JPS6120209A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　技術分野 本発明は磁気ヘッド、特に非晶質磁性合金を用いたフロ
ッピーディスク等のデジタル記録に用いるナローギャッ
プ型の磁気ヘッドに関するものである。

ＩＩ　　先行技術 近年、情報機器の性能の向上とＯＡ化が進むなかで記録
媒体の１つであるフロッピーディスクの高性能化と小型
化が望まれている。

このような要求に応えて、８インチのフロ。

ビーディスクからさらに小型化された５、２５インチの
フロッピーディスクが開発されてきた。

また、最近さらに小型化し、記憶容量も８インチフロッ
ピーディスクと同容量の３．５インチのマイクロフロッ
ピーディスク（ＭＦＤ）が実用化に向けて開発されてい
る。

このように小型化し、かつ大記憶容量をもったフロッピ
ーディスクを実現するには、高密度記録を実現しなけれ
ばならない。　高密度記録を実現するには、記録媒体と
磁気ヘッドとに関して新たな特性が要求される。

記録媒体では性能向上の１つとして高保磁力の磁性材料
の開発が必要になっている。

磁気ヘッドにも新たに特性の向上が要求される。　従来
、フロッピーディスク用の磁気ヘッドは、フロッピーデ
ィスクの実用化の初期の段階では磁気ヘッド用コア材に
パーマロイが使用されていた。

しかし、パーマロイでは種々の問題がある。

例えば、フロッピーヘッドの使用周波数帯域（１２５Ｋ
Ｈｚ　〜２５０ＫＨｚ）とオーディオヘ−。

ドの使用周波数帯域（２０ＫＨｚ以下）を比較すると、
フロッピーヘッドの使用周波数帯域は高周波数の帯域で
ある。

しかし、パーマロイは比抵抗が５０〜１５０琲ΩｃＩｍ
と小さいので、高周波帯域での実効透磁率は急激に減少
し、再生出力、Ｓ／Ｎ比、分解能等の磁気特性が悪くな
る。

他方、同じく多様されているフェライトは比抵抗ｌＸ１
０６ｇΩｃｍと大きく、しかも磁気ギャップもガラス溶
着法を用いるので、強固な狭磁気ギャップが製造できる
。

したがって、最近ではフロッピー用磁気ヘッドのコア材
は、フェライトが主に使用されている。　そして、高密
度記録は、磁気ヘッドのコア材にフェライトを用いるこ
とによって、ある水準までは達成することができる。

ところで、さらに高密度記録を達成するためには、磁気
記録媒体であるフロッピーディスクの保磁力（Ｈｅ）は
初期の頃のＨｃ＝２７００ｅ（磁性体としてγ−Ｆｅ２
Ｏ３を使用）から、高保磁力の記録媒体（磁性体として
ＣＯをドープしたＣＯ−γ−Ｆｅ２Ｏ３を使用）のＨｃ
＝６３００ｅに移行している。

そして、さらに合金粉を磁性体としだ高保磁力の記録媒
体ではＨｃ＝１３０００ｅに至っている。

従って、磁気ヘッド用コア材はこのような高保磁力記録
媒体に記録するために、高飽和磁束密度をもち、かつ高
周波帯域において実効透磁率が減少しない材料の開発が
必要になってきた。

このため、磁気ヘッド用コア材としてセンダストと非晶
質合金とが注目されている。

これらの材料は、フェライトと比較すると飽和磁束密度
も大きいので、高保磁力記録媒体への記録も可能になる
。

しかし、磁気ヘッドの問題は、コアの材質の磁気特性だ
けの問題でなく、信頼性の点から強固なナローギャップ
を有する磁気ヘッドのギャップ製造法の確立も必要であ
る。

センダストについては、銀ロウ溶接による接合が検討さ
れている。

しかし、非晶質合金の場合には、結晶化温度が低いので
、一定温度以上の処理ができない。

特開昭５５−１１０２４１号のように２．３の磁気ギャ
ップ製造方法に関する提案もあるが未だ十分な解決をみ
るには至っていない。

ナローギャップで高磁束密度の磁気ヘッドを実現する際
には、作製時の性能とともに、経時的な劣化が問題にな
る。

すなわち、非晶質磁性合金コア材とギャップ材との相対
的な温度特性、接着性または固着性、残留応力、比抵抗
等によって電磁変換特性が、経時的に、あるいは多数回
の走行により劣化する。

