JPS6117211A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　技術分野 本発明は磁気ヘッド、特に非晶質磁性合金を用いたフロ
ッピーディスク等のデジタル記録に用いるナローギャッ
プ型の磁気ヘッドに関するものである。

ＩＩ　　先行技術 近年、情報機器の性能の向上とＯＡ化が進むなかで記録
媒体の１つであるフロッピーディスクの高性能化と小型
化が望まれている。

このような要求に応えて、８インチのフロッピーディス
クからさらに小型化された５、２５インチのフロッピー
ディスクが開発されてきた。

また、最近さらに小型化し、記憶容量も８インチフロッ
ピーディスクと同容量の３．５インチのマイクロフロッ
ピーディスク（ＭＦＤ）が実用化に向けて開発されてい
る。

このように小型化し、かつ大記憶容量をもったフロッピ
ーディスクを実現するには、高密度記録を実現しなけれ
ばならない。　高密度記録を実現するには、記録媒体と
磁気ヘッドとに関して新たな特性が要求される。

記録媒体では性能向上の１つとして高保磁力の磁性材料
の開発が必要になっている。

磁気ヘッドにも新たに特性の向上が要求される。　従来
、フロッピーディスク用の磁気ヘッドは、フロッピーデ
ィスクの実用化の初期の段階では磁気ヘッド用コア材に
パーマロイが使用されていた。

しかし、パーマロイでは種々の問題がある。

例えば、フロッピーヘッドの使用周波数帯域（１２５Ｋ
Ｈｚ　〜２５０ＫＨｚ）とオーディオヘッドの使用周波
数帯域（２０ＫＨｚ以下）を比較すると、フロッピーヘ
ッドの使用周波数帯域は高周波数の帯域である。

シカし、パーマロイは比抵抗が５０〜１５０ルΩＣ１１
と小さいので、高周波帯域での実効透磁率は急激に減少
し、再生出力、Ｓ／Ｎ比、分解能等の磁気特性が悪くな
る。

他方、同じく多様されているフェライトは比抵抗ＩＸｌ
Ｘ１０６１ＬＱと大きく、しかも磁気ギャップもガラス
溶着法を用いるので、強固な狭磁気ギャップが製造でき
る。

したがって、最近ではフロッピー用磁気ヘッドのコア材
は、フェライトが主に使用されている。　そして、高密
度記録は、磁気ヘッドのコア材にフェライトを用いるこ
とによって、ある水準までは達成することができる。

ところで、さらに高密度記録を達成するためには、磁気
記録媒体であるフロッピーディスクの保磁力（Ｈｅ）は
初期の頃のＨｃ＝２７００ｅ　（磁性体としてγ−Ｆｅ
２Ｏ３を使用）から、高保磁力の記録媒体（磁性体とし
てＣＯをドープしたＣｏ−γ−Ｆｅ２Ｏ３を使用）のＨ
ｃ　＝　６３０　０ｅに移行している。

そして、さらに合金粉を磁性体としだ高保磁力の記録媒
体ではＨｃ　＝　１３００　０ｅに至っている。

従って、磁気ヘッド用コア材はこのような高保磁力記録
媒体に記録するために、高飽和磁束密度をもち、かつ高
周波帯域において実効透磁率が減少しない材料の開発が
必要になってきた。

このため、磁気ヘッド用コア材としてセンダストと非晶
質合金とが注目されている。

これらの材料は、フェライトと比較すると飽和磁束密度
も大きいので、高保磁力記録媒体への記録も可能になる
。

しかし、磁気ヘッドの問題は、コアの材質の磁気特性だ
けの問題でなく、信頼性の点から強固なナローギャップ
を有する磁気ヘッドのギャップ製造法の確立も必要であ
る。

センダストについては、銀ロウ溶接による接合が検討さ
れている。

しかし、非晶質合金の場合には、結晶化温度が低いので
、一定温度以上の処理ができない。

特開昭５５−１１０２４１号のように２．３の磁気ギャ
ップ製造方法に関する提案もあるが未だ十分な解決をみ
るには至っていない。

ナローギャップで高磁束密度の磁気ヘッドを実現する際
には、作製時の性能とともに、経時的な劣化が問題にな
る。

すなわち、非晶質磁性合金コア材とギャップ材との相対
的な温度特性、接着性または固着性、残留応力、比抵抗
等によって電磁変換特性が、経時的に、あるいは多数回
の走行により劣化する。

