JPS61154125A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61154125A JPS61154125A JP27825384A JP27825384A JPS61154125A JP S61154125 A JPS61154125 A JP S61154125A JP 27825384 A JP27825384 A JP 27825384A JP 27825384 A JP27825384 A JP 27825384A JP S61154125 A JPS61154125 A JP S61154125A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、特に高集積回路の電極用金属配線膜を形成す
る際の半導体装置の製造方法に関する。
る際の半導体装置の製造方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来、半導体装置の電極用金属配線膜を形成する場合に
は、第４図に示すように、先ず半導体基板１の表面上に
二酸化シリコン膜２が、気相成長法等により０．７〜１
．２μｍの厚さで形成される。この二酸化シリコンｖＡ
２に対して、反応性イオンエツチング法により、半導体
基板１まで到達するコンタクトホール２ａが形成される
。さらに、車導体基板１上から、電橋用金属ｌＩ３であ
るアルミニューム躾等がスパッタ法により形成される。
は、第４図に示すように、先ず半導体基板１の表面上に
二酸化シリコン膜２が、気相成長法等により０．７〜１
．２μｍの厚さで形成される。この二酸化シリコンｖＡ
２に対して、反応性イオンエツチング法により、半導体
基板１まで到達するコンタクトホール２ａが形成される
。さらに、車導体基板１上から、電橋用金属ｌＩ３であ
るアルミニューム躾等がスパッタ法により形成される。
このようにして形成された電極用金属膜は、コンタクト
ホール２ａを通じて半導体基板１に接続されることにな
る。と、ころで、高集積回路の半導体装置の製造では、
コンタクトホール２ａを高精度に形成する必要から、前
記のような反応性イオンエツチング法が用いられている
。しかしながら、反応性イオンエツチング法でコンタク
トホール２ａを形成した場合、コンタクトホール２ａの
側壁部が半導体基板１の表面に対してほぼ垂直になる。
ホール２ａを通じて半導体基板１に接続されることにな
る。と、ころで、高集積回路の半導体装置の製造では、
コンタクトホール２ａを高精度に形成する必要から、前
記のような反応性イオンエツチング法が用いられている
。しかしながら、反応性イオンエツチング法でコンタク
トホール２ａを形成した場合、コンタクトホール２ａの
側壁部が半導体基板１の表面に対してほぼ垂直になる。
このため、第４図に示すように、電極用金属膜３をスパ
ッタした際、コンタクトホール２ａの側壁部の上部付近
における電極用金属膜３の厚さｔ２は、二酸化シリコン
膜２の平面上の電極用金属膜３の厚さｔｌに対して２割
以下になることがある。
ッタした際、コンタクトホール２ａの側壁部の上部付近
における電極用金属膜３の厚さｔ２は、二酸化シリコン
膜２の平面上の電極用金属膜３の厚さｔｌに対して２割
以下になることがある。
したがって、電極用金属膜３の被覆状態が悪化して、金
属配線膜の抵抗が増加したり、コンタクトホール２ａの
側壁部での電極用金属膜３が断線するなどの問題が発生
する。
属配線膜の抵抗が増加したり、コンタクトホール２ａの
側壁部での電極用金属膜３が断線するなどの問題が発生
する。
［発明の目的］
本発明の目的は、電極用金属配線を形成するためのコン
タクトホールの側壁部にテーパを形成して、確実で安定
な電極用金属配線膜を形成することができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
タクトホールの側壁部にテーパを形成して、確実で安定
な電極用金属配線膜を形成することができる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
［発明の概要］
本発明は、半導体基板上にコンタクトホールを形成した
後、シリケートガラス膜を拡散源として熱処理を施し、
コンタクトホールの側壁部にテーパを形成する。
後、シリケートガラス膜を拡散源として熱処理を施し、
コンタクトホールの側壁部にテーパを形成する。
このようなテーパが形成されたコンタクトホールであれ
ば、半導体基板上に電極用金属配線膜を確実に形成する
ことが可能となる。
ば、半導体基板上に電極用金属配線膜を確実に形成する
ことが可能となる。
［発明の実施例］
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は一実施例に係わる半導体装置の断面図であり、第２
図（ａ）乃至（Ｃ）はその製造工程を示す断面図である
