JPS61154125A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61154125A JPS61154125A JP27825384A JP27825384A JPS61154125A JP S61154125 A JPS61154125 A JP S61154125A JP 27825384 A JP27825384 A JP 27825384A JP 27825384 A JP27825384 A JP 27825384A JP S61154125 A JPS61154125 A JP S61154125A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、特に高集積回路の電極用金属配線膜を形成す
る際の半導体装置の製造方法に関する。
る際の半導体装置の製造方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
従来、半導体装置の電極用金属配線膜を形成する場合に
は、第4図に示すように、先ず半導体基板1の表面上に
二酸化シリコン膜2が、気相成長法等により0.7〜1
.2μmの厚さで形成される。この二酸化シリコンvA
2に対して、反応性イオンエツチング法により、半導体
基板1まで到達するコンタクトホール2aが形成される
。さらに、車導体基板1上から、電橋用金属lI3であ
るアルミニューム躾等がスパッタ法により形成される。
は、第4図に示すように、先ず半導体基板1の表面上に
二酸化シリコン膜2が、気相成長法等により0.7〜1
.2μmの厚さで形成される。この二酸化シリコンvA
2に対して、反応性イオンエツチング法により、半導体
基板1まで到達するコンタクトホール2aが形成される
。さらに、車導体基板1上から、電橋用金属lI3であ
るアルミニューム躾等がスパッタ法により形成される。
このようにして形成された電極用金属膜は、コンタクト
ホール2aを通じて半導体基板1に接続されることにな
る。と、ころで、高集積回路の半導体装置の製造では、
コンタクトホール2aを高精度に形成する必要から、前
記のような反応性イオンエツチング法が用いられている
。しかしながら、反応性イオンエツチング法でコンタク
トホール2aを形成した場合、コンタクトホール2aの
側壁部が半導体基板1の表面に対してほぼ垂直になる。
ホール2aを通じて半導体基板1に接続されることにな
る。と、ころで、高集積回路の半導体装置の製造では、
コンタクトホール2aを高精度に形成する必要から、前
記のような反応性イオンエツチング法が用いられている
。しかしながら、反応性イオンエツチング法でコンタク
トホール2aを形成した場合、コンタクトホール2aの
側壁部が半導体基板1の表面に対してほぼ垂直になる。
このため、第4図に示すように、電極用金属膜3をスパ
ッタした際、コンタクトホール2aの側壁部の上部付近
における電極用金属膜3の厚さt2は、二酸化シリコン
膜2の平面上の電極用金属膜3の厚さtlに対して2割
以下になることがある。
ッタした際、コンタクトホール2aの側壁部の上部付近
における電極用金属膜3の厚さt2は、二酸化シリコン
膜2の平面上の電極用金属膜3の厚さtlに対して2割
以下になることがある。
したがって、電極用金属膜3の被覆状態が悪化して、金
属配線膜の抵抗が増加したり、コンタクトホール2aの
側壁部での電極用金属膜3が断線するなどの問題が発生
する。
属配線膜の抵抗が増加したり、コンタクトホール2aの
側壁部での電極用金属膜3が断線するなどの問題が発生
する。
[発明の目的]
本発明の目的は、電極用金属配線を形成するためのコン
タクトホールの側壁部にテーパを形成して、確実で安定
な電極用金属配線膜を形成することができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
タクトホールの側壁部にテーパを形成して、確実で安定
な電極用金属配線膜を形成することができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
[発明の概要]
本発明は、半導体基板上にコンタクトホールを形成した
後、シリケートガラス膜を拡散源として熱処理を施し、
コンタクトホールの側壁部にテーパを形成する。
後、シリケートガラス膜を拡散源として熱処理を施し、
コンタクトホールの側壁部にテーパを形成する。
このようなテーパが形成されたコンタクトホールであれ
ば、半導体基板上に電極用金属配線膜を確実に形成する
ことが可能となる。
ば、半導体基板上に電極用金属配線膜を確実に形成する
ことが可能となる。
[発明の実施例]
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
図は一実施例に係わる半導体装置の断面図であり、第2