例えば、特にギヤ、ツブ長の安定度と関係のある、分解
能、オーバーライド特性、消去特性等に大きな問題があ
った。

■発明の具体的目的 本発明は、前記の問題を解決するためになされたもので
ある。

すなわち、非晶質合金を用いた磁気ヘッドにおいて、狭
ギャップ長の強固な磁気ギャップな有し、分解能がよく
、高密度記録が可能であり、しかも長時間使用ないし保
存しても電磁変換特性、特に分解能やオーバーライド特
性や消去特性等が劣化しない磁気ヘッドを、提供するこ
とを目的とする。

このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、 非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材を介し
てつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて、 ギャップ材が、両コア半体の少なくともギャップ面に被
着された窒化物および炭化物セラミクスの１種以上から
なる薄膜と、この第２薄膜間に介在するガラス膜とから
なることを特徴とする磁気ヘッドである。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気ヘッドにおけるコアは、通常、非晶質磁性
合金の薄板から形成される。

非晶質磁性合金をコア材として用いるときには、コアと
しての特性が良好で、またきわめて長期にわたる使用に
よってもヘッドの媒体摺接面の偏摩耗が少なく、周波数
特性や出力レベル変動が少ない点で、良好な結果を得る
。

コア材として、非晶質磁性合金薄板を用いる場合、その
組成としては、磁気ヘッドのコア用のものとして知られ
ている種々の組成であってもよいが、特に飽和磁束密度
Ｂｓが高く、高保磁力磁気記録媒体に好適であるという
点で、下記式（、Ｉ）で示される組成であることが好ま
しい。

式（Ｉ）ＴｘＴｙ 上記式中において、Ｔは、ＦｅおよびＧｏ、またはＦｅ
およびＣｏと他の遷移金属元素の１種以上との組合せを
表わす。

この場合、必要に応じＦｅおよびＣｏとともに組合せ添
加される他の添加元素は、ＦｅおよびＣｏ以外の他の遷
移金属元素（Ｓｃ−Ｚｎ；ＹＮＣｄ；Ｌａ−Ｈｇ；Ａｃ
以上）であり、例えばＮｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、■、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等の１種類以上な−その具体例として
挙げることができる。

一方、Ｘは、Ｂ、ＳｉおよびＢ、またはＢもしくはＳｉ
およびＢと他のガラス化元素の１種類以上との組合せを
表わす。

この場合、必要に応じ、Ｂ、またはＳｉおよびＢととも
に組合せ添加される他のガラス化元素の例としては、Ｐ
、Ｃ，Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｎ等の１種類以上を挙げることが
できる。

他方、上記式ＣＩ）において、ｘ＋ｙ＝　１００ａｔ％
であり、ｙは２０〜２７ａｔ％である。す・なわち、Ｆ
ｅおよびＣＯを必須成分とする遷移金属元素性分量Ｘは
７３〜８０ａｔ％であり、ＢまたはＳｉおよびＢを必須
成分とするガラス化元素成分量ｙは２０〜２７ａｔ％で
ある。ｙが２０ａｔ％未満となると、非晶質化が困難と
なり、また、２７ａｔ％を越えると残留磁束密度Ｂｓが
減少してしまう。

さらに、遷移金属元素成分中の必須成分ＦｅおよびＣｏ
の含有量は、それぞれＦｅ；１．５〜５．６ａｔ％およ
び、Ｃｏ；４５〜７８．５ａｔ％ある。

Ｆｅ含有量が１．５ａｔ％未満（Ｃｏ含有量が７８．５
ａｔ％より大）、あるいは５．６ａｔ％を越えると、磁
歪が大きなものとなってしまい、また透磁率が減少する
。

Ｃｏが４５ａｔ％未満となるとＢｓが減少してしまう。

この場合、上記式ＣＩ）において、Ｔは、上記含有量範
囲内にて、ＦｅおよびＣｏのみからなっても、ＦｅとＣ
ｏと上記した他の添加元素の１種以上からなってもよい
。

ＴがＦｅとＣｏのみからなる場合、Ｆｅ含有量は、１．
５〜５．６ａｔ％、より好ましくは２〜５．５ａｔ％、
Ｃｏ含有量は、６７．４〜７８．５ａｔ％、より好まし
くは６７．５〜７８ａｔ％である。ＴがＦｅおよびＣＯ
に加え、他の元素の１種以上を含む場合、他の遷移金属
元素の１種以上は、通常、総計で最大２５ａｔ％まで含
有することができる。

