JPS6120208A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　技術分野 本発明は磁気ヘッド、特に非晶質磁性合金を用いたフロ
ッピーディスク等のデジタル記録に用いるナローギャッ
プ型の磁気ヘッドに関するものである。

ＩＩ　　先行技術 近年、情報機器の性能の向−１−とＯＡ化が進むなかで
記録媒体の１つであるフロッピーディスクの高性能化と
小型化が望まれている。

このような要求に応えて、８インチのフロッピーディス
クからさらに小型化された５、２５インチのフロッピー
ディスクが開発されてきた。

また、最近さらに小型化し、記憶容量も８インチフロッ
ピーデイズクと同容量の３．５インチのマイクロフロッ
ピーディスク（ＭＦＤ）が実用化に向けて開発されてい
る。

このように小型化し、かつ大記憶容量をもったフロッピ
ーディスクを実現するには、高密度記録を実現しなけれ
ばならない。　高密度記録を実現するには、記録媒体と
磁気ヘッドとに関して新たな特性が要求される。

記録媒体では性能向上の１つとして高保磁力の磁性材料
の開発が必要になっている。

磁気ヘッドにも新たに特性の向上が要求される。　従来
、フロッピーディスク用の磁気ヘッドは、フロッピーデ
ィスクの実用化の初期の段階では磁気ヘッド用コア材に
パーマロイが使用されていた。

しかし、パーマロイでは種々の問題がある。

例えば、フロッピーヘッドの使用周波数帯域（１２５Ｋ
Ｈｚ　〜２５０ＫＨｚ）とオーディオヘッドの使用周波
数帯域（２０ＫＨｚ以下）を比較すると、フロッピーヘ
ッドの使用周波数帯域は高周波数の帯域である。

しかし、パーマロイは比抵抗が５０−１５０終ΩＣ膳と
小さいので、高周波帯域での実効透磁率は急激に減少し
、再生出力、Ｓ／Ｎ比、分解能等の磁気特性が悪くなる
。

他方、同じく多様されているフェライトは比抵抗ｌＸ１
０６　ｐＬΩ　Ｃ鵬と大きく、しかも磁気ギャップもガ
ラス溶着法を用いるので、強固な狭磁気ギャップが製造
できる。

したがって、最近ではフロッピー用磁気ヘッドのコア材
は、フェライトが主に使用されている。　そして、高密
度記録は、磁気ヘッドのコア材にフェライトを用いるこ
とによって、ある水準までは達成することができる。

ところで、さらに高密度記録を達成するためには、磁気
記録媒体であるフロッピーディスクの保磁力（Ｈｅ）は
、初期の頃のＨｃ＝２７００ｅ　（磁性体としてγ−Ｆ
ｅ２Ｏ３を使用）から、高保磁力の記録媒体（磁性体と
してＣＯをドープしたＣｏ　　７　　Ｆｅ２Ｏ３を使用
）のＨｃ　＝　６３０　０ｅニ移行しティる。

そして、さらに合金粉を磁性体とした高保磁力の記録媒
体ではＨｃ＝１３０００ｅに至っている。

従って、磁気ヘッド用コア材はこのような高保磁力記録
媒体に記録するために、高飽和磁束密度をもち、かつ高
周波帯域において実効透磁率が減少しない材料の開発が
必要になってきた。

このため、磁気ヘッド用コア材としてセンダストと非晶
質合金とが注目されている。

これらの材料は、フェライトと比較すると飽和磁束密度
も大きいので、高保磁力記録媒体への記録も可能になる
。

しかし、磁気ヘッドの問題は、コアの材質の磁気特性だ
けの問題でなく、信頼性の点から強固なナローキャップ
を有する磁気ヘッドのギャップ製造法の確立も必要であ
る。

センダストについては、銀ロウ溶接による接合が検討さ
れている。

しかし、非晶質合金の場合には、結晶化温度が低いので
、一定温度以上の処理ができない。

特開昭５５−１１０２４１号のように２．３の磁気ギャ
ップ製造方法に関する提案もあるが未だ十分な解決をみ
るには至っていない。

ナローギャップで高磁束密度の磁気ヘッドを実現する際
には、作製時の性能とともに、経時的な劣化が問題にな
る。

すなわち、非晶質磁性合金コア材とギャップ材との相対
的な温度特性、接着性または固着性、残留応力、比抵抗
等によって電磁変換特性が、経時的に、あるいは多数回
の走行により劣化する。

