JPS6031249B2 - 測光増幅回路 - Google Patents
測光増幅回路Info
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- JPS6031249B2 JPS6031249B2 JP52090327A JP9032777A JPS6031249B2 JP S6031249 B2 JPS6031249 B2 JP S6031249B2 JP 52090327 A JP52090327 A JP 52090327A JP 9032777 A JP9032777 A JP 9032777A JP S6031249 B2 JPS6031249 B2 JP S6031249B2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/305—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in case of switching on or off of a power supply
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、預り光増幅回路に関し、主にカメラ等に用
いられる側光増幅回路を対象とする。
いられる側光増幅回路を対象とする。
シリコン、カリウム枇素、カリウム技ヒ素リン等のｐｎ
接合ダイオードからなる光一電流変換素子の光電流は、
増幅回路により増幅されるが、低照度側では極微少電流
になるため、このような受光素子の接合容量の蓄積電荷
により増幅回路にラツチを起させる。この蓄積電荷が除
かれるまでの間、側光回路は動作不能になる。その対策
として、第３図に示すように、光電流信号を対数圧縮す
るためのダイオードＤ，に並列にバックダイオードＤ２
を設け、上記蓄積電荷を・放電させる回路が公知である
。
接合ダイオードからなる光一電流変換素子の光電流は、
増幅回路により増幅されるが、低照度側では極微少電流
になるため、このような受光素子の接合容量の蓄積電荷
により増幅回路にラツチを起させる。この蓄積電荷が除
かれるまでの間、側光回路は動作不能になる。その対策
として、第３図に示すように、光電流信号を対数圧縮す
るためのダイオードＤ，に並列にバックダイオードＤ２
を設け、上記蓄積電荷を・放電させる回路が公知である
。
このバックダイオードＤ２の挿入により、蓄積電荷の放
電が速やかになされるため、増幅回路のラッチ時間は改
善されるが、受光素子のコンデンサ特性のため、増幅回
路の反転入力端子の電位は、非反転入力端子の電位より
高くなり得ず、放電電圧の低下に伴ない、バックダイオ
ードの順万向インピーダンスが大きくなり、完全に放電
がなされるまでに、ある程度の時間を要するものである
。
電が速やかになされるため、増幅回路のラッチ時間は改
善されるが、受光素子のコンデンサ特性のため、増幅回
路の反転入力端子の電位は、非反転入力端子の電位より
高くなり得ず、放電電圧の低下に伴ない、バックダイオ
ードの順万向インピーダンスが大きくなり、完全に放電
がなされるまでに、ある程度の時間を要するものである
。
この間は、やはり増幅回路にラッチを起こさせるもので
ある。この発明は、電源投入時の出力ラッチアップを防
止した側光増幅回路を提供するためなされた。
ある。この発明は、電源投入時の出力ラッチアップを防
止した側光増幅回路を提供するためなされた。
この発明は、微分回路を用いて、強制的に増幅出力を反
転さ蓄積電荷を除こうとするものである。以下、実施例
により、この発明を具体的に説明する。
転さ蓄積電荷を除こうとするものである。以下、実施例
により、この発明を具体的に説明する。
第１図は、この発明の一実施例を示す回路図である。
この回路は、その非直線特性を利用して、光電流信号を
対数圧縮するダイオードＤ，を基準電圧端子ＶＲと差動
増幅回路１の非反転入力端子（十）との間に設け、上記
ダイオードＤ，に並列に逆方向に後述する蓄積電荷の放
電経路を形成するバックダイオードＤ２を設ける。
対数圧縮するダイオードＤ，を基準電圧端子ＶＲと差動
増幅回路１の非反転入力端子（十）との間に設け、上記
ダイオードＤ，に並列に逆方向に後述する蓄積電荷の放
電経路を形成するバックダイオードＤ２を設ける。
上記差動増幅回路１の非反転入力端子（十）と反転入力
端子（一）との間にシリコン受光素子ＳＰＣを設ける。
端子（一）との間にシリコン受光素子ＳＰＣを設ける。
差動増幅回路１の出力端子ＯＵＴと反転入力端子（一）
との間には、帰還回路を構成する抵抗ＲＳ，Ｒｆを設け
、負帰還増幅回路を得る。そして、差動増幅回路１の入
力端子（十，一）間に設けられたシリコン受光素子ＳＰ
Ｃ等による寄生容量の蓄積電荷を強制的に放電させるた
め、差動増幅回路１の反転入力端子（一）と電圧端子（
