JPS6116002A

JPS6116002A - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPS6116002A
Application number: JP13551584A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Ooya; 大矢　一雄; Masao Kakizaki; 柿崎　征夫; Sadao Iwatani; 岩谷　貞夫
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1984-06-30
Filing date: 1984-06-30
Publication date: 1986-01-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　技術分野本発明は磁気ヘッド、特に非晶質磁性合金を用いたフロ
ッピーディスク等のデジタル記録に用いるナローキャッ
プ型の磁気ヘッドに関するものである。

ＩＩ　　先行技術近年、情報機器の性能の向上とＯＡ化が進むなかで記録
媒体の１つであるフロッピーディスクの高性能化と小型
化が望まれている。

このような要求に応えて、８インチのフロッピーディス
クからさらに小型化された５、２５インチのフロッピー
ディスクが開発されてきた。

また、最近さらに小型化し、記憶容量も８インチフロッ
ピーディスクと同容量の３．５インチのマイクロフロン
ピーディスク（ＭＦＤ）が実用化に向けて開発されてい
る。

このように小型化し、かつ大記憶容量をもったフロンピ
ーディスクを実現するには、高密度記録を実現しなけれ
ばならない。　高密度記録を実現するには、記録媒体と
磁気ヘッドとに関して新たな特性が要求される。

記録媒体では性能向−１−の１つとして高保磁力の磁性
材料の開発が必要になっている。

磁気へントにも新たに特性の向−トが要求される。　従
来、フロッピーディスク用の磁気ヘットは、フロッピー
ディスクの実用化の初期の段階では磁気ヘッド用コア材
にパーマロイが使用されていた。

しかし、パーマロイでは種々の問題がある。

例えば、フロ・ンピーヘッドの使用周波数帯域（１２５
ＫＨｚ　〜２５０ＫＨｚ）とオーディオヘッドの使用周
波数帯域（２０ＫＨｚ以下）を比較すると、フロンピー
ヘットの使用周波数帯域は高周波数の帯域である。

しかし、パーマロイは比抵抗が５０〜１５０川ΩＣｍと
小さいので、高周波帯域での実効透磁率は急激に減少し
、再生出力、Ｓ／Ｎ比、分解能等の磁気特性が悪くなる
。

他方、同じく多様されているフェライトは比抵抗ｌ×１
０６ｐＬΩ　ｃｌｌと大きく、しかも磁気キャップもガ
ラス溶着法を用いるので、強固な狭磁気ギャップが製造
できる。

したがって、最近ではフロッピー用磁気ヘットのコア材
は、フェライトが主に使用されている。　そして、高密
度記録は、磁気ヘッドのコア材にフェライトを用いるこ
とによって、ある水準までは達成することができる。

ところで、さらに高密度記録を達成するためには、磁気
記録媒体であるフロッピーディスクの保磁力（Ｈｅ）は
初期の頃のＨｃ＝２７００ｅ（磁性体としてγ−Ｆｅ２
Ｏ３を使用）から、高保磁力の記録媒体（磁性体として
ＣＯをドープしたＣＯ−γ−Ｆｅ２Ｏ３を使用）のＨｃ
　＝　６３０　０８に移行している。

そして、さらに合金粉を磁性体としだ高保磁力の記録短
体ではＨｃ　＝　１３００　０ｅに至っている。

従って、磁気へント用コア材はこのような高保磁力記録
媒体に記録するために、高飽和磁束密度をもち、かつ高
周波帯域において実効透磁率か減少しない材料の開発が
必要になってきた。

このため、磁気ヘッド用コア材としてセンダストと非晶
質合金とが注目されている。

これらの材料は、フェライトと比較すると飽和磁束密度
も大きいので、高保磁力記録媒体への記録も可能になる
。

しかし、磁気ヘッドの問題は、コアの材質の磁気特性だ
けの問題でなく、信頼性の点から強固なナローギャップ
を有する磁気ヘッドのギャップ製造法の確立も必要であ
る。

センタストについては、銀ロウ溶接による接合が検討さ
れている。

しかし、非晶質合金の場合には、結晶化温度が低いので
、一定温度以上の処理ができない。

特開昭５５−１１０２４１号のように２．３の磁気ギャ
ップ製造方法に関する提案もあるが未だ十分な解決をみ
るには至っていない。

ナローギャップで高磁束密度の磁気ヘッドを実現する際
には、作製時の性能とともに、経時的な劣化が問題にな
る。

すなわち、非晶質磁性合金コア材とギャップ材との相対
的な温度特性、接着性または固着性、残留応力、比抵抗
等によって電磁変換特性が、経時的に、あるいは゛多数
回の走行により劣化する。

