JPS5950134B2 - 光発振回路 - Google Patents
光発振回路Info
- Publication number
- JPS5950134B2 JPS5950134B2 JP11388778A JP11388778A JPS5950134B2 JP S5950134 B2 JPS5950134 B2 JP S5950134B2 JP 11388778 A JP11388778 A JP 11388778A JP 11388778 A JP11388778 A JP 11388778A JP S5950134 B2 JPS5950134 B2 JP S5950134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- photodiode
- capacitor
- resistor
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/42—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光発振回路に関するものであり、ＮＰＮ型トラ
ンジスタ１のコレクタをＰＮＰ型トランジスタ２のベー
スに接続するとともにＮＰＮ型トランジスタ１のベース
をＰＮＰ型トランジスタ２のコレクタに接続し、ＰＮＰ
型トランジスタ２のエミッタを直流電源３の正極にフォ
トダイオード４を介して接続し、このフォトダイオード
４と直流電源３との接続点を第１の抵抗７を介して前記
ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮＰ型トラ
ンジスタ２のベースに夫々接続し、直流電源３の負極と
ＮＰＮ型トランジスタ１のエミッタとを第２の抵抗８を
介して接続するとともに直流電源３の負極とＮＰＮ型ト
ランジスタ１のベースとの間にツェナーダイオード５を
接続し、前記フォトダイオード４に並列に第１のコンデ
ンサ６を接続し、前記第２の抵抗８に第２のコンデンサ
９を並列接続して成ることを特徴とする光発振回路に係
る。
ンジスタ１のコレクタをＰＮＰ型トランジスタ２のベー
スに接続するとともにＮＰＮ型トランジスタ１のベース
をＰＮＰ型トランジスタ２のコレクタに接続し、ＰＮＰ
型トランジスタ２のエミッタを直流電源３の正極にフォ
トダイオード４を介して接続し、このフォトダイオード
４と直流電源３との接続点を第１の抵抗７を介して前記
ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮＰ型トラ
ンジスタ２のベースに夫々接続し、直流電源３の負極と
ＮＰＮ型トランジスタ１のエミッタとを第２の抵抗８を
介して接続するとともに直流電源３の負極とＮＰＮ型ト
ランジスタ１のベースとの間にツェナーダイオード５を
接続し、前記フォトダイオード４に並列に第１のコンデ
ンサ６を接続し、前記第２の抵抗８に第２のコンデンサ
９を並列接続して成ることを特徴とする光発振回路に係
る。
第１図は、ＮＰＮ型トランジスタ１とＰＮＰ型トランジ
スタ２とを所謂サイリスタ接続して、ＮＰＮ型トランジ
スタ１のエミッタを抵抗８を介して直流電源３の負極に
接続し、ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮ
Ｐ型トランジスタ２のベースを抵抗７を介して直流電源
３の正極に夫々接続し、直流電源３の正極とＰＮＰ型ト
ランジスタ２のエミッタとの間にフォトダイオード４を
接続して構成せる従来の光発振回路を示す。
スタ２とを所謂サイリスタ接続して、ＮＰＮ型トランジ
スタ１のエミッタを抵抗８を介して直流電源３の負極に
接続し、ＮＰＮ型トランジスタ１のコレクタ並びにＰＮ
Ｐ型トランジスタ２のベースを抵抗７を介して直流電源
３の正極に夫々接続し、直流電源３の正極とＰＮＰ型ト
ランジスタ２のエミッタとの間にフォトダイオード４を
接続して構成せる従来の光発振回路を示す。
かかる従来例回路はフォトダイオード４に入力がなけれ
ば第２図ａのように回路電流Ｉが流れない。
ば第２図ａのように回路電流Ｉが流れない。
