JPH01173712A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01173712A JPH01173712A JP33343687A JP33343687A JPH01173712A JP H01173712 A JPH01173712 A JP H01173712A JP 33343687 A JP33343687 A JP 33343687A JP 33343687 A JP33343687 A JP 33343687A JP H01173712 A JPH01173712 A JP H01173712A
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Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔所栗上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、持にその不
純物層の形成のための拡散方法に関するものである。
純物層の形成のための拡散方法に関するものである。
第２図は、従来の製造方法に６ｔつた工程別断面図會示
す。まず、第２図（＆１に示すように、半導体基板＋Ｉ
Ｉ上にマスク用の酸化模１２：ヲ形成し、この酸化模の
所定部分（２ａ）ｉ除去し、半導体基板Ｉ１１の表面倉
ｓ択的に露出させる。
す。まず、第２図（＆１に示すように、半導体基板＋Ｉ
Ｉ上にマスク用の酸化模１２：ヲ形成し、この酸化模の
所定部分（２ａ）ｉ除去し、半導体基板Ｉ１１の表面倉
ｓ択的に露出させる。
次ＶＣ第２図１ｂ＋に示すように、前記酸化１Ｍ！１２
１および露出された半導体基板（２ａ）表面に拡散すべ
き不純物ヤ含む絶縁膜１３１を形成する。
１および露出された半導体基板（２ａ）表面に拡散すべ
き不純物ヤ含む絶縁膜１３１を形成する。
次にＳ第２図１ｏＩ ＶＣ示すように、熱拡散性により
不純物倉卒導体基板（１） ＶＣ４人し、不純物層１４
１ヲ形収する。
不純物倉卒導体基板（１） ＶＣ４人し、不純物層１４
１ヲ形収する。
また、現在、主にイオン注入法によって不純物を半導体
基板に導入し、不純物層を形成する。
基板に導入し、不純物層を形成する。
従来の半導体装置の４＋！！造方法は以上のように構成
されるで、熱拡散方法では、不純物を含む絶縁膜の不純
物濃度が高濃度（シリコンの固溶度を越えている）の為
、半導体基板内に高濃度の不純物が導入され、さらに接
合深さも深くなりすぎる。一方、この間ｔｔ回避するた
め、不純物を含む絶縁膜の不純物６度を低くする（シリ
コンの固溶度に達しない一度）と、不純物ａ度を正確に
フントロールできず、濃度分布が不均一になる。
されるで、熱拡散方法では、不純物を含む絶縁膜の不純
物濃度が高濃度（シリコンの固溶度を越えている）の為
、半導体基板内に高濃度の不純物が導入され、さらに接
合深さも深くなりすぎる。一方、この間ｔｔ回避するた
め、不純物を含む絶縁膜の不純物６度を低くする（シリ
コンの固溶度に達しない一度）と、不純物ａ度を正確に
フントロールできず、濃度分布が不均一になる。
Ｌ１イオン注入法？使用した場合は、半導体基板内の点
欠陥や局部的非晶化した損傷を発生することが多い。
欠陥や局部的非晶化した損傷を発生することが多い。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、不純物の半導体基板への熱拡散におい
て、不純物濃ａｔコントロールすることができ、かつ半
導体基板内の損傷を少なくすることができる半導体装置
の製造方法を確立することを目的とする。
れたものであり、不純物の半導体基板への熱拡散におい
て、不純物濃ａｔコントロールすることができ、かつ半
導体基板内の損傷を少なくすることができる半導体装置
の製造方法を確立することを目的とする。
この発明は、不純物を第ｌの絶縁膜の所定部分を介して
、半導体基板νζ熱拡散により導入するようにしたもの
ズある。
、半導体基板νζ熱拡散により導入するようにしたもの
ズある。
この発明によれば、４１の絶縁膜の所定部分の膜厚を変
化させることにより半導体基板内に肩入される不純物濃
度をコントロールすることができる。
化させることにより半導体基板内に肩入される不純物濃
度をコントロールすることができる。
以下、この発明の一実施例を図に従って説明する。第１
図は、この発明の一実施例ＶＣよる製造方法に従った工
程別断面図ゲ示す。
図は、この発明の一実施例ＶＣよる製造方法に従った工
程別断面図ゲ示す。
１ず、第１図ＩＪＬＩ ＶＣ示すように、半導体基板１
！）上にマスク用の酸化’１１１１２１ ？形成し、こ
の酸化喝の所定部分（ｌａ）（ｚ除去し、半導体基板１
１＋の表面を選択的に露出させる。
！）上にマスク用の酸化’１１１１２１ ？形成し、こ
の酸化喝の所定部分（ｌａ）（ｚ除去し、半導体基板１
１＋の表面を選択的に露出させる。
次ｌＣ１第１図１ｂ＋ ＶＣ示すように、前記露出され
た半導体基板上に所望の膜厚の鵡醒化鴫（２ｂ七つける
。
た半導体基板上に所望の膜厚の鵡醒化鴫（２ｂ七つける
。
次に、第１図１０：ＶＣ示すようｌＣ，前記酸化模１２
）卦よび所定部分（２ａｌにもうけたＭ酸化喚ｎｂ）上
に拡散すべき不純物倉含む絶縁膜１３１を形成する。
）卦よび所定部分（２ａｌにもうけたＭ酸化喚ｎｂ）上
に拡散すべき不純物倉含む絶縁膜１３１を形成する。
次に、第１図１（１１ＶＣ示すように、熱拡散法により
不純物を半導体基板１■に導入し、不純物層（４１を形
成する。
不純物を半導体基板１■に導入し、不純物層（４１を形
成する。
第１図かられかるように、この実施例ｒＣおいては、半
導体基板…と不純物を含む絶縁膜（３）の閣の熱酸化模
（２ｂ）の膜厚を変化させることにより半導体基板内に
導入される不純物濃度をコントロールすることができ、
かつ接合深さもコントロールできる。従って、低濃度の
