れている。

しかし、４１品質合金の場合には、結晶化温度が低いの
で、一定温度具１−の処理ができない。

特開昭５５−１１０２４１号のように２．３の磁気ギャ
ップ製造方法に関する提案もあるが未だ十分な解決をみ
るには至っていない。

ナローキャップで高磁束密度の磁気ヘッドを実現する際
には、作製時の性能とともに、経時的な劣化が問題にな
る。

すなわち、非晶質磁性合金コア材とギャップ材との相対
的な温度特性、接着性または固着性、残留応力、比抵抗
等によって電磁変換特性が、経時的に、あるいは多数回
の走行により劣化する。

例えば、特にギャップ長の安定度と関係のある、分解能
、オーバーライド特性、消去特性等に大きな問題があっ
た。

■発明の具体的目的 本発明は、前記の問題を解決するためになされたもので
ある。

すなわち、非晶質合金を用いた磁気ヘッドにおいて、狭
ギャップ長の強固な磁気ギャップを有し５分解能がよく
、高密度記録が可能であり、しかも長時間使用ないし保
存しても電磁変換特性、特に分解能やオーバーライド特
性や消去特性等が劣化しない磁気へ一２ドを提供するこ
とを目的とする。

このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は。

非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材を介し
てつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて、 ギャップ材が１両コア半体の少なくともギャップ面に被
着されたＳｉおよびＢのうちの１種以上からなる下地層
と、この下地層間に介在するガラス膜とからなることを
特徴とする磁気ヘッドである。

■　発明の具体的構成 以下１本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気ヘッドにおけるコアは１通常。

非晶質磁性合金の薄板から形成される。

非晶質磁性合金をコア材として用いるときには、コアと
しての特性が良好で、またきわめて長期にわたる使用に
よってもヘンドの媒体摺接面の偏摩耗が少なく、周波数
特性や出力レベル変動が少ない点で、良好な結果を得る
。

コア材として、非晶質磁性合金薄板を用いる場合、その
組成としては、磁気ヘッドのコア用のものとして知られ
ている種々の組成であってもよいが、特に飽和磁束密度
Ｂｓが高く、高保磁力磁気記録媒体に好適であるという
点で、下記式ＣＩ）で示される組成であることが好まし
く１　。

式ＣＩ）ＴｘＴｙ 上記式中において、Ｔは、ＦｅおよびＣｏ。

またはＦｅおよびＣｏと他の遷移金属元素の１種以上と
の組合せを表わす。

この場合、必要に応じＦｅおよびＣｏとともに組合せ添
加される他の添加元素は、ＦｅおよひＣｏ以外の他の遷
移金属元素（Ｓｃ−Ｚｎ；Ｙ−Ｃｄ；Ｌａ−Ｈｇ；Ａｃ
以に）テあり、例えばＮｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭＯ，Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｏｓ、Ｉ　ｒ、ＰＬ等の１種類以上をその具体例として
挙げることができる。

一方、Ｘは、Ｂ、ＳｉおよびＢ、またはＢもしくはＳｉ
およびＢと他のガラス化元素の１種類以１との組合せを
表わす。

この場合、必要に応じ、Ｂ、またはＳｉおよびＢととも
に組合せ添加される他のガラス化元素の例としては、Ｐ
、Ｃ，Ｇｅ、Ｓｎ、　Ａ１等の１種類以上を挙げること
ができる。

他方、上記式ＣＩ）において、Ｘ＋ｙ＝　１００ａｔ％
であり、ｙは２０〜２７ａｔ％である。すなわち、Ｆｅ
およびＣｏを必須成分とする遷移金属元素性分量Ｘは７
３〜８０ａｔ％であり、ＢまたはＳｉおよびＢを必須成
分とするガラス化元素成分量ｙは２０〜２７ａｔ％であ
る。ｙが２０ａｔ％未満となると、非晶質化が困難とな
り、また、２７ａｔ％を越えると残留磁束密度Ｂｓが減
少してしまう。

さらに、遷移金属元素成分中の必須成分ＦｅおよびＣｏ
の含有量は、それぞれＦｅ；１．５−５．６ａｔ％およ
び、Ｃｏ　；　４５−７８　、５ａｔ％ある。

Ｆｅ含有量が１．５ａｔ％未満（Ｃｏ含有量が７８．５
ａｔ％より大）、あるいは５．６ａｔ％を越えると、磁
歪が大きなものとなってしまい、また透磁率が減少する
。

Ｃｏが４５ａｔ％未満となるとＢｓが減少してしまう。

この場合、上記式ＣＩ）において、Ｔは、上記含有量範
囲内にて、ＦｅおよびＣｏのみからなっても、ＦｅとＣ
ｏと上記した他の添加元素の１種以上からなってもよい
。

ＴがＦｅとＣｏのみからなる場合、Ｆｅ含有量は、１．
５−５．６ａｔ％、よＪＪ好ましくは２〜５．５ａｔ％
、Ｃｏ含有量は、６７．４−７８．５ａｔ％、より好ま
しくは６７．５〜７８ａｔ％である。

