JPS63313815A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63313815A JPS63313815A JP15057887A JP15057887A JPS63313815A JP S63313815 A JPS63313815 A JP S63313815A JP 15057887 A JP15057887 A JP 15057887A JP 15057887 A JP15057887 A JP 15057887A JP S63313815 A JPS63313815 A JP S63313815A
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- silicon
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Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に係）、特に、不純物
拡散領域形成方法の改良に関するものであるＯ 〔従来の技術〕 第２図は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
１その主要段階における状態を示す断面図である。まず
、第２図Ａに示すようにシリコンウェーハ（１）の表面
に熱酸化法によってシリコン酸化膜（２）を形成する。
拡散領域形成方法の改良に関するものであるＯ 〔従来の技術〕 第２図は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
１その主要段階における状態を示す断面図である。まず
、第２図Ａに示すようにシリコンウェーハ（１）の表面
に熱酸化法によってシリコン酸化膜（２）を形成する。
次に１第２図Ｂに示すように１不純物拡散層を形成した
い部位においてシリコン酸化膜（２）に写真製版及びエ
ツチング法で開口−を形成する。次いで、第２図Ｃに示
すように、開口翰内に露出するシリコンウェーハ（１）
の表面上を含めてシリコン酸化膜（２）の上に不純物含
有塗布絶縁―（３）を塗布形成する。その後に、高温の
熱処理を施すことによって、第２図りに矢印Ｐで示すよ
うに１不純物含有絶縁膜（３）から不純物をシリコンウ
ェーハ（１）内へ拡散させて、不純物拡散層（４）を形
成し、最後に第２図Ｅに示すように１不純物含有塗布絶
縁膜（３）及びシリコン酸化膜（２）をシリコンウエ−
ハ（１）の上から全面的に除去する。
い部位においてシリコン酸化膜（２）に写真製版及びエ
ツチング法で開口−を形成する。次いで、第２図Ｃに示
すように、開口翰内に露出するシリコンウェーハ（１）
の表面上を含めてシリコン酸化膜（２）の上に不純物含
有塗布絶縁―（３）を塗布形成する。その後に、高温の
熱処理を施すことによって、第２図りに矢印Ｐで示すよ
うに１不純物含有絶縁膜（３）から不純物をシリコンウ
ェーハ（１）内へ拡散させて、不純物拡散層（４）を形
成し、最後に第２図Ｅに示すように１不純物含有塗布絶
縁膜（３）及びシリコン酸化膜（２）をシリコンウエ−
ハ（１）の上から全面的に除去する。
従来の半導体装置の製造方法は以上のように行なわれて
いるので、シリコン酸化膜（２）の開口（ホ）の周縁部
で、不純物含有塗布絶縁膜（３）の厚さが大きくなり、
この部分での不純物の供給量が増すので、不純物拡散層
（４）の深さは不均一となり、横方向にも不必要に広が
り、半導体装置の微細化に対応できないという問題点が
あった。
いるので、シリコン酸化膜（２）の開口（ホ）の周縁部
で、不純物含有塗布絶縁膜（３）の厚さが大きくなり、
この部分での不純物の供給量が増すので、不純物拡散層
（４）の深さは不均一となり、横方向にも不必要に広が
り、半導体装置の微細化に対応できないという問題点が
あった。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、深さの不均一性の少い、横方向の広がりも小
さい不純物拡散層の得られる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
たもので、深さの不均一性の少い、横方向の広がりも小
さい不純物拡散層の得られる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコンウェ
ーハ上にシリコン酸化膜に囲まれたシリコン成長層を所
望領域にエピタキシャル成長させ、このシリコン成長層
内にその上に形成した不純物含有塗布絶縁膜から不純物
を拡散させて不純物拡散層を形成するものである。
ーハ上にシリコン酸化膜に囲まれたシリコン成長層を所
望領域にエピタキシャル成長させ、このシリコン成長層
内にその上に形成した不純物含有塗布絶縁膜から不純物
を拡散させて不純物拡散層を形成するものである。
この発明において、シリコン成長層はシリコン酸化膜に
囲まれた形に形成されるので、そのシリコン成長層への
不純物の拡散はシリコン酸化膜によって横方向の拡散が
抑制され、更に、不純物含有塗布絶縁膜が均一に塗布形
成できるので、深さ方向の拡散も均一なものとなシ、半
導体装置の微細化が可能となる。
囲まれた形に形成されるので、そのシリコン成長層への
不純物の拡散はシリコン酸化膜によって横方向の拡散が
抑制され、更に、不純物含有塗布絶縁膜が均一に塗布形
成できるので、深さ方向の拡散も均一なものとなシ、半
導体装置の微細化が可能となる。
第１図はこの発明の一実施例方法を説明するために、そ
の主要段階における状態を示す断面図で、まず、シリコ
