JPS603123A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS603123A JPS603123A JP11161583A JP11161583A JPS603123A JP S603123 A JPS603123 A JP S603123A JP 11161583 A JP11161583 A JP 11161583A JP 11161583 A JP11161583 A JP 11161583A JP S603123 A JPS603123 A JP S603123A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
不純物の拡散方法に関する。
不純物の拡散方法に関する。
背景技術
半導体装置′に製造する場合の重ヅな工程の一つに不純
物の選択拡散工程がある。例えば、Ｎ−型の半導体ウェ
ーハにＰ型領域とＮ型領域と全形成する場合、従来第１
図ないし第４図のような方法が採られていた。
物の選択拡散工程がある。例えば、Ｎ−型の半導体ウェ
ーハにＰ型領域とＮ型領域と全形成する場合、従来第１
図ないし第４図のような方法が採られていた。
まず・Ｎ−型の半導体ウェー／−１の表面に酸化膜等の
絶縁膜２全形成し６．この絶縁膜２に周知のフォトリン
グラフィにより窓孔３全形成する（第１図）。
絶縁膜２全形成し６．この絶縁膜２に周知のフォトリン
グラフィにより窓孔３全形成する（第１図）。
この半導体ウェーハ１全拡散炉内に入れて所定温度に加
熱し、ボロンガス全導入してＮ−型子４体ウェーハ１中
にＰ型領域４に形成する（第２図）。
熱し、ボロンガス全導入してＮ−型子４体ウェーハ１中
にＰ型領域４に形成する（第２図）。
次に、いったん全面に絶縁膜２全形成したのち、再びフ
ォトリングラフィにより、削記惹孔３と異なる箇所に窓
孔５全形成する（第３図）。
ォトリングラフィにより、削記惹孔３と異なる箇所に窓
孔５全形成する（第３図）。
こののち、この半導体ウェーハ１全再び拡散炉に入れて
所定温度に加熱し、リンガス全導入してＮ−型の半導体
ウェー／・１中にＮ十型領域６全形成する（第４図）。
所定温度に加熱し、リンガス全導入してＮ−型の半導体
ウェー／・１中にＮ十型領域６全形成する（第４図）。
上記の製造方法によると、Ｐ型領域４の形成とＮ十型領
域６の形成とに別々の熱処理で形成しなければならない
のみならず、Ｐ型領域４とＮ＋型領領域６形成の間に、
絶縁膜２に窓孔５に形成する工程が必要であり、煩雑で
あった。
域６の形成とに別々の熱処理で形成しなければならない
のみならず、Ｐ型領域４とＮ＋型領領域６形成の間に、
絶縁膜２に窓孔５に形成する工程が必要であり、煩雑で
あった。
発明の開示
そこで、この発明はより面単に異なる導電型σつ不純物
の拡散が行なえる半導体装置Ｑ）製造方法全提供するこ
と？目的とする。
の拡散が行なえる半導体装置Ｑ）製造方法全提供するこ
と？目的とする。
この発明は簡単に言えば、絶縁膜に複数個の窓孔全形成
し、そのうちの少なくとも一つに一導電型のドーパント
物質全塗布形成するとともに、残余の窓孔に反対４電型
のドー／＜ン）！質？塗布彫成し、７Ｊｔｌ熱によって
前記両ドーノぐント物質を１−導体ウェーハ中に拡散し
て、−導電型領域と反対導電型領域と全同時に形成する
こと全特徴とするものである０ すなわち、上記の方法全採用すれば、拡散工程の中で最
も長時間を要する不純物の拡散のだめの加熱が一回です
み、著しく拡散時間が短縮化される０ 発明全実施するための最良の形態 以下、この発明の実施例全図面全参照して説明する。
し、そのうちの少なくとも一つに一導電型のドーパント
物質全塗布形成するとともに、残余の窓孔に反対４電型
のドー／＜ン）！質？塗布彫成し、７Ｊｔｌ熱によって
前記両ドーノぐント物質を１−導体ウェーハ中に拡散し
て、−導電型領域と反対導電型領域と全同時に形成する
こと全特徴とするものである０ すなわち、上記の方法全採用すれば、拡散工程の中で最
も長時間を要する不純物の拡散のだめの加熱が一回です
み、著しく拡散時間が短縮化される０ 発明全実施するための最良の形態 以下、この発明の実施例全図面全参照して説明する。
第５図ないしは第１Ｏ図はこの発明による半導体装置の
製造方法の異なる段階における半導体つ工−ハの要部拡
大断面図７示す。
製造方法の異なる段階における半導体つ工−ハの要部拡
大断面図７示す。
まず、−導電型１例えばＮ−型の半導１４１：ウェーッ
・１００表回に酸化膜等の絶縁膜１１′ｆ！：形成し、
この絶ｘｄＷ１１に周知のフオ） ＩＪソグラフイによ
って窓孔１２，１３ｉ形成する（第５図）。
・１００表回に酸化膜等の絶縁膜１１′ｆ！：形成し、
この絶ｘｄＷ１１に周知のフオ） ＩＪソグラフイによ
って窓孔１２，１３ｉ形成する（第５図）。
次に、この絶縁膜１１の」二から全面にＰ型ドーバン）
物ｆｊ１４’ｔスピンコータにより塗布形成する（第６
図〕。
物ｆｊ１４’ｔスピンコータにより塗布形成する（第６
図〕。
続いて、フォトリングラフィにまり窓孔１２庁ｌｓ分の
ドーパント物質１４のみ全残し、他のドーパント物質全
エツチング除去する。Ｃれによって窓孔１３が再び露出
する（第７図）。
ドーパント物質１４のみ全残し、他のドーパント物質全
エツチング除去する。Ｃれによって窓孔１３が再び露出
する（第７図）。
次に、全面にＮ型ドーパント物質１５乞スピンコータに
より塗布形成する（第８図）。
より塗布形成する（第８図）。
こののち、再びフォトリソグラフィにより窓孔１３ｆｓ
ｌｓ分のドーノぐント物質１５のみ全残し、他全エツチ
ング除去する（第９図）。
ｌｓ分のドーノぐント物質１５のみ全残し、他全エツチ
ング除去する（第９図）。
最後短、この半導体ウェー・＼１０全拡散炉に人゛れて
所定温度に加熱すると、窓孔１２，１３からそれぞれＰ
型不純物およびＮ型不純吻が拡散されて、Ｎ−型半導体
