JPH0573086B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0573086B2 JPH0573086B2 JP27824884A JP27824884A JPH0573086B2 JP H0573086 B2 JPH0573086 B2 JP H0573086B2 JP 27824884 A JP27824884 A JP 27824884A JP 27824884 A JP27824884 A JP 27824884A JP H0573086 B2 JPH0573086 B2 JP H0573086B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- optical coupling
- amplifier
- photocurrent
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえばテレビジヨン受像機のAV
端子入力絶縁増幅器などに使用され、入出力間が
光結合半導体素子により電気的に分離された信号
増幅器に係り、特に自動利得調整系に関する。
端子入力絶縁増幅器などに使用され、入出力間が
光結合半導体素子により電気的に分離された信号
増幅器に係り、特に自動利得調整系に関する。
この種の信号増幅器の従来例を第２図に示す。
即ち、１は入力信号電圧Vinが印加される入力端
子、２はフオトカプラであつて、発光素子（たと
えば発光ダイオード）３と受光素子４と受光電流
増幅用のNPN形トランジスタ５とからなり、６
は出力信号電圧Voutを取り出す出力端子、７は
前記入力電圧Vinに応じて前記発光素子３に発光
電流を供給する発光駆動回路、８は前記フオトカ
プラ２からの出力信号を増幅して前記出力電圧
Voutを得る出力側増幅回路である。上記フオト
カプラ２の受光素子４はたとえばフオトダイオー
ドであり、そのカソード側はVcc電源に接続さ
れ、アノード側は前記トランジスタ５のベースに
接続されており、このトランジスタ５のエミツタ
は接地されている。前記出力側増幅回路８におい
て、出力用のNPN形トランジスタ９はコレクタ
が結合コンデンサ１０を介して出力端子６に接続
されると共に抵抗Rcを介してVcc電源に接続さ
れ、ベースが抵抗Rkを介してVcc電源に接続さ
れ、エミツタが抵抗REを介して接地されている。
また、上記トランジスタ９のベースには前記フオ
トカプラ２のトランジスタ５のコレクタが接続さ
れ、このトランジスタ５のベースと上記トランジ
スタ９のエミツタとの間に帰還用抵抗Rfが接続
されている。
即ち、１は入力信号電圧Vinが印加される入力端
子、２はフオトカプラであつて、発光素子（たと
えば発光ダイオード）３と受光素子４と受光電流
増幅用のNPN形トランジスタ５とからなり、６
は出力信号電圧Voutを取り出す出力端子、７は
前記入力電圧Vinに応じて前記発光素子３に発光
電流を供給する発光駆動回路、８は前記フオトカ
プラ２からの出力信号を増幅して前記出力電圧
Voutを得る出力側増幅回路である。上記フオト
カプラ２の受光素子４はたとえばフオトダイオー
ドであり、そのカソード側はVcc電源に接続さ
れ、アノード側は前記トランジスタ５のベースに
接続されており、このトランジスタ５のエミツタ
は接地されている。前記出力側増幅回路８におい
て、出力用のNPN形トランジスタ９はコレクタ
が結合コンデンサ１０を介して出力端子６に接続
されると共に抵抗Rcを介してVcc電源に接続さ
れ、ベースが抵抗Rkを介してVcc電源に接続さ
れ、エミツタが抵抗REを介して接地されている。
また、上記トランジスタ９のベースには前記フオ
トカプラ２のトランジスタ５のコレクタが接続さ
れ、このトランジスタ５のベースと上記トランジ
スタ９のエミツタとの間に帰還用抵抗Rfが接続
されている。
上記信号増幅器においては、フオトカプラ２に
よつて入力端子側の回路と出力端子側の回路とが
電気的に分離されている。いま、発光素子３の駆
動電流をIF、受光素子４に流れる光電流IPB、発光
駆動回路７において発光素子３がコレクタに接続
されたNPN形トランジスタ１１のエミツタ側に
接続されている抵抗をRAで表わせば、上記増幅
器の電圧利得GVは上記受光素子４の光電流IPBに
ほぼ比例して次式で表わされる。
よつて入力端子側の回路と出力端子側の回路とが
電気的に分離されている。いま、発光素子３の駆
動電流をIF、受光素子４に流れる光電流IPB、発光
駆動回路７において発光素子３がコレクタに接続
されたNPN形トランジスタ１１のエミツタ側に
接続されている抵抗をRAで表わせば、上記増幅
器の電圧利得GVは上記受光素子４の光電流IPBに
ほぼ比例して次式で表わされる。
GV＝Vout／Vin＝（δIPB／δIF）１／RA・Rf・Rc
／RE（IPB／IF＼IF＝IFａ）１／RA・Rf・Rc／RE…(1)
ここで、IFａは発光駆動電流の平均値である。
／RE（IPB／IF＼IF＝IFａ）１／RA・Rf・Rc／RE…(1)
ここで、IFａは発光駆動電流の平均値である。
ところで、前記受光素子４の光電流IPBは、発
光素子３や受光素子４の特性のばらつき、両者間
の光結合の度合のばらつきによりばらつく。そし
て、これによつて前記電圧利得GVがばらつき、
実際の製品においては上記利得GVは３〜４倍の
ばらつきが存在する。そこで、このばらつきを補
正して所定の利得GVを得るために、従来は前記
抵抗RA，Rf，Rcの値を調整しているが、この調
整作業に要するコストがかなり高くなるので無調
整化が望まれている。