十Ｖ）との間に、抵抗Ｒ，とコンデンサＣとの直列回路
による微分回路を設けるものである。
との間には、帰還回路を構成する抵抗ＲＳ，Ｒｆを設け
、負帰還増幅回路を得る。そして、差動増幅回路１の入
力端子（十，一）間に設けられたシリコン受光素子ＳＰ
Ｃ等による寄生容量の蓄積電荷を強制的に放電させるた
め、差動増幅回路１の反転入力端子（一）と電圧端子（
十Ｖ）との間に、抵抗Ｒ，とコンデンサＣとの直列回路
による微分回路を設けるものである。
この増幅回路１の非反転入力電圧は、次式ｍで求められ
る。Ｖ，＝Ｖｒ−ＶＦ（ＩＰ） ……｛１｝ここで、
Ｖｒは基準定電圧であり、ＶＦ（ＩＰ）は、電流ＩＰが
流れたときにおけるダイオードＤ，の順方向電圧である
。
る。Ｖ，＝Ｖｒ−ＶＦ（ＩＰ） ……｛１｝ここで、
Ｖｒは基準定電圧であり、ＶＦ（ＩＰ）は、電流ＩＰが
流れたときにおけるダイオードＤ，の順方向電圧である
。
上記電流ＩＰが光量に応じて変化するシリコン受光素子
ＳＰＣの光電流であり、その電流ＩＰに応じて変化する
ダイオードＤ，の順方向電圧Ｖｓが対数的に変化するも
のであるため、被り光値を対数化することができる。負
帰還差動増幅回路の両入力端子間にシリコン受光素子Ｓ
ＰＣを設けることにより、このシリコン受光素子ＳＰＣ
のバイアス電圧を零として駆動することにより、受光量
に応じて直線的に変化する光電流ｌｓを得るものである
。この実施例において、上記差動増幅回路１の反転入力
端子（一）に設けられた微分回路により、電源投入時に
瞬時的に反転入力端子（一）を電圧（十Ｖ）とし、バッ
クダイオードＤ２を通して強制的にシリコン受光素子Ｓ
ＰＣの接合容量の蓄積電荷を放電せしめるものであり、
この放電動作は、上記ダイオードＤ２に高い電圧を印加
して低インピーダンスの下で行なうため、瞬時に放電動
作が完了する。
ＳＰＣの光電流であり、その電流ＩＰに応じて変化する
ダイオードＤ，の順方向電圧Ｖｓが対数的に変化するも
のであるため、被り光値を対数化することができる。負
帰還差動増幅回路の両入力端子間にシリコン受光素子Ｓ
ＰＣを設けることにより、このシリコン受光素子ＳＰＣ
のバイアス電圧を零として駆動することにより、受光量
に応じて直線的に変化する光電流ｌｓを得るものである
。この実施例において、上記差動増幅回路１の反転入力
端子（一）に設けられた微分回路により、電源投入時に
瞬時的に反転入力端子（一）を電圧（十Ｖ）とし、バッ
クダイオードＤ２を通して強制的にシリコン受光素子Ｓ
ＰＣの接合容量の蓄積電荷を放電せしめるものであり、
この放電動作は、上記ダイオードＤ２に高い電圧を印加
して低インピーダンスの下で行なうため、瞬時に放電動
作が完了する。
すなわち、電源投入時においては、シリコン受光素子Ｓ
ＰＣの寄生容量は基準電圧端子ＶＲから充電されるため
、差動増幅回路１の非反転入力端子（十）は正の電位に
、反転入力端子（一）は負の電位にそれぞれバイアスさ
れ、その結果差動増幅回路１の出力端子ＯＵＴはハイレ
ベルにラッチアツブされようとする。
ＰＣの寄生容量は基準電圧端子ＶＲから充電されるため
、差動増幅回路１の非反転入力端子（十）は正の電位に
、反転入力端子（一）は負の電位にそれぞれバイアスさ
れ、その結果差動増幅回路１の出力端子ＯＵＴはハイレ
ベルにラッチアツブされようとする。
しかしながら、基準電圧端子ＶＲと差敷増幅回路１の反
転入力端子（一）との間に接続された微分回路Ｒ，，Ｃ
により電源投入後の所定時間は反転入力端子（−）は正
の電位にバイアスされるため、出力端子ＯＵＴがハイレ
ベルにラツチアプされることが防止される。
転入力端子（一）との間に接続された微分回路Ｒ，，Ｃ
により電源投入後の所定時間は反転入力端子（−）は正
の電位にバイアスされるため、出力端子ＯＵＴがハイレ
ベルにラツチアプされることが防止される。
また、上記の所定時間は微分回路Ｒ，，Ｃの時定数によ
り設定されることができる。これにより、第２図に示す
ように、電源投入とほぼ同時に側光動作が可能となり、
増幅回路のラッチアップが防止できる。
り設定されることができる。これにより、第２図に示す
ように、電源投入とほぼ同時に側光動作が可能となり、
増幅回路のラッチアップが防止できる。
このことは、第４図に示す従来回路における漁り光出力
が、所定の時定数に伴なし、ゆるやかに放電動作がなさ
れるのと比較すれば、容易に理解されよう。
が、所定の時定数に伴なし、ゆるやかに放電動作がなさ
れるのと比較すれば、容易に理解されよう。
なお、この図において、１，は、バックダイオードＤ２
を印加しない場合の出力特性図であり、１２はバックダ
イオードＤ，を設けた場合の出力特性図である。電源投
入ＯＮから、それぞれ時間ら，ｔ２までに至る間が出力
がラッチアップし、預り光不可能な時間帯である。また
、差動増幅回路１の両入力端子間の蓄積電荷による電圧
差分がそのままこの増幅回路の裸の利得分だけけ点線に