ラニー／１１０甲にＰ型領域１６およびＮ型領域１７が
同時に形成される（第１０図）。
所定温度に加熱すると、窓孔１２，１３からそれぞれＰ
型不純物およびＮ型不純吻が拡散されて、Ｎ−型半導体
ラニー／１１０甲にＰ型領域１６およびＮ型領域１７が
同時に形成される（第１０図）。
なお、第１０図において、Ｐ種領域コ−６全Ｎ型領域１
７よりも深くしているが、これはＰ型不純吻の拡散係数
がＮ型不純゛吻の拡散係数よりも大きい場合全示したも
のであって、Ｐ型不純初とＮ型不純吻の孤敗係数の組み
合せによっては、逆にすることもできる。
７よりも深くしているが、これはＰ型不純吻の拡散係数
がＮ型不純゛吻の拡散係数よりも大きい場合全示したも
のであって、Ｐ型不純初とＮ型不純吻の孤敗係数の組み
合せによっては、逆にすることもできる。
また、上記実施例はドーパント物質１４．１５全スピン
コータで塗布形成後、フォトリングラフィで不要部分全
除去する場合について説明したが・厚膜Ｆｔ１刷技術に
よって、直接所望箇所のみにドーパント物質全塗布形成
してもよい。
コータで塗布形成後、フォトリングラフィで不要部分全
除去する場合について説明したが・厚膜Ｆｔ１刷技術に
よって、直接所望箇所のみにドーパント物質全塗布形成
してもよい。
さらに、上記実施例では、Ｐ型のドーパント物質１４全
塗布形成してから、Ｎ型のドーパント物質］５全塗布形
成する場合について説明したが・逆の順序であってもよ
い。
塗布形成してから、Ｎ型のドーパント物質］５全塗布形
成する場合について説明したが・逆の順序であってもよ
い。
以上のような製造方法によれば、Ｐ型領域とＮ型領域を
同時に形成でき、長時間全装する拡散時間全大幅に短縮
することができる。また、−導電型領域を形成してから
反対導電型領域全形成する場合に比較して、各領域の拡
散深さ全精蕾に制御できる。
同時に形成でき、長時間全装する拡散時間全大幅に短縮
することができる。また、−導電型領域を形成してから
反対導電型領域全形成する場合に比較して、各領域の拡
散深さ全精蕾に制御できる。
第１図ないし第４図は従来方法による各段Ｖｌｉ＆の半
導体ウェーハの要部拡大断面図である。 第５図ないし第１０図はこの発明方法による各段階の千
４坏ウェーハの要部拡大断面図である。 １０・−・半導体ウェーハ、 １１・・・・・絶縁膜、 １２．１３−・・−・窓孔、 １４・・・・ −導電型（Ｐ型）ドーパント物質、１５
・・ 反対４電型（Ｎ型）ドー・ぐント物質、１６・・
・・・−導電型（Ｐ型）領域、１７・−・・・反対導電
型（Ｎ型）領域。 特許出願人 新日本電気株式会社 ・・］２ ３ ４ ２ 初 ′ｎ 騎
導体ウェーハの要部拡大断面図である。 第５図ないし第１０図はこの発明方法による各段階の千
４坏ウェーハの要部拡大断面図である。 １０・−・半導体ウェーハ、 １１・・・・・絶縁膜、 １２．１３−・・−・窓孔、 １４・・・・ −導電型（Ｐ型）ドーパント物質、１５
・・ 反対４電型（Ｎ型）ドー・ぐント物質、１６・・
・・・−導電型（Ｐ型）領域、１７・−・・・反対導電
型（Ｎ型）領域。 特許出願人 新日本電気株式会社 ・・］２ ３ ４ ２ 初 ′ｎ 騎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （イ） 半導体ウェーハの一主面に形成された絶縁膜に
複数個の窓孔全形成する工程と、 （ロ） 前記複数個の窓孔の少なくとも一つの窓孔部分
に一導電型のドーパント物質全塗布形成する工程と、 （ハ） 前記複数個の窓孔のうちの残余の窓孔部分に反
対導電型のドーパント物質を塗布形成する工程と、に）
牛導坏つェーハ？加熱して、前記各窓孔より半導体ウェ
ーハ中に各導電型不純物全拡散する−ことにより、−導
電型領域と反対４電型領域と全同時に形成する工程と全
含む千４体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161583A JPS603123A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161583A JPS603123A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603123A true JPS603123A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14565818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11161583A Pending JPS603123A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5048631A (en) * | 1988-06-16 | 1991-09-17 | Nissan Motor Company, Limited | System and method for automatically controlling vehicle speed to cruise speed |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP11161583A patent/JPS603123A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5048631A (en) * | 1988-06-16 | 1991-09-17 | Nissan Motor Company, Limited | System and method for automatically controlling vehicle speed to cruise speed |
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