また、弱い光がフォトダイオード４に入力すると、フォ
トダイオード４に光起電力が発生し、サイリスタ結合の
トランジスタ１，２にトリガ電流が流れる。
トダイオード４に光起電力が発生し、サイリスタ結合の
トランジスタ１，２にトリガ電流が流れる。
つまりフォトダイオード４、トランジスタ２，１、抵抗
８、直流電源３、フォトダイオード４の回路及びフォト
ダイオード４、トランジスタ２のエミッタ・ベース、抵
抗７、フォトダイオード４の回路に電流が流れる。
８、直流電源３、フォトダイオード４の回路及びフォト
ダイオード４、トランジスタ２のエミッタ・ベース、抵
抗７、フォトダイオード４の回路に電流が流れる。
そのためトランジスタ１，２の間で正帰還がかかりトラ
ンジスタ１．２はオン状態となる。
ンジスタ１．２はオン状態となる。
このオンによって直流電源３からは抵抗７と、トランジ
スタ１と、抵抗８と、直流電源３との回路及び、コンデ
ンサ６と、トランジスタ２，１と、抵抗８と、直流電源
３との回路、更にフォトダイオード４と、トランジスタ
２，１と、抵抗８と、直流電源３との回路に夫々電流が
流れる。
スタ１と、抵抗８と、直流電源３との回路及び、コンデ
ンサ６と、トランジスタ２，１と、抵抗８と、直流電源
３との回路、更にフォトダイオード４と、トランジスタ
２，１と、抵抗８と、直流電源３との回路に夫々電流が
流れる。
さてコンデンサ６にはサイリスタ結合したトランジスタ
１，２がオンした瞬間に抵抗７の電位降下に相当する電
圧が印加されるためコンデンサ６を通って充電電流が流
れる。
１，２がオンした瞬間に抵抗７の電位降下に相当する電
圧が印加されるためコンデンサ６を通って充電電流が流
れる。
しかしこの充電電流は時間とともに減少してゆきコンデ
ンサ６の時間が完了するとこの充電電流はゼロとなる。
ンサ６の時間が完了するとこの充電電流はゼロとなる。
この時サイリスタ結合の両トランジスタ１，２に流れる
電流■はフォトダイオード４を通る光電流のみである。
電流■はフォトダイオード４を通る光電流のみである。
尚抵抗７を通って流れる電流はサイリスタ動作には寄与
しない。
しない。
さて上記光電流がサイリスタ結合の保持電流に相当する
値より小さいものならば、コンデンサ６への充電電流が
小さくなり、保持電流以下になった時点でサイリスタ結
合のトランジスタ１，２はオフとなり、回路に電流Ｉは
流れなくなる。
値より小さいものならば、コンデンサ６への充電電流が
小さくなり、保持電流以下になった時点でサイリスタ結
合のトランジスタ１，２はオフとなり、回路に電流Ｉは
流れなくなる。
この時トランジスタ２のベース・エミッタ間にはコンデ
ンサ６のための逆バイアスが印加されている。
ンサ６のための逆バイアスが印加されている。
そのためコンデンサ６の充電電荷がフォトダイオード４
の光電流のため完全に放電するまでサイリスタ結合のト
ランジスタ１，２がオンすることはない。
の光電流のため完全に放電するまでサイリスタ結合のト
ランジスタ１，２がオンすることはない。
以上のことによりフォトダイオード４にあたる光が弱い
と回路がオフして時間が長くなり、第２図すに示すよう
に発振周波数が低くなる。
と回路がオフして時間が長くなり、第２図すに示すよう
に発振周波数が低くなる。
光が強くなると発振周波数が第２図Ｃに示すように増大
し、やがてフォトダイオード４を通る光電流がサイリス
タ結合の保持電流以上になるとトランジスタ１，２は第
２図ｄに示すようにオフすることなくオンし続けて一定
電流Ｉ。
し、やがてフォトダイオード４を通る光電流がサイリス
タ結合の保持電流以上になるとトランジスタ１，２は第
２図ｄに示すようにオフすることなくオンし続けて一定
電流Ｉ。
を流し発振は停止する。
本発明はこの問題点に鑑みて為したもので、光強度が強
くなっても光強度が弱い場合でも光の強さに応じて発振
周波数を変化させることができる光発振回路を提供する
にある。
くなっても光強度が弱い場合でも光の強さに応じて発振
周波数を変化させることができる光発振回路を提供する
にある。
以下本発明を実施例によって説明する。
第３図は本発明の一実施例の回路図を示し、かかる実施
例回路は第１図回路におけるＮＰＮ型トランジスタ１の