例えば、特にギャップ長の安定度と関係のある、分解能
、オーバーライド特性、ピークシフト特性、消去特性等
に大きな問題があった。

■発明の具体的目的 本発明は、前記の問題を解決するためになされたもので
ある。

すなわち、非晶質合金を用いた磁気ヘッドにおいて、狭
ギャップ長の強固な磁気ギャップを有し、分解能、オー
バライド特性、ピークシフト特性、消去特性が良好で、
しかも長時間使用ないし保存しても電磁変換特性、特に
分解能やオーバーライド特性やピークシフト特性や消去
特性等が劣化しない磁気ヘッドを提供することを目的と
する。

このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、 非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材を介し
てつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて、 ギャップ材が、両コア半体の少なくともギャップ面に被
着されたＢおよびＳｆのうちの少なくとも１種以上から
なる第１層と、この第１層上に被着された酸化アルミニ
ウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムおよびチタ
ン酸バリウムの少なくとも１種以上からなる第２層と、
この第２層間に介在するガラス膜とからなることを特徴
とする磁気ヘッドである。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気ヘットにおけるコアは、通常、非晶質磁性
合金の薄板から形成される。

非晶質磁性合金をコア材として用いるときには、コアと
しての特性が良好で、またきわめて長期にわたる使用に
よって、もヘッドの媒体摺接面の偏摩耗が少なく、周波
数特性や出力レベル変動が少ない点で、良好な結果を得
る。

コア材として、非晶質磁性合金薄板を用いる場合、その
組成としては、磁気ヘッドのコア用のものとして知られ
ている種々の組成であってもよいが、特に飽和磁束密度
Ｂｓが高く、高保磁力磁気記録媒体に好適であるという
点で、下記式（Ｉ）で示される組成であることが好まし
い。

式（Ｉ）ＴｘＴｙ 上記式中において、Ｔは、ＦｅおよびＣＯｌまたはＦｅ
およびＣＯと他の遷移金属元素の１種以上との組合せを
表わす。

この場合、必要に応じＦｅおよびＣＯとともに組合せ添
加される他の添加元素は、ＦｅおよびＣｏ以外の他の遷
移金属元素（Ｓｃ−Ｚｎ；Ｙ−Ｃｄ；Ｌａ−Ｈｇ；Ａｃ
以り、）であり、例えばＮｉ、Ｔｉ、２ｒ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ。

Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕ’、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏ
ｓ、Ｉ　ｒ、Ｐｔ等の１種類以上をその具体例として挙
げることができる。

−力、Ｘは、Ｂ、５ｉｔ−＋Ｊ：びＢ、マタはＢもしく
はＳｉおよびＢと他のガラス化元素の１種類以上との組
合せを表わす。

この場合、必要に応じ、Ｂ、またはＳｉおよびＢととも
に組合せ添加される他のガラス化元素の例としては、Ｐ
、Ｃ，Ｇｅ、Ｓｎ、ＡＭ等の１種類以上を挙げることが
できる。

他方、上記式ＣＩ）において、 Ｘ＋Ｙ＝１００ａｔ％であり、ｙは２０〜２７ａｔ％で
ある。

すなわち、ＦｅおよびＣＯを必須成分とする遷移金属元
素性分量Ｘは７３〜８０ａｔ％であり、ＢまたはＳｉお
よびＢギ必須成分とするガラス化元素成分量ｙは２０〜
２７ａｔ％である。