これ以上の含有量となると、Ｂｓが低下し、表面性が悪
くなる等の不都合が生じる。

このような元素の１例としてはＮｉがある。

Ｎｉ添加は、Ｃｏを置換して、材料コストを低減する等
の効果があるが、Ｎｉ量か増大するとＢｓが減少するの
で、Ｎｉ含有量は、好ましくは８ａｔ％以下である。

一方、他の元素の１種以上としては、鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ）以外の遷移金属元素であってよいが、鉄族以外
の遷移金属元素の１種以上は、総計１２ａｔ％以下であ
ることが好ましい。　このとき、Ｂｓの低下は少なく、
各添加元素特有のすぐれた効果が実現する。

このような元素としては、得に、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのう
ちの１種以上が好ましい。

特に、０．５〜８ａｔ％のＲｕを添加すると、耐摩耗性
が向上し、表面性や打抜加工性等が向上する。

また、１〜８ａｔ％のＣｒを添加すると、耐食性が向上
する。

そして、０１．５〜８ａｔ％（１）　Ｒｕと、１〜８ａ
ｔ％、特に２〜６ａｔ％のＣｒを併用添加すると、これ
らの効果はさらに向上し、より好ましい結果を得る。

また、０．０５〜２ａｔ％のＴｉを、これらにかえ、よ
り好ましくはこれらに加えて添加するとより好ましい結
果をうる。

さらに、これらＲｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等に加え、Ｔａ
、Ｗ、Ｍｏ等の１種゛以上を含有させることもできる。

なお、このようにＦｅ、Ｃｏ以外の他の遷移金属元素を
含有させる場合、これらの総計は２０ａｔ％以下となり
、Ｃｏ含有量が４７．４〜７８．５ａｔ％、より好まし
くは４７．５〜７８ａｔ％、またＦｅ含有量が１．５〜
５．６ａｔ％、より好ましくは、２〜５．５ａｔ％とな
ることが好ましい。

これに対し、ガラス化元素成分Ｘは、Ｂ、あるいはＳｉ
およびＢを必須成分とする。

この場合、Ｂ含有量が３．３〜２７ａｔ％、Ｓｉ含有量
がＯ〜１６．２ａｔ％となると、Ｂｓが高くなり、薄板
の表面性が向上し、好ましい結果を得る。

そして、Ｂ含有量が１４　、１〜２６　、９ａｔ％、Ｓ
ｉ含有量が０．１〜５．４ａｔ％となると、Ｂｓがさら
に高くなり、表面性もさらに向上し、ざらにＲｕ、Ｃｒ
等の添加元素の添加効′果も顕著となり、より好ましい
結果を得る。

なお、ガラス化元素成分Ｘ中には、必要に応じ、Ｓｉお
よびＢ以外の他の元素の１種以上が含まれていてもよい
。ただ、その総計が０．５ａｔ％を越えると非晶質化し
にくくなるので、その含有量はＱ、５ａｔ％以下である
ことが好ましい。　以上詳述したような組成をもつ薄板
は、実質的に長範囲規則性をもたない非晶質体である。

　又、板厚は、概ね、１０〜２００ｐｍ程度である。　
このような非晶質磁性合金薄板は、不知の高速急冷法に
従い製造される。

すなわち、対応する組成の合金を、気相または液相から
超急冷する。　この場合、通常は、合金を融液となし、
液相から１０４℃／　ｓ　ｅ　ｃ以上、通常１０４〜１
０６℃／　ｓ　ｅ　ｃの冷却速度で超急冷し、固化させ
ることによって非晶質磁性合金を得る。

溶融状態の合金を超急冷するには、溶融合金をノズルか
ら噴射させ、双ロール法、片ロール法、遠心急冷法等公
知の種々の方式、なかでも片ロール法に従い急冷すれば
よい。

このような非晶質磁性合金薄板は、それを好ましくは絶
縁性接着剤層を介して積層して、所望の形状のコア半体
とされ、これを後述のように突き合わせて磁気ヘッド、
特にフロッピーディスク用、ビデオ映像用等の磁気ヘッ
ドとされる。

