JPS6019154A - 電子写真用感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発IJIは電子写真用感光体に係シ、特に半導体レー
ザ光利用のレーザビームプリンタや複写機に好適な電子
写真用感光体に関する。
ザ光利用のレーザビームプリンタや複写機に好適な電子
写真用感光体に関する。
従来、セレン(8e)、硫化カドミウム(CdS)、酸
化亜鉛(ZnO)をはじめとする多くの無機系光導電体
、ポリビニルカルバ/−ル(PVK)、ペリレン顔料、
ジスアノ顔料をはじめとする多くの有機系光導電体が電
子写真用感光体として用いられていた。これらはいずれ
も視感度に適合する可視光の領域に光感度を有し、複写
機用あるいはガスレーザプリンタ用感光体として、好適
に使用される。しかしながら、高信頼性の期待される半
導体レーザ光源のレーザプリンタには感光波長域が適合
せず利用することが困難であった。
化亜鉛(ZnO)をはじめとする多くの無機系光導電体
、ポリビニルカルバ/−ル(PVK)、ペリレン顔料、
ジスアノ顔料をはじめとする多くの有機系光導電体が電
子写真用感光体として用いられていた。これらはいずれ
も視感度に適合する可視光の領域に光感度を有し、複写
機用あるいはガスレーザプリンタ用感光体として、好適
に使用される。しかしながら、高信頼性の期待される半
導体レーザ光源のレーザプリンタには感光波長域が適合
せず利用することが困難であった。
現在、半導体レーザとして広範に用いられているガリウ
ムーアルミニウムーヒ素(Ga−At・As)系発光素
子は、発振波長が750nmi度以上であり、実用化に
十分な長寿命を保証するにld790nm以上に限定さ
れる。このような長波長光に高感度を得る為に、従来数
多くの検討がなされて来た。例えば、可視光領域に高感
度を有するse、ccls等の材料に新たに長波長化の
為の増感剤を添加する方法が考えられるが、温度、湿度
に対する#環境性が十分ではなく、また、毒性の高い点
で実用化には至っていない。多種類知られている有機系
光導電材料も、通常7QQnm以下の可視光領域に感度
が限定され、これを越す材料は少ない。
ムーアルミニウムーヒ素(Ga−At・As)系発光素
子は、発振波長が750nmi度以上であり、実用化に
十分な長寿命を保証するにld790nm以上に限定さ
れる。このような長波長光に高感度を得る為に、従来数
多くの検討がなされて来た。例えば、可視光領域に高感
度を有するse、ccls等の材料に新たに長波長化の
為の増感剤を添加する方法が考えられるが、温度、湿度
に対する#環境性が十分ではなく、また、毒性の高い点
で実用化には至っていない。多種類知られている有機系
光導電材料も、通常7QQnm以下の可視光領域に感度
が限定され、これを越す材料は少ない。
これらのうちで、有機系光導電材料の一つであるフタロ
シアニン系化合物は、他に比べ感光域が長波長に拡大し
ていることが知られている。光導電性を示すフタロシア
ニン系化合物としては例えば特公昭49−4338号公
報記載のX型無金属フタロシアニンが挙けられる。
シアニン系化合物は、他に比べ感光域が長波長に拡大し
ていることが知られている。光導電性を示すフタロシア
ニン系化合物としては例えば特公昭49−4338号公
報記載のX型無金属フタロシアニンが挙けられる。
しかしながら、電子写真用感光体として実用に供し得る
特性、即ち光導電性以外に、耐候性、保存安定性1機械
的強度、生産性、経済性等を具備する材料の中では、7
9Qnm以上に十分な高感度を有するものは見当たらな
い。本発明者等は、このフタロシア二ノ化合物の特性に
注目して、その改良を試み、目的に適合する新材料を開
発することにより本発明に至ったものである。
特性、即ち光導電性以外に、耐候性、保存安定性1機械
的強度、生産性、経済性等を具備する材料の中では、7
9Qnm以上に十分な高感度を有するものは見当たらな
い。本発明者等は、このフタロシア二ノ化合物の特性に
注目して、その改良を試み、目的に適合する新材料を開
発することにより本発明に至ったものである。
本発明の目的は長波長光に対して高感度を示す計電特性
の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
の優れた電子写真用感光体を提供することにある。
本願第1番目の発明の電子写真用感光体はτ型、τ′型
、η型、η′型から選ばれる無金属フタロシアニン粒子
を含み、このフタロシアニン粒子ノ長軸径が1.0μm
以上5.0μm以下であることを特徴とする。好ましく
は長軸径は20μm以上4.0μm以下である。また本
願第2番目の発明の電子写真用感光体は、導電性支持体
上に電荷発生物質と電荷搬送物質とを含む層を形成した
いわゆる複合型の電子写真用感光体であって、電荷発生
物質が本願第1番目の発明に−よる無金属フタロシアニ
ンを含むものであり、電荷搬送物質が正孔移動型の物質
であること全特徴とする。
、η型、η′型から選ばれる無金属フタロシアニン粒子
を含み、このフタロシアニン粒子ノ長軸径が1.0μm
以上5.0μm以下であることを特徴とする。好ましく
は長軸径は20μm以上4.0μm以下である。また本
願第2番目の発明の電子写真用感光体は、導電性支持体
上に電荷発生物質と電荷搬送物質とを含む層を形成した
いわゆる複合型の電子写真用感光体であって、電荷発生
物質が本願第1番目の発明に−よる無金属フタロシアニ
ンを含むものであり、電荷搬送物質が正孔移動型の物質
であること全特徴とする。
τ型無金属フタロシアニンは次のように定義される。即
ち、CuKαl/N i O1,541A l7)X線
に対してプ2ッグ角度(2θ±0,2度)が7.今、9
.2゜16.8,17.4,20.4及び20.9に強
いX線回折図形を有するものである。特に、赤外線吸収
スペクトルが700〜760w−’の間に751±21
?m””が最も強い4本の吸収帯を、1320〜134
0ffi”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯金、32
88±3 ctrr ”に特徴的な吸収を有するものが
望ましい。
ち、CuKαl/N i O1,541A l7)X線
に対してプ2ッグ角度(2θ±0,2度)が7.今、9
.2゜16.8,17.4,20.4及び20.9に強
いX線回折図形を有するものである。特に、赤外線吸収
スペクトルが700〜760w−’の間に751±21
?m””が最も強い4本の吸収帯を、1320〜134
0ffi”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯金、32
88±3 ctrr ”に特徴的な吸収を有するものが
望ましい。
τ′型型金金属フタロシアニン次のように定義される。
即ち、CuKaVNi の1,541 人(7)X線に
対して、プ2ッグ角度(2θ±0.2度)が7.5゜9
.1,16.8.17.3,20.3,20.8,21
.4及び27.4に強いXS回折図形を有する新規の無
金属フタロシアニン結晶多形である。特に、赤外線吸収
スペクトルが700〜760crn−’の間に75手±
2cm−’が最も強い4本の吸収帯を、1320〜13
40crn−”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収fを、
3297±3c1n−’に特徴的な吸収を有するものが
望ましい。
対して、プ2ッグ角度(2θ±0.2度)が7.5゜9
.1,16.8.17.3,20.3,20.8,21
.4及び27.4に強いXS回折図形を有する新規の無
金属フタロシアニン結晶多形である。特に、赤外線吸収
スペクトルが700〜760crn−’の間に75手±
2cm−’が最も強い4本の吸収帯を、1320〜13
40crn−”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収fを、
3297±3c1n−’に特徴的な吸収を有するものが
望ましい。
η型金金腕フタロシアニンは次のように定義される。即
ち、無金属フタロシアニン100重量部と、ベンゼン核
に置換基を有する無金属フタロシアニン、ベンゼン核に
置換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若しく
は金属フタロシアニンの1種若しくは2種以上の混合物
50重量部以下との混合物結晶でsb、赤外線吸収スペ
クトルが700〜760cm″′1の開に753±1m
−1が最も強い4本の吸収帯を、1320〜1340c
rn−”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を、328
5±5crn−’に特徴的な吸収を有するものである。
ち、無金属フタロシアニン100重量部と、ベンゼン核
に置換基を有する無金属フタロシアニン、ベンゼン核に
置換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若しく
は金属フタロシアニンの1種若しくは2種以上の混合物
50重量部以下との混合物結晶でsb、赤外線吸収スペ
クトルが700〜760cm″′1の開に753±1m
−1が最も強い4本の吸収帯を、1320〜1340c
rn−”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を、328
5±5crn−’に特徴的な吸収を有するものである。
本発明者の検討によれば、η温熱金属フタロシアニンは
特にブラック゛^度(2θ±0.2度)が7.6,9.