ｙが２０ｉｔ％未満となると、非晶質化が困難となり、
また、２７ｉｔ％を越えると残留磁束布１炙Ｂｓが減少
してしまう。

さらに、遷移金属元素成分中の必須成分ＦｅおよびＧｏ
の含有量は、それぞれＦｅ；１．５〜５．６ｉｔ％およ
び、Ｃｏ；４５〜７８．５ａｔ％ある。

Ｆｅ含有量が１．５ｉｔ％未満（Ｃｏ含有量が７８．５
ｉｔ％より大）、あるいは５．６ｉｔ％を越えると、磁
歪が大きなものとなってしまい、また透磁率が減少する
。

Ｃｏか４５ｉｔ％未満となるとＢｓが減少してしまう。

この場合、上記式ＣＩ）において、Ｔは、上記含有量範
囲内にて、ＦｅおよびＣＯのみからなっても、ＦｅとＣ
Ｏと上記した他の添加元素の１種以上からなってもよい
。

ＴがＦｅとＣＯのみからなる場合、Ｆｅ含有廣は１．５
〜５゜６ｉｔ％、より好ましくは２〜５．５ｉｔ％、Ｃ
ｏ含有量は６７．４〜７８．５ｉｔ％、より好ましくは
６７．５〜７８ｉｔ％である。　ＴがＦｅおよびＣＯに
加え、他の元素の１種以上を含む場合、他の遷移金属元
素の１種以上は、通常、総計で最大２５ａｔ％まで含有
することができる。

これ以上の含有量となると、Ｂｓが低下し、表面性が悪
くなる等の不都合が生じる。

このような元素の１例としてはＮｉがある。

Ｎｉ添加は、ＣＯを置換して、材料コストを低減する等
の効果があるが、Ｎｉ１ｌが増大するとＢｓが減少する
ので、Ｎｉ含有量は、好ましくは８ｉｔ％以下である。

一方、他の元素の１挿具−ヒとしては、鉄族（Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ）以外の遷移金属元素であってよいが、鉄族以
外の遷移金属元素の１種以上は、総計１２ａｔ％以下で
あることが好ましい。　このとき、Ｂｓの低下は少なく
、各添加元素特有のすぐれた効果が実現する。

このような元素としては、特に、Ｒｕ。

Ｃｒ、Ｔｉのうちの１種以上が好ましい。

特に、０．５〜８ａｔ％のＲｕを添加すると。

耐摩耗性が向上し、表面性や打抜加工性等が向トする。

また、１〜８ａｔ％のＣｒを添加すると、耐食性が向上
する。

そして、０．５−８ａｔ％のＲｕと、１〜８ａｔ％、特
に２〜６ａｔ％のＣｒを併用添加すると、これらの効果
はさらに向上し、より好ましい結果を得る。

また、０．０５〜２ａｔ％ｃ７）　Ｔ　ｉを、これらに
かえ、より好ましくはこれらに加えて添加するとより好
ましい結果をうる。

さらに、これらＲｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等に加え、Ｔａ
、Ｗ、Ｍｏ等の１種以上を含有させることもできる。

なお、このようにＦｅ、Ｃｏ以外の他の遷移金属元素を
含有させる場合、これらの総計は２０ａｔ％以下となり
、Ｇｏ含有量が４７．４〜７８．５ａｔ％、より好まし
くは４７．５〜７８ａｔ％、またＦｅ含有量が１　、５
〜５　、６ａｔ％、より好ましくは、２〜５．５ａｔ％
となることが好ましい。

これに対し、ガラス化元素成分Ｘは、Ｂ、あるいはＳｉ
およびＢを必須成分とする。

この場合、Ｂ含有量が３．３〜２７８ｔ％、Ｓｉ含有量
がＯ〜１６．２ａｔ％となると、Ｂｓが高くなり、薄板
の表面性が向−トし、好ましい結果を得る。

そして、Ｂ含有量が１４．１〜２６．９ａｔ％、Ｓｉ含
有量が０．１〜５．４ａｔ％となると、Ｂｓがさらに高
くなり、表面性もさらに向上し、ざらにＲｕ、Ｃｒ等の
添加元素の添加効果も顕著となり、より好ましい結果を
得る。