例えば、特にギャップ長の安定度と関係のある、分解能
、オーバーライド特性、消去特性、ピークシフト等に大
きな問題があった。

■発明の具体的目的 本発明は、前記の問題を解決するためになされたもので
ある。

すなわち、非晶質合金を用いた磁気ヘッドにおいて、狭
ギャップ長の強固な磁気ギャップを有し、分解能やピー
クシフト特性がよく、高密度記録が可能であり、しかも
長時間使用ないし保存しても電磁変換特性、特に分解能
やオーバーライド特性や消去特性等が劣化しない磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。

このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、 非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材を介し
てつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて、 ギ＋−／プ材が、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂお
よびＴｉのうちの少なくとも１種以上を、酩素雰囲気中
で両コア半体の少なくともギャップ面に被着した下地層
と、この下地層にはさまれたガラス膜とからなることを
特徴とする磁気ヘッドである。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気ヘッドにおけるコアは、通常、非晶質磁性
合金の薄板から形成される。

非晶質磁性合金をコア材として用いるときには、コアと
しての特性が良好で、またきわめて長期にわたる使用に
よってもヘッドの媒体摺接面の偏摩耗が少なく、周波数
特性や出力レベル変動が少ない点で、良好な結果を得る
。

コア材として、非晶質磁性合金薄板を用いる場合、その
組成としては、磁気ヘッドのコア用のものとして知られ
ている種々の組成であってもよいが、特に飽和磁束密度
Ｂｓが高く、高保磁力磁気記録媒体に好適であるという
点で、下記式（Ｉ）で示される組成であることが好まし
い。

式（Ｉ）ＴｘＴｙ 上記式中において、Ｔは、ＦｅおよびＧｏ、またはＦｅ
およびＣｏと他の遷移金属元素の１種以上との組合せを
表わす。

この場合、必要に応じＦｅおよびＣＯとともに組合せ添
加される他の添加元素は、ＦｅおよびＣｏ以外の他の遷
移金属元素（Ｓｃ−Ｚｎ；Ｙ−Ｃｄ；Ｌａ−Ｈｇ；Ａｃ
以上）であり、例えばＮｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等（７）１１１類以上をその具体例と
して挙げることができる。

一方、Ｘは、Ｂ、ＳｉおよびＢ、またはＢもしくはＳｉ
およびＢと他のガラス化元素の１種類以上との組合せを
表わす。

この場合、必要に応じ、Ｂ、またはＳｉおよびＢととも
に組合せ添加される他のガラス化元素の例としては、Ｐ
、Ｃ，Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｉ等の１種類以上を挙げることが
できる。

他方、上記式ＣＩ）において、ｘ＋ｙ＝１００ａｔ％で
あり、ｙは２０〜２７ａｔ％である。すなわち、Ｆｅお
よびＣｏを必須成分とする遷移金属元素性分量Ｘは７３
〜８０ａｔ％であり、Ｂま、たはＳｔおよびＢを必須成
分とするガラス化元素成分量ｙは２０〜２７ａｔ％であ
る。