2゜16.8,17.4及び28.5に強いピークを示
すX線回折図形を有するものと、7.6 、9.2 、
16.8 。
特にブラック゛^度(2θ±0.2度)が7.6,9.
2゜16.8,17.4及び28.5に強いピークを示
すX線回折図形を有するものと、7.6 、9.2 、
16.8 。
17.4,21.5及び27.5に強いピークを示すX
線回折図形を有するものとが挙げられる。
線回折図形を有するものとが挙げられる。
η′型型金金属フタロシアニン次のように定義される。
即ち、無金属フタロシアニン100重量部と、ベンゼン
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、ベンゼン核
に置換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若し
くは金属7タロシアニンの1種若しくは2種以上の混合
物50重量部以下との混合物結晶であり、赤外線吸収ス
ペクトルが700〜760 cm−、”の間に753±
1 cm−”が最も強い4本の吸収帯金、1320〜1
340 cm−”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を
、3297±5ffi−’に特徴的な吸収を有する新規
の無金属7タロシアニン結晶多形である。本発明者の検
討によれは、η′型型金金属7タロシアニン特にブラッ
グ角度(2θ±0.2度)が7.5 、9.1 、16
.8 。
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、ベンゼン核
に置換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若し
くは金属7タロシアニンの1種若しくは2種以上の混合
物50重量部以下との混合物結晶であり、赤外線吸収ス
ペクトルが700〜760 cm−、”の間に753±
1 cm−”が最も強い4本の吸収帯金、1320〜1
340 cm−”の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を
、3297±5ffi−’に特徴的な吸収を有する新規
の無金属7タロシアニン結晶多形である。本発明者の検
討によれは、η′型型金金属7タロシアニン特にブラッ
グ角度(2θ±0.2度)が7.5 、9.1 、16
.8 。
17.3,20.3,20.8,21.4及び27.4
に強いピークを示すX線回折図形を有するものと、?、
5,9.1,16.8,17.3,20.3,20.8
゜21.4,22.1,27.4及び28.5に強いピ
ークを示すX線回折図形を有するものが望ましい。
に強いピークを示すX線回折図形を有するものと、?、
5,9.1,16.8,17.3,20.3,20.8
゜21.4,22.1,27.4及び28.5に強いピ
ークを示すX線回折図形を有するものが望ましい。
尚、τ型、τ′凰、η型、η′型のいずれの無金属フタ
ロシアニンも、感光波長域の極大値が790〜810n
mの範囲におる。
ロシアニンも、感光波長域の極大値が790〜810n
mの範囲におる。
本発明に係るτ型及びτ′型型金金属7タロシアニン下
記要領で作製される。すなわち、α型金金属フタロシア
ニンg50〜180U、好ましくは60〜130Cの温
度において結晶変換するのに十分な時間攪拌もしくは機
械的歪力をもってミリングすることによって変形τ型結
晶形を有する無金属フタロシアニンが作製される。
記要領で作製される。すなわち、α型金金属フタロシア
ニンg50〜180U、好ましくは60〜130Cの温
度において結晶変換するのに十分な時間攪拌もしくは機
械的歪力をもってミリングすることによって変形τ型結
晶形を有する無金属フタロシアニンが作製される。
本発明に使用されるα型フタロシアニンはモーザーおよ
びトーマスの「フタロシアニン化合物」(Moser
and ’[’homes−phthalocyani
neCompounds”)等の公知方法および他の適
当な方法によって得られるものを使用する。例えば、無
金属フタロシアニンは硫酸等の酸によって脱金属ができ
る金属フタロシアニン、例えばリチウムフタロシアニン
、ナトリウムフタロシアニン、カルシウムフタロシアニ
ン、マグネシウムフタロシアニンなどを含んだ金属フタ
ロシアニンの酸処理によって、また、フタロジニトリル
、アミノイミノイソインドレニンもしくはアルコキシイ
ミノインインドレニンなどから直接的に作られるものが
用いられる。このように既によく知られた方法によって
得られる無金属フタロシアニンを望ましくは5C以下で
硫酸に一度溶解もしくは硫酸塩にしたものを水または氷
水中に注ぎ再析出もしくは加水分解し、α型無金属フタ
ロシアニンが得られる。
びトーマスの「フタロシアニン化合物」(Moser
and ’[’homes−phthalocyani
neCompounds”)等の公知方法および他の適
当な方法によって得られるものを使用する。例えば、無
金属フタロシアニンは硫酸等の酸によって脱金属ができ
る金属フタロシアニン、例えばリチウムフタロシアニン
、ナトリウムフタロシアニン、カルシウムフタロシアニ
ン、マグネシウムフタロシアニンなどを含んだ金属フタ
ロシアニンの酸処理によって、また、フタロジニトリル
、アミノイミノイソインドレニンもしくはアルコキシイ
ミノインインドレニンなどから直接的に作られるものが
用いられる。このように既によく知られた方法によって
得られる無金属フタロシアニンを望ましくは5C以下で
硫酸に一度溶解もしくは硫酸塩にしたものを水または氷
水中に注ぎ再析出もしくは加水分解し、α型無金属フタ
ロシアニンが得られる。
この際無機顔料子硫酸中もしくは再析出溶液中に溶解又
は分散したものを用いると無機顔料を含むα型無金属フ
タロシアニンが得られる。この無機顔料としては非水溶
性の粉末であれば良く色材充填剤として用いられるもの
、例えばチタン白、亜鉛華、ホワイトカーボン、炭酸カ
ルシウム、等の他、粉体として多方面で用いられる。例
えば金属粉、アルミナ、酸化鉄粉、カオリンなどが挙げ
られる。この無機顔料を含むα型無金属フタロシアニン
は、含まないものと比べて顔料化に際しきわめて磨砕さ
れ易く、微粒子化が容易であり、省力化省エネルギー化
に効果的でおる。
は分散したものを用いると無機顔料を含むα型無金属フ
タロシアニンが得られる。この無機顔料としては非水溶
性の粉末であれば良く色材充填剤として用いられるもの
、例えばチタン白、亜鉛華、ホワイトカーボン、炭酸カ
ルシウム、等の他、粉体として多方面で用いられる。例
えば金属粉、アルミナ、酸化鉄粉、カオリンなどが挙げ
られる。この無機顔料を含むα型無金属フタロシアニン
は、含まないものと比べて顔料化に際しきわめて磨砕さ
れ易く、微粒子化が容易であり、省力化省エネルギー化
に効果的でおる。
このような処理をしたα型無金属フタロシアニンは、乾
燥状態で用いることが好ましいが、水ペースト状のもの
を用いることもできる。攪拌、混線の分散メディアとし
ては通常顔料の分散や乳化混合等に用いられるものでよ
く、例えばガラスピーズ、スチールビーズ、アルミナボ
ール、フリント石が挙げられる。しかし分散メディアは
必ずしも必要としない。磨砕助剤としては通常顔料の磨
砕助剤として用いられているものでよく、例えば、食塩
、重炭酸ソーダ、はう硝等が挙げられる。しかし、との
磨砕助剤も必ずしも必要としない。
燥状態で用いることが好ましいが、水ペースト状のもの
を用いることもできる。攪拌、混線の分散メディアとし
ては通常顔料の分散や乳化混合等に用いられるものでよ
く、例えばガラスピーズ、スチールビーズ、アルミナボ
ール、フリント石が挙げられる。しかし分散メディアは
必ずしも必要としない。磨砕助剤としては通常顔料の磨
砕助剤として用いられているものでよく、例えば、食塩
、重炭酸ソーダ、はう硝等が挙げられる。しかし、との
磨砕助剤も必ずしも必要としない。
攪拌、混線、磨砕時に溶媒を必要とする場合には攪拌混
練時の温度において液状のものでよく、例えば、アルコ
ール系溶媒すなわちグリセリン、エチレングリコール、
ジエチレンf’)コールモしくはポリエチレングリコー
ル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル等のセロソルブ系
溶剤、ケトン系溶剤、エステルケトン系溶剤等の群から
1種類以上選択することが好ましい。
練時の温度において液状のものでよく、例えば、アルコ
ール系溶媒すなわちグリセリン、エチレングリコール、
ジエチレンf’)コールモしくはポリエチレングリコー