あるいは、薄板を積層せず、薄板自体を所望の形状のコ
ア半体となし、このコア半体を突き合わせて磁気ヘッド
、特にフロッピー用、ビデオ用等の磁気ヘッドとされる
。

このような磁気ヘッド用コア半体は、通常以下のように
して作製される。

まず、好ましくは、超急冷法によって得られた薄板に対
し、所定の熱処理を施す。

この熱処理としては、例えば、結晶化温度未満、キュリ
一点以上の温度で施す無磁場中での、特に内部歪取りを
目的とする焼鈍処理でもよく、また、結晶化温度および
キュリ一点未満の温度で行う、歪取りと磁気特性の改良
を目的とする磁場中での焼鈍処理であってもよい。

そして、この後者の磁場中での焼鈍処理としては、静磁
場、回転磁場等のいずれかを用いてもよい。　これら焼
鈍熱処理およびその条件は、非晶質磁性合金の組成と所
望の磁気特性とから、適宜選択して行えばよい。

次いで、通常は、このような非晶質磁性合金薄板を金型
により打抜き、所定の形状となし、一般に、その複数枚
を絶縁性接着剤により所定トラック巾となるよう積層し
て、コア半体を作製する。

なお、コア半体１１は、第１図、第２図に示されるよう
な１字状、Ｃ字状等公知の種々の形状とすればよい。

次いで、これらコア半体は、以下のようなギャップ材を
介してつきあわされる。

すなわち、まず第１図、第２図に示されるように、窒化
物および／または炭化物系のセラミクスからなる薄膜１
２（以下第１層とする）を、スパッタリング法等を用い
て、コア半体ｌｌ上に形成する。

これらセラミクスとしては、窒化ケイ素、窒化ホウ素な
どの窒化物、炭化チタン、炭化モリブデン、炭化タング
ステン、炭化ケイ素などの炭化物を単独で用いてもよく
、また２種以上混合して用いてもよい。

この場合、これら窒化物、炭化物は、通常の量論組成の
ものでよく、またそれから多少偏倚した組成のものであ
って蔦よい。

これらセラミクスが２種以上含まれる場合、添加する窒
化物および／または炭化物は、主たる窒化物または炭化
物の２０ｗｔ％以下、特に１０ｗｔ％以下とすることが
好ましい。

このような第１層成分は、非晶質磁性合金およびガラス
薄膜との間で、高い密着強度を示す。

これらセラミクスの・スパッタリングに際しては、対応
する窒化物および／または炭化物をターゲットとすれば
よい。　また、その他のスパッタリング方式や条件等に
は特に制限はない。

なお、２種以上のセラミクスを含むとき、添加分が２０
ｗｔ％以上になると、格子歪が生じやすく、薄膜にクラ
ックが入りやすいので、２０ｗｔ％以下とすることが好
ましい。

この際、薄膜とコアの密着強度をあげるために被着体（
磁気へラドコア）の温度をあげるのが良い。　温度は、
被着体の結晶化温度以下である必要があり、好ましくは
２５０℃以下である。

なお、第１層薄膜と磁気ヘッドを形成する非晶質磁性合
金材料の熱膨張係数に差異があると、薄膜に応力が残留
し、薄膜にクラックが入るか、さらにすすんでコア半体
から薄膜が剥離してしまう。　　しかし、前記セラミク
スの少なくメも１種以上からなる薄膜は、熱膨張係数６
０〜１５０Ｘ１０唱（”０）−１であるので、このよう
な不都合はない。

このような第１層薄膜の厚みとしては、０゜０５〜２．
０ルｍ、特に好ましくは０．１〜１．６１Ｌｍであるこ
とが好ましい。

膜厚が、２．０ｐｍをこえると、十分な接着強度を得る
ための中間層の効果が失われるためである。” また、膜厚が０．０５＃Ｌｍより少ないと、十分な密着
強度が得られないからである。

このような第１層薄膜１２上にはガラス薄膜１３を積層
する。

本発明では、ガラス薄膜１３は例えば、低融点ガラス、
例えばＰｂＯ−Ｂ２０３系のガラスを用いる。

この場合、ＰｂＯ８０〜９０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３２０〜１
０ｗｔ％程度が好ましい。

