JPS63314830A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63314830A JPS63314830A JP15057987A JP15057987A JPS63314830A JP S63314830 A JPS63314830 A JP S63314830A JP 15057987 A JP15057987 A JP 15057987A JP 15057987 A JP15057987 A JP 15057987A JP S63314830 A JPS63314830 A JP S63314830A
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- Japan
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- impurity
- insulating film
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- film
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に係り、特に不純物拡
散領域形成方法の改良に関するものであるＯ 〔従来の技術〕 第３図は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
、その主要段階における状態を示す断面図である。まず
、第５１９Ａに示すように、半導体基板（１）の表面に
熱源化法によって不純物拡散マスク用酸化膜（２）を形
成する。次に、第３図Ｂに示す′ように、不純物拡散層
を形成したい部位において、酸化膜（２）に写真製版及
びエツチング法で開口ωを形成する。次いで、第３図０
に示すように、開口畿内に露出する半導体基板（１）の
表面上を含めて酸化膜（２）の上に不純物含有塗布絶縁
膜（３）を塗布形成する０その後に、高温の熱処理を施
すことによって、第３図りに矢印Ｐで示すように、不純
物含有絶縁膜（３）から不純物を半導体基板（１）内へ
拡散させて、不純物拡散層（４）を形成し、最後に第３
図Ｅに示すように、不純物含有塗布絶縁膜（３）及び俵
化換（２）を半導体基板（１）の上から全面的に除去す
る。
散領域形成方法の改良に関するものであるＯ 〔従来の技術〕 第３図は従来の半導体装置の製造方法を説明するために
、その主要段階における状態を示す断面図である。まず
、第５１９Ａに示すように、半導体基板（１）の表面に
熱源化法によって不純物拡散マスク用酸化膜（２）を形
成する。次に、第３図Ｂに示す′ように、不純物拡散層
を形成したい部位において、酸化膜（２）に写真製版及
びエツチング法で開口ωを形成する。次いで、第３図０
に示すように、開口畿内に露出する半導体基板（１）の
表面上を含めて酸化膜（２）の上に不純物含有塗布絶縁
膜（３）を塗布形成する０その後に、高温の熱処理を施
すことによって、第３図りに矢印Ｐで示すように、不純
物含有絶縁膜（３）から不純物を半導体基板（１）内へ
拡散させて、不純物拡散層（４）を形成し、最後に第３
図Ｅに示すように、不純物含有塗布絶縁膜（３）及び俵
化換（２）を半導体基板（１）の上から全面的に除去す
る。
従来の半導体装１の製造方法は以上のように行物含有塗
布絶縁膜（３）の厚さが大きくなり、この部分での不純
物の供給量が増すので、不純物拡散層（４）の深さは不
均一となり、横方向にも不必要に広がり、半導体装置の
微細化に対応できないという問題点があった。
布絶縁膜（３）の厚さが大きくなり、この部分での不純
物の供給量が増すので、不純物拡散層（４）の深さは不
均一となり、横方向にも不必要に広がり、半導体装置の
微細化に対応できないという問題点があった。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、深さの不均一性の少い、横方向の広かりも小
さい不純物拡散層の得られる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
たもので、深さの不均一性の少い、横方向の広かりも小
さい不純物拡散層の得られる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法では、不純物拡散
マスク用酸化膜に開口を形成後、まず不純物を含まない
塗布絶縁膜を形成し、その上に不純物含有塗布絶縁膜を
塗布形成し熱処理によって不純物を拡散させる。 − 〔作用〕 この発明においては、不純物拡散マスク用酸化膜に開口
を形成すること“によって生ずる当該開口の周縁部の段
差を、まず形成する不純物を含まな一塗布絶縁膜によっ
てなだらかにし、その上に塗布形成する不純物含有塗布
絶縁膜の膜厚を開口部全域について、はぼ均一にできる
ので、熱処理によって得られる不純物拡散層は深さも均
一、横方向の広がりも小さくできる。
マスク用酸化膜に開口を形成後、まず不純物を含まない
塗布絶縁膜を形成し、その上に不純物含有塗布絶縁膜を
塗布形成し熱処理によって不純物を拡散させる。 − 〔作用〕 この発明においては、不純物拡散マスク用酸化膜に開口
を形成すること“によって生ずる当該開口の周縁部の段
差を、まず形成する不純物を含まな一塗布絶縁膜によっ
てなだらかにし、その上に塗布形成する不純物含有塗布
絶縁膜の膜厚を開口部全域について、はぼ均一にできる
ので、熱処理によって得られる不純物拡散層は深さも均
一、横方向の広がりも小さくできる。
第１図はこの発明の一実施例を説明するために１その主
要段階における状態を示す断面図で、第１図Ａ、Ｂの段
階までは前述の従来方法における第３図Ａ ｊＢの段階
と全く同じである。すなわち、半導体基板（１）の上に
熱酸化法によって不純物拡散マスク用醸化膜（２）を形
成し、不純物拡散層を形成したい部位に写真製版及びエ
ツチング法で開口部を形成する。続−て、開口船内に露
出した半導体基板（１）の表面上を含めて、酸化膜（２
）の上に、不純物を含まない塗布絶縁膜（５）を塗布形
成し、更にその上に不純物含有塗布絶縁膜（３）を塗布
形成する（第１図０）。このようにすることによって、
開口部の周縁における酸化膜〔２）による段差は不純物
を含まな一塗布絶縁膜（５）で平滑化され、その上に形
成される不純物含有塗布絶縁膜（３）は膜厚が均一にな