例えば、特にギャップ長の安定度と関係のある１分解能
、オーバーライド特性、消去特性等に大きな問題があっ
た。

■発明の具体的目的本発明は、前記の問題を解決するためになされたもので
ある。

すなわち、非晶質合金を用いた磁気ヘッドにおいて、狭
キャップ長の強固な磁気ギャップを有し、分解能がよく
、高密度記録が可能であり、しかも長時間使用ないし保
存しても電磁変換特性、特に分解能やオーバーライド特
性や消去特性等が劣化しない磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。

このような１］的は、下記の本発明によって達成される
。

すなわち本発明は、非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材を介し
てつきあわせ一体化してなる磁気ベントにおいて。

ギャップ材が、両コア半体の少なくともギャップ面に被
着されたＣｒ、ＴｉおよびＺｒのうちの少なくとも１種
以−Ｌからなる第１層と、このｆＪＳ１層Ｉ−に被着さ
れたＣｕまたはＣｕ合金からなる第２層と、この第２層
間に介在するガラス膜とからなることを特徴とする磁気
ヘットである。

■　発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気ヘッドにおけるコアは、通常、非晶質磁性
合金の薄板から形成される。

非晶質磁性合金をコア材として用いるときには、コアと
しての特性が良好で、またきわめて長期にわたる使用に
よってもヘッドの媒体摺接面の偏摩耗が少なく、周波数
特性や出力レベル変動が少ない点で、良好な結果を得る
。

コア材として、非晶質磁性合金薄板を用いる場合、その
組成としては、磁気へ一／　トのコア用のものとして知
られている種々の組成であってもよいが、特に飽和磁束
密度Ｂｓが高く、高保磁力磁気記録媒体に好適であると
いう点で、下記式ＣＩ）で示される組成であることが好
ましい。

式ＣＩ）ＴｘＴｙ上記式中において、Ｔは、ＦｅおよびＣｏ、またはＦｅ
およびＣｏと他の遷移金属元素の１種以上との組合せを
表わす。

この場合、必要に応しＦｅおよびＣｏとともに組合せ添
加される他の添加元素は、ＦｅおよびＣＯ以外の他の遷
移金属元素（Ｓｃ−Ｚｎ；Ｙ−Ｃｄ　；　Ｌａ−Ｈｇ　
：　Ａｃ以上）であり、例えｌｆＮ　ｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏ５，Ｉｒ、Ｐｔ等（７）１種類以上をそ
の具体例として挙げることができる。

一方、Ｘは、Ｂ’、　Ｓ　ｉおよびＢ、またはＢもしく
はＳｉおよびＢと他のガラス化元素の１種類以上との組
合せを表わす。

この場合、必要に応し、Ｂ、またはＳｔおよびＢととも
に組合せ添加される他のガラス化元素の例としては、Ｐ
、Ｃ，Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｎ等の１種類以上を挙げることが
できる。

他方、上記式ＣＩ）において、ｘ＋ｙ＝　ｔ　。

Ｏａｔ％であり、ｙは２０〜２７ａｔ％である。すなわ
ち、ＦｅおよびＣｏを必須成分とする遷移金属元素性分
量Ｘは７３〜８０ａｔ％であり、ＢまたはＳｉおよびＢ
を必須成分とするガラス化元素成分量ｙは２０〜２７ａ
ｔ％である。ｙが２０ａｔ％未満となると、非晶質化が
困難となり、また、２７ａｔ％を越えると残留磁束密度
Ｂｓが減少してしまう。