ＴがＦｅおよびＣｏに加え、他の元素の１挿具」−を含
む場合、他の遷移金属元素の１種以上は、通常、総計で
最大２５ａｔ％まで含有することができる。

これ以上の含有量となると、Ｂｓが低下し。

表面性が悪くなる等の不都合が生じる。

このような元素の１例としてはＮｉがある。

Ｎｉ添加は、Ｃｏを置換して、材料コストを低減する等
の効果があるが、Ｎｉ量が増大するとＢＳが減少するの
で、Ｎｉ含有量は、好ましくは８ａｔ％以下である。

一方、他の元素の１挿具」二としては、鉄族（Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ）以外の遷移金属元素であってよいか、鉄族以
外の遷移金属元素の１種以上は、総計１２ａｔ％以下で
あることが好ましい。　このとき、Ｂｓの低下は少なく
、各添加元素特有のすぐれた効果が実現する。

このような元素としては、畳に、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのう
ちの１種以上が好ましい。

特に、０．５〜８’ａｔ％のＲｕを添加すると、耐摩耗
性が向上し、表面性や打抜加工性等が向上する。

また、１〜８ａｔ％のＣｒを添加すると、耐食性が向ト
する。

そして、０．５−８ａｔ％のＲｕと、１−８ａｔ％、特
に２〜６ａｔ％のＣｒを併用添加すると、これら・の効
果はさらに向上し、より好ましい結果を得る。

また、０．０５−２ａｔ％のＴｉを、これらにかえ、よ
り好ましくはこれらに加えて添加するとより好ましい結
果をうる。

さらに、これらＲｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等に加え、Ｔａ
、Ｗ、Ｍｏ等の１種以上を含有させることもできる。

なお、このようにＦｅ、Ｃｏ以外の他の遷移金属元素を
含有させる場合、これらの総計は２０ａｔ％以下となり
、Ｃｏ含有量が４７．４〜７８．５ａｔ％、より好まし
くは４７．５〜７８ａｔ％、またＦｅ含有量が１．５−
５．６ａｔ％、より好ましくは、２〜５．５ａｔ％とな
ることが好ましい。

これに対し、ガラス化元素成分又は、Ｂ、あるいはＳｔ
およびＢを必須成分とする。

この場合、Ｂ含有量が３．３−２７ａｔ％、Ｓｉ含有量
が０−１６．２ａｔ％となると、Ｂｓが高くなり、薄板
の表面性が向上し、好ましい結果を得る。

そして、Ｂ含有量が１４．１〜２６．９ａｔ％、Ｓｔ含
有量が０．１〜５．４ａｔ％となると、ＢＳがさらに高
くなり１表面性もさらに向上し、さらにＲｕ、Ｃｒ等の
添加元素の添加効果もＩＯ著となり、より好ましい結果
を得る。

なお、ガラス化元素成分Ｘ中には、必要に応じ、Ｓｔお
よびＢ以外の他の元素の１種以上が含まれていてもよい
。ただ、その総計が０．５ａｔ％を越えると非晶質化し
にくくなるので、その含有量は０．５ａｔ％以下である
ことが好ましい。

以上詳述したような組成をもつ薄板は、実質的に長範囲
規則性をもたない非晶質体である。

また、板厚は、概ね、１０〜２００　μｍ程度である。

このような非晶質磁性合金薄板は、公知の高速急冷法に
従い製造される。

すなわち、対応する組成の合金を、気相または液相から
超急冷する。　この場合、通常は、合金を融液となし、
液相から１０４℃／　ｓ　ｅ　ｃ以１−１通常１０４〜
１０６℃／ｓｅｃの冷却速度で超急冷し、固化させるこ
とによって非晶質磁性合金を得る。

溶融状態の合金を超急冷するには、溶融合金をノズルか
ら噴射させ、双ロール法、片ロール法、遠心急冷法等公
知の種々の方式、なかでも片ロール法に従い急冷すれば
よい。

このような非晶質磁性合金薄板は、それを好ましくは絶
縁性接着剤層を介して積層して、所望の形状のコア半体
とされ、これを後述のように突き合わせて磁気ヘッド、
特にフロ・ンピーディスク用、ビデオ映像用等の磁気ヘ
ッドとされる。