ル系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル等のセロソルブ系
溶剤、ケトン系溶剤、エステルケトン系溶剤等の群から
1種類以上選択することが好ましい。
結晶転移工程において使用される装置として代表的なも
のを挙げると一般的な攪拌装置例えば、ホモミキサー、
ディスパーザ−、アジター、スターラーあるいはニーダ
−、バンバリーミキサ−、ボールミル、サンドミル、ア
トライター等がある。
のを挙げると一般的な攪拌装置例えば、ホモミキサー、
ディスパーザ−、アジター、スターラーあるいはニーダ
−、バンバリーミキサ−、ボールミル、サンドミル、ア
トライター等がある。
本発明の結晶転移工程における温度範囲は50〜180
tl:’、好ましくは60〜130Cの温度範回内に行
なう。また、通常の結晶転移工程におけると同様に結晶
核を用いるのも有効な方法である。
tl:’、好ましくは60〜130Cの温度範回内に行
なう。また、通常の結晶転移工程におけると同様に結晶
核を用いるのも有効な方法である。
本発明に係るη型及びη′型型金金属フタロシアニン製
造する際使用されるα型フタロシアニンおよびベンゼン
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、またはベン
ゼン核に置換基を有してもよりフタロシアニン窒素同構
体もしくは金属フタロシアニンは、前述したモーザーお
よびトーツスの[フタロシアニン化合物J (Mose
r andThomes”Phthalocyanin
e Compounds”)等の公知方法および他の適
当な方法によって得られるものを使用する。
造する際使用されるα型フタロシアニンおよびベンゼン
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、またはベン
ゼン核に置換基を有してもよりフタロシアニン窒素同構
体もしくは金属フタロシアニンは、前述したモーザーお
よびトーツスの[フタロシアニン化合物J (Mose
r andThomes”Phthalocyanin
e Compounds”)等の公知方法および他の適
当な方法によって得られるものを使用する。
例えば、α型無金属フタロシアニンも前述と同様の処方
により得られ、これは他の無機顔料を含むものであって
もよい。
により得られ、これは他の無機顔料を含むものであって
もよい。
また、フタロシアニン窒素同構体としては、各41のポ
ルフィン類、例えばフタロシアニンのベンゼン核の一つ
以上をキノリン核に置き換えた銅テトラピリジノボルフ
イラジンなどがあυ、また金属フタロシアニンとしては
、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、アルミニウムな
どの各種のものを挙げることができる。
ルフィン類、例えばフタロシアニンのベンゼン核の一つ
以上をキノリン核に置き換えた銅テトラピリジノボルフ
イラジンなどがあυ、また金属フタロシアニンとしては
、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、アルミニウムな
どの各種のものを挙げることができる。
また、置換基としては、アミン基、ニトロ基、アルキル
基、アルコキシ基、シアノ基、メルカプト基、ハロゲン
原子などかあシ、さらにスルホン酸基、カルボン酸基ま
たはその金属塩、アンモニウム塩、アミン塩などを比較
的簡単なものとして例示することができる。更にベンゼ
ン核にアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、イ
ミノ基などを介して種々の置換基を導入することができ
、これらは従来フタロシアニン顔料の技術的分野におい
て凝集防止剤あるいは結晶変換防止剤として公知のもの
(例えば、U 8 P 3973981号公報、同40
88507号公報参照)、もしくは未知のものが挙げら
れる。各置換基の導入法は、公知のものについては省略
する。また、公知でないものについては実施例中に参考
例として記載する。
基、アルコキシ基、シアノ基、メルカプト基、ハロゲン
原子などかあシ、さらにスルホン酸基、カルボン酸基ま
たはその金属塩、アンモニウム塩、アミン塩などを比較
的簡単なものとして例示することができる。更にベンゼ
ン核にアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、イ
ミノ基などを介して種々の置換基を導入することができ
、これらは従来フタロシアニン顔料の技術的分野におい
て凝集防止剤あるいは結晶変換防止剤として公知のもの
(例えば、U 8 P 3973981号公報、同40
88507号公報参照)、もしくは未知のものが挙げら
れる。各置換基の導入法は、公知のものについては省略
する。また、公知でないものについては実施例中に参考
例として記載する。
本発明において、α型無金属フタロシアニンとベンゼン
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、またはベン
ゼン核に置換基を有してもよいフタロシアニン窒素同構
体もしくは金属フタロシアニンとの混合割合は1001
50(重量比)以上であればよいが、望ましくは100
/30〜10010.1(重量比)とする。この比以上
では得られたη型及びη′型スフタロシアニンブリード
し易くなシ顔料としての適性が低下する。
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、またはベン
ゼン核に置換基を有してもよいフタロシアニン窒素同構
体もしくは金属フタロシアニンとの混合割合は1001
50(重量比)以上であればよいが、望ましくは100
/30〜10010.1(重量比)とする。この比以上
では得られたη型及びη′型スフタロシアニンブリード
し易くなシ顔料としての適性が低下する。
本発明において上述のような割合で混合するには、単に
混合してもよいし、α型無金属フタロシアニンをアシッ
ドペースティングする前に混合してもよい。このように
して混合された混合物の攪拌あるいはミリングの方法は
通常顔料の分散、乳化、混合等に用いられるものでよく
、攪拌、混線の分散メディアとしては例えばガラスピー
ズ、スチールビーズ、アルミナボール、フリント石が挙
げられるが分散メディアは必ずしも必要としない。
混合してもよいし、α型無金属フタロシアニンをアシッ
ドペースティングする前に混合してもよい。このように
して混合された混合物の攪拌あるいはミリングの方法は
通常顔料の分散、乳化、混合等に用いられるものでよく
、攪拌、混線の分散メディアとしては例えばガラスピー
ズ、スチールビーズ、アルミナボール、フリント石が挙
げられるが分散メディアは必ずしも必要としない。
ノY砕助剤、混線時の溶媒、結晶転移工程において使用
する材料、装置は前述のτ型及びτ′型型金金属フタロ
シアニン場合と同様である。
する材料、装置は前述のτ型及びτ′型型金金属フタロ
シアニン場合と同様である。
η型及びη′型型金金属フタロシアニン結晶転1多工程
における温度範囲は30〜220C,好ましくは60〜
130Cの温度範囲内に行なう。よシ高温ではβ型に転
移し易く、またよシ低温では変形α型及びη′型への転
移に時間がかかる。また、通常の結晶転移工程における
と同様に結晶核を用いるのも有効な方法である。
における温度範囲は30〜220C,好ましくは60〜
130Cの温度範囲内に行なう。よシ高温ではβ型に転
移し易く、またよシ低温では変形α型及びη′型への転
移に時間がかかる。また、通常の結晶転移工程における
と同様に結晶核を用いるのも有効な方法である。
これらの無金属フタロシアニンは製造原料柴件、混線時
の容器材質、溶剤の純度、洗浄等の処理栄件によシ、種
々の形状の粒子が得られる。
の容器材質、溶剤の純度、洗浄等の処理栄件によシ、種
々の形状の粒子が得られる。
後述の実施例中に詳述するが、長軸径は電子写真感光体
の帯電保持能力、光感度に大きな影響を与え、この範囲
外では、実用化できない。又、過大な長軸径は塗液分散
性をも低下させる。短軸径には特に相関は認められない
が、通常0.1μmないしは0.5μmの範囲が適当で
、長軸径/短軸径の比は、2ないしは50の範囲が適当
である。
の帯電保持能力、光感度に大きな影響を与え、この範囲
外では、実用化できない。又、過大な長軸径は塗液分散
性をも低下させる。短軸径には特に相関は認められない
が、通常0.1μmないしは0.5μmの範囲が適当で
、長軸径/短軸径の比は、2ないしは50の範囲が適当
である。
本願発明では上記無金属フタロシアニンの他に更に他の
電荷発生物質を併用することも含まれる。
