JPS6043040B2 - 発光ダイオ−ド - Google Patents

発光ダイオ−ド

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JPS6043040B2
JPS6043040B2 JP54014741A JP1474179A JPS6043040B2 JP S6043040 B2 JPS6043040 B2 JP S6043040B2 JP 54014741 A JP54014741 A JP 54014741A JP 1474179 A JP1474179 A JP 1474179A JP S6043040 B2 JPS6043040 B2 JP S6043040B2
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JP
Japan
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recess
light emitting
emitting diode
diode
block
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JP54014741A
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JPS55107283A (en
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均 芳賀
徹 中山
良隆 熊谷
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は取扱いが容易でかつ機器への装着を簡単に行
うことのできる構造を具備した発光ダイオードに関する
ものである。
従来の発光ダイオードは、第１図で示すように、並設
された２本のリード１および２のうち一方のリード１の
頂部に発光ダイオード基板３を接着し、さらにその上側
電極と他方のリード２の頂部との間を金属細線４によつ
て接続した組立構体を透光性の樹脂５によつて封止した
構造となつている。
かかる発光ダイオードの機器への装着は例えば、機器内
に設置されるプリント基板にあけられたリード挿入孔に
発光ダイオードのリード１およびリード２を挿入し、半
田付けする方法によつてなされる。 この装着方法では
、発光ダイオードのリードに折れ曲りのないことが要求
される。このため、完成した発光ダイオードの取扱いに
あたつては、リードに折れ曲りをもたらすことのないよ
う細心の注意を払わねばならない。また、機器への組込
みにあたつては、リード挿入孔へのリードの挿入が不可
避であり、このため装着の作業性が悪く、さらにリード
の挿入の具合によつて機器に装着された発光ダイオード
の発光部の高さにばらつきが生じること等の不都合も生
じる。 本発明は、上述した不都合をことごとく排除す
ることのできる新規な構造を具備した発光ダイオードを
提供するものであつて、絶縁性のブロック体の頂面から
それぞれ底部にわたつて形成された２つの金属層を発光
ダイオードのリードの等価物としたところに本発明の発
光ダイオードの特徴が存在する。
次に、本発明実施例の発光ダイオードについて図面を
参照しつつ説明する。
本発明実施例の発光ダイオードは、第２図にその斜視
図、第３図に断面図を示すように直方体状の絶縁ブロッ
クＡの頂部に設けられた凹所６の内に、発光ダイオード
基板３を接着する第１の金属層１と、前記発光ダイオー
ド基板３の上側電極に一端が接続される金属細線の他端
を接続する第２の金属層２″とを有しており、これらの
金属層はそれぞれ、絶縁ブロックの相対向する側面を被
覆しかつ、裏面の一部にまで達するように形成され、さ
らに前記凹所６が、散光性物質を含有する透光性樹脂５
によつて封止される構造となつている。
すなわち、本発明の発光ダイオードでは、従来の発光ダ
イオードにみられた封止外殼外へ突出したリードがなく
、全体的な形状はほぼ直方体状をなす非常にコンパクト
な形状となる。
したがつて従来の発光ダイオードのように取り扱い時に
リードの折れ曲りがないよう細止の注意を払う必要はな
くその取扱いが非常に簡単になる。また、プリント基板
への取りつけに際しては、第４図にその断面を示すよう
にプリント基板７に形成された配線層８の上に、この発
光ダイオードを載置し、半田９によつて接着するだけで
よく、作業性良くとりつけることができ、また、リード
に相当する金属層１″と２″の位置ならびに間隔が不変
であるため自動装置も可能である。
なお、実施例においては、絶縁ブロックとして直方体の
ものを用いたが、安定な形状を有するものであれば、こ
れが円柱状あるいは角柱状であつてもよい。以上説明し
てきたところから明らかなように、本発明の発光ダイオ
ードには外部導出線がなく、従来の発光ダイオードとは
全く異なる新規な構造を具備するものであつて、外部導
出線の存在によりもたらされる幾多の不都合をことごと
く排除する効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の発光ダイオードの断面図、第２図は本発
明実施例の発光ダイオードの斜視図、第３図は同発光ダ
イオードの断面図、第４図は同発光ダイオードをプリン
ト基板に装着した状態を示す断面図である。 １，２・・・・・・リード、１″・・・・・・第１の金
属層、２″・・・・・・第２の金属層、３・・・・・・
発光ダイオード基板、４・・・・・・金属細線、５・・
・・・・透光性樹脂、６・・・凹所、７・・・・・・プ
リント基板、８・・・・・・配線層、９・・・・・・半
田、Ａ・・・・・・絶縁ブロック。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 単一の絶縁性ブロック体の頂面の中央部分に、内壁
    面が傾斜面とされた凹所が形成されるとともに、同凹所
    の底面に各一方の端部が位置し、前記内壁面、前記ブロ
    ック体の頂面および側面を通り裏面にまでのび、かつ、
    延長方向が反対対の２つの金属層が形成された支持基体
    の、前記凹所の底部に位置する金属層端部の一方に発光
    ダイオード基板が接着され、同発光ダイオードの電極と
    前記凹所の底部に位置する金属層端部との間が金属細線
    で接続され、さらに、前記凹所部のみが透光性樹脂で封
    止されたことを特徴とする発光ダイオード。
JP54014741A 1979-02-09 1979-02-09 発光ダイオ−ド Expired JPS6043040B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP54014741A JPS6043040B2 (ja) 1979-02-09 1979-02-09 発光ダイオ−ド

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JP54014741A JPS6043040B2 (ja) 1979-02-09 1979-02-09 発光ダイオ−ド

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JPS55107283A JPS55107283A (en) 1980-08-16
JPS6043040B2 true JPS6043040B2 (ja) 1985-09-26

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JP54014741A Expired JPS6043040B2 (ja) 1979-02-09 1979-02-09 発光ダイオ−ド

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3128187A1 (de) * 1981-07-16 1983-02-03 Joachim 8068 Pfaffenhofen Sieg Opto-elektronisches bauelement
JPS599564U (ja) * 1982-07-09 1984-01-21 清水　亮太郎 リ−ドレス発光ダイオ−ド
JPS60109344U (ja) * 1983-12-26 1985-07-25 日本ビクター株式会社 チツプ化半導体素子
JPH0258356U (ja) * 1988-10-21 1990-04-26
JPH0267664U (ja) * 1988-11-11 1990-05-22
JPH058960U (ja) * 1991-07-15 1993-02-05 スタンレー電気株式会社 表面実装型ｌｅｄ
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4023698B2 (ja) * 1996-11-15 2007-12-19 シチズン電子株式会社 下面電極付き側面使用電子部品の製造方法
US6949771B2 (en) * 2001-04-25 2005-09-27 Agilent Technologies, Inc. Light source
US7863639B2 (en) 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance

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