ｙが２０ａｔ％未満となると、非晶質化が困難となり、
また、２７ａｔ％を越えると残留磁束密度Ｂｓが減少し
てしまう。

さらに、遷移金属元素成分中の必須成分ＦｅおよびＣＯ
の含有量は、それぞれＦｅ；１．５〜５．６ａｔ％およ
び、Ｃｏ　；　４５〜７８　、５ａｔ％ある。

Ｆｅ含有量が１．５ａｔ％未満（Ｃｏ含有量が７８．５
ａｔ％より大）、あるいは５．．６ａｔ％を越えると、
磁歪が大きなものとなってしまい、また透磁率が減少す
る。

ＣＯが４５ａｔ％未満となるとＢｓが減少してしまう。

この場合、上記式〔Ｉ〕において、Ｔは、上記含有量範
囲内にて、ＦｅおよびＣｏのみからなっても、ＦｅとＣ
ｏと上記した他の添加元素の１種以上からなってもよい
。

ＴがＦｅとＣｏのみからなる場合、Ｆｅ含有量は、１．
５〜５．６ａｔ％、より好ましくは２〜５．５ａｔ％、
Ｃｏ含有量は、８７．４〜７８．５ａｔ％、より好まし
くは６７．５〜７８ａｔ％である。ＴがＦｅおよびＣｏ
に加え、他の元素の１種以上を含む場合、他の遷移金属
元素の１種以上は、４常、総計で最大２５ａｔ％まで含
有することができる。

これ以上の含有量となると、Ｂｓが低下し、表面性が悪
くなる等の不都合が生じる。

このような元素の１例としてはＮｉがある。

Ｎｉ添加は、Ｃｏを置換して、材料コストを低減する等
の効果があるが、Ｎｉ量が増大するとＢｓが減少するの
で、Ｎｉ含有量は、好ましくは８ａｔ％以下である。

一方、他の元素の１種以上としては、鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ）以外の遷移金属元素であってよいが、鉄族以外
の遷移金属元素の１種以上は、総計１２ａｔ％以下であ
ることが好ましい、　このとき、Ｂｓの低下は少なく、
各添加元素特有のすぐれた効果が実現する。　　〜この
ような元素としては、得に、Ｒｕ。

Ｃｒ、Ｔｉのうちの１種以上が好ましい。

特に、０．５〜８ａｔ％のＲｕを添加すると、耐摩耗性
が向上し、表面性や打抜加工性等が向上する。

また、１〜８ａｔ％のＣｒを添加すると、耐食性が向上
する。

そして、０．５〜８ａｔ％のＲｕと、１〜８ａｔ％、特
に２〜６ａｔ％のＣｒを併用添加すると、これらの効果
はさらに向上し、より好ましい結果を得る。

また、０．０５〜２ａｔ％のＴｉを、これらにかえ、よ
り好ましくはこれらに加えて添加するとより好ましい結
果をうる。

さらに、これらＲｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等に加え、Ｔａ
、Ｗ、Ｍｏ等の１種以上を含有させることもできる。

なお、このようにＦｅ、Ｃｏ以外の他の遷移金属元素を
含有させる場合、これらの総計は２０ａｔ％以下となり
、Ｃｏ含有量が４７．４〜７８．５ａｔ％、より好まし
くは４７．５〜７８ａｔ％、またＦｅ含有量が１．５−
５．６ａｔ％。

よりに了ましくは、２〜５．５ａｔ％となることが好ま
しい。

これに対し、ガラス化元素成分Ｘは、Ｂ、あるいはＳｔ
およびＢを必須成分とする。

この場合、Ｂ含有量が３．３〜２７ａｔ％、Ｓｉ含有量
が０−１６．２ａｔ％となると、Ｂｓが高くなり、薄板
の表面性が向上し、好ましい結果を得る。

そして、Ｂ含有量が１４．１−２６．９ａｔ％、Ｓｉ含
有量がＯ，１〜５．４ａｔ％となると、Ｂｓがさらに高
くなり、表面性もさらに向上し、ざらにＲｕ、Ｃｒ等の
添加元素の添加効果も顕著となり、より好ましい結果を
得る。

なお、ガラス化元素成分Ｘ中には、必要に応じ、Ｓｉお
よびＢ以外の他の元素の１種以上が含まれていてもよい
、ただ、その総計が０．５ａｔ％を越えると非晶質化し
にくくなるので、その含有量は０．５ａｔ％以下である
ことが好ましい、　以上詳述したような組成をもつ薄板
は、実質的に長範囲規則性をもたない非晶質体である。