なお、ガラス化元素成分Ｘ中には、必要に応じ、Ｓｉお
よびＢ以外の他の元素の１種以上が含まれていてもよい
、ただ、その総計が０．５ａｔ％を越えると非晶質化し
にくくなるので、その含有量は０．５ａｔ％以下である
ことが好ましい。　以−Ｌ詳述したような組成をもつ薄
板は、実質的に長範囲規則性をもたない非晶質体である
。　また、板厚は、概ね、１０〜２００　ｐｍ程度であ
る。　このような非晶質磁性合金薄板は、公知の高速急
冷法に従い製造される。

すなわち、対応する組成の合金を、気相または液相から
超急冷する。　この場合、通常は。

合金を融液となし、液相から１０４℃／　ｓ　ｅ　ｃ以
上１適常１０４〜１０６℃／　ｓ　ｅ　ｃ　ｔｙ）冷却
速度で超急冷し、固化させることによって非晶質磁性合
金を得る。

溶融状態の合金を超急冷するには、溶融合金をノズルか
ら噴射させ、双ロール法、片ロール法、遠心急冷法等公
知の種々の方式、なかでも片ロール法に従い急冷すれば
よい。

このような非晶質磁性合金薄板は、それを好ましくは絶
縁性接着剤層を介して積層して、所望の形状のコア半体
とされ、これを後述のように突き合わせて磁気ヘッド、
特にフロッピーディスク用、ビデオ映像用等の磁気ヘッ
ドとされる。

あるいは、薄板を積層せず、薄板自体を所♀の形状のコ
ア半体となし、このコア半体を突き合わせて磁気ヘッド
、特にフロッピー用、ビデオ用等の磁気ヘッドとされる
。

このような磁気ヘッド用コア半体は、通常以下のように
して作製される。

まず、好ましくは、超急冷法によって得られた薄板に対
し、所定の熱処理を施す。

この熱処理としては、例えば′、結晶化温度未満、キュ
リ一点以上の温度で施す無磁場中での、特に内部歪取り
を目的とする焼鈍処理でもよく、また、結晶化温度およ
びキュリ一点未満の温度で行う、歪取りと磁気特性の改
良を目的とする磁場中での焼鈍処理であってもよい。

そして、この後者の磁場中での焼鈍処理としては、＾）
磁場、回転磁場等のいずれかを用いてもよい、　これら
焼鈍熱処理およびその条件は、非晶質磁性合金の組成と
所望の磁気特性とから、適宜選択して行えばよい。

次いで、通常は、このような非晶質磁性合金薄板を金型
により打抜き、所定の形状となし、一般に、その複数枚
を絶縁性接着剤により所定トラック巾となるよう積層し
て、コア半体を作製する。

なお、コア半体１１は、第１図、第２図に示されるよう
な１字状、Ｃ字状等公知の種々の形状とすればよい。

次いで、これらコア半体は、以下のようなギャップ材を
介してつきあわされ、磁気ヘッドとされる。

すなわち、第１図、第２図に１例として示すようにコア
半体ｌｌ上の少なくともギャップ端面には、Ｓｉ、Ｂの
うちの１種以上からなる第１層２２を設層する。

この第１層２２は、Ｓｉ、Ｂの単一元素や合金を用いて
スパッタリング法や蒸着法を用いて設層することができ
る。

このような第１層は、Ｓｉ、Ｂ単独でも良い。

またＳｉ、Ｂの２種でもよいが、そのときには、添加元
素は、主たる元素の１０ｗｔ％以下、より好ましくは５
ｗｔ％以下であることが好ましい。

このような第１層成分は、酸素との親和力の大きい元素
からなるので、非晶質磁性合金の表面の酸化膜と相互拡
散をして、高い密着強度を得ることができる。

一般に、相異なる成分の膜を積層する場合、多層股間に
共通の元素がないときには、薄膜形成の初期の段階で、
同軸成長が行なわれるので、格子歪が大きくなり、薄膜
に残留応力が導入されてしまう。

これに対し、下地層成分Ｓｉ、Ｂは、非晶質合金基材元
素と共通のものであるので、成膜時の格子歪が小さく、
残留応力が導入されることが回避される。

なお、２種以上の元素を含むとき、添加分が１０ｗｔ％
以上になると金属間化合物と共晶合金になり、熱膨張係
数の差異により、薄膜にクラックが入りやすいので１０
ｗｔ％以下とすることが好ましい。