あるいは、薄板を積層せず、薄板自体を所望の形状のコ
ア半体となし、このコア半体を突き合わせて磁気ヘッド
、特にフロッピー用、ビデオ用等の磁気ヘッドとされる
。

このような磁気ヘッド用コア半体は、通常以下のように
して磁気ヘッドとされる。

まず、好ましくは、超急冷法によって得られた薄板に対
し、所定の熱処理を施す。

この熱処理としては、例えば、結晶化温度未満、キュリ
一点以上の温度で施す無磁場中での、特に内部歪取りを
目的とする焼鈍処理でもよく、また、結晶化温度および
キュリ一点未満の温度で行う、歪取りと磁気特性の改良
を目的とする磁場中での焼鈍処理であってもよい。

そして、この後者の磁場中での焼鈍処理としては、静磁
場、回転磁場等のいずれかを用いてもよい、　これら焼
鈍熱処理およびその条件は、非晶質磁性合金の組成と所
望の磁気特性とから、適宜選択して行えばよい。

次いで、通常は、このような非晶質磁性合金薄板を金型
により打抜き、所定の形状となし、一般に、その複数枚
を絶縁性接着剤により所定トラック巾となるよう積層し
て、コア半体を作製する。

なお、コア半体１１は、第１図、第２図に示されるよう
な１字状、Ｃ字状等公知の種々の形状とすればよい。

次いで、これらコア半体は、以下のようなキャップ材を
介してつきあわされる。

すなわち、第１図、第２図に１例として示すようにコア
半体ｌｌ上の少なくともギャップ端面には、Ｓｉ、Ｈの
うちの１種以上からなる下地層１２を設層するに の下地層１２は、Ｓｉ、Ｂの単一元素や合金を用いてス
パッタリング法や蒸着法を用いて設層することができる
。

このような下地層は、Ｓｉ、Ｂ単独でも良い。

またＳｉ、Ｈの２種でもよいが、そのときには、添加元
素は、主たる元素の１０ｗｔ％以下、より好ましくは５
ｗｔ％以下であることが好ましい。

このような下地層成分は、酸素との親和力の大きい元素
からなるので、非晶質磁性合金の表面の酸化膜と相互拡
散をして、高い密着強度を得ることができる。

一般に、相異する成分の膜を積層する場合、多層膜間に
共通の元素がないときには、薄膜形成の初期の段階で、
同軸成長が行なわれるので、格子歪が大きくなり、薄膜
に残留応力が導入されてしまう。

これに対し、下地層成分Ｓｉ、Ｂは、非晶質合金基材元
素と共通のものであるので、成膜時の格子歪が小さく、
残留応力が導入されることが回避される。

同様に、後述のガラス薄膜形成に際しても、残留応力の
導入は回避される。

なお、２種以上の元素を含むとき、添加分が１０ｗｔ％
以上になると金属間化合物と共晶合金になり、熱膨張係
数の差異により、薄膜にクラックが入りやすいので１０
ｗｔ％以下とすることが好ましい。

被着に際しては、磁気ギャップ用の薄膜と磁気ヘッドの
コアの密着強度をあげるために被着体（磁気へラドコア
）の温度をあげるのが良い。　温度は、被着体の結晶化
温度以下である必要があり、好ましくは２５０℃以下で
ある。

なお、下地層と磁気ヘッドを形成する非晶質磁性合金材
料の熱膨張係数に差異があると、薄膜に応力が残留し、
薄膜にクラックが入るか、さらにすすんでコア半体から
薄膜が剥離してしまう、　しかし、Ｓｉ、Ｈの少なくと
も１挿具−４二からなる薄膜は、熱膨張係数６Ｏ−１５
０Ｘ１０−６　（’Ｃ）−１であるので、このような不
都合はない。

このような下地層の厚みとしては、０．０５〜２．０μ
ｍ特に好ましくは０．１〜１．６μｍであることが好ま
しい。

膜厚が、２．０ｇｍをこえると、十分な接着強度を得る
ための中間層の効果が失われるためである。

つまり、下地層成分は酸化されやすい元素であるので、
高温高湿（例えば４０℃　９０％ＲＨ）で保存すると、
薄膜が酸化され、ギャップ強度が弱くなり、また体積膨
張し、磁気ギャップにクラックが入ってしまい、特性の
劣化をまねく。

また、膜厚が０．０５１Ｌｍより少ないと、十分な密着
強度が得られないからである。

このような下地層１２上にはガラス薄膜１３を積層する
。

本発明では、ガラス薄膜１３は例えば、低融点ガラス、
例えばＰｂＯ−Ｂ２０３系のガラスを用いる。

この場合、ＰｂＯ８０〜９０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３２０〜１
０ｗｔ％程度が好ましい。