電荷発生物質を併用することも含まれる。
このような電荷発生物質としては、例えばα型。
β型、r警戒いはX厘の無金属フタロシアニンが挙げら
れる。勿論τ型、τ′型、η型、η′型の無金属フタロ
シアニンの併用も有効である。また電荷発生物質として
知られる上記以外のフタロシアニン顔料、アゾ顔料、ア
ントラキノン顔料、インジゴイド顔料、キナクリドン顔
料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクアリック酸メ
チン顔料(式中、Xは、0CHs、又はCtを示す。)
の如(式中、MはCa、Mg又はBaを示す。)の如き
モノアゾ顔料が挙げられる。
れる。勿論τ型、τ′型、η型、η′型の無金属フタロ
シアニンの併用も有効である。また電荷発生物質として
知られる上記以外のフタロシアニン顔料、アゾ顔料、ア
ントラキノン顔料、インジゴイド顔料、キナクリドン顔
料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクアリック酸メ
チン顔料(式中、Xは、0CHs、又はCtを示す。)
の如(式中、MはCa、Mg又はBaを示す。)の如き
モノアゾ顔料が挙げられる。
電荷搬送物質としては後記に示す如き光導電性低分子、
光導電性高分子、スチリル色素等の色素を含むものが用
いられる。このような複合型の電子写真用感光体は、特
に、導電性支持体上に電荷発生物質からなる層を形成し
、更にその上に正孔移動凰の電荷搬送物質からなる層を
形成したものが望ましい。電荷搬送物質はイオン化ポテ
ンシャル(Ip)が6.66V以下の化合物であること
が望ましい。特にτ型、τ′型、η警戒いはη′型型金
金属フタロシアニン発生したキャリヤが長波長光の低い
エネルギによるものである為、従来の電荷搬送物質では
エネルギ障壁により阻害されて電子写真用感光体として
高感度なものは得雌い。
光導電性高分子、スチリル色素等の色素を含むものが用
いられる。このような複合型の電子写真用感光体は、特
に、導電性支持体上に電荷発生物質からなる層を形成し
、更にその上に正孔移動凰の電荷搬送物質からなる層を
形成したものが望ましい。電荷搬送物質はイオン化ポテ
ンシャル(Ip)が6.66V以下の化合物であること
が望ましい。特にτ型、τ′型、η警戒いはη′型型金
金属フタロシアニン発生したキャリヤが長波長光の低い
エネルギによるものである為、従来の電荷搬送物質では
エネルギ障壁により阻害されて電子写真用感光体として
高感度なものは得雌い。
そこでIpが6.66 V以下の化合物を電荷搬送物’
Jlとfることにより、低エネルギキャリヤの輸送が円
滑となり、高感度を実現し得る。
Jlとfることにより、低エネルギキャリヤの輸送が円
滑となり、高感度を実現し得る。
τ型、τ′型、η型、η′型の各無金属フタロシアニン
は790〜81Qnmに感度の極大を示す為、半導体レ
ーザ用感光体として最適である。
は790〜81Qnmに感度の極大を示す為、半導体レ
ーザ用感光体として最適である。
更にη型、η′型の各無金属フタロシアニンは、極めて
結晶型が安定であり、アセトン、ナト2ヒドロフラン、
酢酸エチル等の有機溶剤や200Cで50時間以上空気
中に放置する等の耐熱試験においても他の結晶型への転
移が見られない。この点は電子写真用感光体の製造上並
びに使用上の大きな長所となっている。
結晶型が安定であり、アセトン、ナト2ヒドロフラン、
酢酸エチル等の有機溶剤や200Cで50時間以上空気
中に放置する等の耐熱試験においても他の結晶型への転
移が見られない。この点は電子写真用感光体の製造上並
びに使用上の大きな長所となっている。
′CfLCf異子写真体は、アルミニウムなどの導電性
基板上に、τ型無金属フタロシアニンと結着剤樹脂の混
合層を塗工して形成される。結着剤樹脂としてはフェノ
ール樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、エ
ポキシ樹脂、ケイ素樹脂。
基板上に、τ型無金属フタロシアニンと結着剤樹脂の混
合層を塗工して形成される。結着剤樹脂としてはフェノ
ール樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、エ
ポキシ樹脂、ケイ素樹脂。
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、キシレン樹脂。
トルエン樹脂、ウレタン樹脂、酢酸ビニル−メタクリル
共重合体、アクリル樹脂、ポリカーボネート、繊維素誘
導体等が適宜選択して用いられる。
共重合体、アクリル樹脂、ポリカーボネート、繊維素誘
導体等が適宜選択して用いられる。
更には光導電性を示すポリーN−ビニルカルノくゾール
、ボIJ−9−P−ビニルフェニルアントラセン等のカ
ルバゾール環、アントラセン環を側鎖に有する高分子、
ピラゾリン環、ジベンゾチオフェン環等の他のへテロ環
、芳香族環を側鎖に有する高分子も結着剤として利用さ
れる。尚、これらの光導電性高分子は電荷搬送物質とな
シ得る。
、ボIJ−9−P−ビニルフェニルアントラセン等のカ
ルバゾール環、アントラセン環を側鎖に有する高分子、
ピラゾリン環、ジベンゾチオフェン環等の他のへテロ環
、芳香族環を側鎖に有する高分子も結着剤として利用さ
れる。尚、これらの光導電性高分子は電荷搬送物質とな
シ得る。
τ型、τ′型型金金属フタロシアニン結着剤樹脂の混合
割合は、樹脂100重量部に対し、フタロシアニン20
〜200重量部が適当であるが、他の増感剤或いは電荷
輸送材料が共存する場合は、これを1重量部程度まで低
減させることも可能である。1重量部以下では、感度或
いは感光波長域にτ凰、τ′型型金金属フタロシアニン
特徴が現れない。一方200重量部以上では、電子写真
用感光体として充分な機械的強度、暗所帯電保持能力が
確保できない。これらτ型、τ′型型金金属フタロシア
ニン含む混合層の膜厚は、5〜50μmが適当である。
割合は、樹脂100重量部に対し、フタロシアニン20
〜200重量部が適当であるが、他の増感剤或いは電荷
輸送材料が共存する場合は、これを1重量部程度まで低
減させることも可能である。1重量部以下では、感度或
いは感光波長域にτ凰、τ′型型金金属フタロシアニン
特徴が現れない。一方200重量部以上では、電子写真
用感光体として充分な機械的強度、暗所帯電保持能力が
確保できない。これらτ型、τ′型型金金属フタロシア
ニン含む混合層の膜厚は、5〜50μmが適当である。
本発明の一例に係る電子写真用感光体の光感度は、特別
の増感剤乃至は電荷輸送材料を用いない場合、即ちτ型
、τ′型型金金属7タロシアニン単に汎用結着剤樹脂中
に混合した感光体の場合で、白色光に対する半減露光量
感度(表面電位を半減させるのに要する光エネルギー)
は4乃至5Lux・S(ルクス・秒)である。この時、
soonm単色光に対する半感露光量は20 m J
/m2以下と極めて高感度が得られる。
の増感剤乃至は電荷輸送材料を用いない場合、即ちτ型
、τ′型型金金属7タロシアニン単に汎用結着剤樹脂中
に混合した感光体の場合で、白色光に対する半減露光量
感度(表面電位を半減させるのに要する光エネルギー)
は4乃至5Lux・S(ルクス・秒)である。この時、
soonm単色光に対する半感露光量は20 m J
/m2以下と極めて高感度が得られる。
従来、このように3 Q Q nm等の長波長領域にお
いては、半減露光量はl QQmJ/m”以上が通例で
あり、本発明による電子写真用感光体が極めて%異的に
半導体レーザに適合することが判る。
いては、半減露光量はl QQmJ/m”以上が通例で
あり、本発明による電子写真用感光体が極めて%異的に
半導体レーザに適合することが判る。
本発明で用いるτ型、τ′壓無金属フタロシアニンは、
合成の容易な廉価、無公害材料であシ、かつ結着剤樹脂
との併用によシ可撓性のあるフィルム、或いは目的に応
じてドラム等積々の形状に作製可能で、プリンタ用感光
体として非常に取扱い性に優れる点も指摘できる。
合成の容易な廉価、無公害材料であシ、かつ結着剤樹脂
との併用によシ可撓性のあるフィルム、或いは目的に応
じてドラム等積々の形状に作製可能で、プリンタ用感光
体として非常に取扱い性に優れる点も指摘できる。
尚、η型、η′型型金属フタロクアニンを用いた電子写
真用感光体も同様の製造方法であり、また同様の特性を
示す。
真用感光体も同様の製造方法であり、また同様の特性を
示す。
上記に述べた電子写真用感光体の上に更に電荷輸送層を
形成することによシ複合型の電子写真用感光体が得られ
る。このよう−な積層構造を採る場合にはτ型、τ′型
型金金属フタロシアニン層(つまり電荷発生層)は0.