。第１図に示すように、本発明の半導体装置は、半導体
基板１上に電極用金属膜３を形成した際、コンタクトホ
ール２ａの側壁部における電極用金属膜３を充分な厚さ
ｔ２で形成されたものである。
図は一実施例に係わる半導体装置の断面図であり、第２
図（ａ）乃至（Ｃ）はその製造工程を示す断面図である
。第１図に示すように、本発明の半導体装置は、半導体
基板１上に電極用金属膜３を形成した際、コンタクトホ
ール２ａの側壁部における電極用金属膜３を充分な厚さ
ｔ２で形成されたものである。
このような半導体装置は以下のような工程により製造さ
れる。先ず、第２図（ａ）に示すように、シリコンから
なる半導体基板１の表面上には、厚さ０．７〜１．２μ
ｍ程度の二酸化シリコン膜２が形成される。この二酸化
シリコン膜２の所定の位置が反応性イオンエツチング法
によりエツチングされて、電極接続用のコンタクトホー
ル２ａが形成される。次に、同図（ｂ）に示すように、
半導体基板１上にリンシリケートガラス膜（以下ＰＳＧ
膜と称す）４が気相成長法により形成される。
れる。先ず、第２図（ａ）に示すように、シリコンから
なる半導体基板１の表面上には、厚さ０．７〜１．２μ
ｍ程度の二酸化シリコン膜２が形成される。この二酸化
シリコン膜２の所定の位置が反応性イオンエツチング法
によりエツチングされて、電極接続用のコンタクトホー
ル２ａが形成される。次に、同図（ｂ）に示すように、
半導体基板１上にリンシリケートガラス膜（以下ＰＳＧ
膜と称す）４が気相成長法により形成される。
このＰＳＧ膜４は、リン濃度が５〜６×１０α°３、膜
厚が２０００〜４０００人の範囲で形成される。
厚が２０００〜４０００人の範囲で形成される。
この後、半導体基板１全体を温度９００度、窒素の雰囲
気中で熱処理（アニール）を３０分から６０分の範囲で
施す。そして、同図（Ｃ）に示すようにフッ化アンモニ
ューム液でＰＳＧ膜４が除去された後、第１図に示すよ
うに半導体基板１上にアルミニューム膜等の電極用金属
膜３がスパッタ法で形成されることになる。
気中で熱処理（アニール）を３０分から６０分の範囲で
施す。そして、同図（Ｃ）に示すようにフッ化アンモニ
ューム液でＰＳＧ膜４が除去された後、第１図に示すよ
うに半導体基板１上にアルミニューム膜等の電極用金属
膜３がスパッタ法で形成されることになる。
このような製造工程において、同実施例の作用効果を説
明する。第２図（ｂ）に示すように、半導体基板１上に
ＰＳＧ膜４を形成した後、熱処理を施すことにより、Ｐ
ＳＧ膜４の高濃度リンがコンタクトホール２ａに熱拡散
することになる。このため、コンタクトホール２ａの側
壁部は、滑らかなテーパ状に形成されることになる。し
たがって、半導体基板１上に電極用金属ｌ１３を形成し
た際、コンタクトホール２ａの側壁部における電極用金
属膜３は充分な厚さを以て形成されることになる。
明する。第２図（ｂ）に示すように、半導体基板１上に
ＰＳＧ膜４を形成した後、熱処理を施すことにより、Ｐ
ＳＧ膜４の高濃度リンがコンタクトホール２ａに熱拡散
することになる。このため、コンタクトホール２ａの側
壁部は、滑らかなテーパ状に形成されることになる。し
たがって、半導体基板１上に電極用金属ｌ１３を形成し
た際、コンタクトホール２ａの側壁部における電極用金
属膜３は充分な厚さを以て形成されることになる。
ここで、ＰＳＧ膜４に対する熱処理と電極用金属膜３の
膜厚の関係を、実験的に求めた結果で示す。即チ、リン
濃度を５．６Ｘ１０Ｚ ｌ ａｌＩ−３、膜厚を３００
０人として、温度９００度、窒素雰囲気中で熱処理を施
した場合である。このとき、二酸化シリコン膜２の平面
上の電極用金属膜３の膜厚をｔｌとし、コンタクトホー
ル２ａの側壁部における電極用金属膜３の膜厚をｔ２と
する。第３図に示すように、熱処理を３０分から６０分
の範囲で施すと、ｔ ２／ｌ １の比率が約０．６程度
になる。
膜厚の関係を、実験的に求めた結果で示す。即チ、リン
濃度を５．６Ｘ１０Ｚ ｌ ａｌＩ−３、膜厚を３００
０人として、温度９００度、窒素雰囲気中で熱処理を施
した場合である。このとき、二酸化シリコン膜２の平面
上の電極用金属膜３の膜厚をｔｌとし、コンタクトホー
ル２ａの側壁部における電極用金属膜３の膜厚をｔ２と
する。第３図に示すように、熱処理を３０分から６０分
の範囲で施すと、ｔ ２／ｌ １の比率が約０．６程度
になる。
このため、コンタクトホール２ａの側壁部における電極
用金属膜３の膜厚を、充分な厚さを以て形成することが
できる。
用金属膜３の膜厚を、充分な厚さを以て形成することが
できる。
したがって、コンタクトホール２ａの側壁部における膜
厚の薄さにより、電極用金属膜３が断線したり、抵抗値
が大きくなるなどの事態を防止できる。このため、半導
体基板１に対する電極用金属［９３の被覆状態を、従来
の場合よりも大幅に改善できることになる。