ベースと直流電源３の負極との間にツェナーダイオード
５を接続し、抵抗８に並列にコンデンサ９を接続したも
のである。
例回路は第１図回路におけるＮＰＮ型トランジスタ１の
ベースと直流電源３の負極との間にツェナーダイオード
５を接続し、抵抗８に並列にコンデンサ９を接続したも
のである。
しかして、抵抗７，８、コンデンサ６．９の各抵抗値、
容量をＲ２，Ｒ１、Ｃ２，Ｃ１としツェナーダイオード
５のツェナー電圧Ｖｚとする。
容量をＲ２，Ｒ１、Ｃ２，Ｃ１としツェナーダイオード
５のツェナー電圧Ｖｚとする。
今、第２図ｄに相当する光がフォトダイオード４に入射
したとすると、抵抗８の電圧降下Ｖ。
したとすると、抵抗８の電圧降下Ｖ。
は、その時流れている電流をＩ。
とすればＶ。−■。・Ｒ１となる。
ところがツェナー電圧Ｖｚが電圧降下ｖｏより小さいと
きつまりＶ。
きつまりＶ。
＞ＶｚならばＮＰＮ型トランジスタ１のエミッタ・ベー
ス間には逆方向電圧がかかり、ＮＰＮ型トランジスタ１
のコレクタ電流を遮断する。
ス間には逆方向電圧がかかり、ＮＰＮ型トランジスタ１
のコレクタ電流を遮断する。
そのため、抵抗７の電圧降下はなくなり、ＰＮＰ型トラ
ンジスタ２のベース電位は直流電源３の正極側と同電位
まで上昇する。
ンジスタ２のベース電位は直流電源３の正極側と同電位
まで上昇する。
コンデンサ６にはＮＰＮ型トランジスタ１がオフ状態に
なる前の抵抗７の電圧降下にほぼ匹敵する電圧が充電さ
れている。
なる前の抵抗７の電圧降下にほぼ匹敵する電圧が充電さ
れている。
そのためＮＰＮ型トランジスタ１がオフになり、ＰＮＰ
型トランジスタ２のベース電位が直流電源３の正極側と
同電位まで上昇してもＰＮＰ型トランジスタ２のエミッ
タ電位は、コンデンサ６の両端に存在している電圧分だ
けベース電位よりも低くなる。
型トランジスタ２のベース電位が直流電源３の正極側と
同電位まで上昇してもＰＮＰ型トランジスタ２のエミッ
タ電位は、コンデンサ６の両端に存在している電圧分だ
けベース電位よりも低くなる。
このため、ＰＮＰ型トランジスタ２のエミッタ・ベース
間には逆方向バイアスがかかり、フォトダイオード４の
光電流により、コンデンサ６の電荷が放電し終わるまで
ＰＮＰ型トランジスタ２はオンしない。
間には逆方向バイアスがかかり、フォトダイオード４の
光電流により、コンデンサ６の電荷が放電し終わるまで
ＰＮＰ型トランジスタ２はオンしない。
一方ＮＰＮ型トランジスタ１はそのコレクタ電流が遮断
されてもコンデンサ９に電荷がたくわえられているから
コンデンサ９の両端電圧がツェナー電圧Ｖｚより小さく
なるまではオフ状態を続ける。
されてもコンデンサ９に電荷がたくわえられているから
コンデンサ９の両端電圧がツェナー電圧Ｖｚより小さく
なるまではオフ状態を続ける。
つまりこのコンデンサ９はＮＰＮ型トランジスタ１を確
実にオフさせる働きを持っている。
実にオフさせる働きを持っている。
しかし長時間ＮＰＮ型トランジスタ１をオフ状態にする
必要はなく、このコンデンサ９の放電時間はコンデンサ
６の放電時間に比して短かくなるように、各コンデンサ
６・９の容量ｑ、Ｃ１を夫々設定したものである。
必要はなく、このコンデンサ９の放電時間はコンデンサ
６の放電時間に比して短かくなるように、各コンデンサ
６・９の容量ｑ、Ｃ１を夫々設定したものである。
従ってＰＮＰ型トランジスタ２がオンすれば、そのコレ
クタ電流はＮＰＮ型トランジスタ１のベース電流となり
、この回路全体に再び電流が流れ出す。
クタ電流はＮＰＮ型トランジスタ１のベース電流となり
、この回路全体に再び電流が流れ出す。
そしてこの流れ出した電流により、抵抗８の電圧降下Ｖ
。
。
がツェナー電圧Ｖｚより大きくなると前記説明により回
路全体の電流が遮断され、この現象を繰返して発振が持
続する。
路全体の電流が遮断され、この現象を繰返して発振が持
続する。
またフォトダイオード４の入射光を強くしてゆくと、こ
の回路がオフ状態にある時、フォトダイオード４の光電
流が増してコンデンサ６の放工時間が短かくなり、第４
図のように発振周波数が増大する。
の回路がオフ状態にある時、フォトダイオード４の光電