そして、必要な場合には融Ａを下げる元素としてＢｉ２
Ｏ３や■２０５等を加えて、所望の融点の低融点ガラス
とする。

ガラス薄膜は、通常、スパッタリングにより、積層する
。

ガラス薄膜１３は、第１層薄膜１２ケ良好に接着し、充
分強固なギャップを形成する。　しかも、第１層薄膜上
に設層する際に、セラミクス薄膜を損傷しない。

ガラス薄膜の軟化温度は５００〜７００℃であることが
好ましい。

さらに、ガラス薄膜の厚みは、所望の磁気ギャップ長の
０．０５〜０．７程度であることが望ましい。

ガラス薄膜層が薄い場合、ギャップ長の０゜０５未満で
あると、賓固な接着強度が得られない。

また、０．７より大であると、中間層であるＣｕまたは
Ｃｕ合金の薄膜により、ガラス薄膜層形成時の応力を吸
収することができず、小さなりラックが入ってしまう。

この場合、ガラス薄膜の厚みは、ギャップ長の、好まし
くは、０．１〜０．６である。

なお、ガラス薄膜の厚みは、０．１−１．０＃Ｌｍであ
ることが好ましい。

このようにして、少なくとも前部および後部ギャップ突
き合わせ面に、第１層薄膜１２と、ガラス薄膜１３とを
形成したコア半体１１はギャップ突き合わせ面を突き合
わせてて一体化される。

この際、第３図に示されるようにガラス薄膜１３．１３
間にはガラス質１４を配設する。

そして、これを熱処理して磁気ヘッドを形成する。

この場合、ガラス質１３は、前部および後部ギャップ１
５に配設置する。

ここで用いるガラス質は、低融点ガラスを用いる。

この場合、その軟化温度は３００〜５００℃が好ましい
。

組成としては、特に、ＰｂＯ−Ｂ２　ｏ３系のガラスが
好適である。　そして通常ＰｂＯ８０〜９０ｗｔ％、Ｂ
２０３　１０〜２０ｗｔ％とし、他に添加物としてＢｉ
２Ｏ３またはｖ２０３などを添加して所望の軟化温度に
調整する。

このような低融点ガラスからなる粒状のガラス質１４を
、ガラス薄膜１３を積層した両ギャップ突合せ面近傍に
配設した後、磁気コア全体を３００〜５００℃で熱処理
する。　これにより、ガラス□薄膜１３を積層したギャ
ップ突合せ面を融着し、ガラス膜とする。

ガラス薄膜を、機械的に充分接着し、しかも他のコア本
体や第１層を損傷しないためには、熱処理温度がガラス
質の軟化温度から溶融温度であることが必要である。

以上のようにして形成されたギャップは全体として４４
ｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５〜
２．０ｐｍである。　このとき、本発明の効果はより顕
著に実現する。

なお第１層薄膜１２と、ガラス薄膜１３との膜厚の総計
は、全体として、所望とする磁気ヘッドのギャップ長と
等しいか、または１．２倍以下とすることが必要である
。

このように作製される磁気ヘッドはフロッピーディスク
用の用途において、きわめて有用である。

なお、第４図には、第１図、第２図に示されるコア半体
を、第３図に示されるように突き合わせてなる２つのコ
アをスペーサー１６を介して一体化して、３ギヤツプ型
のフロッピーヘッドとした例が示される。

■　発明の具体的作用効果 本発明のセラミックス薄膜とガラス膜からなるギャップ
材を有し、非晶質磁性合金からなるコア半体を有する磁
気ヘッドは以下のような効果を有する。

すなわち、磁気抵抗の高い、安定性のきわめてよいギャ
ップが形成されるので、オーバーライド特性が良好で、
分解能が高い。

また、コア本体との密着性がよく、機械的、熱的にきわ
めて強固な狭ギャップが形成されるので使用に従い発生
するオーバーライド特性や分解能の劣化はきわめて少な
い。

そして、高温高湿でのギャップの耐性が良く、磁気特性
、特に分解能やオーバーライド特性が高温高湿での長期
間保存によっても劣化しにくい。

■　発明の具体的実施例 以下に★施例をあげて、さらに本発明の効果を実証する
。

実施例 ７０　（５，５Ｆｅ−９４，５Ｃｏ）　−２４（１０Ｓ
　ｉ　−９０Ｂ）　−６Ｒｕからなる合金を用い、片ロ
ール法によって非晶質磁性合金薄板を得た。　板厚は５
０ＩＬｍとした。

この非晶質磁性合金薄板を焼鈍処理し、内部歪取りを行
つい、第１図、第２図に示されるコア半体を得た。

この非晶質磁性合金薄板上に、スパッタリングにより、
下記表１に示されるセラミクスを膜厚０．２５＃Ｌｍに
て被着し第１層とした。

次に、第２層として、コーニング社製（Ｃ−１４１６）
を膜厚０．５ＩＬｍに設層した。　この軟化温度は５８
０℃である。

このコア半体をつきあわせ、ビーズ状のガラス質〔コー
ニング社製ガラス（８４６３））を、第３図に示される
ように、磁気ギャップ近傍に設置し、温度４００℃にて
熱処理して、第４図に示されるようなスリーギャップの
磁気ヘッドとした。