厚の薄さにより、電極用金属膜３が断線したり、抵抗値
が大きくなるなどの事態を防止できる。このため、半導
体基板１に対する電極用金属［９３の被覆状態を、従来
の場合よりも大幅に改善できることになる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、特に高集積度の半
導体装置の電極用金属配線を形成する際、基板に接続す
るためのコンタクトホールの側壁部における電極用金属
配線の膜厚を充分な厚さで以て形成することができる。
導体装置の電極用金属配線を形成する際、基板に接続す
るためのコンタクトホールの側壁部における電極用金属
配線の膜厚を充分な厚さで以て形成することができる。
したがって、確実で安定な電極用金属配線を基板上に形
成することができ、結果的に確実に半導体装置を製造で
きることになる。
成することができ、結果的に確実に半導体装置を製造で
きることになる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体装置の構成を
示す断面図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）はそれぞれ同実施
例の製造工程を示す断面図、第３図は同実施例の作用効
果を説明するための特性図、第４図は従来の半導体装置
の構成を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・二酸化シリコン躾、３・
・・電極用金属膜、４・・・ＰＳＧ膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図 音１ 第２図
示す断面図、第２図（ａ）乃至（Ｃ）はそれぞれ同実施
例の製造工程を示す断面図、第３図は同実施例の作用効
果を説明するための特性図、第４図は従来の半導体装置
の構成を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・二酸化シリコン躾、３・
・・電極用金属膜、４・・・ＰＳＧ膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図 音１ 第２図
Claims (1)
- 半導体基板の表面上に酸化シリコン膜を形成する工程
と、前記酸化シリコン膜の所定の位置に反応性イオンエ
ッチングにより前記半導体基板まで到達するコンタクト
ホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを含む
酸化シリコン膜上にシリケートガラス膜を形成した後に
熱処理を施して前記コンタクトホールの側壁部にテーパ
を形成する工程と、前記テーパを形成されたコンタクト
ホールを含む前記半導体基板上に電極用金属配線膜を形
成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27825384A JPS61154125A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27825384A JPS61154125A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154125A true JPS61154125A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17594756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27825384A Pending JPS61154125A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154125A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52102691A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-29 | Hitachi Ltd | Formation of wiring on insulating layer having steps |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27825384A patent/JPS61154125A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52102691A (en) * | 1976-02-25 | 1977-08-29 | Hitachi Ltd | Formation of wiring on insulating layer having steps |
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