　また、板厚は２概ね、１０〜２００ルｍ程度である。

　このような非晶質磁性合金薄板は、公知の高速急冷法
に従い製造される。

すなわち、対応する組成の合金を、気相または液相から
超急冷する。　この場合、通常は、合金を融液となし、
液相から１０４℃／　ｓ　ｅ　ｃ以上、通常１０４〜１
０６℃／　Ｓ　ｅ　Ｃ（７）冷却速度で超急冷し、固化
させることによって非晶質磁性合金を得る。

溶融状態の合金を超急冷するには、溶融合金をノズルか
ら噴射させ、双ロール法、片ロール法、遠心急冷法等公
知の種々の方式、なかでも片ロール法に従い急冷すれば
よい。

このような非晶質磁性合金薄板は、それを好ましくは絶
縁性接着剤層を介して積層して、所望の形状のコア半体
とされ、これを後述のように突き合わせて磁気ヘッド、
特にフロッピーディスク用、ビデオ映像用等の磁気ヘッ
ドとされる。

あるいは、薄板を積層せず、薄板自体を所望の形状のコ
ア半体となし、このコア半体を突き合わせて磁気ヘッド
、特にフロッピー用、ビデオ用等の磁気ヘッドとされる
。

このような磁気ヘッド用コア半体は、通常以下のように
して、磁気ヘッドとされる。

まず、好ましくは、超急冷法によって得られた薄板に対
し、所定の熱処理を施す。

この熱処理としては、例えば、結晶化温度未満、キュリ
一点以上の温度で施す無磁場中での、特に内部歪取りを
目的とする焼鈍処理でもよく、また、結晶化温度および
キュリ一点未満の温度で行う、歪取りと磁気特性の改良
を目的とする磁場中での焼鈍処理であってもよい。

そして、この後者の磁場中での焼鈍処理としては、静磁
場、回転磁場等のいずれかを用いてもよい、　これら焼
鈍熱処理およびその条件は、非晶質磁性合金の組成と所
望の磁気特性とから、適宜選択して行えばよい。

次いで、通常は、このような非晶質磁性合金薄板を金型
により打抜き、所定の形状となし、一般に、その複数枚
を絶縁性接着剤により所定トラック巾となるよう積層し
て、コア半体を作製する。

なお、コア半体１１は、第１図、第２図に示されるよう
な工学状、Ｃ字状等公知の種々の形状とすればよい。

次いで、これらコア半体は、以下のようなギャップ材を
介してつきあわされる。

すなわち、第１図、第２図に１例として示すようにコア
半体１１上の少なくともギャップ端面には、下地層１２
を設層する。

下地層１２の形成は、Ａｌ、Ｚ　ｒ　、　Ｍ　ｏ、Ｔｉ
、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ（７）少なくとも１種以上を酸素雰囲
気中で被着することによって行う。

この場合、被着法としては、真空蒸着、スパッタリング
、イオンブレーティング等の気相被着法のいずれであっ
てもよいが、特に、酸素を混入して行う反応性スパッタ
リングを用いることが好ましい。

反応性スパッタリングによる場合、スパッタリングの方
式には制限はなく、直流スパッタリング、ＲＦスパッタ
リング、マグネトロンスパッタリング等、いずれであっ
てもよい。　また、動作圧力、投入電力等は通常の条件
に従えばよい。

反応性スパッタリングに従う場合、イオン化ガスとして
のＡｒ等の不活性ガス中には酸素が含有されるが、この
酸素雰囲気中の酸素濃度は、１ｏｖａ１％以下、特に０
．０５〜１Ｏｖｏ１％であることが好ましい。

このような場合の蒸発源、特にターゲットとしては、Ａ
１．Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂの単独でも良い
。　また、これらの２挿具−１−であってもよい。

