JPH0526950Y2 - - Google Patents

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JPH0526950Y2
JPH0526950Y2 JP12292888U JP12292888U JPH0526950Y2 JP H0526950 Y2 JPH0526950 Y2 JP H0526950Y2 JP 12292888 U JP12292888 U JP 12292888U JP 12292888 U JP12292888 U JP 12292888U JP H0526950 Y2 JPH0526950 Y2 JP H0526950Y2
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switching transistor
resistance element
switching
transistor
power supply
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Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案はテレビジヨン受像機、VTR等の電源
として使用されるスイツチング制御型電源回路に
関する。
(ロ) 従来の技術 スイツチング制御型電源回路は種々の方式に分
類され、その一つとして例えば実開昭59−155884
号公報に示される如きブロツキング発振方式のも
のが挙げられる。第4図はその一例を示してお
り、この電源回路は端子1,2間に供給される非
安定直流電圧に対してコンバータトランス3の入
力巻線N1とスイツチングトランジスタQ1と電流
検出用抵抗R2がこの順に直列接続され且つ一端
がコンデンサC1とダイオードD1と抵抗R3からな
る直並列回路を介して接地された前記トランス3
の帰還巻線N3の他端がスイツチングトランジス
タQ1のベースに接続され、これによつてブロツ
キング発振回路が構成されている。また、上記帰
還巻線N3と連続して設けられた検出巻線N4には
コンデンサC2とその充電用ダイオードD2が直列
に接続され、この両者の接続中点Aと接地点との
間に電流制限抵抗R4を介して制御トランジスタ
Q2が接続されており且つこのトランジスタQ2
ベースと前記A点との間にはツエナーダイオード
ZDが接続されている。そして、前記トランス3
の出力巻線N2からダイオードD3とコンデンサC3
によつて直流出力電圧V0が取り出されるように
なつている。
すなわち、この第4図の電源回路では、ブロツ
キング発振動作によりスイツチングトランジスタ
Q1がターンオンすると、電流Ii(第3図参照)が
流れる。従つて、このオン期間では、前述のA点
の電位VAは、上記電流Iiにより抵抗R2に発生す
る電圧VRと、スイツチングトランジスタQ1のベ
ース・エミツタ間立上り電圧VBE1と、スイツチン
グトランジスタQ1の以前のオフ期間に検出巻線
N4の電圧によつて図示の極性に充電されたコン
デンサC2の電圧Vdの和になる。そして、この電
位VAが上記電流Iiの増加につれて上昇し、ツエナ
ーダイオードZDのツエナー電圧V2と制御トラン
ジスタQ2のVBE2の和を越えると、制御トランジ
スタQ2がターンオンする。すると、上記コンデ
ンサC2の電圧Vdを電源として図示の経路でスイ
ツチングトランジスタQ1に逆バイアス電流Id(第
3図参照)が流れ、それによつてこのスイツチン
グトランジスタQ1がターンオフして該トランジ
スタのオン期間が終了することになる。ここで、
直流出力電圧Vpが設定値よりも上昇したときは、
出力巻線N2と検出巻線N4が密結合されているの
で、コンデンサC2の電圧Vdも増大する。このた
め、制御トランジスタQ2のターンオンタイミン
グが早くなつてスイツチングトランジスタQ1
オン期間が短縮され、上記出力電圧Vpの上昇が
抑圧されて安定化される訳である。出力電圧が低
下した場合も同様である。
(ハ) 考案が解決しようとする課題 斯上したスイツチング制御型電源回路では、軽
負荷のとき電流検出用抵抗R2の電圧降下が小さ
くブロツキング発振が不安定となるので、負荷に
ダミー負荷を追加したりまたは電流検出用抵抗
R2の値を大きくしていた。しかしダミー負荷を
接続すると効率が悪化する問題点があり、電流検
出用抵抗R2を大きくすると出力電圧Vpが減少す
る問題点があつた。
(ニ) 課題を解決するための手段 本考案は斯上した問題点に鑑みてなされ、電流
検出用抵抗を第1抵抗素子と第2抵抗素子および
第3抵抗素子と切換トランジスタとを並列接続す
ることにより、従来の問題点を解決したスイツチ
ング制御型電源回路を提供するものである。
(ホ) 作用 本考案に依れば、軽負荷時には切換トランジス
タをオフして抵抗値の大きい第1抵抗素子と第2
抵抗素子を電流検出用抵抗として用い、負荷が大
きくなると切換トランジスタをオンして抵抗値の
小さい第3抵抗素子を電流検出用抵抗として用い
ているので、どのような負荷に対しても安定した