被着に際しては、第１ＮＩとコア半体の密着強度をあげ
るために被着体（コア半体）の温度をあげるのがよい、
　温度は、被着体の結晶化温度以下である必要があり、
好ましくは２５０℃以下である。

なお、第１層と磁気ヘッドを形成する非晶質磁性合金材
料の熱膨張係数に差異があると、薄膜に応力が残留し、
薄膜にクラックが入るか、さらにすすんでコア半体から
薄膜が剥離してしまう。　しかし、Ｓｉ、Ｈの少なくと
も１挿具りからなる薄膜は、熱膨張係数６０〜１５０×
１０−６　（”（１）−１であるので、このような不都
合はない。

このような第１層の厚みとしては、０．０１−１．０ｇ
＋ｉ、特に好ましくは０．０１〜０゜５μ層であること
が好ましい。

膜厚が、１．０ｇｍをこえると、十分な接着強度を得る
ためのｌｔ中間層としての効果が失われるためである。

つまり、第１層成分は酸化されやすい元素であるので、
高温高湿（例えば４０℃　９０％ＲＨ）で保存すると、
薄膜が酸化され、ギャップ強度が弱くなり、また体積膨
張し、磁気ギヤップにクラックが入ってしまい、特性の
劣化をまねく。

また、膜厚が０　、０１　ｇｔａより少ないと、十分な
密着強度が得られないからである。

このような第１層２２上には酸化アルミニウム（通常、
Ａｕ２０３）、酸化ジルコニウム（通常、Ｚｒ０２）、
酸化マグネシウム（通常、Ｍｇ０）、チタン酸バリウム
（通常、Ｂａ２Ｔｉ０４）のうちの少なくとも１種以上
からなる第２層２４を設層する。

この第２層は、対応する酸化物を用いて、スパッリング
などにより設層することかでさる。

また、対応する金属ないし合金から、０２を用いる反応
性スパッタリングによって設層することもできる。

このような薄膜は、Ａ１２０３　　、Ｚ　ｒ０２　　。

ＭｇＯ，Ｂａ２ＴｉＯ４単独でもよい。

あるいは、これらの２種以上であってもよい。

２種ないし４種であるときには、添加酸化物は、主たる
酸化物の２０ｗｔ％以下、より好ましくは１０ｗｔ％で
あることが好ましい。

この場合、Ａｕ２０３　　、Ｚ　ｒ０２　　、ＭｇＯ。

Ｂａ２ＴｉＯ４は、化学量論組成から多少偏倚したもの
をも含むものである。

このような下地層成分は、Ｓｉ、Ｂ薄膜第１層、ないし
それを介しての非晶質磁性合金の表面の醜化膜、あるい
は上層のガラス薄膜と相互拡散をして、高い密着強度を
得ることができる。

なお、２種以上の酸化物を含むとき、添加分が２０ｗｔ
％以上になると、第１層、非晶質磁性合金、ガラス薄膜
との相互拡散が阻害され、また、薄膜形成時に格子歪が
生じやすく、薄膜にクラックが入りやすいので、２０ｗ
ｔ％以下とすることが好ましい。

被着に際しては、薄膜とコア半体との密着強度をあげる
ために被着体（第１暦被着ずみのコア半体）の温度をあ
げるのがよい、　温度は、被着体の結晶化温度以下であ
る必要があり、好ましくは２５０℃以下である。

なお、この第２層薄膜と非晶質磁性合金材料および第１
層の熱膨張係数に差異があると、第２層薄膜に応力が残
留し、薄膜にクラックが入るか、さらにすすんでコア半
体から薄膜が剥離してしまう。