２種以上であるときには、添加元素は、主たる元素の２
０ｗｔ％以下、特に１０ｗｔ％以下であることが好まし
い。

このようにして被着される下地層成分は、酸化物であり
、非晶質磁性合金の表面の酸化膜や、ガラス薄膜と相互
拡散をして、高い密着強度を得ることができる。

なお、ターゲットが２挿具」−の元素を含むとき、添加
性が２０ｗｔ％以にになると、非晶質磁性合金やガラス
薄膜との相〃拡散がＭ肖され、また成膜時に格子歪が生
じ、薄膜にクラックが入りやすいので２０ｗｔ％以下と
することが好ましい。

被着に際しては、薄膜とコア半体の密着強度をあげるた
めに、被着体（磁気へットコア）の温度をあげるのが良
い、　温度は、被着体の結晶化温度以下である必要があ
り、好ましくは２５０℃以下である。

なお、下地層と磁気ヘッドを形成する非晶質磁性合金材
料の熱膨張係数に差異があると、薄膜に応力が残留し、
薄膜にクラックが入るか、さらにすすんでコア半体から
薄膜が剥離してしまう、　しかし、薄膜は、熱膨張係数
６０〜１５０Ｘ　１０”　（’Ｃ）−’テあるノテ、コ
ノヨうな不都合はない。

このような下Ｊｔ＋暦の厚みとしては、０，０５−２．
０ｐｍ、特に好ましくは０．１−１．６μｍであること
が好ましい。

膜厚が５．２．０＃Ｌｍをこえると、十分な接着強度を
得るための中間層の効果が失われるためである。

また、膜厚が０．０５μｍより少ないと、十分な密着強
度が得られないからである。

このような下地層１２上にはガラス薄膜１３を積層する
。

本発明では、ガラス薄膜１３は例えば、低融点ガラス、
例えばＰｂＯ−８２０３系のガラスを用いる。

この場合、ＰｂＯ８０〜９０ｗｔ％、 Ｂ２Ｏ３２０〜１０ｗｔ％程度が好ましい。

そして、必要な場合には融点を下げる元素としてＢｉ２
Ｏ３やＶ２　ｏ、、等を加えて、所望の融点の低融点ガ
ラスとする。

ガラス薄膜は、通常、スパッタリングにより、積層する
。

ガラス薄１８１１３は、下地層１２と良好に接着し、充
分強固なギャップを形成する。　し　かも、下地層薄膜
上に設層する際に、薄膜を損傷しない。

ガラス薄膜の軟化温度は５００〜７００’Ｃであること
が好ましい。

さらに、ガラス薄膜の厚みは、所望の磁気ギャップ長の
０．０５〜０．７程度であることが望ましい。

ガラス薄膜層が薄い場合、ギャップ長の０．０５未満で
あると、強固な接着強度が得られない。

また、０．７より大であると、中間層であるＣｕまたは
Ｃｕ合金の薄膜により、ガラス薄膜層形成時の応力を吸
収することができず、小さなりランクが入ってしまう。

この場合、ガラス薄膜の厚みは、ギャップ長の、好まし
くは、０．１〜０６６である。

なお、ガラス薄膜の厚みは、０．１−１．０ｇｍである
ことが好ましい。

このようにして、少なくとも前部および後部キャップ突
き合わせ面に、下地層１２と、ガラス薄膜１３とを形成
したコア半体１１はギャップ突き合わせ面を突き合わせ
てて一体化される。

この際、第３図に示されるようにガラス薄膜１３．１３
間にはガラス質１４を配設する。

そして、これを熱処理して磁気ヘッドを形成する。

この場合、ガラス質１４は、前部および後部キャップ１
５に配設層する。

ここで用いるガラス質は、低融点ガラスを用いる。

この場合、その軟化温度は３００〜５００℃が好ましい
。

組成としては、特に、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系のガラスが好
適である。　そして通常、ＰｂＯ８０〜９０ｗｔ％、Ｂ
　２０３　．１０〜２０　ｗ　ｔ％とし、他に添加物と
してＢｉ２Ｏ３またはｖ２　ｏ３などを添加して所望の
軟化温度に調整する。