さらに、遷移金属元素成分中の必須成分ＦｅおよびＣｏ
の含有量は、それぞれＦｅ；１．５〜５．６ａｔ％およ
び、Ｃｏ　；　４５〜７８　、５ａｔ％ある。

Ｆｅ含有量が１．５ａｔ％未満（Ｃｏ含有量が７８．５
ａｔ％より大）、あるいは５．６ａｔ％を越えると、磁
歪が大きなものとなってしまい、また透磁率が減少する
。

Ｃｏが４５ａｔ％未満となるとＢｓが減少してしまう。

゛この場合、上記式ＣＩ）において、Ｔは、上記含有量範
囲内にて、ＦｅおよびＣＯのみからなっても、ＦｅとＣ
Ｏと上記した他の添加元素の１種以上からなってもよい
。

ＴがＦｅとＣＯのみからなる場合、Ｆｅ含有量は、１．
５〜５．６ａｔ％、より好ましくは２−５．５ａｔ％、
Ｃｏ含有量は、６７．４−７８．５ａｔ％、より好まし
くは６７．５〜７８ａｔ％である。ＴがＦｅおよびＣｏ
に加え、他の元素の１種以上を含む場合、他の遷移金属
元素の１種以上は、通常、総計で最大２５ａｔ％まで含
イ１することができる。

これ以上の含有量となると、Ｂｓが低下し、表面性が悪
くなる等の不都合が生じる。

このような元素の１例としてはＮｉがある。

Ｎｉ添加は、Ｃｏを置換して、材料コストを低減する等
の効果があるが、Ｎｉ量が増大するとＢｓが減少するの
で、Ｎｉ含有量は、好ましくは８ａｔ％以下である。

一方、他の元素の１挿具」二としては、鉄族（Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ）以外の遷移金属元素であってよいが、鉄族以
外の遷移金属元素の１種以上は、総計１２ａｔ％以下で
あることが好ましい。　このとき、Ｂｓの低下は少なく
、各添加元素特有のすぐれた効果が実現する。

このような元素としては、得に、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉのう
ちの１挿具」−が好ましい。

特に、０．５〜８ａｔ％のＲｕを添加すると、耐庁耗性
が向上し、表面性や打抜加工性等が向上する。

また、１〜８ａｔ％のＣｒを添加すると、耐食性が向上
する。

そして、０．５−８ａｔ％のＲｕと、ｌ−８ａｔ％、特
に２〜６ａｔ％のＣｒを併用添加すると、これらの効果
はさらに向トし、より好ましい結果を得る。

また、０．０５−２ａ、ｔ％のＴｉを、これらにかえ、
より好ましくはこれらに加えて酷加するとより好ましい
結果をうる。

さらに、これらＲｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等に加え、Ｔａ
、Ｗ、Ｍｏ等の１種以上を含有させることもできる。

なお、このようにＦｅ、Ｃｏ以外の他の遷移金属元素を
含有させる場合、これらの総計は２０ａｔ％以下となり
、Ｃｏ含有量が４７．４〜７８．５ａｔ％、より好まし
くは４７．５〜７８ａｔ％、またＦｅ含有量が１．５〜
５．６ａｔ％、より好ましくは、２〜５．５ａｔ％とな
ることが好ましい。

これに対し、ガラス化元素成分Ｘは、Ｂ、あるいはＳｉ
およびＢを必須成分とする。

この場合、Ｂ含有量が３．３〜２７ａｔ％、Ｓｉ含有量
がＯ〜１６．２ａｔ％となると、Ｂｓが高くなり、薄板
の表面性が向上し、好ましい結果を得る。

そして、Ｂ含有量が１４．１〜２６．９ａｔ％、Ｓｉ含
有量が０．１〜５．４ａｔ％となると、Ｂｓがさらに高
くなり１表面性もさらに向上し、さらにＲｕ、Ｃｒ等の
添加元素の添加効果も顕著となり、より好ましい結果を
得る。

なお、ガラス化元素成分Ｘ中には、必要に応じ、Ｓｔお
よびＢ以外の他の元素の１種以上が含まれていてもよい
。ただ、その総計が０．５ａｔ％を越えると非晶質化し
にくくなるので、その含有量は０．５ａｔ％以下である
ことが好ましい。　以上詳述したような組成をもつ薄板
は、実質的に長範囲規則性をもたない非晶質体である。

　又、板厚は、概ね、１０〜２０．０Ｂｍ程度である。

　このような非晶質磁性合金薄板は、公知の高速急冷法
に従い製造される。

すなわち、対応する組成の合金を、気相または液相から
超急冷する。　この場合、通常は、合金を融液とな、し
、液相から１０４℃／　ｓ　ｅ　ｃ以Ｊ二、通常１０４
−１０６℃／　ｓ　ｅ　Ｃ（７）冷却速度で超急冷し、
固化させることによって非晶質磁性合金を得る。

溶融状態の合金を超急冷するには、溶融合金をノズルか
ら噴射させ、双ロール法、片ロール法、遠心急冷法等公
知の種々の方式、なかでも片ロール法に従い急冷すれば
よい。