示すように増幅されるのであるが、出力電圧は電源電圧
以上にはなれないので、出力電圧は電源電圧ＶＱにラッ
チアツプされるのである。
を印加しない場合の出力特性図であり、１２はバックダ
イオードＤ，を設けた場合の出力特性図である。電源投
入ＯＮから、それぞれ時間ら，ｔ２までに至る間が出力
がラッチアップし、預り光不可能な時間帯である。また
、差動増幅回路１の両入力端子間の蓄積電荷による電圧
差分がそのままこの増幅回路の裸の利得分だけけ点線に
示すように増幅されるのであるが、出力電圧は電源電圧
以上にはなれないので、出力電圧は電源電圧ＶＱにラッ
チアツプされるのである。
この実施例において、微分回路を介して増幅回路１の反
転入力に印加する電圧（十Ｖ）は、電源電圧Ｖはとすれ
ば問題がないが、少なくとも上記蓄積電荷により生じ得
る非反転入力端子（十）の電圧より高い電圧であれば、
何んであってもよい。
転入力に印加する電圧（十Ｖ）は、電源電圧Ｖはとすれ
ば問題がないが、少なくとも上記蓄積電荷により生じ得
る非反転入力端子（十）の電圧より高い電圧であれば、
何んであってもよい。
この発明は、カメラ等の側光回路として広く利用できる
。
。
第１図は、この発明の一実施例を示す回路図、第２図は
、その出力一時間特性図、第３図は従来技術の一例を示
す回路図、第４図は、その出力−時間特性図である。 １・・・…差動増幅回路。 第１図 黍ｚ図 群３図 第４図
、その出力一時間特性図、第３図は従来技術の一例を示
す回路図、第４図は、その出力−時間特性図である。 １・・・…差動増幅回路。 第１図 黍ｚ図 群３図 第４図
Claims (1)
- １ 基準電圧端子と差動増幅回路の非反転入力端子との
間に順方向に設けられたダイオード及び逆方向に設けら
れた一方向性スイツチング素子と、上記差動増幅回路の
非反転入力端子と反転入力端子との間に設けられた光電
流変換素子と、上記差動増幅回路の出力端子と反転入力
端子との間に設けられた帰還回路と、電圧端子と差動増
幅回路の反転入力端子との間に設けられた微分回路とを
具備することを特徴とする測光増幅回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52090327A JPS6031249B2 (ja) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | 測光増幅回路 |
| US05/920,248 US4188551A (en) | 1977-07-29 | 1978-06-29 | Amplifier circuit having photoelectric converter |
| DE19782833217 DE2833217A1 (de) | 1977-07-29 | 1978-07-28 | Verstaerkerschaltung mit photoelektrischem wandler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52090327A JPS6031249B2 (ja) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | 測光増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5425780A JPS5425780A (en) | 1979-02-26 |
| JPS6031249B2 true JPS6031249B2 (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=13995420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52090327A Expired JPS6031249B2 (ja) | 1977-07-29 | 1977-07-29 | 測光増幅回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4188551A (ja) |
| JP (1) | JPS6031249B2 (ja) |
| DE (1) | DE2833217A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124121A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-25 | Olympus Optical Co Ltd | Analog switch circuit for triggering exposure control circuit |
