JPS6048908B2 - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔目 次） 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする問題点 問題点を解決するための手段 作用 実施例 発明の効果 〔概 要〕 複数のビットエリアを主走査方向に配列した密着形イメ
ージセンサであつて、隣接する２つのビットエリア（ド
ット）を１構成単位として形成し、これら２つのビット
エリアの中央に共通に共通側電極（グループ電極）を設
け、両端に個別的電極（セレクタ電極を設け、これら電
極間の光導電膜を接続して形成したものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明はファクシミリ送信装置、複写装置等の原稿読取
装置用の密着形イメージセンサに関する。

〔従来の技術〕

最近、ファクシミリ送信装置、複写装置等における原稿
読取は、けい光灯等の光源で原稿を照射し、この反射光
を、多数のレンズが直線方向（以下、主走査方向とし、
この方向に垂直な方向を副走査方向とする）に配列され
た導光部を介して、前記各レンズにほぼ密着して設けら
れた光電変換素子を有する受光部に導くことによつて行
われる。

これにより、原稿の１ピッチが１対１すなわち縮小され
ることなく光電的に読込まれることになる。このような
光電変換素子を主走査方向に配列した受光部は密着形あ
るいは大形イメージセンサと呼ばれている。従来の密着
形イメージセンサによれば、主走査方向に配置された各
ビットエリアにおいて、副走査方向の両端に第１の電極
（共通側電極）と第２の電極（個別的電極）を設け、こ
の２つの電極間に光導電膜を設けてある。

たとえばば第１図に力・すように、Ａ，〜氏は主走査方
向ｘに配列されたビットエリアであつて、通常、その主
走査方向ｘの長さＬｘは副走査方向の長さＬＹより小さ
い。たとえば、Ａ４判（２１６Ｔｗｔ幅）で１７２６ビ
ットの場合には、Ｌｘ＝１２５μＭ，Ｌ．，＝１３０μ
ｍである。１−１〜１−４，２−１，２−４はＮｉＣｒ
−Ａｕのような金属電極であつて、電極１−１〜１〜４
は共通側電極、他方、電極２−１〜２−４は個別的電極
と呼ばれる。

３−１〜３−４は光導電膜であつて、その幅Ｗはビット
エリアの主走査方向Ｘの長さＬｘよりアイソーシヨンギ
ヤツプ長Ｌｇだけ小さい。

すなわち、Ｗ＝Ｌｘ−Ｌｇ であり、たとえば、アイソーシヨンギヤツプ長Ｌｇを最
小線幅の２５μｍとすれば、Ｗ＝１２５−２５＝１００
μｍである。

他方、光導電膜の長さＬをビットエリアの副走査方向Ｙ
の長さＬＹの１１２とすれば、Ｌ ＝ＬＹ／２ ＝６５
μｍであり、この場合、光電変換面積（１ビット当り）
は１００μｍ×６５μｍてあり、各光導電膜の抵抗値に
比例する値Ｌ／Ｗは０．６５と大きくなる。このように
、光導電膜の幅Ｗはビットエリアの主走査方向長さＬｘ
よりアイソレーシヨンギヤツプ長Ｌｇ分だけ小さくなり
、光導電膜の抵抗値は比較的大きくなる。〔発明が解決
しようとする問題〕以上のことく、第１図においては、
一般的には各ビットエリアにあつては、主走査方向（横
方向）の長さが副走査方向（縦方向））の長さより小さ
いという事実があり、しかも各ビットエリア３間にはア
イソーシヨンギヤツプを設けなければならないので、光
導電膜の幅はビットエリアの主走査方向の長さよりもさ
らに小さくなり、従つて、光導電膜の抵抗値が比較的大
きくなり、その結果、イメージセンサの周波数特性（高
速化）が低３・下し、また、耐雑音性（Ｓ／Ｎ比）が低
くなるという問題点があつた。

さらに、各ビットエリア毎に２つの引出し電極を必要と
するのて高密度化に不利であるという問題点もあつた。
〔問題点を解決するための手段〕４ι 本発明の目的は、イメージセンサの周波数特性および耐
雑音性を向上せしめると共に、引出し電極数を低減して
高密度化を可能にすることであり、その手段は、複数の
ビットエリアを主走査方向に配列した密着形イメージセ
ンサにおいて、隣接する２つのビットエリアの中央に共
通に共通側電極を設け、これらビットエリアの両端に個
別的電極を設け、これら電極間に光導電膜を接続して夕
形成したことにある。