光素子３や受光素子４の特性のばらつき、両者間
の光結合の度合のばらつきによりばらつく。そし
て、これによつて前記電圧利得GVがばらつき、
実際の製品においては上記利得GVは３〜４倍の
ばらつきが存在する。そこで、このばらつきを補
正して所定の利得GVを得るために、従来は前記
抵抗RA，Rf，Rcの値を調整しているが、この調
整作業に要するコストがかなり高くなるので無調
整化が望まれている。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
受光素子特性などのばらつきに起因する利得のば
らつきを自動的に補正可能な光結合素子を有する
信号増幅器を提供するものである。
受光素子特性などのばらつきに起因する利得のば
らつきを自動的に補正可能な光結合素子を有する
信号増幅器を提供するものである。
即ち、本発明は、入力信号に応じた光結合を行
なう光結合半導体素子の光電変換出力信号をトラ
ンジスタ増幅回路により増幅して出力する光結合
素子を有する信号増幅器において、前記光結合半
導体素子における受光素子に流れる光電流の一部
を、上記光電流の大きさに正対応して分流させる
帰還回路を具備してなることを特徴とするもので
ある。
なう光結合半導体素子の光電変換出力信号をトラ
ンジスタ増幅回路により増幅して出力する光結合
素子を有する信号増幅器において、前記光結合半
導体素子における受光素子に流れる光電流の一部
を、上記光電流の大きさに正対応して分流させる
帰還回路を具備してなることを特徴とするもので
ある。
したがつて、受光素子特性などのばらつきによ
り光電流の大きさがばらついても、増幅器の電圧
利得に寄与する光電流（トランジスタ増幅回路の
入力分）がほぼ一定になるので、自動利得調整機
能を実現でき、実際の製品の利得の無調整化を図
ることができる。
り光電流の大きさがばらついても、増幅器の電圧
利得に寄与する光電流（トランジスタ増幅回路の
入力分）がほぼ一定になるので、自動利得調整機
能を実現でき、実際の製品の利得の無調整化を図
ることができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。第１図に示す信号増幅器は、第２図
を参照して前述した従来例に対して帰還回路２０
を付加したものであり、第２図中と同一部分には
同一符号を付してその説明を省略する。
に説明する。第１図に示す信号増幅器は、第２図
を参照して前述した従来例に対して帰還回路２０
を付加したものであり、第２図中と同一部分には
同一符号を付してその説明を省略する。
上記帰還回路２０は、出力側増幅回路８の出力
用トランジスタ９のエミツタと接地端との間に接
続された抵抗回路（たとえば直列接続された２個
の抵抗RE1，RE2）の中間電圧点（上記抵抗RE1，
RE2の相互接続点Ｂ）にベースが接続され、エミ
ツタ・コレクタ間が前記フオトカプラ２のトラン
ジスタ５のベースと接地端との間に接続された
PNP形トランジスタQfからなる。
用トランジスタ９のエミツタと接地端との間に接
続された抵抗回路（たとえば直列接続された２個
の抵抗RE1，RE2）の中間電圧点（上記抵抗RE1，
RE2の相互接続点Ｂ）にベースが接続され、エミ
ツタ・コレクタ間が前記フオトカプラ２のトラン
ジスタ５のベースと接地端との間に接続された
PNP形トランジスタQfからなる。
上記増幅器においては、受光素子４の光電流
IPBの一部が帰還用トランジスタQfに流れ、この
トランジスタQfのベース電位VB（前記相互接続点
Ｂの電位）およびベース・エミツタ間電位VBEfは
出力用トランジスタ９のエミツタ電位をVE、フ
オトカプラ２のトランジスタ５のベース・エミツ
タ間電位をVBE5で表わすと、それぞれ次式の如く
示される。
IPBの一部が帰還用トランジスタQfに流れ、この
トランジスタQfのベース電位VB（前記相互接続点
Ｂの電位）およびベース・エミツタ間電位VBEfは
出力用トランジスタ９のエミツタ電位をVE、フ
オトカプラ２のトランジスタ５のベース・エミツ
タ間電位をVBE5で表わすと、それぞれ次式の如く
示される。
VB＝RE2／RE1＋RE2VE …(2)
VBEf＝VBE5−VB …(3)
上式(2)のVEは
VE＝VBE5−Rf・IPB＋Ｋ …(4)
で示され、Ｋは抵抗RK，Rf，Vcc電圧、帰還用
トランジスタQfの特性に関連する値であり、通
常はVBE5≫Ｋである。つまり、前記帰還用トラン
ジスタQfのベース電位VB、ベース・エミツタ間
電位VBEfは上式(2)，(3)，(4)から光電流IPBに直接依
存し、IPBの大小に逆対応してVBが定まり、IPBの
大小に正対応してVBEが定まる。そして、帰還用
トランジスタQfに流れる電流Ifは上記VBEfに正対
応して定まるので、IPBが大きいときには帰還用
トランジスタQfに分流する電流Ifが大きくなり、
IPBが小さいときには上記分流電流Ifが小さくな
る。したがつて、受光素子特性などに起因する光
電流IPBのばらつきが存在しても、増幅器の電圧
利得GVに寄与する光電流（フオトカプラ２のト
ランジスタ５を駆動する電流及び帰還抵抗Rfに
流れ込む電流）はほぼ一定に保たれ、上記利得
GVのばらつきが自動的に抑制されることになる。
上記実施例による実際の製品における利得GVの
ばらつきは1.5倍であり、従来例の製品における
ばらつき（３〜４倍）に比べて改善されているこ
とが確認されている。このことから、上記増幅器
の利得GVのばらつきを補正しない、即ち利得GV
の無調整化が可能である。
トランジスタQfの特性に関連する値であり、通
常はVBE5≫Ｋである。つまり、前記帰還用トラン