1μm程度まで薄膜にして使用することが可能である。
形成することによシ複合型の電子写真用感光体が得られ
る。このよう−な積層構造を採る場合にはτ型、τ′型
型金金属フタロシアニン層(つまり電荷発生層)は0.
1μm程度まで薄膜にして使用することが可能である。
同、電荷輸送層はτ型、τ′製無金属フタロシアニンを
含む電荷発生層の下側(つまシ導電性基体と電荷発生層
との間に形成しても良い。
含む電荷発生層の下側(つまシ導電性基体と電荷発生層
との間に形成しても良い。
電荷輸送材料としては前項に示した各種の光導電性高分
子が用いられる。更には、オキサゾール誘導体、スチリ
ル色素ベース、シアニン色素ベース、オキサジアゾール
誘導体、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、トリフェニルメタン系化合
物、トリフェニルアミン系化合物、2,4.7−1リニ
トロフルオレノン等のニトロフルオレノン類等の既知の
光導電性低分子を汎用樹脂中に混合して電荷輸送層とす
ることも可能である。オキサゾール誘導体の代表的な例
として、 が挙げられる。スチリル色素ベースの例は後述ブる。シ
アニン色素ベースの例としては C*Hs が挙げられる。オキサジアゾール誘導体は例えばである
。ピラゾリン誘導体は例えば λ が挙げられる。陶、Xは水素またはメトキシ基金示す。
子が用いられる。更には、オキサゾール誘導体、スチリ
ル色素ベース、シアニン色素ベース、オキサジアゾール
誘導体、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ポリ
−N−ビニルカルバゾール、トリフェニルメタン系化合
物、トリフェニルアミン系化合物、2,4.7−1リニ
トロフルオレノン等のニトロフルオレノン類等の既知の
光導電性低分子を汎用樹脂中に混合して電荷輸送層とす
ることも可能である。オキサゾール誘導体の代表的な例
として、 が挙げられる。スチリル色素ベースの例は後述ブる。シ
アニン色素ベースの例としては C*Hs が挙げられる。オキサジアゾール誘導体は例えばである
。ピラゾリン誘導体は例えば λ が挙げられる。陶、Xは水素またはメトキシ基金示す。
ヒドシゾン誘導体は例えば
C2H11
が挙げられる。トリフェニルメタン系化合物は例えば
CHs
が挙げられる。
このように電荷輸送層を積層する複合型の感光体構造を
採ることにより、白色光半減露光量は1乃至2tux−
3,F3QQnm単色光半減露光量は10mJ/m2以
下に達することも可能である。
採ることにより、白色光半減露光量は1乃至2tux−
3,F3QQnm単色光半減露光量は10mJ/m2以
下に達することも可能である。
尚、η型、η′型型金属フタ四シアニンを含む電荷発生
層を用いた複合型の電子写真用感光体も同様の製造方法
であり、また同様の特性を示す。
層を用いた複合型の電子写真用感光体も同様の製造方法
であり、また同様の特性を示す。
本願第2番目の発明においては電荷搬送物質の内、特に
次の構造式で表わされるスチリル色素ペースが望ましい
。
次の構造式で表わされるスチリル色素ペースが望ましい
。
はSを示し、ヘテロ環基は置換されていても良い)を示
し、nは、0.1又は2葡示してお、!7、R1とlt
2は炭素数が3以下のアルキル基である。このようなヘ
テロ環基の置換基としては、−〇Hs +−t、Hs
、−C3H7などの低級アルキル基。
し、nは、0.1又は2葡示してお、!7、R1とlt
2は炭素数が3以下のアルキル基である。このようなヘ
テロ環基の置換基としては、−〇Hs +−t、Hs
、−C3H7などの低級アルキル基。
−C1,−B rなどのハoグン基、 −N (C)(
、ン2゜N (Cm Hsh 、 −N (Cs R7
)2等のジアルキルアミノ基、 −0CHs 、−0C
zHs等のアルコキシ基、更にフェニル基等を挙げるこ
とができるが、これらに限定されるものではない。この
ような化合物の一部を構造式によシ、下記に列挙する。
、ン2゜N (Cm Hsh 、 −N (Cs R7
)2等のジアルキルアミノ基、 −0CHs 、−0C
zHs等のアルコキシ基、更にフェニル基等を挙げるこ
とができるが、これらに限定されるものではない。この
ような化合物の一部を構造式によシ、下記に列挙する。
尚、上記化合物の合成法は、特公昭35−11218号
公報、特公昭35−11219号公報等に詳細に記載さ
れておシ、これら化合物の大部分は、日本感光色素研究
所(株)からNK色素として市販されている。
公報、特公昭35−11219号公報等に詳細に記載さ
れておシ、これら化合物の大部分は、日本感光色素研究
所(株)からNK色素として市販されている。
この例の如き電荷見物質と電荷搬送物質との組合せが好
適な理由は、明確でないが、既知の電荷搬送物質、例え
ば、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、トリフェ
ニルメタン系化合!吻、トリノエニルアミン、2,4.
7−ドリニトロンルオレノン等に比べ、比較的イオン化
ポテンシャルが小さいこと及び結晶化し難く、他の結着
剤樹脂との配合が容易で強固かつ均一な塗膜が得られ易
いこと等が挙げられる。特に、負の帯電時において高感
度を示すことから、電荷発性物質から電荷搬送物質への
正孔注入が、効率良く行われていると予想する。
適な理由は、明確でないが、既知の電荷搬送物質、例え
ば、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、トリフェ
ニルメタン系化合!吻、トリノエニルアミン、2,4.