ブロツキング発振を得られるのである。
(ヘ) 実施例 以下に第1図乃至第3図を参照して本考案の実
施例を詳述する。なお第1図では第5図と同一構
成のものには同一符号を付しており、動作波形図
は本考案も従来例も原理的に同じであるので第3
図を共用している。
本考案の特徴は電流検出用抵抗にある。電流検
出用抵抗は第1図に示す如く、スイツチングトラ
ンジスタQ1のエミツタ側に設けられ、直列に接
続した第1抵抗素子R21と第2抵抗素子R22と直
列に接続した第3抵抗素子R23と切換トランジス
タQ3とを並列に接続し、切換トランジスタQ3
ベースを第1抵抗素子R21と第2抵抗素子R22
接続点に接続している。第1抵抗素子R21と第2
抵抗素子R22の抵抗値は第3抵抗素子R23より大
きく設定され、切換トランジスタQ3は第2抵抗
素子R22の電圧降下によりオンオフされている。
次に本考案の動作について説明する。軽負荷時
の場合には、スイツチングトランジスタQ3を流
れるエミツタ電流は小さく、第2抵抗素子R22
電圧降下が小さいため切換トランジスタQ3はオ
フしている。この結果、電流検出用抵抗として第
1抵抗素子R21と第2抵抗素子R22が働き、大き
い抵抗値を有しているので安定したブロツキング
発振を得られる。即ち、第2図で示す如く、エミ
ツタ電流が0からIE0までは第1抵抗素子R21と第
2抵抗素子R22とが電流検出用抵抗として働いて
いる。更に負荷が大きくなり、エミツタ電流が
IE0に達すると、第2抵抗素子R22の電圧降下によ
り切換トランジスタQ3がオンし、抵抗値の小さ
い第3抵抗素子R23をエミツタ電流がバイパスす
る。この結果、負荷が大きくなると電流検出用抵
抗として第3抵抗素子R23が働き、出力電圧の低
下を防止している。従つて第2図から明らかな様
にエミツタ電流がIE0から過電流保護のための遮
断時までは第3抵抗素子R23が電流検出用抵抗と
なる。
(ト) 考案の効果 本考案に依れば、切換トランジスタQ3により
負荷に応じて電流検出用抵抗の切換を行つている
ので、幅広い負荷変動範囲でも効率の悪化なく確
実に安定なブロツキング発振を得られる利点を有
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に依るスイツチング制御型電源
回路を説明する回路図、第2図は本考案の動作を
説明する特性図、第3図は本考案および従来の要
部の電圧、電流波形を説明する波形図、第4図は
従来のスイツチング制御型電源回路を説明する回
路図である。 Q1……スイツチングトランジスタ、Q2……制
御トランジスタ、Q3……切換トランジスタ、C1
C2……コンデンサ、D1,D2,D3,D4,D5……ダ
イオード、R1,R2,R21,R22,R23,R3,R4
R5,R6,R7,R8……抵抗、ZD……ツエナーダイ
オード。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) トランスと該トランスの入力巻線に直列に接
    続され該入力巻線を通して与えられる直流入力
    をスイツチングするスイツチングトランジスタ
    と該スイツチングトランジスタに正帰還をかけ
    て自励発振させる帰還巻線と両端にコンデンサ
    とダイオードを直列に接続し前記トランスの2
    次出力電圧に応答して前記コンデンサに充電を
    行う検出巻線と前記コンデンサの一端の電圧を
    検出してオンし前記スイツチングトランジスタ
    をオフする制御トランジスタとを具備するスイ
    ツチング制御型電源回路において、前記スイツ
    チングトランジスタのエミツタ側に第1抵抗素
    子と第2抵抗素子および第3抵抗素子と切換ト
    ランジスタとを並列に接続し、前記スイツチン
    グトランジスタのエミツタ電流により電流検出
    抵抗値を切換えることを特徴としたスイツチン
    グ制御型電源回路。 (2) 前記第1抵抗素子と第2抵抗素子の抵抗値の
    和より前記第3抵抗素子の抵抗値を小さくする
    ことを特徴とする請求項1記載のスイツチング
    制御型電源回路。
JP12292888U 1988-09-20 1988-09-20 Expired - Lifetime JPH0526950Y2 (ja)

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JP12292888U JPH0526950Y2 (ja) 1988-09-20 1988-09-20

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Publication Number Publication Date
JPH0244881U JPH0244881U (ja) 1990-03-28
JPH0526950Y2 true JPH0526950Y2 (ja) 1993-07-08

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