JPS63307722A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体（（、不純物含有塗布絶縁膜を用いて
不純物拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造
方法に関するものである。

（従来の技術〕 ＠２図は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
、その主要段階における状態を示す断面図である０以下
、半導体基板としてシリコン（Ｓｌ）基板を用いる場合
について述べる。

まず、８１基板（１）の上表面全面に熱酸化法によって
０．５〜１．５μｍ程度の厚さに酸化膜（２）を形成し
、（第２図Ａ）％不純物拡散層を形成したい領域の酸化
膜（２）Ｋ写真製版及びエツチング技術を用いて開口翰
を形成する（第２図Ｂ）。次に、酸化膜（２）及びその
開口翰に露出する８１基板（１）の表面全面に不純物含
有塗布絶縁膜（３）を塗布形成する（第２図Ｃ）。不純
物としては、ｐ形不純物拡散層を形成する場合はボロイ
０）等、ｎ形不純物拡散層を形成する場合はリン（Ｐ）
、ヒＪ（Ａａ）、アンチモン（ｓｂ）等を用い、塗布膜
厚は平坦部で０．０５〜０．３μｍ程度である。

続いて、８００〜１１００℃の温度で熱処理を施し、不
純物含有塗布絶縁１！！（３）から不純物元素を拡散さ
せて、Ｓｉ基板（１）中に不純物拡散層（４）を形成す
る（第２図Ｄ）ｏそして、最後に、不用となった不純物
含有塗布絶縁膜（３）及び酸化膜（２）をエツチング除
去する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来は以上のような方法で半遂体装諸の不純物拡散層を
形成していたので、マスク用の酸化膜（２）の開口（１
）の周縁部、特に４つの角部で不純物含有塗布絶縁膜（
３）の厚さが大きくなり、シリコン基板（１）内へ不純
物を熱拡散させたとき、この部分での不純物元素の供給
量が増し、不純物拡散層（４）は横方向に不必要に広が
り、かつ、この部分での厚さも大きくなシ、不純物拡散
深さも不均一になる。

第３図は第２図りの不純物含有塗布絶縁膜（３）を除い
て示した平面図で、開口（４）の４つの角部での不純物
拡散層（５）の横方向の広がりが大きく、半導体装置の
微細化の支障となるという問題点があった。

この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、コストの安い不純物含有塗布絶縁膜を用いる
不純物拡散法を採用しつつ、均一な拡散深さであって、
横方向の広がりも少ない不純物拡散層を有する半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造方法は、不純物拡散層
を形成したい領域のマスク用酸化膜に形成する開ロバタ
ーンに角があるとき、その角を丸くしたパターンの開口
を形成した後、この部分に不純物を含む塗布絶縁膜を塗
布形成し熱拡散させるものである。

〔作用〕

この発明における半導体装置の製造方法では、不純物拡
散層を形成する領域には、角を丸くしたパターンに開口
されているので、不純物を含む塗布絶縁膜を塗布形成し
ても、パターン周縁の角の部分も辺の中央部と同様に均
一に塗られるので横方向の不純物拡散長が均一化できる
のである０〔実施的〕 第１図はこの発明の一実施例における不純物拡散マスク
用改化膜に形成する開口の形状と、これによって得られ
る不純物拡散層の平面パターンを示す平面図で、図示の
ように、四辺形の角を丸くしたパターンの開口Ｉ２１）
を用いる点を除けば第２図の従来の方法と全く同様であ
るので、繰返して説明するのを省略する。

このような形状の開口Ｑ１）を用いることによって、そ
の開口（財）内に塗布形成される不純物含有塗布絶縁膜
（３）の当核開口Ｑ］）の周縁に沿う量分布は４つの角
の部分も辺の中央の部分と同様に均一になるので、これ
を熱拡散させて得られる不純物拡散層（４ａ）は第１図
に示したように、横方向の広がりを小さくできる。

なお、上記実施例では、四辺形の開口の場合を示したが
、三角形、多角形その他の異形状で角のある場合に適用
できる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明の方法によれば不純物拡散層を
形成したい領域の不純物拡散マスク用酸化膜に角の丸い
パターンで開口し、その後不純物を含む塗布絶縁膜を塗
布形成し熱拡散するようにしたので、横方向の不純物拡
散長が均一で微細化に適した不純物拡散層を形成するこ
とができる。

そのため、イオン注入法等の高価な方法を用いなくても
微細な半導体装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例方法における不純物拡散マ
スク用酸化膜への開口の形状と、それによって得られる
不純物拡散層の形状とを示す平面図、第２図は従来の半
導体装置の製造方法を説明するためにその主要段階にお
ける状！！を示す断面図、第３図は従来方法における不
純物拡散マスク用酸化膜への開口の形状と、それてよっ
て得られる不純物拡散層の形状とを示す平面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は不純物拡散
マスク用絶峰膜、？１）は開口、（３）は不純物含有塗
布絶縁膜、（４１！Ｌ）は不純物拡散層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に不純物拡散マスク用絶縁膜を形成
   し、 上記半導体基板内に不純物拡散層を形成すべき領域に対
   応する部位において上記不純物拡散マスク用絶縁膜に、
   形状に角があるときに当該角を丸めた形状の開口を形成
   し、 上記開口に露出した上記半導体基板上を含めて上記不純
   物拡散マスク用絶縁膜上に不純物含有塗布絶縁膜を形成
   し、その後に、 熱処理を施して上記半導体基板内に上記不純物拡散層を
   形成する工程を備えた半導体装置の製造方法。