7−ドリニトロンルオレノン等に比べ、比較的イオン化
ポテンシャルが小さいこと及び結晶化し難く、他の結着
剤樹脂との配合が容易で強固かつ均一な塗膜が得られ易
いこと等が挙げられる。特に、負の帯電時において高感
度を示すことから、電荷発性物質から電荷搬送物質への
正孔注入が、効率良く行われていると予想する。
本発明の複合型の電子写真用感光体の作製は、導電性支
持体上に、電荷発生物質のノーを形成し、更にその上に
、電荷搬送物質の層を形成する。或いはこれとは逆に、
電荷搬送物質の層上に、電荷□発生物質の層を形成して
も良い。
持体上に、電荷発生物質のノーを形成し、更にその上に
、電荷搬送物質の層を形成する。或いはこれとは逆に、
電荷搬送物質の層上に、電荷□発生物質の層を形成して
も良い。
′d電荷発生物質層の形成方法としては、τ型及び/又
はτ′型型金属フタロシアニン単独或いは結着剤樹脂と
混合した系茫ボールミルやロールミル等で微細(粒径5
μm以下、特に1μm以下)に分散、混合した塗液を作
製して、塗工によ多形成できる。電荷発生物質の層の膜
厚は、要求される感度やτ型、τ′型型金金属フタロシ
アニン結着剤樹脂との混合割合で異なるが、通常20μ
m以下、特に0.1〜3μmが好ましく、膜厚が大きく
なると感度が低下するばかシでなく、膜としての可撓性
がなくなシ剥離を生じたシする。また、τ型、τ′型型
金金属フタロシアニン、結着剤樹脂の配合割合は、前者
1重量部に対し後者5重量部以下が良く、これ以上にな
ると感度が次第に低下する傾向を示す。
はτ′型型金属フタロシアニン単独或いは結着剤樹脂と
混合した系茫ボールミルやロールミル等で微細(粒径5
μm以下、特に1μm以下)に分散、混合した塗液を作
製して、塗工によ多形成できる。電荷発生物質の層の膜
厚は、要求される感度やτ型、τ′型型金金属フタロシ
アニン結着剤樹脂との混合割合で異なるが、通常20μ
m以下、特に0.1〜3μmが好ましく、膜厚が大きく
なると感度が低下するばかシでなく、膜としての可撓性
がなくなシ剥離を生じたシする。また、τ型、τ′型型
金金属フタロシアニン、結着剤樹脂の配合割合は、前者
1重量部に対し後者5重量部以下が良く、これ以上にな
ると感度が次第に低下する傾向を示す。
また、電荷搬送物質の層の形成も塗工により行われる。
電荷搬送物質の層には、膜としての機械的強度を持たせ
る為に、結着剤樹脂が必要である。
る為に、結着剤樹脂が必要である。
電荷搬送物質及び結着剤樹脂共に溶解できる有機溶剤を
用いて、両者を溶解させた溶液を塗液とする。電荷搬送
物質の層の膜厚は、感光体として必要な帯電特性によシ
決定されるが、通常5〜100μm1好ましくは8〜3
0μmとするのが適当でらる。又、電荷搬送物質と結着
剤樹脂との配合割合は、前者1重量部に対し後者0,5
〜5重量部の範囲内とするのが適当である。
用いて、両者を溶解させた溶液を塗液とする。電荷搬送
物質の層の膜厚は、感光体として必要な帯電特性によシ
決定されるが、通常5〜100μm1好ましくは8〜3
0μmとするのが適当でらる。又、電荷搬送物質と結着
剤樹脂との配合割合は、前者1重量部に対し後者0,5
〜5重量部の範囲内とするのが適当である。
電荷発生物質及び電荷搬送物質の層に用いられる結着剤
樹脂としては、既知の電子写真用結合剤例えはフェノー
ル樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、キシレン樹脂。
樹脂としては、既知の電子写真用結合剤例えはフェノー
ル樹脂、エリア樹脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、キシレン樹脂。
トルエン樹脂、ウレタン樹脂、酢酸ビニル−メタクリル
共重合体、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エステル樹脂、繊維素誘導体等が適宜選択して用いられ
る。更には、光導電性を示す、ボIJ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−9〜(p−ビニルフェニル)アントラ
セン等のカルバソール環、アントラセンit−側鎖に有
する高分子、ピラゾリン項、ジベンゾチオフェン環等の
他のへテロffl、芳香族環を側鎖に有する尚分子も結
着剤樹脂として利用される。
共重合体、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エステル樹脂、繊維素誘導体等が適宜選択して用いられ
る。更には、光導電性を示す、ボIJ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−9〜(p−ビニルフェニル)アントラ
セン等のカルバソール環、アントラセンit−側鎖に有
する高分子、ピラゾリン項、ジベンゾチオフェン環等の
他のへテロffl、芳香族環を側鎖に有する尚分子も結
着剤樹脂として利用される。
本発明における電荷発生物質の層及び電荷搬送物質の層
には、必要に応じて界面活性剤や可塑剤全添加すること
も可能であり、これらの添加により、接着性、耐摩耗性
等の機械的性質、成膜性。
には、必要に応じて界面活性剤や可塑剤全添加すること
も可能であり、これらの添加により、接着性、耐摩耗性
等の機械的性質、成膜性。
可撓性等の物理的性質、素材の分散性向上による電子写
真特性の改良ができる。
真特性の改良ができる。
導電性支持体としては、墓ちゆう、アルミニウム、金、
銅等が用いられ、これらは適当な厚さ。
銅等が用いられ、これらは適当な厚さ。
硬さ又は屈曲性のあるシート、薄板1円筒状であっても
良く、プラスチックの薄層で被覆されていても良い。ま
た、金属被覆、金属プラスチックシート、ヨウ化アルミ
ニウム、ヨウ化鋼、酸化インジウム又ハ酸化スズの薄層
で被覆されたガラスであっても良い。通常支持体は、そ
れ自体導電性か導電性の表面を持ち、取扱うのに充分な
強度のあることが望ましい。
良く、プラスチックの薄層で被覆されていても良い。ま
た、金属被覆、金属プラスチックシート、ヨウ化アルミ
ニウム、ヨウ化鋼、酸化インジウム又ハ酸化スズの薄層
で被覆されたガラスであっても良い。通常支持体は、そ
れ自体導電性か導電性の表面を持ち、取扱うのに充分な
強度のあることが望ましい。
以下に本発明の詳細な説明する。各実施例記載中、部と
あるのは全て重量部を意味する。
あるのは全て重量部を意味する。
実施例1
α型態金属フタロシアニンlO部と、摩砕助剤として食
塩5乃至20部、分散媒として(ポリエチレングリコー
ル)8部をニーダに入れ、60tl’乃至120Cで7
乃至15時間摩砕した。この場合、高温でニーディング
するとβ型結晶形を示し易くなり、また、分解し易くな
る。X線回折図でτ型に転移したことを確認の後、容器
よシ取シ出[7、水及びメタノールで摩砕助剤、分散媒
を取シ除いた後2%の希硫酸水溶液で精製し、ろ過、水
洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶を得た。この結晶は
X線回折赤外線分光により、τ型無金属フタロシアニン
であることが解った。
塩5乃至20部、分散媒として(ポリエチレングリコー
ル)8部をニーダに入れ、60tl’乃至120Cで7
乃至15時間摩砕した。この場合、高温でニーディング
するとβ型結晶形を示し易くなり、また、分解し易くな
る。X線回折図でτ型に転移したことを確認の後、容器
よシ取シ出[7、水及びメタノールで摩砕助剤、分散媒
