JPS5950133B2 - 光発振回路 - Google Patents
光発振回路Info
- Publication number
- JPS5950133B2 JPS5950133B2 JP11388678A JP11388678A JPS5950133B2 JP S5950133 B2 JPS5950133 B2 JP S5950133B2 JP 11388678 A JP11388678 A JP 11388678A JP 11388678 A JP11388678 A JP 11388678A JP S5950133 B2 JPS5950133 B2 JP S5950133B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- photodiode
- power supply
- base
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/42—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光発振回路に関するものであり、ＮＰＮ型トラ
ンジスタ１のコレクタをＰＮＰ型トランジスタ２のベー
スに接続するとともにＮＰＮ型トランジスタ１のベース
をＰＮＰ型トランジスタ２のコレクタに接続し、ＰＮＰ
型トランジスタ２のエミッタを直流電源３の正極にフォ
トダイオード４を介して接続し、このフォトダイオード
４と直流電源３との接続点を第１の抵抗７を介して、前
記ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮＰ型ト
ランジスタ２のベースに夫々接続し、直流電源３の負極
とＮＰＮ型トランジスタ１のエミッタとを第２の抵抗８
を介して接続するとともに直流電源３の負極とＮＰＮ型
トランジスタ１のベースとの間にツェナーダイオード５
を接続し、前記フォトダイオード４に並列にコンデンサ
６を接続して成ることを特徴とする光発振回路に係る。
ンジスタ１のコレクタをＰＮＰ型トランジスタ２のベー
スに接続するとともにＮＰＮ型トランジスタ１のベース
をＰＮＰ型トランジスタ２のコレクタに接続し、ＰＮＰ
型トランジスタ２のエミッタを直流電源３の正極にフォ
トダイオード４を介して接続し、このフォトダイオード
４と直流電源３との接続点を第１の抵抗７を介して、前
記ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮＰ型ト
ランジスタ２のベースに夫々接続し、直流電源３の負極
とＮＰＮ型トランジスタ１のエミッタとを第２の抵抗８
を介して接続するとともに直流電源３の負極とＮＰＮ型
トランジスタ１のベースとの間にツェナーダイオード５
を接続し、前記フォトダイオード４に並列にコンデンサ
６を接続して成ることを特徴とする光発振回路に係る。
第１図は、ＮＰＮ型トランジスタ１とＰＮＰ型トランジ
スタ２とを所謂サイリスタ接続して、ＮＰＮ型トランジ
スタ１のエミッタを抵抗８を介して直流電源３の負極に
接続し、ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮ
Ｐ型トランジスタ２のベースを抵抗７を介して直流電源
３の正極に夫々接続し、直流電源３の正極とＰＮＰ型ト
ランジスタ２のエミッタとの間にフォトダイオード４を
接続して構成せる従来の光発振回路を示す。
スタ２とを所謂サイリスタ接続して、ＮＰＮ型トランジ
スタ１のエミッタを抵抗８を介して直流電源３の負極に
接続し、ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮ
Ｐ型トランジスタ２のベースを抵抗７を介して直流電源
３の正極に夫々接続し、直流電源３の正極とＰＮＰ型ト
ランジスタ２のエミッタとの間にフォトダイオード４を
接続して構成せる従来の光発振回路を示す。
かかる従来例回路はフォトダイオード４に入力がなけれ
ば第２図ａのように回路電流■が流れない。
ば第２図ａのように回路電流■が流れない。
また弱い光がフォトダイオード４に入力すると、フォト
ダイオード４に光起電力が発生し、サイリスタ結合のト
ランジスタ１，２にトリガ電流が流れる。
ダイオード４に光起電力が発生し、サイリスタ結合のト
ランジスタ１，２にトリガ電流が流れる。
つまりフォトダイオード４、トランジスタ２．１、抵抗
８、直流電源３、フォトダイオード４の回路及びフォト
ダイオード４、トランジスタ２のエミッタ・ベース、抵
抗７、フォトダイオード４の回路に電流が流れる。
８、直流電源３、フォトダイオード４の回路及びフォト
ダイオード４、トランジスタ２のエミッタ・ベース、抵
抗７、フォトダイオード４の回路に電流が流れる。
そのためトランジスタ１，２の間で正帰還がかがりトラ
ンジスタ１゜２はオン状態となる。
ンジスタ１゜２はオン状態となる。
このオンによって直流電源３からは抵抗７と、トランジ
スタ１と、抵抗８と、直流電源３との回路及び、コンデ
ンサ６と、トランジスタ２，１と、抵抗８と、直流電源
３との回路、更にフォトダイオード４と、トランジスタ
２，１と抵抗８と、直流電源３との回路に夫々電流が流
れる。
スタ１と、抵抗８と、直流電源３との回路及び、コンデ
ンサ６と、トランジスタ２，１と、抵抗８と、直流電源
３との回路、更にフォトダイオード４と、トランジスタ
２，１と抵抗８と、直流電源３との回路に夫々電流が流
