JPS6087336A - 複合型の電子写真用感光体 - Google Patents
複合型の電子写真用感光体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子写真による画像作成に有効な感光体に係
り、特に長波長の光に対しても高感度を有する電荷発生
物質と電荷搬送物質とから構成される複合型の電子写真
用感光体に関する。
り、特に長波長の光に対しても高感度を有する電荷発生
物質と電荷搬送物質とから構成される複合型の電子写真
用感光体に関する。
従来、複合型の電子写真用感光体の電荷発生物質として
は、特開昭52−55643号公報に示される有機第1
アミン類に可溶なモノアゾ染料、ジスアゾ染料およびス
クアリン酸誘導体染料、特開昭53−42830号及び
特開昭53−41230号各公報明細されるキノシアニ
ン顔料、%開昭51−11763号公報に示される銅フ
タロシアニン顔料などの有機物が多数提示されている。
は、特開昭52−55643号公報に示される有機第1
アミン類に可溶なモノアゾ染料、ジスアゾ染料およびス
クアリン酸誘導体染料、特開昭53−42830号及び
特開昭53−41230号各公報明細されるキノシアニ
ン顔料、%開昭51−11763号公報に示される銅フ
タロシアニン顔料などの有機物が多数提示されている。
また、特公昭50−15137号公報に示されるテルル
〜ヒ素〜ガ2ス状セレン系、特公昭49−14272号
公報に示されるイミド結合を有する重合体〜無定形セレ
ンなどの無機物も提示されている。一方、電荷搬送物質
としては、特開昭52−77730号、特開昭52−7
53929号各公報等に示されるポIJ−N−ビニルカ
ルバゾール系、特開昭49−105537号公報に示さ
れるピラゾリン誘導体、特開昭46−4484号公報に
示されるトリニトロンルオレノン、特公昭53−301
号公報に示されるニトロおよびシアノ置換の各種化合物
等が提示されている。これらを用いた電子写真用感光体
は、いずれも良好な電子写真特性を有するが、これらの
感光波長域は、400〜7QQnmの可視光に高感度を
示し、近赤外光(波長75Qnm以上)に対しては、全
く感度がなかったシ、感度がりっても低感度であるため
に、近赤外光を光源(例えば、半導体レーザ)とする電
子写真用感光体としては、使用できないという欠点を有
していた。
〜ヒ素〜ガ2ス状セレン系、特公昭49−14272号
公報に示されるイミド結合を有する重合体〜無定形セレ
ンなどの無機物も提示されている。一方、電荷搬送物質
としては、特開昭52−77730号、特開昭52−7
53929号各公報等に示されるポIJ−N−ビニルカ
ルバゾール系、特開昭49−105537号公報に示さ
れるピラゾリン誘導体、特開昭46−4484号公報に
示されるトリニトロンルオレノン、特公昭53−301
号公報に示されるニトロおよびシアノ置換の各種化合物
等が提示されている。これらを用いた電子写真用感光体
は、いずれも良好な電子写真特性を有するが、これらの
感光波長域は、400〜7QQnmの可視光に高感度を
示し、近赤外光(波長75Qnm以上)に対しては、全
く感度がなかったシ、感度がりっても低感度であるため
に、近赤外光を光源(例えば、半導体レーザ)とする電
子写真用感光体としては、使用できないという欠点を有
していた。
近年、高速プリンタの1種として、光源にレーザを用い
て、電子写真方式を採用して印手する方法が考案されて
いる。光源として用いるレーザによって柚々異なるが、
特定の波長に高感度ケ有する電子写真用感光体の開発が
望まれている。特に半導体レーザを光源として用いた場
合には、光源部が非常に小さくできるために、プリンタ
が小型化されると共に消費電力の大幅な削減が可能にな
ることから、注目されている。しかし、半導体レーザの
発振波長は、通常77Qnm以上と長波長であるために
、前述の如き従来の電子4真用感光体を使用することは
できない、。
て、電子写真方式を採用して印手する方法が考案されて
いる。光源として用いるレーザによって柚々異なるが、
特定の波長に高感度ケ有する電子写真用感光体の開発が
望まれている。特に半導体レーザを光源として用いた場