そして、必要な場合には融点を下げる元素としてＢｉ２
Ｏ３やＶ２Ｏ５等を加えて、所望の融点の低融点ガラス
とする。

ガラス薄膜は、通常、スパッタリングにより、積層する
。

ガラス創１３は、下地層１２と良好に接着し、充分強固
なキャッグを形成する。　し　かも、下地層上に設層す
る際にＳｉ、Ｂ薄膜を損傷しない。

ガラス薄膜の軟化温度は５００〜７００℃であることか
好ましい。

さらに、ガラス薄膜の厚みは、所望の磁気ギャップ長の
０．０５〜０．７程度であることが望ましい。

ガラス薄膜層が薄い場合、ギャップ長の００５未満であ
ると、強固な接着強度が得られない。

また、０．７より大であると、下地・層であるＳｉ、Ｂ
薄膜により、ガラス薄膜層形成時の応力を吸収すること
ができず、小さなりう・ンクが入ってしまう。

この場合、ガラス薄膜の厚みは、ギャップ長・の、好ま
しくは、０．１〜０．６である。

なお、ガラス薄膜の厚みは、０．１〜１．０μｍである
ことが好ましい。

このようにして、少なくとも前部および後部キャップ突
き合わせ面に、下地層１２と、ガラス薄膜１３とを形成
したコア半体１１はギャップ突き合わせ面を突き合わせ
てて一体化される。

この際、第３図に示されるようにガラス薄膜１３．１３
間にはガラス質１４を配設する。

そして、これを熱処理して磁気ヘッドを形成する。

この場合、ガラス質３４は、前部および後部ギヤ、プ１
５に配設する。

ここで用いるガラス質は、低融点ガラスを用いる。

この場合、その軟化温度は３００〜５００℃が好ましい
。

組成としては、特に、ＰｂＯ−Ｂ２０３系のガラスか好
適である。　そして通常ＰｂＯ８０〜９０ｗｔ％、Ｂ２
Ｏ３１０〜２０ｗｔ％とし、他に添加物としてＢｉ２Ｏ
３またはＶ２Ｏ３などを添加して所望の軟化温度に調整
する。

このような低融点ガラスからなる粒状のガラス質１４を
、ガラス薄膜１３を積層した両キャップ突合せ面近傍に
配設した後、磁気コア全体を３００〜５００℃で熱処理
する。　これにより、ガラス薄ｌｌ！２１３を積層した
キャップ突合せ面を融着し、ガラス膜とする。

ガラス薄膜を、機械的に充分接着し、しかも他のコア本
体や下地層を損傷しないためには。

熱処理温度がガラス質の軟化温度から溶融温度であるこ
とか必要である。

以上のようにして形成されたギャップは全体として４ｐ
Ｌｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０５〜
２．、ＯＩＬｍである。　このとき１本発明の効果はよ
り顕著に実現する。

なお下地層１２とガラスＱｌｌ！２１３との膜厚の総計
は、全体として、所望とする磁気ヘッドのギャップ長と
等しいか、または１．２倍以下とすることが必要である
。

このように作製される磁気ヘッドはフロッピーディスク
用等の用途において、きわめてイ１用である。

なお、第４図には、第１図、第２図に示されるコア半体
を、第３図に示されるように突き合わせてなる２つのコ
アをスペーサー１６を介して一体化して、３ギヤツプ型
のフロッピーヘッドとした例が示される。

■　発明の其体的作用効果 本発明のＳｉ、Ｈの少なくとも１種以上からなる下地層
と、ガラス膜とから形成されるキャップをイ］する磁気
ヘッドは、以下のような効果を有する。

すなわち、磁気ギャップからのもれ磁界もシャープであ
り磁気再生効率が良好である。

しかも、オーバーライド特性や、分解能や、消去特性も
良好である。

そして、劣悪な条件下で長時間走行させたり、保存した
場合でも、磁気ギャップからのもれ磁界をシャープに保
つことがでｙ、オーバーライド特性や、分解能や、消去
特性がよく高密度記録を行うことができる。

しかも、きわめて強固なナローギャンプを形成すること
ができる。

■　発明の具体的実施例 以下に実施例をあげて、さらに本発明の効果を実証する
。

実施例 ７０　（５，５Ｆｅ−９４，５Ｃｏ）　−２４（１０Ｓ
＋　−９０Ｂ）　−６Ｒｕかもなる合金を融液となし、
この融液をノズルから噴射して、片ロール法によって非
晶質磁性合金薄板を得た。　板厚は５０）ｉｍであった
。