しかし、上記の酸化物の少なくとも１種以上からなる飾
膜は、熱膨張係数的１２０　Ｘ　１０−７（”Ｃ）−１
であるので、このような不都合はない。

このような８２層薄膜の厚みとしては、０゜０５〜２．
０μｍ、特に好ましくは０．０１〜１．６μｍであるこ
とが好ましい。

膜厚が２．ＯｊＬｍをこえると、ナローギャップをうろ
ことができず、また十分な接着強度を得るための中間層
の効果が失われるためである。

また、膜厚が０．０５．腸より少ないと、十分な密着強
度が得られないからである。

このような第２層２４上にはガラス薄膜３２を積層する
。

本発明では、ガラス薄［３２は例えば、低融点ガラス、
例えばＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系のガラスを用いる。

コノ場合、Ｐｂ０８０　〜９０ｗｔ％、Ｂ２０３　２０
〜１０ｗｔ％程度が好ましい。

そして、必要な場合には融点を下げる元素としてＢｉ２
Ｏ３やｖ２０ｓ等を加えて、所望の融点の低融点ガラス
とする。

ガラス薄膜は、通常、スパッタリングにより、積層する
。

ガラス薄Ｈ３２は、第２層２４と良好に接着し、充分強
固なギャップを形成する。　　し　かも、第２層薄膜上
に設層する際に、醇化物薄膜を損傷しない。

ガラス薄膜の軟化温度は５００〜７００”Ｃであること
が好ましい。

さらに、ガラス薄膜の厚みは、所望の磁気ギャップ長の
０．０５〜０．７程度であることが望ましい。

ガラス薄膜層が薄い場合、ギャップ長の０゜０５未満で
あると、強固な接着強度が得られない。

また、０．７より大であると、中間層である第１層、第
２層ｓＩＩ！Ｊにより、ガラス薄膜層形成時の応力を吸
収することができず、小さなりラックが入ってしまう。

この場合、ガラス薄膜の厚みは、ギャップ長の、好まし
くは、０．１〜０．６である。

なお、ガラス薄膜の厚みは、０．１〜１．０μｌである
ことが好ましい。

このようにして、少なくとも前部および後部ギャップ突
き合わせ面に、第１暦２２と、第２層２４と、ガラスＭ
Ｍ３２とを形成したコア半体１１はギャップ突き合わせ
面を突き合わせてて一体化される。

この際、ＷＩＪＳ図に示されるようにガラス薄膜３２．
３２間にはガラス質３４を配設する。

そして、これを熱処理して磁気ヘッドを形成する。

この場合、ガラス質３４は、前部および後部ギャップ１
４．１５に配設する。

ここで用いるガラス質は、低融点ガラスを用いる。

この場合、その軟化温度は３００〜５００℃が好ましい
。

組成としては、特に、ＰｂＯ−８２０３系のガラスが好
適である。　　そして、通常Ｐｂ０８０〜９０ｖｔ％、
Ｂ２０３　１０〜２０ｗｔ％とし、他に添加物としてＢ
ｉ２Ｏ３または■２０３などを添加して所望の軟化温度
に調整する。

このような低融点ガラスからなる粒状のガラス質３４を
、ガラス薄膜３２を積層した両ギャップ突合せ部近傍に
配設した後、ａａ気ココア全体３００〜５００℃で熱処
理する。　これにより、ガラス薄膜３２を積層したギャ
ップ突合せ面を融着し、ガラス膜とする。

ガラス薄膜を、機械的に充分接着し、しかも他のコア本
体や第１層ないし第２層を損傷しないためには、熱処理
温度がガラス質の軟化温度から溶融温度であることが必
要である。

以上のようにして形成されたギャップは全体として４ｇ
ｍ以下であることが好ましく、よりｔｌｆましくは０　
、５〜２−０．ＬＬＩである。　このとき、本発明の効
果はより顕著に実現する。

なお第１層２２と、第２層２４と、ガラス薄＋！！２３
２との膜厚の総計は、全体として、所望とする磁気ヘッ
ドのギャップ長と等しいが、または１．２倍以下とする
ことが必要である。

このように作製される磁気ヘットはフロッピーディスク
用の用途において、きわめて有用である。

なお、１ｇ４図には、第１図、＄２因に示されるコア半
体を、第３図に示されるように突き合わせてなる２つの
コアをスペーサー１６を介して−化して、３ギヤツプ型
のフロッピーヘッドとした例が示される。