ンウェーハ（１）を水蒸気中で熱処理してシリコン酸化
膜（２）を形成する（第１図Ａ）０次に、その所要部分
に写真製版及び食刻技術によって開口（イ）を形成する
（第１図Ｂ）。そして、その開口（１）内に、選択エピ
タキシャル成長によってシリコン成長層（５）を形成す
る（第１図０）。続いて、シリコン酸化膜（２）及びシ
リコン成長層（５）の上面にわたって不純物含有塗布絶
縁膜（３）を塗布形成する。
の主要段階における状態を示す断面図で、まず、シリコ
ンウェーハ（１）を水蒸気中で熱処理してシリコン酸化
膜（２）を形成する（第１図Ａ）０次に、その所要部分
に写真製版及び食刻技術によって開口（イ）を形成する
（第１図Ｂ）。そして、その開口（１）内に、選択エピ
タキシャル成長によってシリコン成長層（５）を形成す
る（第１図０）。続いて、シリコン酸化膜（２）及びシ
リコン成長層（５）の上面にわたって不純物含有塗布絶
縁膜（３）を塗布形成する。
このとき、シリコン酸化膜（２）及びシリコン成長層蜆
（５）の上面は平戸であるので、不純物含有塗布絶縁膜
（３）の膜厚は均一になる。次いで、シリコンウェーハ
（１）に熱処理を施すととＫよって、シリコン生長層（
５）中へ矢印Ｐのように不純物が拡散して不純物拡散層
（４ａ）を形成する（第１図Ｄ）０このとき横方向の拡
散はシリコン酸゛化膜（２）によって防止され、深さ方
向は不純物含有塗布絶縁膜（３）の膜厚の均一性によっ
て、均一な拡散が行なわれ、素子の微細化に適した良好
な不純物拡散層（４ａ）が得られる。そして、不純物含
有絶縁膜（３）を除去して、一連の工程を完了する（第
１図Ｅ）。
（３）の膜厚は均一になる。次いで、シリコンウェーハ
（１）に熱処理を施すととＫよって、シリコン生長層（
５）中へ矢印Ｐのように不純物が拡散して不純物拡散層
（４ａ）を形成する（第１図Ｄ）０このとき横方向の拡
散はシリコン酸゛化膜（２）によって防止され、深さ方
向は不純物含有塗布絶縁膜（３）の膜厚の均一性によっ
て、均一な拡散が行なわれ、素子の微細化に適した良好
な不純物拡散層（４ａ）が得られる。そして、不純物含
有絶縁膜（３）を除去して、一連の工程を完了する（第
１図Ｅ）。
以上のように、この発明によれば、シリコン酸化膜に形
成した開口内にエピタキシャル成長させたシリコン成長
層の中に不純物拡散層を形成するようにしたので、不純
物含有塗布絶縁膜を用いるという低コストの方法を用い
つつ、横方向の広がりの心配のなく、深さも均一な、半
導体装置の微細化に適した不純物拡散層が得られる。
成した開口内にエピタキシャル成長させたシリコン成長
層の中に不純物拡散層を形成するようにしたので、不純
物含有塗布絶縁膜を用いるという低コストの方法を用い
つつ、横方向の広がりの心配のなく、深さも均一な、半
導体装置の微細化に適した不純物拡散層が得られる。
第１図はこの発明の一実施例になる、第３図は従来の、
いずれも半導体装置の製造方法を説明するために、その
主要段階における状態を示す断面図である。 図において、（１）はシリコンウェーノー、（２）はシ
リコン酸化膜、（イ）は開口、（３）は不純物含有塗布
絶縁膜、（４ａ）は不純物拡散層、（５）はシリコン成
長層であるＯ なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
いずれも半導体装置の製造方法を説明するために、その
主要段階における状態を示す断面図である。 図において、（１）はシリコンウェーノー、（２）はシ
リコン酸化膜、（イ）は開口、（３）は不純物含有塗布
絶縁膜、（４ａ）は不純物拡散層、（５）はシリコン成
長層であるＯ なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）シリコンウェーハ上にシリコン酸化膜を形成し、 このシリコン酸化膜の所要部分に開口を形成して当該開
口内に上記シリコンウェーハの表面を露出させ、 上記開口内にシリコン成長層をエピタキシャル成長させ
、 上記シリコン酸化膜及び上記シリコン成長層の上に不純
物含有塗布絶縁膜を塗布形成し、熱処理を施して上記不
純物含有塗布絶縁膜から不純物を上記シリコン成長層へ
拡散させて不純物拡散層を形成し、その後に、 上記不純物含有塗布絶縁膜を除去する工程を備えた半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15057887A JPS63313815A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15057887A JPS63313815A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63313815A true JPS63313815A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15499944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15057887A Pending JPS63313815A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63313815A (ja) |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP15057887A patent/JPS63313815A/ja active Pending
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