を取シ除いた後2%の希硫酸水溶液で精製し、ろ過、水
洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶を得た。この結晶は
X線回折赤外線分光により、τ型無金属フタロシアニン
であることが解った。
上記のようにして得られたτ型無金属フタロシアニンは
、助剤条件により、種々の粒径、長径/短径の比を示す
。これらのτ型無金属フタロシアニン1部を、テトラヒ
ドロフラン9部、トルエン1部の混合溶剤中に超音波に
よシ分散して得た塗液τ、アプリケータ(東洋精機社製
)によりアルミニウム(At)薄(厚さ100μm)上
に塗工して電荷発生物質の層を作成した。膜厚は0.5
μmである。次に下記する+1q造式の電荷搬送物質1
毘1、飽和ポリエステル樹脂(東洋紡績社製、バイロン
2oO)1部をテトラヒドロフラン1(1に溶解させた
塗液を、アプリケータにより上記電荷発生物JR)f4
上に塗工し電子写真板を得た。全層この実施例よシ構成
された複合型の電子写真用感光体は、静電記録紙試験装
置(川口電機社製。
、助剤条件により、種々の粒径、長径/短径の比を示す
。これらのτ型無金属フタロシアニン1部を、テトラヒ
ドロフラン9部、トルエン1部の混合溶剤中に超音波に
よシ分散して得た塗液τ、アプリケータ(東洋精機社製
)によりアルミニウム(At)薄(厚さ100μm)上
に塗工して電荷発生物質の層を作成した。膜厚は0.5
μmである。次に下記する+1q造式の電荷搬送物質1
毘1、飽和ポリエステル樹脂(東洋紡績社製、バイロン
2oO)1部をテトラヒドロフラン1(1に溶解させた
塗液を、アプリケータにより上記電荷発生物JR)f4
上に塗工し電子写真板を得た。全層この実施例よシ構成
された複合型の電子写真用感光体は、静電記録紙試験装
置(川口電機社製。
5P−428)を用いて、電子写真特性の評価を行った
。この場合、負5kVのコロナ放電t−10秒間行って
帯電させ(10秒間帯電直後の表面電位Vo (v)i
初期電位とする)、30秒間暗所に放置後(この時の電
位’Fr:Vso (V )で表わし、(Via /V
o ) X 100 (%)を暗減衰とする)、タング
ステンランプで表面の照度が2tuXになるように露光
し、この時の表面電位の減衰及び時間を記録し、V2O
が1/2になるまでに要した時間t(秒)と照度の積で
白色光感度(半減露光量。
。この場合、負5kVのコロナ放電t−10秒間行って
帯電させ(10秒間帯電直後の表面電位Vo (v)i
初期電位とする)、30秒間暗所に放置後(この時の電
位’Fr:Vso (V )で表わし、(Via /V
o ) X 100 (%)を暗減衰とする)、タング
ステンランプで表面の照度が2tuXになるように露光
し、この時の表面電位の減衰及び時間を記録し、V2O
が1/2になるまでに要した時間t(秒)と照度の積で
白色光感度(半減露光量。
Eso (tux−s))を表ワシタ。
また、分光感度はタングステンランプの替シに、分光器
からの各々の波長を光源として使用し、V3゜が1/2
になるまでに要した時間t(秒)と各波長のエネルギ(
mW/m” )との積の逆数をと9、感度(m” /m
J >とした。
からの各々の波長を光源として使用し、V3゜が1/2
になるまでに要した時間t(秒)と各波長のエネルギ(
mW/m” )との積の逆数をと9、感度(m” /m
J >とした。
第1図に、本実施例に係るτ型無金属フタロシアニンの
走査型電子顕微鏡(SEM)写真像を例示する。図中に
0.5Uと表示する長さは、0.5μmを意味している
。
走査型電子顕微鏡(SEM)写真像を例示する。図中に
0.5Uと表示する長さは、0.5μmを意味している
。
Ia#18な粒子の形状は、沈降速度、X線回折、微細
孔を通過時の電流変化、光学顕微鏡、電子顕微鏡等掠々
の方法によって測定される。本願における長+m+ &
の定義を第2図に模式的に図解する。即ち、ある観測さ
れた粒子像に対して、平行な2線により粒子をはさみ、
この2線間距離の最小のもの全短軸径(L、)と称し、
これに垂直な2平行線で粒子ケはさみ、この距離を長袖
径<Lx)と定義する。′本願はτ型、τ′型、η屋及
びり型金全域フタロンアニンを用いた電子写真用感光体
のBJ?特性と、粒子長幅径との対応の発見にもとづく
ものである。本定義で明らかなように、本願の長軸径は
主として電子顕微鏡による観測像に基づくものであシ、
他の粒度分布測定法を用いる場合は、両者の測定値間に
事前に相関性を確認する必要がある。第1図に示すよう
な針状形状の粒子の場合、多くの測定法によシ得られる
平均粒子径と電子顕微鏡によシ直接得られる粒子形状に
差違を生じ易い点は注意を要する。尚、この定義はτ′
、η。
孔を通過時の電流変化、光学顕微鏡、電子顕微鏡等掠々
の方法によって測定される。本願における長+m+ &
の定義を第2図に模式的に図解する。即ち、ある観測さ
れた粒子像に対して、平行な2線により粒子をはさみ、
この2線間距離の最小のもの全短軸径(L、)と称し、
これに垂直な2平行線で粒子ケはさみ、この距離を長袖
径<Lx)と定義する。′本願はτ型、τ′型、η屋及
びり型金全域フタロンアニンを用いた電子写真用感光体
のBJ?特性と、粒子長幅径との対応の発見にもとづく
ものである。本定義で明らかなように、本願の長軸径は
主として電子顕微鏡による観測像に基づくものであシ、
他の粒度分布測定法を用いる場合は、両者の測定値間に
事前に相関性を確認する必要がある。第1図に示すよう
な針状形状の粒子の場合、多くの測定法によシ得られる
平均粒子径と電子顕微鏡によシ直接得られる粒子形状に
差違を生じ易い点は注意を要する。尚、この定義はτ′
、η。
η′型各無金属フタロシアニンについても同様である。
本実施例による電子写真特性の測定結果を第3図、第4
図、第5図に示す。第3図において、初期電位Voは長
軸径0.5μm以上5.0μm以下の範囲で600V(
但し負(e))以上の値が得られるのがわかる。第4図
にょシ、暗減衰率V30/Voは、長軸径1.0μm以
上5.0μm以下の範囲で40−以上の良好な値となる
。更に第5図の如く、半減露光量EIiOは、0.5μ
m以上の範囲で1、51ux−圓以下の値を示す。
図、第5図に示す。第3図において、初期電位Voは長
軸径0.5μm以上5.0μm以下の範囲で600V(
但し負(e))以上の値が得られるのがわかる。第4図
にょシ、暗減衰率V30/Voは、長軸径1.0μm以
上5.0μm以下の範囲で40−以上の良好な値となる
。更に第5図の如く、半減露光量EIiOは、0.5μ
m以上の範囲で1、51ux−圓以下の値を示す。
以上の結果よシ長軸径1.0μm以上5.0μm以下の
τ型無金属フタロシアニンは選択的に最良の電子写真用
感光体を与えることが判明した。
τ型無金属フタロシアニンは選択的に最良の電子写真用
感光体を与えることが判明した。
実施例2
長袖径の種々異なったη型金金属7タロシアニン粒子を
テトラヒドロフラン中に超音波分散し、1400rpm
で30分間遠心分離した後に、粒度分布測定機(セイシ
ン企業社製5KN−500)で分散粒子分の重量百分率
を測定した。その結果第6図に示すように、長軸径5.
0μm以下の場合は分散率10チ以上と、良好な分散液
が得られた。
テトラヒドロフラン中に超音波分散し、1400rpm
で30分間遠心分離した後に、粒度分布測定機(セイシ
ン企業社製5KN−500)で分散粒子分の重量百分率
を測定した。その結果第6図に示すように、長軸径5.