る。続いて熱処理を施して、不純物含有塗布絶縁膜（３
）から不純物元素を矢印Ｐで示すように拡散させて、半
導体基板（１）内に不純物拡散層（４ａ）を形成する（
第ユ図Ｄ）。そして最後に不純物含有塗布絶縁膜（３）
及び不純物を含まない塗布絶縁膜（５）を除失して（第
１図Ｅ）、この工程は完了する。
要段階における状態を示す断面図で、第１図Ａ、Ｂの段
階までは前述の従来方法における第３図Ａ ｊＢの段階
と全く同じである。すなわち、半導体基板（１）の上に
熱酸化法によって不純物拡散マスク用醸化膜（２）を形
成し、不純物拡散層を形成したい部位に写真製版及びエ
ツチング法で開口部を形成する。続−て、開口船内に露
出した半導体基板（１）の表面上を含めて、酸化膜（２
）の上に、不純物を含まない塗布絶縁膜（５）を塗布形
成し、更にその上に不純物含有塗布絶縁膜（３）を塗布
形成する（第１図０）。このようにすることによって、
開口部の周縁における酸化膜〔２）による段差は不純物
を含まな一塗布絶縁膜（５）で平滑化され、その上に形
成される不純物含有塗布絶縁膜（３）は膜厚が均一にな
る。続いて熱処理を施して、不純物含有塗布絶縁膜（３
）から不純物元素を矢印Ｐで示すように拡散させて、半
導体基板（１）内に不純物拡散層（４ａ）を形成する（
第ユ図Ｄ）。そして最後に不純物含有塗布絶縁膜（３）
及び不純物を含まない塗布絶縁膜（５）を除失して（第
１図Ｅ）、この工程は完了する。
上述のように、この方法では、不純物含有塗布絶縁膜（
３）の膜厚が均一になるので、熱処理で得られる不純物
拡散層（４ａ）の深さは均一となり、横方向の広がりも
小さくなる。第２図はこの実施例方法で作成された半導
体装置の断面図で、比較のため、第４図に従来方法で作
成された半導体装置の断面図を示す。この実施例の効果
は一目瞭然である。なお、（６）は素子分離用不純物拡
散層である。
３）の膜厚が均一になるので、熱処理で得られる不純物
拡散層（４ａ）の深さは均一となり、横方向の広がりも
小さくなる。第２図はこの実施例方法で作成された半導
体装置の断面図で、比較のため、第４図に従来方法で作
成された半導体装置の断面図を示す。この実施例の効果
は一目瞭然である。なお、（６）は素子分離用不純物拡
散層である。
以上説明したように、この発明では不純物拡散マスク用
酸化膜に開口を形成したときに、その開口の周縁に生じ
る段差を、当該開口内を含めて酸化膜の上に、まず不純
物を含まない塗布絶縁膜を塗布形成することによって平
滑化した後に、その上に拡散源としての不純物含有塗布
絶縁膜を塗布形成するので、熱処理によって得られる不
純物拡
酸化膜に開口を形成したときに、その開口の周縁に生じ
る段差を、当該開口内を含めて酸化膜の上に、まず不純
物を含まない塗布絶縁膜を塗布形成することによって平
滑化した後に、その上に拡散源としての不純物含有塗布
絶縁膜を塗布形成するので、熱処理によって得られる不
純物拡
第１図はこの発明の一実施例を説明するために、その主
゛要段階における状態を示す断面図、第２図はこの発明
の方法で作成された半導体装置の一例を示す断面図、第
３図は従来の半導体装置の製造方法を説明するためにそ
の主要段階における状態を示す断面図、第４図は従来の
方法によって作成された半導体装置の一例を示す断面図
である。 図にお−て、（１）は半導体基板、（２）は不捗物拡散
マスク用酸化膜、翰は一口１（３）は不純物含有塗布絶
縁膜、（４−）は不純物拡散層、（５）は不純物を含ま
ない塗布絶縁膜である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す◇ 代理人 早 瀬 憲 − 第１図 第２図 ２ Δ 染子分離用子紐骨勿 孫１（／ｉ 第４図
゛要段階における状態を示す断面図、第２図はこの発明
の方法で作成された半導体装置の一例を示す断面図、第
３図は従来の半導体装置の製造方法を説明するためにそ
の主要段階における状態を示す断面図、第４図は従来の
方法によって作成された半導体装置の一例を示す断面図
である。 図にお−て、（１）は半導体基板、（２）は不捗物拡散
マスク用酸化膜、翰は一口１（３）は不純物含有塗布絶
縁膜、（４−）は不純物拡散層、（５）は不純物を含ま
ない塗布絶縁膜である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す◇ 代理人 早 瀬 憲 − 第１図 第２図 ２ Δ 染子分離用子紐骨勿 孫１（／ｉ 第４図
Claims (1)
- （１）半導体基板上に不純物拡散マスク用酸化膜を形成
し、上記半導体基板への不純物拡散層を形成すべき部位
に対応する部分において、上記酸化膜に開口を形成し、
この開口内に露出する上記半導体基板の表面上を含めて
上記酸化膜上に不純物を含まない塗布絶縁膜を塗布形成
し、更にその上に不純物含有塗布絶縁膜を塗布形成し、
その後に熱処理を施して、上記不純物含有塗布絶縁膜か
ら上記不純物を上記不純物を含まない塗布絶縁膜を介し
て上記半導体基板内へ拡散させて上記不純物拡散層を形
成する工程を備えた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15057987A JPS63314830A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15057987A JPS63314830A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314830A true JPS63314830A (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15499968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15057987A Pending JPS63314830A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63314830A (ja) |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP15057987A patent/JPS63314830A/ja active Pending
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