JPH03195254A - イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技湘全１−７ 本発明は、イメージセンサに関し、より詳細には、ファ
クシミリ、イメージスキャナなどの画像入力装置に用い
られるイメージセンサに関する。

従沫−技瀬− 本発明に係る従来技術を記載した公知文献どしては特開
昭６１−２８８６６９号公報がある。、二１− れは、複数個の光電変換素子を１組として同時選択でき
るような回路素子を設け、読み取り密度をセンサー内部
で変えられる様にしたものである。

このような従来例においては、主走査方向の読み取り密
度を任意に変えることはできるが、副走査方向は常に同
じ読み取り密度のままであり、実用的ではなかった。

第３図（ａ）、（ｂ）は光電変換素子部の従来例を示す
図で、図中、１−１〜１−６は光電変換素子の感光領域
である。

ここでは電極等は省略しである。図においてＰが光電変
換素子のピッチであり、この大きさが主走査方向の読み
取り解像度を決める。即ち８ドツト／　ｒｒｍの読み取
り解像度のものではＰｊ、＝１−２５μｍとなる。この
場合、素子間分離等の為、同図で示した１つの光電変換
素子の感光領域のサイズＱ１．（主走査方向）は約１０
０μｍ程度とする。

通常、主走査方向と副走査方向の解像度は同程度が要求
されるので、Ｑｘｌ”ｎｚ１ｃ副走査方向）ととる。

一 このようなセンサにおいて単に従来法の様に複数個の素
子を同時に選択した場合は、第３図（ｂ）に３つ同時選
択の例で示した様に主・副の走査方向の解像度が異なっ
てしまう。このようになった場合、複数個同時選択の目
的上、副走査方向の読み取りピッチも例えば第３図（ｂ
）の場合３倍となり、従来例では細線の読み飛ばしの可
能性がある。

目　　　　　的 本発明は、」二連のごとき実情に鑑みてなされたもので
、同一の複数個の光電変換素子で、読み取り密度を任意
に変えることができるイメージセンサを提供することを
目的とする。

また、主走査方向（光電変換素子の配列方向）だけでな
く、副走査方向（光電変換素子の配列方向とは直角の方
向）においても同時に読み取り密度を変化させることが
できるイメージセンサを提供することを目的としてなさ
れたものである。

構−一１ 本発明は、上記目的を達成するために、（１）＝３− 複数の光電変換素子を１次元に配列し、該光電変換素子
を順次選択暉動する回路素子を同一の基板上に形成し、
前記光電変換素子を複数個同時に選択する為の切換素子
を有しているイメージセンサにおいて、前記複数個の組
み合わせに対応する様に前記光電変換素子の配列方向と
は直角方向の実効寸法が選択できる様にしたこと、更に
は、（２）光電変換素子の実効寸法の選択の手段として
、光電変換素子の一対の電極のうち回路素子へ接続され
ない側の電極が分割されていることを特徴としたもので
ある。すなわち、本発明は、光電変換素子の一対の電極
のうち、選択回路素子へ接続されない側の電極（共通電
極）を分割し、選択回路の同時選択の数に応じて、実効
的な感光部面積が変えられる様にしたことを特徴とする
ものである。

以下、本発明の実施例に基づいて説明する。

第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明によるイメージセンサ
の一実施例を説明するための構成図で、図（ａ）は光電
変換列の平面概念図、図（ｂ）は図（ａ）のＡ−Ａ　’
断面図である。図中、２−１〜２−７は光電変換素子の
感光部、ｆ□〜ｆ７は選択回路へつながる個別電極、ｅ
１〜ｅ３は共通電極である。説明の便宜上、８ドツト／
１ＴＩＩ＋、１２ドツト／ＩＩＩ］Ｉ、２４ドツト／ｍ
の３種類の読み取り密度に設定できるものを示すが、他
の密度にも同一手法で応用できる。図（、）において、
共通電極ｅ１．ｅ２．ｅ３は各光電変換素子の下を共通
して走っている。

本発明の実施例の場合、最大読み取り密度は２４ドツト
／ｌＴＲであるので主走査方向のピッチＰ２は約４２μ
ｍとする。よって、光電変換素子の感光部２−１〜２−
７のサイズは主走査方向Ｑ１□として３０〜４０μｍ、
副走査方向サイズＱ２□は９０〜１２０μｍとする。ま
た分割された共通電極ｅ１．ｅ２．ｅ３の各々の巾ｇ１
ｔ　ｇｚｔ　ｇａはｇ　１＝　ｇ　２　＝　ｇ　ａ　＝
　３０〜４０μｍとする。このような構成において、２
４ドツト／＋ｎｍの場合は共通電極としてｅ□のみを用
い、個別電極ｆ１．　ｆ２・・を１個ずつ選択して行く
。］−２ドツト／ｒｒｔｎの場合には、共通電極として
ｅ□とｅ２を接続させて用− い、個別電極ｆ□とｆ２、ｆ３とｆ４・・・という様に
個別電極を２個ずつ選択して行く。８ドツト／ｍｎの場
合には共通電極ｅ１．　ｅｅｌ　６３全てを接続させて
用い、個別電極ｆ□とｆ、とｆ３、ｆ４とｆ５とｆＧと
いう様に個別電極を３個ずつ選択して行く。

第２図は、本発明によるイメージセンサの回路図を示す
もので、図中、３は３−１〜３−５から成る光電変換素
子、４は個別スイッチ、５は複数個選択切換スイッチ、
６はシフトレジスタである。

シフトレジスタ６、個別スイッチ４、複数個選択切換ス
イッチ５はポリシリコンの薄膜トランジスタで、また光
電変換素子部はアモルファスシリコンで同一基板上に容
易に作成できる。

Ｋは信号アンプを示し、Ｓ、は複数選択の数に応じて開
閉するスイッチを示す。これらはセンサー基板とは別の
適宜なＰＣＢ等に形成される。またＳ２と示したものは
８ドツト／Ｉｍ時に切換スイッチを閉じるべき信号が印
加される端子を、Ｓ３は同じく１２ドッｌ−／ｍｕの端
子を示す。また、３−１．３−２・・・で示した光電変
換素子は第１図（ａ）の２−］−・・に対応するもので
、光電変換素子３−１が３つのフォトダイオードから成
ることは、第］−図（ａ）で光電変換素子２−１がｆｌ
とｅｌ、ｆｌとｅ２ｔ　ｆｌとｅ３という様に１個の個
別側電極に対して、共通側電極がｅｌｔ　８２１０３と
いう様に３の倍数に分割されていることに対応している
。

効　　　果 以上の説明から明らかなように、本発明によると、主走
査方向と副走査方向の解像度をマツチングさせることが
できるので、同一の複数個の光電変換素子で読み取り密
度を適宜変えることのできる実用的なイメージセンサを
提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明によるイメージセンサ
の一実施例を説明するための構成図、第２図は、本発明
によるイメージセンサの回路図、第３図（ａ）、（ｂ）
は、光電変換素子の従来例を示す図である。 ２−１〜２−７・・・光電変換素子の感光部、ｆ１〜−
７＝ ｆ７・・選択回路へつながる個別電極、０１〜０３°°
。 共通電極。 −８＝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、複数の光電変換素子を１次元に配列し、該光電変換
   素子を順次選択駆動する回路素子を同一の基板上に形成
   し、前記光電変換素子を複数個同時に選択する為の切換
   素子を有しているイメージセンサにおいて、前記複数個
   の組み合わせに対応する様に前記光電変換素子の配列方
   向とは直角方向の実効寸法が選択できる様にしたことを
   特徴とするイメージセンサ。