JPS636859A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS636859A JPS636859A JP15047086A JP15047086A JPS636859A JP S636859 A JPS636859 A JP S636859A JP 15047086 A JP15047086 A JP 15047086A JP 15047086 A JP15047086 A JP 15047086A JP S636859 A JPS636859 A JP S636859A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、多結晶シリコン（以降ポリシリコンと略す）
を配線として用いる半導体装置の製造方法に関するもの
である。
を配線として用いる半導体装置の製造方法に関するもの
である。
この発明は、ポリシリコンを配線材料として用いる半導
体装置の製造方法において、ポリシリコンを堆積した後
、不純物を拡散し低抵抗化させ、配線部分をレジストで
パターニングし、レジストで覆われていない部分を膜厚
の半分程度エツチングを行い、この後酸素をイオン注入
してアニールする事により配線部以外を絶縁物化させ、
しかも配線部と同程度の膜厚にするようにして素子を平
坦化するものである。
体装置の製造方法において、ポリシリコンを堆積した後
、不純物を拡散し低抵抗化させ、配線部分をレジストで
パターニングし、レジストで覆われていない部分を膜厚
の半分程度エツチングを行い、この後酸素をイオン注入
してアニールする事により配線部以外を絶縁物化させ、
しかも配線部と同程度の膜厚にするようにして素子を平
坦化するものである。
従来の製造方法は、第２［１Ｊｆａｌのように半導体基
板１上の酸化膜７の上にポリシリコン２を堆積した後、
レジスト３のパターニングを行い第２図（ｂ）のように
エツチングを行う９次に第２図ｆｃｌのように絶縁模５
を堆積し、配線材料６（例えばアルミニウム）を蒸着ま
たはスパッタにて形成する。この時、ポリシリコン上は
段差があるため、上の金属配線はポリシリコン段差上で
段切れ発生し易くなる。これを防ぐため、従来ポリシリ
コン上の絶ｌｉ膜はリン濃度の高いリンガラスを用い、
９００℃以上のアニールを行ってリフローを起こさせ、
第３図のように表面を平坦化させる。
板１上の酸化膜７の上にポリシリコン２を堆積した後、
レジスト３のパターニングを行い第２図（ｂ）のように
エツチングを行う９次に第２図ｆｃｌのように絶縁模５
を堆積し、配線材料６（例えばアルミニウム）を蒸着ま
たはスパッタにて形成する。この時、ポリシリコン上は
段差があるため、上の金属配線はポリシリコン段差上で
段切れ発生し易くなる。これを防ぐため、従来ポリシリ
コン上の絶ｌｉ膜はリン濃度の高いリンガラスを用い、
９００℃以上のアニールを行ってリフローを起こさせ、
第３図のように表面を平坦化させる。
しかしながら、従来の製造方法では、９００℃以上の熱
処理を必要とするため、ソース・ドレインの拡散が大き
くなり、浅い接合を必要とする微細デバイスには適用で
きない。又、この方法による平坦化は完全ではないため
、上層の配線幅が小さい場合は平坦化が不十分である。
処理を必要とするため、ソース・ドレインの拡散が大き
くなり、浅い接合を必要とする微細デバイスには適用で
きない。又、この方法による平坦化は完全ではないため
、上層の配線幅が小さい場合は平坦化が不十分である。
そこで本発明は、従来のこのような欠点を解決するため
、ポリシリコン自体を酸化させることにより、平坦なポ
リシリコン配線を形成することを目的としている。
、ポリシリコン自体を酸化させることにより、平坦なポ
リシリコン配線を形成することを目的としている。
上記問題点を解決するため、本発明はポリシリコン堆積
後、配線部をレジストでパターニングし、ポリシリコン
を膜厚の半分程度ドライエツチングする０次にレジスト
を付けたまま酸素をエツチングした部分にイオン注入す
る。この後、レジストを除去しアニールする事により、
イオン注入部のみシリコン酸化膜となり、又、膜厚はポ
リシリコンと同程度となるの士、はぼ平坦なポリシリコ
ン配線が得られる。
後、配線部をレジストでパターニングし、ポリシリコン
を膜厚の半分程度ドライエツチングする０次にレジスト
を付けたまま酸素をエツチングした部分にイオン注入す
る。この後、レジストを除去しアニールする事により、
イオン注入部のみシリコン酸化膜となり、又、膜厚はポ
リシリコンと同程度となるの士、はぼ平坦なポリシリコ
ン配線が得られる。
上記方法でポリシリコン配線を形成すれば、このポリシ
リコン配線は配線間がシリコン酸化膜で埋まっているの
で、その上に絶縁膜を堆積した場合、はぼ完全に平坦な
表面が得られ、この上層での配線の段切れが無くなり、
配線の微細化が達成できる。
リコン配線は配線間がシリコン酸化膜で埋まっているの
で、その上に絶縁膜を堆積した場合、はぼ完全に平坦な
表面が得られ、この上層での配線の段切れが無くなり、