このような非晶質磁性合金薄板は、それを好ましくは絶
縁性接着剤層を介して積層して、所望の形状のコア半体
とされ、これを後述のように突き合わせて磁気ヘッド、
特にフロッピーディスク用、ビデオ映像用等の磁気ヘッ
ドとされる。

あるいは、薄板を積層せず、薄板自体を所望の形状のコ
ア半体となし、このコア半体を突き合わせて磁気ヘット
、特にフロンピー用、ヒデオ用等の磁気へ一／　Ｆとさ
れる。

このような磁気ベント用コア半体は、通糸以下のように
して作製される。

まず、好ましくは、超急冷法によって得られた薄板に対
し、所定の熱処理を施す。

この熱処理としては、例えば、結晶化温度未満、キュリ
一点以」−の温度で施す無磁場中での、特に内部歪取り
を目的とする焼鈍処理でもよく、また、結晶化温度およ
びキュリ一点未満の温度で行う、歪取りと磁気特性の改
良を目的とする磁場中での焼鈍処理であってもよい。

そして、この後者の磁場中での焼鈍処理としては、静磁
場、回転磁場等のいずれかを用いてもよい。　これら焼
鈍熱処理およびその条件は、非晶質磁性合金の組成と所
望の磁気特性とから、適宜選択して行えばよい。

次いで、通常は、このような非晶質磁性合金薄板を金型
により打抜き、所定の形状となし、一般に１、その複数
枚を絶縁性接着剤により所定トラ−２り巾となるよう積
層して、コア半体を作製する。

なお、コア半体１１は、第１図、第２図に示されるよう
な１字状、Ｃ字状等公知の種々の形状とすればよい。

次いで、これらコア半体は、珪？のようなキャップ材を
介してつきあわされる。

すなわち、第１図、第２図に１例として示すよう１こコ
ア半体１１上の少なくともギャップ端面には、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｚｒのうちの少なくとも１挿具−にからなる第１層
２２を設層する。

この第１層２２は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの栄−金属や合金
を用いてスパッタリング法や法着法を用いて設層するこ
とができる。

このような第１層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ単独でも良く、
またＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒの２種なＩ／Ｘシ３種であるとき
には、添加元素は、主たる元素のｌ　０ｗｔ％以下であ
ることか好ましい。

このような第１層成分は、酸素との親和力の大きい元素
からなるのｆ、非晶質磁性合金の表面の酸化膜と相互拡
散をして、高い密着強度を得ることができる。

なお、２種以」二の元素を含むとき、スパッタリング法
では過飽和固溶体になりやすいが、添加分が１０ｗｔ％
以−１−になると金属間化合物を形成しやすく、薄膜に
クラックが入りやすいので１０ｗｔ％以下とすることが
好ましい。

この際、磁気ギャップ用の薄膜と磁気ヘッドのコアの密
着強度をあげるために被着体（磁気へラドコア）の温度
をあげるのが良い。　温度は、被着体の結晶化温度以下
である必要があり、好ましくは２５０℃以下である。

なお、第１層と磁気ヘットを形成する非晶質磁性合金材
料の熱膨張係数に差異があると、薄膜に応力が残留し、
薄膜にクラックが入るか、さらにすすんでコア半体から
薄膜が剥離してしまう。　　しかし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ
の少なくとも１種以上からなる薄膜は、熱膨張係数６０
〜１５０Ｘ　１０−’　（’Ｃ）−’テあるので、この
ような不都合はない。

このような第１層の厚みとしては、０．０１−１．０ｇ
ｍ特に好ましくは０．０１−０．５ｇｍであることがａ
ｆましい。

膜ｎが、１．ｏ＃Ｌｍをこえると、十分な接着強度を得
るための中間層の効果が失われるためである。

つまり、ｆｊＩｊ１層成分は酸成分れやすい元素である
ので、高温高湿の（例えば４０℃　９０％ＲＨ）で保存
すると、薄膜が酸化され、体積膨張し、磁気ギャップに
クランクが入ってしまい、特性の劣化をまねく。

また、膜厚が０　、０１　ｐ−ｍより少ないと、十分な
電着強度が得られないからである。

このようなＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒの少なくとも１挿具］二か
らなる第１層上には、第１図、第２図にボされるように
、ＣｕまたはＣｕ合金薄膜からなる第２層２４を、蒸着
やスパッリング法等を用いて設層する。