ジスタQfのベース電位VB、ベース・エミツタ間
電位VBEfは上式(2)，(3)，(4)から光電流IPBに直接依
存し、IPBの大小に逆対応してVBが定まり、IPBの
大小に正対応してVBEが定まる。そして、帰還用
トランジスタQfに流れる電流Ifは上記VBEfに正対
応して定まるので、IPBが大きいときには帰還用
トランジスタQfに分流する電流Ifが大きくなり、
IPBが小さいときには上記分流電流Ifが小さくな
る。したがつて、受光素子特性などに起因する光
電流IPBのばらつきが存在しても、増幅器の電圧
利得GVに寄与する光電流（フオトカプラ２のト
ランジスタ５を駆動する電流及び帰還抵抗Rfに
流れ込む電流）はほぼ一定に保たれ、上記利得
GVのばらつきが自動的に抑制されることになる。
上記実施例による実際の製品における利得GVの
ばらつきは1.5倍であり、従来例の製品における
ばらつき（３〜４倍）に比べて改善されているこ
とが確認されている。このことから、上記増幅器
の利得GVのばらつきを補正しない、即ち利得GV
の無調整化が可能である。
上述したように本発明の光結合素子を有する信
号増幅器によれば、光結合素子における受光素子
に流れる光電流の一部を、光電流の大きさに正対
応して分流させる帰還回路を設けているので、受
光素子特性などのばらつきに起因する増幅器の電
圧利得のばらつきを自動的に補正することがで
き、利得の無調整化が可能であり、製造コストを
低減することができる。
号増幅器によれば、光結合素子における受光素子
に流れる光電流の一部を、光電流の大きさに正対
応して分流させる帰還回路を設けているので、受
光素子特性などのばらつきに起因する増幅器の電
圧利得のばらつきを自動的に補正することがで
き、利得の無調整化が可能であり、製造コストを
低減することができる。
第１図は本発明の光結合素子を有する信号増幅
器の一実施例を示す回路図、第２図は従来の光結
合素子を有する信号増幅器を示す回路図である。 ２……光結合素子、４……受光素子、８……出
力側増幅回路、２０……帰還回路、Qf……帰還
用トランジスタ。
器の一実施例を示す回路図、第２図は従来の光結
合素子を有する信号増幅器を示す回路図である。 ２……光結合素子、４……受光素子、８……出
力側増幅回路、２０……帰還回路、Qf……帰還
用トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入力信号に応じた光結合を行なう光結合半導
体素子の光電変換出力信号を増幅回路により増幅
して出力する光結合素子を有する信号増幅器にお
いて、前記光結合半導体素子における受光素子に
流れる光電流の一部を、上記光電流の大きさに正
対応して分流させる帰還回路を具備してなること
を特徴とする光結合素子を有する信号増幅器。 ２ 前記帰還回路は、前記増幅回路に流れる電流
により生じる抵抗の電圧降下に応じてバイアスが
与えられるトランジスタを前記受光素子の一端と
所定電位端との間に接続してなることを特徴とす
る前記特許請求の範囲第１項記載の光結合素子を
有する信号増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27824884A JPS61156913A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 光結合素子を有する信号増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27824884A JPS61156913A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 光結合素子を有する信号増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156913A JPS61156913A (ja) | 1986-07-16 |
| JPH0573086B2 true JPH0573086B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=17594681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27824884A Granted JPS61156913A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 光結合素子を有する信号増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156913A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5946393A (en) * | 1997-02-10 | 1999-08-31 | Integration Associates, Inc. | Data access arrangement |
| JP5502203B2 (ja) | 2009-12-10 | 2014-05-28 | 有限会社シエスタ | 超音波スケーラー用チップ |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27824884A patent/JPS61156913A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61156913A (ja) | 1986-07-16 |
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