合には、光源部が非常に小さくできるために、プリンタ
が小型化されると共に消費電力の大幅な削減が可能にな
ることから、注目されている。しかし、半導体レーザの
発振波長は、通常77Qnm以上と長波長であるために
、前述の如き従来の電子4真用感光体を使用することは
できない、。
本発明の目的は、従来の電子写真用感光体の欠点を克服
し、極めて広!fα囲の波長(500〜825nm)に
高感度を壱する、すなわち、半導体レーザの発振波長域
にも高感度を有する複合型の電子写真用感光体を提供す
ることにある。
し、極めて広!fα囲の波長(500〜825nm)に
高感度を壱する、すなわち、半導体レーザの発振波長域
にも高感度を有する複合型の電子写真用感光体を提供す
ることにある。
電荷発生物質には、電荷搬送層を通過した光によシ、電
子−正孔を形成し、発生した正孔(あるいは電子)を電
場によシ、電荷搬送層中に注入しなければならないこと
が要求される。゛また、電荷搬送物質には、光+ta射
によシミ荷発生物質に生ずる光ギヤリヤが有効に注入さ
れうろこと、電荷発生物質の吸収する波長を妨害しない
適当な吸収域を有することなどの諸条件が必要で、良好
な物質を作製するのは、極めて困難である。光キャリヤ
の有効な注入と電荷搬送物質のイオン化ポテンシャルに
は、明確な相関々係がある。例えば、電子がキャリヤの
場合は、電荷搬送物質よりも電荷搬送物質のイオン化ポ
テンシャルが高いこと、逆に止孔がキャリヤの場合は、
低いことが必要であるとのイ1E死結果が公表でれてい
る。
子−正孔を形成し、発生した正孔(あるいは電子)を電
場によシ、電荷搬送層中に注入しなければならないこと
が要求される。゛また、電荷搬送物質には、光+ta射
によシミ荷発生物質に生ずる光ギヤリヤが有効に注入さ
れうろこと、電荷発生物質の吸収する波長を妨害しない
適当な吸収域を有することなどの諸条件が必要で、良好
な物質を作製するのは、極めて困難である。光キャリヤ
の有効な注入と電荷搬送物質のイオン化ポテンシャルに
は、明確な相関々係がある。例えば、電子がキャリヤの
場合は、電荷搬送物質よりも電荷搬送物質のイオン化ポ
テンシャルが高いこと、逆に止孔がキャリヤの場合は、
低いことが必要であるとのイ1E死結果が公表でれてい
る。
一方、感光体としての感光波長域は、用いる電荷搬送物
質が電荷発生物質の吸収する光を妨げない限シ、電荷発
生物質の吸収波長域に依存逼れる。
質が電荷発生物質の吸収する光を妨げない限シ、電荷発
生物質の吸収波長域に依存逼れる。
長波長吸収性電荷元生物質の検討は、これまで数多くの
検討がなされてきた。例えば、可視域に高tG’c有す
るSe、CdS等の材料に新たに、長波長化のための増
感剤を添加する方法が知られているか、温此、湿度に対
する耐環境性が十分ではなく、又、毒性の高い点で実用
化には至らない。多柚知知られている有機光導電体も、
通常7QQnm以下の可視光領域に感度が限定され、こ
れを越す制料は少ない。
検討がなされてきた。例えば、可視域に高tG’c有す
るSe、CdS等の材料に新たに、長波長化のための増
感剤を添加する方法が知られているか、温此、湿度に対
する耐環境性が十分ではなく、又、毒性の高い点で実用
化には至らない。多柚知知られている有機光導電体も、
通常7QQnm以下の可視光領域に感度が限定され、こ
れを越す制料は少ない。
これらのうちで、有機光導電材料の一つであるフタロシ
アニン系化合物は、他に比べ吸収波長域が長波長へ拡大
していることが知られている。必ずしもすべてではない
が、無金属あるいは% N alLit K+ Mg+
v、Mn、Fe、Co、Ni。
アニン系化合物は、他に比べ吸収波長域が長波長へ拡大
していることが知られている。必ずしもすべてではない
が、無金属あるいは% N alLit K+ Mg+
v、Mn、Fe、Co、Ni。
C’+ Zn、()a、Ge、At、1%u、Lu+p
t等の金属を含有するフタロシアニン及びその@導体は
、光導硫性ヶ示し、q4公昭40−10787゜49−
4338.50−34414.50−32623.52
−1667.53−2780.53−19933.47
−11798.50−27730.44−12671.