れる。
さてコンデンサ６にはサイリスタ結合したトランジスタ
１，２がオンした瞬間に抵抗７の電位降下に相当する電
圧が印加されるためコンデンサ６を通って充電電流が流
れる。
１，２がオンした瞬間に抵抗７の電位降下に相当する電
圧が印加されるためコンデンサ６を通って充電電流が流
れる。
しかしこの充電電流は時間とともに減少してゆきコンデ
ンサ６の時間が完了するとこの充電電流はゼロとなる。
ンサ６の時間が完了するとこの充電電流はゼロとなる。
この時サイリスタ結合の両トランジスタ１．２に流れる
電流Ｉはフォトダイオード４を通る光電流のみである。
電流Ｉはフォトダイオード４を通る光電流のみである。
尚抵抗７を通って流れる電流はサイリスタ動作には寄与
しない。
しない。
さて上記光電流がサイリスタ結合の保持電流に相当する
値より小さいものならば、コンデンサ６への充電電流が
小さくなり、保持電流以下になった時点でサイリスタ結
合のトランジスタ１，２はオフとなり、回路に電流Ｉは
流れなくなる。
値より小さいものならば、コンデンサ６への充電電流が
小さくなり、保持電流以下になった時点でサイリスタ結
合のトランジスタ１，２はオフとなり、回路に電流Ｉは
流れなくなる。
この時トランジスタ２のベース・エミッタ間にはコンデ
ンサ６のための逆バイアスが印加されている。
ンサ６のための逆バイアスが印加されている。
そのためコンデンサ６の充電電荷がフォトダイオード４
の光電流のため完全に放電するまでサイリスタ結合のト
ランジスタ１，２がオンすることはない。
の光電流のため完全に放電するまでサイリスタ結合のト
ランジスタ１，２がオンすることはない。
以上のことによりフォトダイオード４にあたる光が弱い
と回路がオフして時間が長くなり、第２図すに示すよう
に発振周波数が低くなる。
と回路がオフして時間が長くなり、第２図すに示すよう
に発振周波数が低くなる。
光が強くなると発振周波数が第２図Ｃに示すように増大
し、やがてフォトダイオード４を通る光電流がサイリス
タ結合の保持電流以上になるとトランジスタ１，２は第
２図ｄに示すようにオフすることなくオンし続けて一定
電流Ｉ。
し、やがてフォトダイオード４を通る光電流がサイリス
タ結合の保持電流以上になるとトランジスタ１，２は第
２図ｄに示すようにオフすることなくオンし続けて一定
電流Ｉ。
を流し発振は停止する。
本発明はこの問題点に鑑みて為したもので光強度が強く
なっても光強度が弱い場合でも光の強さに応じて発振周
波数を変化させることができる光発振回路を提供するに
ある。
なっても光強度が弱い場合でも光の強さに応じて発振周
波数を変化させることができる光発振回路を提供するに
ある。
以下本発明を実施例によって説明する。
第３図は本発明の一実施例の回路図を示し、かかる実施
例回路は第１図回路において、ＮＰＮ型トランジスタ１
のベースと直流電源３の負極との間にツェナーダイオー
ド５を接続したものである。
例回路は第１図回路において、ＮＰＮ型トランジスタ１
のベースと直流電源３の負極との間にツェナーダイオー
ド５を接続したものである。
今、抵抗７，８の抵抗値をＲ６，Ｒ１とし、ツェナーダ
イオード５のツェナー電圧をＶｚとし、第２図ｄの場合
に相当する光がフォトダイオード４に入射したとすると
、抵抗８の電圧降下Ｖ。
イオード５のツェナー電圧をＶｚとし、第２図ｄの場合
に相当する光がフォトダイオード４に入射したとすると
、抵抗８の電圧降下Ｖ。
はＶ。＝Ｉｏ−Ｒ１となる。
ところがツェナー電圧ＶｚがＶ。より小さいとき、即ち
Ｖ。
Ｖ。
＞ＶｚならばＮＰＮ型トランジスタ１のエミッタ・ベー
ス間には逆方向の電圧が印加され、ＮＰＮ型トランジス
タ１のコレクタ電流を遮断する。
ス間には逆方向の電圧が印加され、ＮＰＮ型トランジス
タ１のコレクタ電流を遮断する。
そのため抵抗７の電圧降下はなくなり、ＰＮＰ型トラン
ジスタ２のベース電位は電源の正極側と同電位まで上昇
する。
ジスタ２のベース電位は電源の正極側と同電位まで上昇
する。
またコンデンサ６にはＮＰＮ型トランジスタ１がオフ状
態になる前の抵抗７の電圧降下にほぼ匹敵する電圧が充
電されている。
態になる前の抵抗７の電圧降下にほぼ匹敵する電圧が充
電されている。
そのためＮＰＮ型トランジスタ１がオフになり、ＰＮＰ
型トランジスタ２のベース電位が直流電源３の正極側と
同電位まで上昇しても、ＰＮＰ型トランジスタ２のエミ
ッタ電位は、コンデンサ６の両端に存在している電圧分
だけ、ベース電位よりも低くなる。
型トランジスタ２のベース電位が直流電源３の正極側と
同電位まで上昇しても、ＰＮＰ型トランジスタ２のエミ
ッタ電位は、コンデンサ６の両端に存在している電圧分
だけ、ベース電位よりも低くなる。
このため、ＰＮＰ型トランジスタ２のエミッタ・ベース
間には逆方向バイアスがかかり、フォトダイオード４の
光電流により、コンデンサ６の電荷が放電し終わるまで
ＰＮＰ型トランジスタ２はオンしない。
間には逆方向バイアスがかかり、フォトダイオード４の
光電流により、コンデンサ６の電荷が放電し終わるまで
ＰＮＰ型トランジスタ２はオンしない。
一方ＮＰＮ型トランジスタ１は抵抗８の電圧降下Ｖｏが
ツェナー電圧ｖｚより小さくなると、ＮＰＮ型トランジ
スタ１のベース・エミッタ間には逆方向電圧がかからな
くなり、ＮＰＮ型トランジスタ１のベースに電流が流れ
込めばいつでもオンできる状態にある。
ツェナー電圧ｖｚより小さくなると、ＮＰＮ型トランジ