この非晶質磁性合金薄板を焼鈍処理し、内部歪取りを行
った。

この非晶質磁性合金薄板上に、スパッタリングにより、
下記表１に示される薄膜を、被着し下地層とした。

次にこの上に、コーニング社製（ｃ　−１４１６）を表
１に示されるように設層した。　　この軟化温度は５８
０℃である。

以上のコア半体をそれぞれ第１図、第２図の形状となし
、これらをつきあわせた。

そして、ビーズ状のガラス質〔コーニング社製ガラス（
８４６３））を、第３図に示されるように、磁気ギャッ
プ近傍に設置し、温度４００℃にて熱処理して、第４図
に示されるようなスリーキャップの磁気ヘッドとした。

ギャップ長は１．５ｇｍである。

別に比較のために、ギャップ材として、１゜５μｍ厚の
Ｔｉ箔を用い、熱硬化性樹脂で固着して磁気ヘッドを作
製した。

これら各サンプルについて以下の測定を行なった。

ｌ）分解能 内周を１２５ＫＨｚ（この際の出力をＩＦとする）で古
き込みを行い、外周を２５０ＫＨｚ（この際の出力を２
Ｆとする）で書き込み。

録再の出力を測定して２Ｆ／ＩＦを百分率で示し、分解
能とする。

この分解能を初期のものと２００パス後のもので測低す
る。

？）オーバーライド（０マｅｒｗｒｉｔｅ）特性１２５
Ｋ）Ｉｚ（出力＝ｌＦ）で書き込みを行った後に、２５
０ＫＨｚ（出力＝２Ｆ）で消去しながら書き込みを行い
（重ね書き）、２Ｆを書き込み後のＩＦの出力ｌＦ′を
測定する。

１Ｆ′／２Ｆをオーバーライド特性として表す。　単位
はｄＢである。　この消去率を初期のものと２００パス
後のもので測定する。

３）保存性 ４０℃１９０％ＲＨで、２４０時間後の上記のオーバー
ライド特性の変化率を測定する。

これらの結果を表１に示す６ 表１に示される結果により本発明の効果が明らかである
。

すなわち本発明の組成、膜厚からなるキャップ材からな
る磁気ヘッドは初期、多数回走行後、劣悪な条件下での
保存後とも、すぐれた分解能、オーバーライド特性を示
すことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のコアを体の１例を示す斜視図、第２図
は本発明のコア半体の別の例を示す斜視図である。 第３図は、第１図に示すコア゛ト体と第２図に示すコア
半体を突き合わせたときの正面図、第４図は、第３図に
示すコアからなるスリーヘント型の磁気ヘッドを示す斜
視図である。 １１・・・コア本体 １２・・・下地層 １３・・・ガラス薄膜 １４・・・ガラス質 第２図

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材
   を介してつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて
   、 ギャップ材が、両コア半体の少なくとも ギャップ面に被着されたＳｉおよびＢのうちの１種以上
   からなる下地層と、この下地層間に介在するガラス膜と
   からなることを特徴とする磁気ヘッド。
2. （２）下地層の膜厚が０．０５〜２μｍである特許請求
   の範囲第１項に記載の磁気ヘッ ド。
3. （３）ガラス膜が、ガラス薄膜を下地層上に設層し、し
   かもガラス薄膜間にガラス質を配設した後、熱処理して
   形成される特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
   磁気ヘッド。
4. （４）ガラス薄膜が、軟化温度５００〜７００℃である
   特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の
   磁気ヘッド。
5. （５）ガラス質が、軟化温度３００〜５００℃である特
   許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の磁
   気ヘッド。
6. （６）ガラス薄膜の厚みが０．１〜０．５μｍである特
   許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の磁
   気ヘッド。
7. （７）熱処理温度がガラス質の軟化温度から溶融温度で
   ある特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記
   載の磁気ヘッド。
8. （８）磁気ヘッドのギャップ長が４μｍ以下である特許
   請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の磁気
   ヘッド。
9. （９）下地層およびガラス膜からなる膜厚の総計が所望
   とする磁気ヘッドのギャップ長と等しいか、または１．
   ２倍以下であるように設層する特許請求の範囲第１項な
   いし第８項のいずれかに記載の磁気ヘッド。
10. （１０）非晶質磁性合金がＦｅとＣｏとＢまたはＢおよ
    びＳｉを主体とし、Ｒｕ、ＣｒおよびＴｉの１種以上を
    含む組成からなる特許請求の範囲第１項ないし第９項の
    いずれかに記載の磁気ヘッド。