JPS63307721A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体に、その上に拡散マスク用絶縁膜を介
して形成した不純物含有絶縁膜を用いて不純物拡散層を
形成する工程を有する半導体装置の製造方法番こ関する
ものである。

〔従来の技術〕

＠３図は従来の半導体装置の製造方法を説明するため番
こ、その主要段階曇こｇける状態を示す断面図である。

以下、半導体基板としてシリコン（Ｓｉ）基板を用いる
場合について述べる。

まず、　Ｓｋ基板（１）の上表面全面に熱酸化法蕃こよ
って。０．５〜１．５μｍ程度の厚さに酸化膜（２）８
形成しく第３図Ａ）、不純物拡散層を形成したい領域の
酸化膜（２）酪こ写真製版及びエツチング技術を用いて
開口ωを形成する（＠３図Ｂ）。次感こ、酸化膜（２）
及びその開口■に露出するＳｔ基板【１）の表面全面Ｉ
Ｃ不純物含有塗布絶縁膜（３）を塗布形成する（第３図
Ｃ）。

不純物としては、ｐ形不純物拡散層を形成する場合はボ
ロンｉＢ１等、ｎ形不純物拡散層を形成する場合はリン
Ｕ？）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等を用い。

塗布膜厚は平坦部で０，０５〜０．３μｍ程度である。

続いて、８００〜１１００℃の温度で熱処理を施し、不
純物含有冷布絶縁膜１３）から不純物元素を拡散させて
、Ｓｌ基板Ｃ１３中に不純物拡散層（４）を形成する（
＠３図Ｄ）。そして、最後に、不用となった不純物含有
塗布絶縁膜（３）をエツチング除去する。

＠４図は第３図りの状態を不純物含有塗布絶縁膜（３）
を除去して示す平面図である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来は以上のような方法で半導体装置の不純物拡散層を
形成していたので、マスク用の酸化膜（２）の開口ωの
周縁部で不純物含有塗布絶縁膜（３）の厚さが大きくな
り、シリコン基板（１）内へ不純物を熱拡散させたとき
、この部分での不純物元素の供給量が増し、不純物拡散
層（４）は第４図に示すように。

横方向に不必要をこ広がり、ρ）つ、この部分での厚さ
も大きくなり、不純物拡散深さも第３図りに示すように
、不拘−弧こなる。従って、第５図番こ断面図で示すよ
う−こ周囲または下方の隣接する不純物拡散層（５）と
の間にＰで示すような接触を生じるおそれが大きく、半
導体装置の微細化の支障となるという問題点があった。

この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、コストの安い不純物含有絶縁膜を用いる不純
物拡散法を採用しつつ、均−ｔよ拡散深さであって、横
方向の広がりも少ない不純物拡散層を有する半導体装置
の製造方法を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造方法は、不純物拡散層
を形成する不純物を含む絶縁膜を化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ法）を用いて形成するものである。

〔作用〕

この発明における半導体装置の製造方法は、不純物を含
む絶縁膜を、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いて形成
するので、不純物拡散マスク用酸化膜の開口の周縁部で
、不純物を含む絶縁膜の厚みが大きくなることがない。

従って、熱拡散を行っても均一（拡散深さの不純物拡散
層を得ることができ、また、横方向の不純物の拡散長の
増加を防止できる。そのため１周囲あるいは、下方の隣
接する不純物拡散層との距離を小さくすることができ、
微細な半導体装置を得ることができる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例の方法を説明するため、そ
の主要段階における状態を示す断面図で。

従来方法を示す第３図と同−符ｑは同等部分を示す。

第１図Ａ、Ｂの段階までは＠３図Ａ、Ｂの段階と全く同
一で、　Ｓｔ基板（１）上に熱酸化法によってすべき部
位に開口ωを形成する。続いて、第１図Ｃ１こ示すよう
番こ、開日田に露出するＳｉ基板＋１３の上を含めて、
酸化膜（２）の上盛こ不純物含有絶縁膜（３ａ）をＣＶ
Ｄ法で形成する。膜厚は平坦部で０．０５〜０．３μｍ
で、用いる不純物は従来例につぃて前述した通りである
。その後に８００〜ｔ　ｔ　ｏ　ｏ　’ｃの温度で熱処
理を施して、！ｇ１図ＤＩこ示すように、　８１基板〔
１）中≦こ不純物拡散層（４ａ）を形成する。最後に、
不用となった不純物含有絶縁膜（３ａ）をエツチング除
去する。

第２図はこの状態を示す平面図である。

上記のような方法を用いれば、化学気相成長法によって
形成される絶縁膜（３ａ）は、第１図に示されるよう１
こ、不純物拡散マスク用酸化膜（２）の段差部において
特に厚みが増すことはないので、熱拡散後不純物拡散の
深さは均一で（＠１図り参照）。

横方向の拡散長の小さな（＠２図参照）不純物拡散（４
ａ）が得られる。

〔発明の効果〕 以上のように、この発明嘉こよれば、不純物を含む絶縁
膜を化学気相成長法を用いて形成したので。

不純物拡散マスク用酸化膜の段差部１こ３いて、特に不
純物含有絶縁膜の厚みが増すことはなく、拡散深さが均
一で横方向の拡散法がりの小さい、微細化に適した不純
物拡散層を形成することができる。

そのため、イオン注入等の高価な方法を用いな（でも、
微細な半導体装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例方法を説明するため基こ、
その主要段階膓こおける状態を示す断面図。 ＠２図はこの実施例方法で不純物拡散層を形成した状況
を示す平面図、第３図は従来の半導体装置の製造方法を
説明するため・こ、その主要段階暴こ詔ける状態を示Ｔ
断面図、第４図はこの従来方法で不純物拡散層を形成し
た状況を示す平面図、第５図は従来方法の問題点を示す
断面図である。 図において、Ｃ１）はシリコン（半導体）基板、（２）
は不純物拡散マスク用酸化膜（絶縁膜）−（３ａ）はＣ
ＶＤ法【こよる不純物含有絶縁膜、　　（４ａ）は不純
物拡散層、■は開口である。 なお１図中同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に不純物拡散マスク用絶縁膜を形成
   し、 上記半導体基板への不純物拡散層を形成すべき部位に対
   応する上記不純物拡散マスク用絶縁膜の部分に開口を形
   成し、 この開口内に露出する上記半導体基板の表面、及び上記
   不純物拡散マスク用絶縁膜の上表面に亘つて化学気相成
   長（ＣＶＤ）法によつて不純物含有絶縁膜を形成し、そ
   の後に、 熱処理を施して上記不純物含有絶縁膜から上記半導体基
   板内へ不純物を拡散させて上記不純物拡散層を形成する
   工程を備えた半導体装置の製造方法。