Ｃｕ合金としてはＭｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｒなどの１種以
上との合金を用いればよい。　Ｃｕと他の合金成分の比
率は１０〜３０ｗ　ｔ％が好ましい。　この場合、特に
Ｃｕ、またはＣｒを２０ｗｔ％以下としたＣｕ合金は好
適である。

蒸着、スパッタリング等の方式は通常の方法を用いて行
えばよい。

この際、磁気キャップ用の薄膜と磁気ヘッドのコアの電
着強度をあげるために被着体の温度をあげるのがよい。

　温度は被着体の結晶化温度以下である必要がありまた
被着後の冷却速度は、１０　／　ｓ　ｅ　ｃ以上である
ことが好ましい。

この際にＣｕまたはＣｕ合金薄膜と磁気ヘッドを形成す
る非晶質磁性合金材料の熱膨張係数に差異があると、薄
膜に応力が残留し、薄膜にクランクが入るか、さらにす
すんで磁気コアから薄膜が剥離してしまう。

しかし、ＣｕまたはＣｕ合金薄膜の熱膨張係数は６０〜
１５０Ｘ　１０−６　（’Ｃ）　−’であるので、後述
のガラス薄膜から生じる熱応力も吸収する効果がある。

　そして、ＣｕまたはＣｕ合金は機械的強度も高く、硬
度もＨｖ　＜　１５０と好適である。

ＣｕまたはＣｕ合金薄膜の厚みは、０．０５〜２．０ｇ
ｍ、牡に０．１−１．６１１−ｍであることか好ましい
。

ＣｕまたはＣｕ合金薄膜からなる第２層２４には、以下
に述べるガラス膜をはさんで、もう一方のコア半体とつ
きあわせて形成されるので、高磁束密度を得るためには
２．０ｐｍ以下であることが必要である。

一ブ〕、ガラス膜および第１層の膜厚との関係から、第
２層は０．０５ｇｍの膜厚で充分である。

このような第２層２４上にはガラス膜３２を積層する。

本発明では、ガラス薄Ｉ１９１３は例えば、低融点ガラ
ス、例えばＰｂＯ−Ｂ２０３系のガラスを用いる。

この場合、ＰｂＯ８０〜９０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３２０〜ｌ
ｏｗｔ％程度が好ましい。

そして、必要な場合には融点を下げる元素としてＢ’１
２０３や■２０５等を加えて、所望の融点の低融点ガラ
スとする。

ガラス薄膜は１通常、スパッタリングにより、積層する
。

ガラス薄膜３２は、ＣｕまたはＣｕ合金薄膜からなる第
２層２４と良好に接着し、充分強固なギャップを形成す
る。　　しかも、ＣｕまたはＣｕ合金薄膜上に設層する
際にＣｕまたはＣｕ合金薄膜を損傷しない。

ガラス薄膜の軟化温度は５００〜７００℃であることが
好ましい。

さらに、ガラス薄膜の厚みは、所望のｆｉｉ気キャップ
長の０．０５〜０．７程度であることが望ましい。

ガラス薄膜層が薄い場合、ギャップ長の０゜０５未満で
あると、強固な接着強度が得られない。

また、０．７′より大であると、中間層であるＣｕまた
はＣｕ合金の薄膜により、ガラス薄膜層形成時の応力を
吸収することができず、小さなりラックが入ってしまう
。

この場合、ガラス薄膜の厚みは、ギャップ長の、好まし
くは、０．１−０．６である。

なお、ガラス薄膜の厚みは、０．１−１．０μｍである
ことが好ましい。

このようにして、少なくとも前部および後部ギャップ突
き合わせ面に、第１層２１と、第２層２４と、ガラス薄
膜３２とを形成したコア半体１１はギャップ突き合わせ
面を突き合わせてて一体化される。

この際、第３図に示ｙれるようにガラス薄膜３２．３２
間にはガラス質３４を配設する。

そして、これを熱処理して磁気へ一／　トを形成する。

この場合、ガラス質３４は、前部および後部ギヤ、プ１
４，１５に配設層する。

ここで用いるガラス質は、低融点ガラスを用いる。

この場合、その軟化温度は３００〜５００℃が々ｆまし
い。

組成としては、特に、ＰｂＯ−Ｂ２０３系のガラスが好
適である。　そして通常ＰｂＯ８０−９０ｗｔ％、Ｂ２
０３　　１０−．２０　Ｗ　ｔ％とじ、他に添加物とし
てＢｉ２Ｏ３またはｖ２　ｏ３などを添加して所望の軟
化温度に調整する。