〔作 用〕

上述の手段によれば、複数のビットエリアを主走査方向
に配列しているので、光導電膜の幅をビットエリアの長
い副走査方向の長さに一致せしめクることにより光導電
膜の抵抗値は低減する。

また、２つのビットエリアを１構成単位とし、各単位毎
に１つの共通側電極および２つの個別的電極の合計３つ
の引出し電極のみを設ければよいので、引出し電極数は
減少する。一〔実施例〕 第２図は本発明の一実施例としての密着形イメージセン
サの平面図である。

第２図においては、たとえば、ＮｉＣｒ，Ｃｒ−ＳｉＯ
，Ｃｒ−Ｓｉ等の薄膜抵抗体または微細パターン形成が
容易な厚み１００ｎｍ以下の薄膜金属層４ −１，４−
２および５−１〜５−４を各ビットエリアＡ，〜氏の主
走査方向の両端に配置し、これらの薄膜抵抗体または薄
膜金属層間に光導電膜３−１′３−４’を接続して形成
する。すなわち、光導電膜３−１’〜３−４’は第１図
の光導電膜３−１〜３−４と縦軸横の関係が逆になつて
いる。また、金属電極１−１’および薄膜抵抗体または
薄膜金属層４−１はビットエリアＡ，，Ａ２に共通であ
り、金属電極１−２’および薄膜抵抗体または薄膜金属
層４−２はビットエリアＡ。，Ａ。に共通である。すな
わち、アイソレーシヨンギヤツプは２つのビットエリア
毎にのみ設ければよい。また、薄膜抵抗体または薄膜金
属５−１〜５−４は各金属電極２−１’〜２−４’に接
続されている。第２図に示すように、光導電膜３−１′
〜３一４’の幅Ｗ’はビットエリアの副走査方向長さＬ
Ｙこ一致している。

すなわち、Ｗ−ＬＹ（＝１３０μｍ） （あり、他方、光導電膜３−１’〜３−４’の長さ．’
は第１図の光導電膜３−１〜３−４の長さＬとＪじであ
るとすれば、Ｌ ＝Ｌ’ ＝６５μｍであり、こワ場合
、光電変換面積（１ビット当り）は１３０ｐ．１×６５
μｍと大きくなり、また、各光導電膜３−’〜３−４’
の抵抗値に比例する値Ｌ′／Ｗ’も０．５０と小さくな
る。

すなわち、光導電膜３−１’〜３−４’の幅Ｗが大きく
なつた分、その抵抗値は第１図の場合に比べて２３％も
小さくなる。第２図においては、薄膜抵抗体または薄膜
金属層４ −１，４−２，５−１，・・・，５ −４の
最小幅Ｗ１を最小線幅の２５μｍとする。アイソレーシ
ヨンギヤツプ長Ｌｇは４５μｍとなり、第１図のアイソ
ーシヨンギヤツプ長Ｌｇに比べて大幅に大きくなり、こ
れは各ビット間の短絡防止に役立つものである。次に、
第２図のイメージセンサを製造する場合、最小線幅の２
５μｍとした最小幅Ｗ，を有する薄膜抵抗体または薄膜
金属層４−１，４−２，５−１〜５−４の微細パターン
を形成する。

すなわち、この薄膜抵抗体または薄膜金属層パターンは
厚さ１００ηｍ以下のＮｉＣｒ，Ｃｒ−ＳｉＯ，Ｃｒ−
Ｓｉ，Ａｌ，Ａｌ−Ｃｕ等をリフトオフすることによつ
て形成される。このように厚さが小さいと、第２図のよ
うな抵抗体パターンは容易に形成することができる。な
お、この抵抗体または薄膜金属層パターンに接続される
引出線用金属電極１−１’，１一２’，２−１’〜２−
４’は厚さ３０００八以上のＮｉＣｌ−Ａｕ，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ａｌ−Ｃｕ等によつて形成されており、その抵抗値
は薄膜抵抗体または薄膜金属片の抵抗値に比べて著しく
小さい。次に、上述の薄膜抵抗体パターンによる電位扛
下について考擦する。