0μm以下の場合は分散率10チ以上と、良好な分散液
が得られた。
実施例3
実施例1に用いたτ型無金属フタロシアニンのうち、長
軸径0.6μm(短軸径0.4μm、長軸径/短軸径の
比1,5)のもの及び長軸径2.0μm(短軸径0.4
μm、長軸径/短軸径比5.0)のものの2種名1部に
対し、シリコン樹脂(信越シリコン社製KP5240)
1部を加え、テトラヒドロフランを液濃度が2重量%に
なるように加えて塗液を作製した。実施例1と同様の方
法で電荷発生物質の層0.7μmを作製した。次に下記
する電荷搬送物質各1部、ポリカーボネート(音大社製
パンライト)4部、ジクロルメタン100部よシなる塗
液を前記電荷発生層上に塗工し乾燥して電子写真板を作
製した。実施例1と同様に行った電子写真特性の測定結
果を表1に示す。
軸径0.6μm(短軸径0.4μm、長軸径/短軸径の
比1,5)のもの及び長軸径2.0μm(短軸径0.4
μm、長軸径/短軸径比5.0)のものの2種名1部に
対し、シリコン樹脂(信越シリコン社製KP5240)
1部を加え、テトラヒドロフランを液濃度が2重量%に
なるように加えて塗液を作製した。実施例1と同様の方
法で電荷発生物質の層0.7μmを作製した。次に下記
する電荷搬送物質各1部、ポリカーボネート(音大社製
パンライト)4部、ジクロルメタン100部よシなる塗
液を前記電荷発生層上に塗工し乾燥して電子写真板を作
製した。実施例1と同様に行った電子写真特性の測定結
果を表1に示す。
(2) Lt=2.0μm
L t = 0.6μmの場合はいずれの電荷搬送物質
に対しても、暗減衰率Vs o / V 6が小さく、
かつ半減露光量Esoの値は大きく特性に劣ることが判
明した。尚、表1中の電荷搬送物質は次の通シで実施例
4 無金属フタロシアニン100部と表2に示す各誘導体、
各10部を氷冷した98チ硫酸に溶解し、水に沈殿させ
てろ過、水洗、乾燥することによって両者の均−外温合
物を得る。この混合物100部、粉砕食塩200部及び
ポリエチレングリコール80部をニーダ−に入れ、60
〜130Cで8時間摩砕した。
に対しても、暗減衰率Vs o / V 6が小さく、
かつ半減露光量Esoの値は大きく特性に劣ることが判
明した。尚、表1中の電荷搬送物質は次の通シで実施例
4 無金属フタロシアニン100部と表2に示す各誘導体、
各10部を氷冷した98チ硫酸に溶解し、水に沈殿させ
てろ過、水洗、乾燥することによって両者の均−外温合
物を得る。この混合物100部、粉砕食塩200部及び
ポリエチレングリコール80部をニーダ−に入れ、60
〜130Cで8時間摩砕した。
表2
取出し後、2−の希硫酸水溶液で精製し1.ろ過。
水洗、乾燥して鮮明な緑味の青色結晶を得た。
この結晶はX線回折図形及び、赤外線吸収スペクトルに
よシ、η型態金属7タロシアニンであった。
よシ、η型態金属7タロシアニンであった。
上記のようにして得られたμ型態金属フタロシアニンの
うち、長軸径LLが0.4.1.0.2.5゜5.0の
4種を実施例3と同様の方法で塗工し、電荷発生物質の
層を得た。次に下記する構造式の電荷搬送物質を実施例
2と同様に重ね塗工して電子写真板を作成した。実施例
1と同様に行ったこれらの電子写真用感光体の緒特性を
表3に示す。
うち、長軸径LLが0.4.1.0.2.5゜5.0の
4種を実施例3と同様の方法で塗工し、電荷発生物質の
層を得た。次に下記する構造式の電荷搬送物質を実施例
2と同様に重ね塗工して電子写真板を作成した。実施例
1と同様に行ったこれらの電子写真用感光体の緒特性を
表3に示す。
表 3
L t= 0.4 p mの場合が、Vso/Vo +
Esoなどの暗減衰、光感度特性が劣ることがわかる
。
Esoなどの暗減衰、光感度特性が劣ることがわかる
。
実施例5
α型無金属フタロシアニン10部、摩砕助剤として食塩
200部、分散媒としてポリエチレングリコール300
部をサンドミルに入れ、1oot:’で20時間混練し
た。X線回折図でτ′に転移したことを確認した後、容
器から取シ出し、水及びメタノールで摩砕助剤、分散媒
を取シ除いた。その後2%希硫酸水溶液で精製し、ろ過
、水洗、乾燥によシ鮮明な緑味の青色結晶を得た。この
結晶は、X線回折、赤外線分光によシ、τ′型型金金属
フタロシアニンあることを確認した。
200部、分散媒としてポリエチレングリコール300
部をサンドミルに入れ、1oot:’で20時間混練し
た。X線回折図でτ′に転移したことを確認した後、容
器から取シ出し、水及びメタノールで摩砕助剤、分散媒
を取シ除いた。その後2%希硫酸水溶液で精製し、ろ過
、水洗、乾燥によシ鮮明な緑味の青色結晶を得た。この
結晶は、X線回折、赤外線分光によシ、τ′型型金金属
フタロシアニンあることを確認した。
上記のようにして得られたτ′型型金金属フタロシアニ
ンで原材料の差異により種々の灰分量を有するものとな
る。これらのτ′型型合金属7タロシアニフ1 し、灰分量を決定した。
ンで原材料の差異により種々の灰分量を有するものとな
る。これらのτ′型型合金属7タロシアニフ1 し、灰分量を決定した。
実施例6
精製したα型態金属フタロシアニンioo部、フタロシ
アニン誘導体PC−(−CONH*NHCsHte)
1、3(但しpcはフタロシアニン核を示シ、カッコ内
の数字は分析による平均置換数を示す。)15部、粉砕
食塩200部及びポリエチレングリコール80部をニー
ダに入れ、1oOcで8時間摩砕した。取シ出し後2チ
の希硫酸水溶液で精製し、ろ過,水洗,乾燥して、η′
型型金金属フタロシアニン得た。
アニン誘導体PC−(−CONH*NHCsHte)
1、3(但しpcはフタロシアニン核を示シ、カッコ内
の数字は分析による平均置換数を示す。)15部、粉砕
食塩200部及びポリエチレングリコール80部をニー
ダに入れ、1oOcで8時間摩砕した。取シ出し後2チ
の希硫酸水溶液で精製し、ろ過,水洗,乾燥して、η′
型型金金属フタロシアニン得た。
本発明によれば、長波長光に対して高感度を示し帯電特
性の優れた電子写真用感光体が得られるという効果があ
る。
性の優れた電子写真用感光体が得られるという効果があ
る。
第1図は本発明に用い得るτ型無金属フタロシアニンの
電子顕微鏡写真図、第2図は本発明に用の実施例に係る
電子写真用感光体の電子写真特性第 1 口 鵠 2 口 第 3 口 妬40 糸吉譜−長軸怪6β戦) 第ご 鵠t 東京都中央区京橋二丁目3番13 号東洋インキ製造株式会社内 0出 願 人 東洋インキ製造株式会社東京都中央区京
橋二丁目3番13
電子顕微鏡写真図、第2図は本発明に用の実施例に係る
電子写真用感光体の電子写真特性第 1 口 鵠 2 口 第 3 口 妬40 糸吉譜−長軸怪6β戦) 第ご 鵠t 東京都中央区京橋二丁目3番13 号東洋インキ製造株式会社内 0出 願 人 東洋インキ製造株式会社東京都中央区京
橋二丁目3番13
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、 τ型、τ′型、η型、η′型から選ばれる無金属
フタロシアニン粒子を含み、該無金属フタロシアニン粒
子の長軸径が1.0μm以上5.0μm以下であること
を特徴とする電子写真用感光体。 2、導電性支持体上に、電荷発生物質と電荷搬送物質と
を含む層を形成し、該電荷発生物質がτ型、τ′型、η
型、η′型から選ばれる無金属フタロシアニン粒子を含
み、該無金属フタロシアニン粒子の長袖径が1.0μm
以上5.0μm以下であり、前記電荷搬送物質が正孔移
動型の物質であること’Th %徴とする電子写真用感
光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58126195A JPS6019154A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58126195A JPS6019154A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6019154A true JPS6019154A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14929047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58126195A Pending JPS6019154A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6019154A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61238060A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-23 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
JPS62103651A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPH02139571A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-05-29 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
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