■　発明の具体的作用効果 本発明のＳｉ、Ｈの少なくとも１挿具トからなる第１層
と、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネ
シウム、チタン酸バリウムの少なくとも１種以上からな
る第２層と、ガラス膜とからなるギャップを有する磁気
ヘッドは、以下のような効果を有する。

すなわち、第１層と、第２Ｗ！Ｉは比抵抗が小さいので
、高周波帯域にて渦電流を生じ、そのために磁気ギャッ
プの磁気抵抗が大きくなり、磁気ギャップからのもれ磁
界もシャープになり磁気再生効率が良好であり、オーバ
ーライド特性や、分解能や、ピークシフト特性や、消去
特性が良好である。

本発明における磁気ギャップは、第１！Ｊ、第２層およ
びガラス膜の密着強度がきわめて高く、劣慈な条件下で
長時間走行させたり、保存した場合でも、磁気ギャップ
からのもれ磁界をシャープに保つことができ、オーバー
ライド特性壱、分解能や、ピークシフト特性や、消去特
性がよく、高密度記録を行うことができ高温高湿の使用
ないし保存条件にも耐えられる。

■　発明の具体的実施例 以下に実施例をあげて、本発明をさらに詳細に説明する
。

実施例 ７０　（５、５Ｆｅ−９４，５Ｃｏ）　−２４（ｌＯ５
ｉ　−９ＯＢ）　−６Ｒｕからなる合金を用い１片ロー
ル法によって非晶質磁性合金薄板を得た。　板厚は５０
　ＩＬｍとした。

この非晶質磁性合金薄板を焼鈍処理し、内部φ取りを行
った後、第１図、第２図に示されるコア半体をえた。

このコア半体上に、スパッタリングにより、下記、表１
に示される組成を膜厚０．０５ｇ＋ｓにて被着し第１暦
とした。

次に、表１に示される酸化物を用いスパッタリング法で
、膜厚０．５μ薦の第２層を成膜した。

なお、表１中、第１層、第２４の組成は、ｗｔ％である
。

次に、第３層として、コーニング社製（Ｃ−１４ｌ６）
を膜厚０．２＃Ｌ腸に設層した。　この軟化温度は５８
０℃である。

以上のコア半体をつきあわせ、ビーズ状のガラス質〔コ
ーニング社製ガラス（８４６３））を、第３図に示され
るように、磁気ギャップ近傍に設置し、温度４００℃に
て熱処理して、ＷＩＪ４図に示されるようなスリーギャ
ップの磁気ヘッドとした。

ギャップ長は１．５Ｆｍである。

別に比較のために、ギャップ材として、１゜５ルｍ厚の
Ｔｉ箔を用い、熱硬化性樹脂で固着して磁気ヘッドを作
製した。

これら各サンプルについて以下の測定を行なった。

ｌ）分解能 内周を１２．５ＫＨｚ（この際の出力をＩＦとする）で
書き込みを行い、外周を２５０ＫＨｚ（この際の出力を
２Ｆとする）で書き込み、録再の出力を測定して２Ｆ／
ＩＦを百分率で示し、分解能とする。

この分解能を初期のものと２００パス後のもので測低す
る。

２）オーバーライド（０マｅｒ　ｗｒｉｔｅ）特性１２
５Ｋ）１２（出力＝ｌＦ）で書き込みを行った後に、２
５０Ｋ）Ｉｚ（出力＝２Ｆ）で消去しながら書き込みを
行い（重ね書き）、２Ｆを書き込み後のＩＦの出力ＩＦ
’を測定する。

１Ｆ′／２Ｆをオーバーライド特性として表す、　単位
はｄＢである。　この消去率を初期のものと２００パス
後のもので測定する。

３）消去特性 所定トラックにＩＦの信号を書き、その出力をＶ　とす
る、　その後、磁気ヘッドを所ｆ 定長移動し、消去して、前のトラック位置に磁気へ一２
ドを戻して、記録する。　その出力をＶｅとすると、　
　２０　１　ｏｇ　Ｖ　ｅ　／　Ｖ　１ｒとして算出す
る。