たとえば、第２図のビットエリアＡ，においては、素子
入力抵抗Ｒｉ（Ｋαは、Ｒ，（Ｋα）＝俳（￥＋Ｃ：Ｋ
″：１） たた七、Ｋα＝Ｖ２Ｒｓ／Ｒｐ Ｒｄ Ｋ２＝ − Ｒｐ 佐＝ＪＦ Ｗ’ Ｒｓ＝Ｒｓ− Ｗ， Ｌ’ Ｒｐ＝ＲｐＴ Ｌ’ Ｒｄ＝ＲｄＷ７ ｒｓ：薄膜抵抗体または薄膜金属層４一 ５−１の抵抗（Ω／口） Ｒｐ：光導電膜３−１’の明抵抗（Ω／口）Ｒｄ：光導
電膜３−１’の暗抵抗（Ω／口）で表わせる。

第３図において、薄膜抵抗体または薄膜金属層４−１，
５−１の抵抗値Ｒｓと光導電膜３−１’の明抵抗値Ｒｐ
との比Ｒｓ／Ｒｐを横軸に、入力抵抗Ｒ，（Ｋａ）の抵
抗増加率（Ｒｉ（Ｋα）−Ｒｐ）／Ｒｐを縦軸に示す。
たとえば、Ｒｓ／Ｒｐ＝１０−２（１％）のときには、
Ｒｐに比して入力抵抗Ｒ，（Ｋα）の増加は１．１５％
、また、Ｒｌ．／Ｒｐ＝１０−”（１０％）のときには
、Ｒｐに比して入力抵抗Ｒ，（Ｋα）の増加は１１．７
％である。また、第４図において、Ｒ．／Ｒｐを横軸に
、実効明暗抵抗比（Ｒｄ／Ｒｐ）ｅおび明状態における
入力抵抗Ｒ，（Ｋα）の抵抗増加率（Ｒ。（Ｋα）−Ｒ
５ｐ）／Ｒｐ（％）の縦軸に示す。第４図における直線
ＡはＲｓ＝０のときにＲｄ／Ｒｐ＝１０と設定した場合
であり、直線ＢはＲｓ＝０のときにＲｄ／Ｒｐ＝１５と
設定した場合であ。なお、第４図における抵抗増加率は
第３図の場合と同一の値である。第・θ４図に示すよう
に、入力抵抗Ｒ，（Ｋα）が増加して抵抗増加率が増加
すると、その分、実効明暗抵抗比（Ｒ。／Ｒｐ）ｅは減
少する。しかし、引出線用金属電極１−１’，２ −１
’による電位降下も考慮してＲｓ／Ｒｐを２×１０−２
以下に設定べきれ２５ば、実効明暗抵抗比の減少、およ
び明状態における抵抗増加率を無視できることが分る。
なお、薄膜抵抗体または薄膜金属層は上述の条件Ｒ．／
Ｒｐ＜２×１０−゜を満足させることが可能である。ま
た、第２図においては、２つのビットエリア３０毎に、
３つの引出し電極、すなわち薄膜抵抗体または薄膜金属
層４−１，５−１，５−２（もしくは４−２，５−３，
５−４）か設けられており、従つて、第１図の場合に比
較して引出し電極数は減少する。３５〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、薄膜抵抗体または
薄膜金属層の微細パターンンの容易性を利用した光導電
膜の抵抗値を低減させることができ、これにより、イメ
ージセンサの周波数特性お４０よび耐雑音性を向上させ
ることができ、また、引出し電極数も低減するのて高密
度化に有利となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の密着形イメージセンサの平面図、第２図
は本発明の一実施例としての密着形イメージセンサの平
面図、第３図および第４図は本発明に係る密着形イメー
ジセンサの特性を示す図である。 １−１〜１−４，１−１’，１−２’，２−１〜２−４
，２−１’，２−２’：金属電極、３−１〜３−４，３
−１’〜３−４’：光導電膜、４−１，４−２：第１の
薄膜抵抗体または薄膜金属層、５−１〜５ −４：第２
の薄膜抵抗体または薄膜金属層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数のビットエリアを主走査方向に配列した密着形
   イメージセンサにおいて、隣接する２つのビットエリア
   Ａ＿１、Ａ＿２の中央に共通に設けられた共通側電極と
   しての薄膜抵抗体または薄膜金属層４−１と、前記２つ
   のビットエリアＡ＿１、Ａ＿２の前記共通側電極の反対
   側に設けられた個別的電極として薄膜抵抗体または薄膜
   金属層５−１、５−２と、前記共通側電極と前記各個別
   的電極との間に接続されて形成された光導電膜３−１′
   、３−２′と、を具備することを特徴とする密着形イメ
   ージセンサ。