| DD151357A1 (de) * | 1980-06-06 | 1981-10-14 | Hans Jehmlich | Schaltungsanordnung zur verringerung der einschwingzeit |
| DE3427055A1 (de) * | 1984-07-23 | 1986-01-30 | Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar | Schaltungsanordnung fuer einen elektronischen belichtungsmesser |
| JPS59108230U (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-21 | オリンパス光学工業株式会社 | カメラの測光回路 |
| US4628273A (en) * | 1983-12-12 | 1986-12-09 | International Telephone And Telegraph Corporation | Optical amplifier |
| JPH0732261B2 (ja) * | 1985-04-11 | 1995-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体受光装置 |
| DE3534808A1 (de) * | 1985-09-30 | 1987-04-02 | Leitz Ernst Gmbh | Schaltungsanordnung zur verringerung der einschwingzeit |
| US4913150A (en) * | 1986-08-18 | 1990-04-03 | Physio-Control Corporation | Method and apparatus for the automatic calibration of signals employed in oximetry |
| US4819646A (en) * | 1986-08-18 | 1989-04-11 | Physio-Control Corporation | Feedback-controlled method and apparatus for processing signals used in oximetry |
| US4892101A (en) * | 1986-08-18 | 1990-01-09 | Physio-Control Corporation | Method and apparatus for offsetting baseline portion of oximeter signal |
| JPH03128509A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信回路 |
| JP2970844B2 (ja) * | 1997-06-04 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 光受信器及びそれを用いた光ネットワークシステム |
| JP4116052B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2008-07-09 | 北陽電機株式会社 | 測距装置 |
| WO2010016449A1 (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3814944A (en) * | 1973-05-24 | 1974-06-04 | Computer Design Corp | Mark sense card reader |
| DE2558155C3 (de) * | 1974-12-28 | 1978-10-19 | Canon K.K., Tokio | Lkhtmeßschaltung |
-
1977
- 1977-07-29 JP JP52090327A patent/JPS6031249B2/ja not_active Expired
-
1978
- 1978-06-29 US US05/920,248 patent/US4188551A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-07-28 DE DE19782833217 patent/DE2833217A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5425780A (en) | 1979-02-26 |
| US4188551A (en) | 1980-02-12 |
| DE2833217A1 (de) | 1979-02-01 |
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