このような低融点ガラスからなる粒状のガラス質３４を
、ガラス薄膜３２を積層した両ギャップ突合せ部近傍に
配設した後、磁気コア全体を３００〜５００　’Ｃで熱
処理する。　これにより、ガラス薄膜３２を積層したギ
ャップ突合せ面を融着し、ガラス膜とする。

ガラス薄膜を、機械的に充分接着し、しかも他のコア本
体や第１層ないし第２層を損傷しないためには、熱処理
温度がガラス質の軟化温度から溶融温度であることが必
要である。

以上のようにして形成されたギャップは全体として４ｇ
ｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５〜
２．０ｇｍである。　このとき、本発明の効果はより顕
著に実現する。

なお第１層２２と、第２層２４とガラス薄膜３２との膜
圧の総９１は、全体として、所望とする磁気へ７１のギ
ャップ長と等しいか、または１．２倍以下とすることが
必要で□ある。

このように作製される磁気ヘンドはフロンピーディスク
用の用途において、きわめて有用である。

なお、第４図には、第１図、第２図に示されるコア半体
を、第３図に示されるように突き合わせてなる２つのコ
アをスペーサー１６を介して一体化して、３キヤンプ型
のフロンピーヘッドとした例が示される。

■　発明の具体的作用効果本発明のＣｒ、Ｔｉ、Ｚｒの少なくとも１挿具」二から
なる第１層と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２層と、
ガラス膜とからなるキャップを有する磁気ヘンドは、以
下のような効果を有する。

すなわち、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ（７）少なくとも１種以上
からなる第１層と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる第２層
は比抵抗が小さいので、高周波帯域にて渦電流を生じ、
そのために磁気ギャップの磁気抵抗が大きくなり、磁気
ギャップからのもれ磁界もシャープになり磁気再生効率
が良くなる。

同様な理由により、オーバーライド時の消去率、すなわ
ちオーバーライド特性や、分解能や、消去特性も良くな
る。

本発明における磁気ギャップは第１層、第２層のうえに
、さらに、ガラス薄膜を有するので、走行による第１層
および第２層の摩耗が防げるので磁気ギャップの肩がた
れることがなく、劣悪な条件下で長時間走行させたり、
保存した場合でも、磁気ギャップからのもれ磁界をシャ
ープに保つことができ、オーバーライド特性や、分解能
や、消去特性がよく高密度記録を行うことができ高温高
湿の使用条件にも耐えられる。

本発明では第１層、第２層、ガラス薄膜からなるコア半
体の接着に、低融点ガラス質・を用いるので熱処理によ
って、この低融点ガラス質が、ガラス層間を融着し、ガ
ラス層間に拡散することができるのでさらに強固な磁気
ギャップを形成することができる。

■　発明の具体的実施例以下に実施例をあげて、さらに本発明の効果を実証する
。

実施例７０　（５，５Ｆｅ−９４，５Ｇｏ）−２４（１０Ｓ　
ｉ　−９０Ｂ）　−６Ｒｕからなる合金を融液となし、
この融液をノズルから噴射させて、片ロール法によって
１０５℃／　Ｓ　ｅ　Ｃの冷却速度で超急冷し固化させ
ることによって非晶質磁性合金薄板を得た。　板厚５０
μｍとした。

この非晶質磁性合金薄板を焼鈍処理し、内部歪取りを行
った。

この非晶質磁性合金薄板上に、スノくフタリングにより
、下記、表１に示される金属を膜厚０．０５ｐｍにて被
着し第１層とした。

次に、表１に示されるＣｕまたはＣｕ合金を用いスパッ
タリング法で、膜厚０．５４ｔｍの第２層を成膜した。

次に第３層として、コーニング社製（ｃ−１４１６）を
膜厚２０００人に設層した。　この軟化温度は５８０℃
である。

以上のコア半体をそれぞれ第１図、第２図の形状となし
、これらをつきあわせた。

そして、ビーズ状のガラス質〔コーニング社製ガラス（
８４６３））を、第３図に示されるように、磁気ギャッ
プ近傍に設置し、温度４００℃にて熱処理して、第４図
に示されるようなスリーギャップの磁気ヘッドとした。