スタ１のベース・エミッタ間には逆方向電圧がかからな
くなり、ＮＰＮ型トランジスタ１のベースに電流が流れ
込めばいつでもオンできる状態にある。
従ってＰＮＰ型トランジスタ２がオンすれば、そのコレ
クタ電流はＮＰＮ型トランジスタ１のベース電流となる
から、この回路全体に再び電流が流れる。
クタ電流はＮＰＮ型トランジスタ１のベース電流となる
から、この回路全体に再び電流が流れる。
そして、この流れ出した電流により、抵抗８の電圧降下
Ｖ。
Ｖ。
がツェナー電圧ｖｚより大きくなると上述のように回路
全体の電流が遮断され、この現象を繰返して発振が持続
する。
全体の電流が遮断され、この現象を繰返して発振が持続
する。
フォトダイオード４の入射光を強くしてゆくと、この回
路がオフ状態にあると、フォトダイオード４の光電流が
増して、コンデンサ６の放電時間が短くなり、第４図の
ように発振周波数が増大する。
路がオフ状態にあると、フォトダイオード４の光電流が
増して、コンデンサ６の放電時間が短くなり、第４図の
ように発振周波数が増大する。
尚弱い光では第１図従来例と同様な動作をする。
本発明は上述のように構成しであるので、フォトダイオ
ードの入射光を強くしても発振停止が起らず、入射光の
強さに応じて回路の発振周波数が変化する光の強度範囲
を大きく広げることができるという効果を奏する。
ードの入射光を強くしても発振停止が起らず、入射光の
強さに応じて回路の発振周波数が変化する光の強度範囲
を大きく広げることができるという効果を奏する。
第１図は従来例の回路図、第２図ａ−ｄは同上の動作波
形図、第３図は本発明の一実施例の回路図、第４図は同
上の動作波形図であり、１はＮＰＮ型トランジスタ、２
はＰＮＰ型トランジスタ、３は直流電源、４はフォトダ
イオード、５はツェナーダイオード、６はコンデンサ、
７は第１の抵抗、８は第２の抵抗である。
形図、第３図は本発明の一実施例の回路図、第４図は同
上の動作波形図であり、１はＮＰＮ型トランジスタ、２
はＰＮＰ型トランジスタ、３は直流電源、４はフォトダ
イオード、５はツェナーダイオード、６はコンデンサ、
７は第１の抵抗、８は第２の抵抗である。
Claims (1)
- Ｉ ＮＰＮ型トランジスタのコレクタをＰＮＰ型トラ
ンジスタのベースに接続するとともにＮＰＮ型トランジ
スタのベースをＰＮＰ型トランジスタのコレクタに接続
し、ＰＮＰ型トランジスタのエミッタを直流電源の正極
にフォトダイオードを介して接続し、このフォトダイオ
ードと直流電源との接続点を第１の抵抗を介して、前記
ＮＰＮ型トランジスタのコレクタ並びにＰＮＰ型トラン
ジスタのベースに夫々接続し、直流電源の負極とＮＰＮ
型トランジスタのエミッタとを第２の抵抗を介して接続
するとともに直流電源の負極とＮＰＮ型トランジスタの
ベースとの間にツェナーダイオードを接続し、前記フォ
トダイオードに並列にコンデンサを接続して成ることを
特徴とする光発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11388678A JPS5950133B2 (ja) | 1978-09-15 | 1978-09-15 | 光発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11388678A JPS5950133B2 (ja) | 1978-09-15 | 1978-09-15 | 光発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541023A JPS5541023A (en) | 1980-03-22 |
| JPS5950133B2 true JPS5950133B2 (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=14623583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11388678A Expired JPS5950133B2 (ja) | 1978-09-15 | 1978-09-15 | 光発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950133B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148409U (ja) * | 1984-08-31 | 1986-04-01 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4796440A (en) * | 1987-01-28 | 1989-01-10 | Sanyei Corp. | Ice cream maker |
-
1978
- 1978-09-15 JP JP11388678A patent/JPS5950133B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148409U (ja) * | 1984-08-31 | 1986-04-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5541023A (en) | 1980-03-22 |
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