これを初期と２００パス後で測定する。

４）保存性 ４０℃、９０％ＲＨで、２４０時間後の上記のオーバ−
ライト特性の変化率を測定する。

５）ピークシフト特性 同一パルスを同一パターンでくりかえし記録し、再生し
たのち、これをさらにパルス波形に変換する。　このと
きのもとのパルス波形のパルス巾と再生パルスのパルス
ｌＪとの変化率を％で表わす。

これらの結果を表１に示す。

表１に示される結果により本発明の効果が明らかである
。

すなわち本発明の組成、膜厚からなるギャップ材からな
る磁気ヘッドは初期、多数回走行後、劣悪な条件下での
保存後とも、すぐれた分解部、オーバーライド特性、ピ
ークシフト特性および消去特性を示すことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のコア半体の１例を示す斜視図、第２図
は本発明のコア半体の別の例を示す斜視図である。 第３図は、第１図に示すコア半体と第２図に示すコア半
体を突き合わせたときの正面図、第４図は、第３図に示
すコアからなるスリーヘッド型の磁気ヘッドを示す斜視
図である。 １１・・・コア本体 ２２・・・第１層 ２４・・・第２層 ３２・・・ガラス薄膜 ３４・・・カラス質

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材
   を介してつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて
   、 ギャップ材が、両コア半体の少なくとも ギャップ面に被着されたＢおよびＳｉのうちの少なくと
   も１種以上からなる第１層と、この第１層上に被着され
   た酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシ
   ウムおよびチタン酸バリウムの少なくとも１種以上から
   なる第２層と、この第２層間に介在するガラス膜とから
   なることを特徴とする磁気ヘッド。 （２）第１層の膜厚が０．０１〜０．５μｍである特許
   請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド。 （３）第１層が、ＢまたはＳｉ単独からなるか、あるい
   はＳｉおよびＢのうちの１種と他の１種１０ｗｔ％以下
   とからなる特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
   磁気ヘッド。 （４）第２層の膜厚が０．０５〜２μｍである特許請求
   の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の磁気ヘッ
   ド。 （５）第２層が、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム
   、酸化マグネシウムまたはチタン酸バリウム単独からな
   るか、あるいは酸化アルミニウ、酸化ジルコニウム、酸
   化マグネシウムおよびチタン酸バリウムのうちの１種と
   他の１〜３種２０ｗｔ％以下とからなる特許請求の範囲
   第１項ないし第４項のいずれかに記載の磁気ヘッド。 （６）ガラス膜が、ガラス薄膜を第２層上に設層し、し
   かもガラス薄膜間にガラス質を配設した後、熱処理して
   形成される特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
   かに記載の磁気ヘッド。 （７）ガラス薄膜が、軟化温度５００〜７００℃である
   特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の
   磁気ヘッド。 （８）ガラス質が、軟化温度３００〜５００℃である特
   許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の磁
   気ヘッド。 （９）ガラス薄膜の厚みが、ギャップ長の ０．０５〜０．７である特許請求の範囲第１項ないし第
   ８項のいずれかに記載の磁気ヘッ ド。 （１０）ガラス薄膜の厚みが、０．１〜１μｍである特
   許請求の範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の磁
   気ヘッド。 （１１）熱処理温度が、ガラス質の軟化温度から溶融温
   度である特許請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれ
   かに記載の磁気ヘッド。 （１２）磁気ヘッドのギャップ長が、４μｍ以下である
   特許請求の範囲第１項ないし第１１項のいずれかに記載
   の磁気ヘッド。 （１３）第１層、第２層およびガラス薄膜の膜厚の総計
   が、所望とする磁気ヘッドのギャップ長と等しいか、ま
   たは１．２倍以下であるように設層する特許請求の範囲
   第１項ないし第１３項のいずれかに記載の磁気ヘッド。 （１４）非晶質磁性合金がＦｅとＣｏとＢまたはＢおよ
   びＳｉとを主体とし、Ｒｕ、ＣｒおよびＴｉの１種以上
   を含む組成からなる特許請求の範囲第１項ないし第１３
   項のいずれかに記載の磁気ヘッド。