ギャップ長は１．５ｐＬｍである。

別に比較のために、ギャップ材として、１゜５ｇｍ厚の
Ｔｉ箔を用い、熱硬化性樹脂で固着して磁気ヘッドを作
製した。

これら各サンプルについて以下の測定を行なった。

ｌ）分解能内周を１２５ＫＨｚ（この際の出力をＩＦとする）で書
き込みを行い、外周を２５０ＫＨｚ（この際の出力を２
Ｆとする）で書き込み。

録再の出力を測定して２Ｆ／ＩＦを百分率で示し、分解
能とする。

この分解能を初期のものと２００パス後のもので測低す
る。

２）オーバーライド（０マｅｒ　ｗｒｉｔｅ）特性１２
５ＫＨｚ（出力＝ＩＦ）で書き込みを行った後に、２５
０ＫＨｚ（出力＝２Ｆ）で消去しながら書き込みを行い
（重ね書き）、２Ｆを書き込み後のＩＦの出力ＩＦ′を
測定する。

１Ｆ′／２Ｆをオーバーライド特性として表す。　単位
は’ｄ　Ｂである。　この消去率を初期のものと２００
パス後のもので測定する。

３）消去特性所定トラックにＩＦの信号を書き、その出力をＶ　とす
る。　その後、磁気ヘッドを所ｆ定長移動し、消去して、前のトラック位置に磁気ヘッド
を戻して、記録する。　その出力をＶｅとすると、２０
　　ＩｏｇＶ　ｅ　／Ｖ、、として算出する。

これを初期と２００パス後で測定する。

４）保存性４０’０．９０％ＲＨで、２４０時間後の上記のオーバ
ーライド特性の変化率を測定する。

これらの結果を表１に示す。

表１に示される結果により本発明の効果が明らかである
。

すなわち本発明の組成、膜厚からなるギャップ材からな
る磁気ヘッドは初期、多数回走行後、劣悪な条件下での
保存後とも、すぐれた分解能、オー／ヘーライト特性、
および消去特性を示すことがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のコア半体の１例を示す斜視図、第２図
は本発明のコア半体の別の例を示す斜視図である。第３図は、第１図に示すコア半体と第２図に示すコア半
体を突き合わせたときの正面図、第４図は、第３図に示
すコアからなるスリーヘッド型の磁気ヘッドを示す斜視
図である。１１・・・コア本体２２・・・第１層２４・・・第２層３２・・・ガラス薄膜３４・・・ガラス質

Claims

【特許請求の範囲】

（１）非晶質磁性合金からなるコア半体を、ギャップ材
を介してつきあわせ一体化してなる磁気ヘッドにおいて
、ギャップ材が、両コア半体の少なくともギャップ面に被着されたＣｒ、ＴｉおよびＺｒのうちの
少なくとも１種以上からなる第１層と、この第１層上に
被着されたＣｕまたはＣｕ合金からなる第２層と、この
第２層間に介在するガラス膜とからなることを特徴とす
る磁気ヘッド。
（２）第１層の膜厚が０．０１〜０．５μｍである特許
請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド。
（３）第２層の膜厚が０．１〜２μｍである特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の磁気ヘッド。
（４）ガラス膜が、ガラス薄膜を第２層上に設層し、し
かもガラス薄膜間にガラス質を配設した後、熱処理して
形成される特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の磁気ヘッド。
（５）ガラス薄膜が、軟化温度５００〜７００℃である
特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
磁気ヘッド。
（６）ガラス質が、軟化温度３００〜５００℃である特
許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の磁
気ヘッド。
（７）ガラス薄膜の厚みが０．１〜１μｍである特許請
求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の磁気ヘ
ッド。
（８）熱処理温度がガラス質の軟化温度から溶融温度で
ある特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記
載の磁気ヘッド。
（９）磁気ヘッドのギャップ長が４μｍ以下である特許
請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の磁気
ヘッド。
（１０）第１層、第２層およびガラス薄膜の膜厚の総計
が所望とする磁気ヘッドのギャップ長と等しいか、また
は１．２倍以下である特許請求の範囲第１項ないし第９
項のいずれかに記載の磁気ヘッド。
（１１）非晶質磁性合金がＦｅとＣｏとＢまたはＢおよ
びＳｉとを主体とし、Ｒｕ、ＣｒおよびＴｉの１種以上
を含む組成からなる特許請求の範囲第１項ないし第１０
項のいずれかに記載の磁気ヘッド。