不純物拡散層を精度よく形成することができる。
導体基板…と不純物を含む絶縁膜（３）の閣の熱酸化模
（２ｂ）の膜厚を変化させることにより半導体基板内に
導入される不純物濃度をコントロールすることができ、
かつ接合深さもコントロールできる。従って、低濃度の
不純物拡散層を精度よく形成することができる。
史に、熱拡散法を用いている為、イオン注入法に比べて
半導体基板内の損傷を少なくすることができる。
半導体基板内の損傷を少なくすることができる。
向、上記実施例においては、不純物層１４１の形成にこ
の発明’ｉ３！？ｌ用したが、ゲート電極として用いら
れる多結晶シリコンへの不純物導入に対してもこの発明
ｔａ用することができる。
の発明’ｉ３！？ｌ用したが、ゲート電極として用いら
れる多結晶シリコンへの不純物導入に対してもこの発明
ｔａ用することができる。
以上のように、この発明は、不純物ｒｉａｌの絶縁膜の
所定部分を介して、半導体基板に熱拡散により導入する
ため、半導体基板に精度よく所望の不純物濃度の拡散層
を形成することができる。さらに、半導体基板内の損傷
が少なくなるため、接合リークなどの不良を防止する効
果もある。
所定部分を介して、半導体基板に熱拡散により導入する
ため、半導体基板に精度よく所望の不純物濃度の拡散層
を形成することができる。さらに、半導体基板内の損傷
が少なくなるため、接合リークなどの不良を防止する効
果もある。
第１図はこの発明の一実施例ＶＣよる製造方法にＧ′１
′つだ工程別断面図、第２図は従来の製造方法に従った
工程別断面図である。 （１）は半導体基板、１２）はマスク用の酸化暎、（２
ａ）ニ不純物が半導体基板Ｉｌ＋に４人される所定部分
、・（ｌｂ）Ｈその所定部分（２ａ ）ＶＣもうけた熱
酸比肩、＋３１は拡散すべき不純物を含む絶縁膜、・４
１は不純物層である。 図中同一符号は１０１−または相当部分を示す。
′つだ工程別断面図、第２図は従来の製造方法に従った
工程別断面図である。 （１）は半導体基板、１２）はマスク用の酸化暎、（２
ａ）ニ不純物が半導体基板Ｉｌ＋に４人される所定部分
、・（ｌｂ）Ｈその所定部分（２ａ ）ＶＣもうけた熱
酸比肩、＋３１は拡散すべき不純物を含む絶縁膜、・４
１は不純物層である。 図中同一符号は１０１−または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に所定部分が他の部分よりも薄く形
成された第１の絶縁膜を形成する工程と、この第１の絶
縁膜上に前記半導体基板に拡散すべき不純物を含む第２
の絶縁膜を形成する工程と、前記不純物を前記第１の絶
縁膜の所定部分を介して前記半導体基板に熱拡散により
導入する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - （２）所定部分が、熱酸化膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33343687A JPH01173712A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33343687A JPH01173712A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173712A true JPH01173712A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18266083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33343687A Pending JPH01173712A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173712A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006072976A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Saga University | 半導体素子製造方法 |
| US9374163B2 (en) | 2013-09-02 | 2016-06-21 | Fujitsu Limited | Optical waveguide substrate and information processing device |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33343687A patent/JPH01173712A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006072976A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Saga University | 半導体素子製造方法 |
| JPWO2006072976A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2008-08-07 | 国立大学法人佐賀大学 | 半導体素子製造方法 |
| JP5156945B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2013-03-06 | 国立大学法人佐賀大学 | 半導体素子製造方法 |
| US9374163B2 (en) | 2013-09-02 | 2016-06-21 | Fujitsu Limited | Optical waveguide substrate and information processing device |
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