図(a)乃至(C)はその製造工程を示す断面図である
。第1図に示すように、本発明の半導体装置は、半導体
基板1上に電極用金属膜3を形成した際、コンタクトホ
ール2aの側壁部における電極用金属膜3を充分な厚さ
t2で形成されたものである。
図は一実施例に係わる半導体装置の断面図であり、第2
図(a)乃至(C)はその製造工程を示す断面図である
。第1図に示すように、本発明の半導体装置は、半導体
基板1上に電極用金属膜3を形成した際、コンタクトホ
ール2aの側壁部における電極用金属膜3を充分な厚さ
t2で形成されたものである。
このような半導体装置は以下のような工程により製造さ
れる。先ず、第2図(a)に示すように、シリコンから
なる半導体基板1の表面上には、厚さ0.7〜1.2μ
m程度の二酸化シリコン膜2が形成される。この二酸化
シリコン膜2の所定の位置が反応性イオンエツチング法
によりエツチングされて、電極接続用のコンタクトホー
ル2aが形成される。次に、同図(b)に示すように、
半導体基板1上にリンシリケートガラス膜(以下PSG
膜と称す)4が気相成長法により形成される。
れる。先ず、第2図(a)に示すように、シリコンから
なる半導体基板1の表面上には、厚さ0.7〜1.2μ
m程度の二酸化シリコン膜2が形成される。この二酸化
シリコン膜2の所定の位置が反応性イオンエツチング法
によりエツチングされて、電極接続用のコンタクトホー
ル2aが形成される。次に、同図(b)に示すように、
半導体基板1上にリンシリケートガラス膜(以下PSG
膜と称す)4が気相成長法により形成される。
このPSG膜4は、リン濃度が5〜6×10α°3、膜
厚が2000〜4000人の範囲で形成される。
厚が2000〜4000人の範囲で形成される。
この後、半導体基板1全体を温度900度、窒素の雰囲
気中で熱処理(アニール)を30分から60分の範囲で
施す。そして、同図(C)に示すようにフッ化アンモニ
ューム液でPSG膜4が除去された後、第1図に示すよ
うに半導体基板1上にアルミニューム膜等の電極用金属
膜3がスパッタ法で形成されることになる。
気中で熱処理(アニール)を30分から60分の範囲で
施す。そして、同図(C)に示すようにフッ化アンモニ
ューム液でPSG膜4が除去された後、第1図に示すよ
うに半導体基板1上にアルミニューム膜等の電極用金属
膜3がスパッタ法で形成されることになる。
このような製造工程において、同実施例の作用効果を説
明する。第2図(b)に示すように、半導体基板1上に
PSG膜4を形成した後、熱処理を施すことにより、P
SG膜4の高濃度リンがコンタクトホール2aに熱拡散
することになる。このため、コンタクトホール2aの側
壁部は、滑らかなテーパ状に形成されることになる。し
たがって、半導体基板1上に電極用金属l13を形成し
た際、コンタクトホール2aの側壁部における電極用金
属膜3は充分な厚さを以て形成されることになる。
明する。第2図(b)に示すように、半導体基板1上に
PSG膜4を形成した後、熱処理を施すことにより、P
SG膜4の高濃度リンがコンタクトホール2aに熱拡散
することになる。このため、コンタクトホール2aの側
壁部は、滑らかなテーパ状に形成されることになる。し
たがって、半導体基板1上に電極用金属l13を形成し
た際、コンタクトホール2aの側壁部における電極用金
属膜3は充分な厚さを以て形成されることになる。
ここで、PSG膜4に対する熱処理と電極用金属膜3の
膜厚の関係を、実験的に求めた結果で示す。即チ、リン
濃度を5.6X10Z l alI−3、膜厚を300
0人として、温度900度、窒素雰囲気中で熱処理を施
した場合である。このとき、二酸化シリコン膜2の平面
上の電極用金属膜3の膜厚をtlとし、コンタクトホー
ル2aの側壁部における電極用金属膜3の膜厚をt2と
する。第3図に示すように、熱処理を30分から60分
の範囲で施すと、t 2/l 1の比率が約0.6程度
になる。
膜厚の関係を、実験的に求めた結果で示す。即チ、リン
濃度を5.6X10Z l alI−3、膜厚を300
0人として、温度900度、窒素雰囲気中で熱処理を施
した場合である。このとき、二酸化シリコン膜2の平面
上の電極用金属膜3の膜厚をtlとし、コンタクトホー
ル2aの側壁部における電極用金属膜3の膜厚をt2と
する。第3図に示すように、熱処理を30分から60分
の範囲で施すと、t 2/l 1の比率が約0.6程度
になる。
このため、コンタクトホール2aの側壁部における電極
用金属膜3の膜厚を、充分な厚さを以て形成することが
できる。
用金属膜3の膜厚を、充分な厚さを以て形成することが
できる。
したがって、コンタクトホール2aの側壁部における膜
厚の薄さにより、電極用金属膜3が断線したり、抵抗値
が大きくなるなどの事態を防止できる。このため、半導
体基板1に対する電極用金属[93の被覆状態を、従来