このような低融点ガラスからなる粒状のガラス質１４を
、ガラス薄膜１３を積層した両ギャップ突合せ面近傍に
配設した後、磁気コア全体を３００〜５００℃で熱処理
する。　これにより、ガラス薄膜１３を積層したギャッ
プ突合せ面を融着し、ガラス膜とする。

カラス薄膜を、機械的に充分接着し、しかも他のコア本
体１１や下地層１２を損傷しないためには、熱処理温度
がガラス質の軟化温度から溶融温度であることが必要で
ある。

以上のようにして形成されたギャップは全体として４ｇ
ｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５〜
２．０ｐｍである。　　このとき、本発明の効果はより
顕著に実現する。

なお下地層１２と、ガラス薄膜１３との膜厚の総計は、
全体として、所望とする磁気ヘッドのキャップ長と等し
いか、または１．２倍以下とすることが必要である。

このように作製される磁気ヘッドはフロッピーディスク
用の用途において、きわめて有用である。

なお、第４図には、第１図、第２図に示されるコア半体
を、１３図に示されるように突き合わせてなる２つのコ
アをスペーサー１６を介して一体化して、３キヤツプ型
のフロッピーヘッドとした例が示される。

■　発明の具体的作用効果 本発明（１）Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ
の少なくとも１種以上を酸素雰囲気で成膜した薄膜と、
ガラス膜とからなるキャップ材を有し、非晶質磁性合金
からなるコア半体を有する磁気ヘッドは、以下のような
効果を有する。

すなわち、磁気ギャップでのもれ磁界がシャープとなり
、出力波形のピークシフトが少なくなり、オーバーライ
ド特性が良くなる。

磁気抵抗の高いキャップが形成されるので、分解能の高
い記録が可能である。

さらに、安定なギャップを形成するので、劣悪な条件下
で保存したり、長期間走行させても、分解能、オーバー
ライド特性や、消去特性の劣化が少ない。

■　発明の具体的実施例 以下に実施例をあげて、さらに本発明の効果を実証する
。

実施例 ７０　（５，５Ｆｅ−９４，５Ｃｏ）　−２４（１０Ｓ
ｉ　−９ＯＢ）　−６Ｒｕからなる合金を用い、片ロー
ル法によって非晶質磁性合金薄板を得た。　板厚は５０
ｇｍとした。

この非晶質磁性合金薄板を焼鈍処理し、内部歪取りを行
い、第１図、第２図に示されるコア半体とした。

この非晶質磁性合金薄板上に、下記表１に示される金属
をターゲットとして、表１に示される＃素分圧のＡｒ中
にて、反応性スパッタリングにより、表１に示される膜
厚に成膜して、下地層とした。

次に第２層として、コーニング社製（Ｃ−１４１６）を
表１に示される膜厚に設層した。

この軟化温度は５８０℃である。

このコア半体をつきあわせ、ビーズ状のガラス質〔コー
ニング社製ガラス（８４，６３））を、第３図に示され
るように、磁気ギャップ近傍に設置し、温度４００℃に
て熱処理して、第４図に示されるようなスリーギャップ
の磁気ヘッドとした。

キャップ長は１．５ルｍである。

別に、比較のために、ギャップ材として、１．５＃Ｌｍ
厚のＴｉ箔を用い、熱硬化性樹脂で固着して磁気ヘット
を作製した。

これら各サンプルについて以下の測定を行なった。

ｌ）分解能 内周を１２５ＫＨｚ（この際の出力をＩＦとする）で書
き込みを行い、外周を２５０ＫＨｚ（この際の出力を２
Ｆとする）で書き込み。

録再の出力を測定して２Ｆ／ＩＦを百分率で示し、分解
能とする。

この分解能を初期のものと２００パス後のもので測定す
る。

２）オーバーライド（Ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ）特性１２
５ＫＨｚ（出力＝ＩＦ）−Ｃ’書き込みを行った後に、
２５０ＫＨ２（出力＝２Ｆ）で消去しながら書き込みを
行い（重ね書き）、２Ｆを書き込み後のＩＦの出力ＩＦ
’を測定する。