流が増してコンデンサ６の放工時間が短かくなり、第４
図のように発振周波数が増大する。
本発明は上述のように構成しであるから、一時的にＮＰ
Ｎ型トランジスタを確実にオフ状態にできるから、例え
フォトダイオードに入光する光が強くても発振停止が起
こらず、発振を持続する入射光の強度範囲を大きく広げ
ることができるという効果を奏する。
Ｎ型トランジスタを確実にオフ状態にできるから、例え
フォトダイオードに入光する光が強くても発振停止が起
こらず、発振を持続する入射光の強度範囲を大きく広げ
ることができるという効果を奏する。
第１図は従来例の回路図、第２図ａ−ｄは同上の動作波
形図、第３図は本発明の一実施例の回路図、第４図は同
上の動作波形図であり、１はＮＰＮ型トランジスタ、２
はＰＮＰ型トランジスタ、３は直流電源、４はフォトダ
イオード、５はツェナーダイオード、６は第１のコンデ
ンサ、７は第１の抵抗、８は第２の抵抗、９は第２のコ
ンデンサである。
形図、第３図は本発明の一実施例の回路図、第４図は同
上の動作波形図であり、１はＮＰＮ型トランジスタ、２
はＰＮＰ型トランジスタ、３は直流電源、４はフォトダ
イオード、５はツェナーダイオード、６は第１のコンデ
ンサ、７は第１の抵抗、８は第２の抵抗、９は第２のコ
ンデンサである。
Claims (1)
- Ｉ ＮＰＮ型トランジスタのコレクタをＰＮＰ型トラ
ンジスタのベースに接続するとともにＮＰＮ型トランジ
スタのベースをＰＮＰ型トランジスタのコレクタに接続
し、ＰＮＰ型トランジスタのエミッタを直流電源の正極
にフォトダイオードを介して接続し、このフォトダイオ
ードと直流電源との接続点を第１の抵抗を介して前記Ｎ
ＰＮ型トランジスタのコレクタ並びにＰＮＰ型トランジ
スタのベースに夫々接続し、直流電源の負極とＮＰＮ型
トランジスタのエミッタとを第２の抵抗を介して接続す
るとともに直流電源の負極とＮＰＮ型トランジスタのベ
ースとの間にツェナーダイオードを接続し、前記フォト
ダイオードに並列に第１のコンデンサを接続し、前記第
２の抵抗に第２のコンデンサを並列接続して成ることを
特徴とする光発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11388778A JPS5950134B2 (ja) | 1978-09-15 | 1978-09-15 | 光発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11388778A JPS5950134B2 (ja) | 1978-09-15 | 1978-09-15 | 光発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541024A JPS5541024A (en) | 1980-03-22 |
| JPS5950134B2 true JPS5950134B2 (ja) | 1984-12-06 |
Family
ID=14623608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11388778A Expired JPS5950134B2 (ja) | 1978-09-15 | 1978-09-15 | 光発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950134B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846665A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | アナログ集積回路装置 |
-
1978
- 1978-09-15 JP JP11388778A patent/JPS5950134B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5541024A (en) | 1980-03-22 |
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