の場合よりも大幅に改善できることになる。
厚の薄さにより、電極用金属膜3が断線したり、抵抗値
が大きくなるなどの事態を防止できる。このため、半導
体基板1に対する電極用金属[93の被覆状態を、従来
の場合よりも大幅に改善できることになる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、特に高集積度の半
導体装置の電極用金属配線を形成する際、基板に接続す
るためのコンタクトホールの側壁部における電極用金属
配線の膜厚を充分な厚さで以て形成することができる。
導体装置の電極用金属配線を形成する際、基板に接続す
るためのコンタクトホールの側壁部における電極用金属
配線の膜厚を充分な厚さで以て形成することができる。
したがって、確実で安定な電極用金属配線を基板上に形
成することができ、結果的に確実に半導体装置を製造で
きることになる。
成することができ、結果的に確実に半導体装置を製造で
きることになる。
第1図は本発明の一実施例に係わる半導体装置の構成を
示す断面図、第2図(a)乃至(C)はそれぞれ同実施
例の製造工程を示す断面図、第3図は同実施例の作用効
果を説明するための特性図、第4図は従来の半導体装置
の構成を示す断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・二酸化シリコン躾、3・
・・電極用金属膜、4・・・PSG膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 1 図 音1 第2図
示す断面図、第2図(a)乃至(C)はそれぞれ同実施
例の製造工程を示す断面図、第3図は同実施例の作用効
果を説明するための特性図、第4図は従来の半導体装置
の構成を示す断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・二酸化シリコン躾、3・
・・電極用金属膜、4・・・PSG膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 1 図 音1 第2図
Claims (1)
- 半導体基板の表面上に酸化シリコン膜を形成する工程
と、前記酸化シリコン膜の所定の位置に反応性イオンエ
ッチングにより前記半導体基板まで到達するコンタクト
ホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを含む
酸化シリコン膜上にシリケートガラス膜を形成した後に
熱処理を施して前記コンタクトホールの側壁部にテーパ
を形成する工程と、前記テーパを形成されたコンタクト
ホールを含む前記半導体基板上に電極用金属配線膜を形
成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27825384A JPS61154125A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27825384A JPS61154125A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61154125A true JPS61154125A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17594756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27825384A Pending JPS61154125A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61154125A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52102691A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-29 | Hitachi Ltd | Formation of wiring on insulating layer having steps |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27825384A patent/JPS61154125A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52102691A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-29 | Hitachi Ltd | Formation of wiring on insulating layer having steps |
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