１Ｆ’７２Ｆをオーバーライド特性として表す、　単位
はｄＢである。　この消去率を初期のものと２００パス
後のもので測定する。

３）消去特性 所定トラックにＩＦの信号を書き、その出力を■　とす
る、　その後、磁気ヘッドを所ｆ 足長移動し、消去して、前のトラック位置に磁気ヘッド
を戻して、記録する。　その出力をＶｅとすると、２０
　１　ｏｇ　Ｖ　ｅ　／　Ｖ　ｌｒとして算出する。

これを初期と２００パス後で測定する。

４）ピークシフト 同一パルスを同一パターンでくりかえし記録し、再生し
たのち、これをさらにパルス波形に変換する。　このと
きの、もとのパルス波形のパルス巾と、再生パルスのパ
ルス巾との変化率を％で表わす。

５）保存性 ４０℃、９０％ＲＨで、２４０時間後の上記のオーバー
ライド特性の変化率を測定する。

これらの結果を表１に示す。

表１に示される結果により本発明の効果が明らかである
。

すなわち本発明の組成、膜厚からなるギャップ材からな
る磁気ヘッドは初期、多数回走行後、劣悪な条件下での
保存後とも、すぐれた分解能、オーへ−ライト特性、ピ
ークシフト特性および消去特性を示すことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のコア半体の１例を示す斜視図、第２図
は本発明のコア半体の別の例を示す斜視図である。 第３図は、第１図に示すコア半体と第２図に示すコア半
体を突き合わせたときの正面図、第４図は、第３図に示
すコアからなるスリーヘッド型の磁気ヘッドを示す斜視
図である。 １１・・・コア本体 １２・・・下地層 １３・・・ガラス薄膜 １４・・・ガラス質 第２図

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材
   を介してつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて
   、 ギャップ材が、Ａｌ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗ、 Ｔａ、ＮｂおよびＴｉのうちの少なくとも１種以上を、
   酸素雰囲気中で両コア半体の少なくともギャップ面に被
   着した下地層と、この下地層にはさまれたガラス膜とか
   らなることを特徴とする磁気ヘッド。
2. （２）酸素雰囲気中の酸素濃度が０．０５〜１０ｖｏｌ
   ％である特許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド。
3. （３）下地層の膜厚が０．０５〜２μｍで ある特許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド。
4. （４）ガラス膜が、ガラス薄膜を下地層上に設層し、し
   かもガラス薄膜間にガラス質を配設した後、熱処理して
   形成される特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
   かに記載の磁気ヘッド。
5. （５）ガラス薄膜が、軟化温度５００〜７００℃である
   特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
   磁気ヘッド。
6. （６）ガラス質が、軟化温度３００〜５００℃である特
   許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の磁
   気ヘッド。
7. （７）ガラス薄膜の厚みが０．１〜１μｍである特許請
   求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の磁気ヘ
   ッド。
8. （８）熱処理温度がガラス質の軟化温度から溶融温度で
   ある特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記
   載の磁気ヘッド。
9. （９）磁気ヘッドのギャップ長が４μｍ以下である特許
   請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の磁気
   ヘッド。
10. （１０）下地層およびガラス薄膜の膜厚の総計が所望と
    する磁気ヘッドのギャップ長と等しいか、または１．２
    倍以下であるように設層する特許請求の範囲第１項ない
    し第９項のいずれかに記載の磁気ヘッド。
11. （１１）非晶質磁性合金がＦｅとＣｏとＢまたはＢおよ
    びＳｉとを主体とし、Ｒｕ、ＣｒおよびＴｉの１種以上
    を含む組成からなる特許請求の範囲第１項ないし第１０
    項のいずれかに記載の磁気ヘッド。