配線の微細化が達成できる。
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
先ず、第１図ｆａｔのように半導体基板１上のシリコン
酸化膜７の上にポリシリコン２を堆積した後、低抵抗化
のためリンを熱拡散させる。次に第１図（ｂｌのように
レジストを塗布し、配線部をパターニングする。次に第
１図ｆｃｌのようにポリシリコンを膜厚の半分程度ドラ
イエツチングを行う。この後、第１図［ｄ）のようにレ
ジストを付けたまま酸素をイオン注入させる。次にレジ
ストを除去し、窒素雰囲気中でアニールを行う、すると
、酸素が注入された所だけポリシリコンが酸化され、絶
縁物（酸化シリコン）となり、第１図（６）のように平
坦な形状となる。この後、中間絶縁膜５を堆積すると、
第１図ｆｆｌのようにほぼ平坦な表面が得られ、次に行
う金属配線の微細化が容易となる。
酸化膜７の上にポリシリコン２を堆積した後、低抵抗化
のためリンを熱拡散させる。次に第１図（ｂｌのように
レジストを塗布し、配線部をパターニングする。次に第
１図ｆｃｌのようにポリシリコンを膜厚の半分程度ドラ
イエツチングを行う。この後、第１図［ｄ）のようにレ
ジストを付けたまま酸素をイオン注入させる。次にレジ
ストを除去し、窒素雰囲気中でアニールを行う、すると
、酸素が注入された所だけポリシリコンが酸化され、絶
縁物（酸化シリコン）となり、第１図（６）のように平
坦な形状となる。この後、中間絶縁膜５を堆積すると、
第１図ｆｆｌのようにほぼ平坦な表面が得られ、次に行
う金属配線の微細化が容易となる。
以上説明したように、本発明では、ポリシリコン配線の
平坦化が可能であり、これにより上層の金属配線の段差
部でのステップカバレッジが改良され、段切れを防ぐ効
果がある。
平坦化が可能であり、これにより上層の金属配線の段差
部でのステップカバレッジが改良され、段切れを防ぐ効
果がある。
第１図ｉａｌ〜ｆｆｌは本発明によるポリシリコン配線
の形成方法を工程順に示した断面図、第２図＋８）〜ｆ
ｃｌは従来方法によるポリシリコン配線方法を工程順に
示した断面図（リフローしない場合）、第３図は第２図
と同様の方法で形成しりフローを行った場合の断面図で
ある。 １・・・半導体基板 ２・・・ポリシリコン３・・・
レジスト ４・・・酸素イオン５・・・絶縁膜
６・・・金属配線７・・・シリコン酸化膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 りイ ＼ｌ （ａン 第２図 第３図
の形成方法を工程順に示した断面図、第２図＋８）〜ｆ
ｃｌは従来方法によるポリシリコン配線方法を工程順に
示した断面図（リフローしない場合）、第３図は第２図
と同様の方法で形成しりフローを行った場合の断面図で
ある。 １・・・半導体基板 ２・・・ポリシリコン３・・・
レジスト ４・・・酸素イオン５・・・絶縁膜
６・・・金属配線７・・・シリコン酸化膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 りイ ＼ｌ （ａン 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体基板の酸化膜上に、多結晶シリコンを堆積する工
程と、これに不純物を拡散させ低抵抗化させる工程と、
これにレジストでパターニングを行いエッチングして配
線を形成する工程からなる多結晶シリコンを配線として
用いる半導体装置の製造方法において、レジストでパタ
ーニングした後、多結晶シリコンを膜厚の半分程度エッ
チングを行い、酸素を配線以外にイオン注入し、その後
アニールする事により、配線部以外を絶縁物化する事を
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15047086A JPS636859A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15047086A JPS636859A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636859A true JPS636859A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15497612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15047086A Pending JPS636859A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636859A (ja) |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP15047086A patent/JPS636859A/ja active Pending
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