46−30035.49−17535.48−3418
9.44−14106各公報などあるいは、米国特許第
3.357,989,3,492,308,3,895
,944゜3.640,710.3,816,118号
各明細書などのように、電子写真用感光体もしくはその
一部に利用されておシ、感光波長域が7 Q Q nm
以上に達するものも少なくない。しかしながら、電子写
真用感光体として実用に供し得る特性、すなわち、光導
電性以外に、銅級性、保存安定性、(残株的強度。
t等の金属を含有するフタロシアニン及びその@導体は
、光導硫性ヶ示し、q4公昭40−10787゜49−
4338.50−34414.50−32623.52
−1667.53−2780.53−19933.47
−11798.50−27730.44−12671.
46−30035.49−17535.48−3418
9.44−14106各公報などあるいは、米国特許第
3.357,989,3,492,308,3,895
,944゜3.640,710.3,816,118号
各明細書などのように、電子写真用感光体もしくはその
一部に利用されておシ、感光波長域が7 Q Q nm
以上に達するものも少なくない。しかしながら、電子写
真用感光体として実用に供し得る特性、すなわち、光導
電性以外に、銅級性、保存安定性、(残株的強度。
生産性、h済性等を具備する材料や中では、790nm
以上に十分な尚感匿を有するものは、はとんど知られて
いない。
以上に十分な尚感匿を有するものは、はとんど知られて
いない。
本冗町者らは、上記の既知の事実を基に、フタロシアニ
ン化合物に注目して種々検討を行った結果、本発明に示
す如き極めて好適な電荷発生物質と電荷搬送物質との組
合せを見いだした。
ン化合物に注目して種々検討を行った結果、本発明に示
す如き極めて好適な電荷発生物質と電荷搬送物質との組
合せを見いだした。
本発明は、電荷発生物質としてτ型、τ′型。
η型、l′型から選ばれる無金属7タロシアニンを用い
、電荷搬送物質として、下記構造式(A)で表わされる
化合物を用いた複合型の亀子写真用感光体に関する。
、電荷搬送物質として、下記構造式(A)で表わされる
化合物を用いた複合型の亀子写真用感光体に関する。
(式中、xI、x2及びx3は、置換されていてもよい
アリール基を示し、nは0又は1を示す。)このような
化合物の一部を構造式にょシ、下記に列挙する。
アリール基を示し、nは0又は1を示す。)このような
化合物の一部を構造式にょシ、下記に列挙する。
(1)
CH2
CH2
(3) CH2
(4)
CH2
(5) CH2
CH2
(7) CHz
(9)
CH2
また本発明におけるτ型無金属フタロシアニンは、次の
ように定義される。即ち、ブラック角度、(2θ±0.
2度)が7.2.9.2.16.8.17.4゜20.
4及び20,9に強いX線回折図形を有するものである
。特に赤外線吸収スペクトルが700〜760 cm−
”の間に751±2cm−’が最も強い4本の吸収帯を
、1320〜1340 cm−’の間に2本のほぼ同じ
強さの吸収帯を、3288±3cm−’に特徴的な吸収
を有するものが望ましい。
ように定義される。即ち、ブラック角度、(2θ±0.