ギャップ長は１．５１Ｌｍで、ある。

別に比較のために、ギャップ材として、１゜５１１、ｍ
厚のＴｉ箔を用い、熱硬化性樹脂で固着して磁気ヘッド
を作製した。

これら各サンプルについて以下の測定を行なった。

１）分解能 内周を１２５Ｋ）１ｇ（この際の出力をＩＦとする）で
書き込みを行い、外周を２５０ＫＨｚ（この際の出力を
２Ｆとする）で書き込み、録再の出力を測定して２Ｆ／
ｌ’Ｆを百分率で示し、分解能とする。

この分解能を初期のものと２００パス後のもので測低す
る。

２）オーバーライド（０マｅｙ　ｗｒｉｔｅ）特性１２
５ＫＨ２（出力＝ＩＦ）−１？書き込みを行った後に、
２５０ＫＨｚ（出力＝２Ｆ）で消去しながら書き込みを
行い（重ね書き）、２Ｆを書き込み後のＩＦの出力ｌＦ
′を測定する。

’　　ＩＦ′７２Ｆをオーバーライド特性として表す。

　単位はｄＢである。　この消去率を初期のものと２０
０パス後のもので測定する。　・ ３）保存性 ４０℃、９０％ＲＨで、２４０時間後の上記のオーバー
ライド特性の変化率を測定する。

これらの結果を表１に示す。

表１に示される結果により本発明の効果が明らかである
。

すなわち本発明の組成、膜厚からなるギャップ材からな
る磁気ヘッドは初期、多数回走行後、劣悪な条件下での
保存後とも、すぐれた分解能、オーバーライド特性、お
よび消去特性を示すことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のコア半体の１例を示す斜視図、第２図
は本発明のコア半体の別の例を示す斜視図である。 第３図は、第１図に示すコア半体と第２図に示すコア半
体を突き合わせたときの正面図、第４図は、第３図に示
すコアからなるスリーヘッド型の磁気ヘッドを示す斜視
図である。　“１１・・・コア本体 １２・・・薄膜 １３・・・ガラス薄膜 １４・・・ガラス質 第２図

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材
   を介してつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて
   、 ギャップ材が、両コア半体の少なくとも ギャップ面に被着された窒化物および炭化物セラミクス
   の１種以上からなる薄膜と、この第２薄膜間に介在する
   ガラス膜とからなることを特徴とする磁気ヘッド。
2. （２）窒化物および炭化物セラミクスが、窒化ケイ素、
   窒化ホウ素、炭化チタン、炭化モリブデン、炭化タング
   ステンおよび炭化ケイ素である特許請求の範囲第１項に
   記載の磁気ヘッド。
3. （３）薄膜の膜厚が０．０５〜２μｍである特許請求の
   範囲第１項または一第２項に記載の磁気ヘッド。
4. （４）ガラス膜が、ガラス薄膜を第２層上に設層し、し
   かもガラス薄膜間にガラス質を配設した後、熱処理して
   形成される特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
   かに記載の磁気ヘッド。
5. （５）ガラス薄膜が、軟化温度５００〜７００℃である
   特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
   磁気ヘッド。
6. （６）ガラス質が、軟化温度３００〜５００℃である特
   許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の磁
   気ヘッド。
7. （７）ガラス薄膜の厚みが０．１〜１μｍである特許請
   求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の磁気ヘ
   ッド。
8. （８）熱処理温度がガラス質の軟化温度から溶融温度で
   ある特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記
   載の磁気ヘッド。
9. （９）磁気ヘッドのギャップ長が４μｍ以下である特許
   請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の磁気
   ヘッド。
10. （１０）第１層、第２層およびガラス薄膜の膜厚の総計
    が所望とする磁気ヘッドのギャップ長と等しいか、また
    は１．２倍以下であるように設層する特許請求の範囲第
    １項ないし第９項のいずれかに記載の磁気ヘッド。
11. （１１）非晶質磁性合金がＦｅとＣｏとＢまたはＢおよ
    びＳｉとを主体とし、Ｒｕ、ＣｒおよびＴｉの１種以上
    を含む組成からなる特許請求の範囲第１項ないし第１０
    項のいずれかに記載の磁気ヘッド。