2度)が7.2.9.2.16.8.17.4゜20.
4及び20,9に強いX線回折図形を有するものである
。特に赤外線吸収スペクトルが700〜760 cm−
”の間に751±2cm−’が最も強い4本の吸収帯を
、1320〜1340 cm−’の間に2本のほぼ同じ
強さの吸収帯を、3288±3cm−’に特徴的な吸収
を有するものが望ましい。
τ′型型金金属フタロシアニン次のように定義される。
即ち、CuKα/Niの1541人のX線に対して、ブ
ラック角度(2θ±0.2匿)が、7.5゜9.1,1
6.8,17.3,20.3,20.8,21.4及び
27.4に強いX線回折図形を有する新規の無金属フタ
ロシアニン結晶多形である。特に、赤外線吸収スペクト
ルが700〜760 cm−’の間に751±2c1n
−’が最も強い4本の吸収帯を、1320〜1340c
rn−’の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を、329
7±3c1n−”に特徴的な吸収を有するものが望まし
い。
ラック角度(2θ±0.2匿)が、7.5゜9.1,1
6.8,17.3,20.3,20.8,21.4及び
27.4に強いX線回折図形を有する新規の無金属フタ
ロシアニン結晶多形である。特に、赤外線吸収スペクト
ルが700〜760 cm−’の間に751±2c1n
−’が最も強い4本の吸収帯を、1320〜1340c
rn−’の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を、329
7±3c1n−”に特徴的な吸収を有するものが望まし
い。
η型態金属フタロシアニンは次のように定義される。即
ち、無金属フタロシアニン100重量部とベンゼン核に
置換基を有する無金属7タロシアニン、ベンゼン核に置
換基を有していても良い7タロシアニン窒素同構体若し
くは金属フタロシアニンの1種若しくは2種以上の混合
物5ON量部以下との混合物結晶であシ、赤外線吸収ス
ペクトルが700〜760cm−’の間に753±1
cm−”が最も強い4本の吸収帯を、1320〜134
0 cm−’の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を32
85±5cn1−1に特徴的々吸収を有するものである
。本発明者の検討によれば、η型態金属フタロシアニン
は、特にブラック角度(2θ±0.2度)が、7.6゜
9.2,16.8,17.4及び28.5に強いピーク
を示す)1回折図形を有するものとが羊げられる。
ち、無金属フタロシアニン100重量部とベンゼン核に
置換基を有する無金属7タロシアニン、ベンゼン核に置
換基を有していても良い7タロシアニン窒素同構体若し
くは金属フタロシアニンの1種若しくは2種以上の混合
物5ON量部以下との混合物結晶であシ、赤外線吸収ス
ペクトルが700〜760cm−’の間に753±1
cm−”が最も強い4本の吸収帯を、1320〜134
0 cm−’の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を32
85±5cn1−1に特徴的々吸収を有するものである
。本発明者の検討によれば、η型態金属フタロシアニン
は、特にブラック角度(2θ±0.2度)が、7.6゜
9.2,16.8,17.4及び28.5に強いピーク
を示す)1回折図形を有するものとが羊げられる。
η′型型金金属フタロシアニン、次のように定義される
。即ち、無金属フタロシアニン100M量部とベンゼン
核に置換基を有する無金属7タロシアニン、ベンゼン核
に置換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若し
くは金属フタロシアニンの1種若しくは2棟以上の混合
物50jjim部以下との混付物結晶であり、赤外性吸
収スペクトルが700〜760an−五の間に753±
1cm−’が最も強い4本の吸収帯を、1320±13
40an−’の間に2本のtまぼ同じ強さの吸収帯を、
3297±5crn−’に特徴的な吸収を冶する新規の
無金属フタロシアニン結晶多形である。本発明者の検討
によれば、η′型型金金属フタロシアニン、特にブラッ
ク角度(2θ±0.2度)が7.5.9.1.16.8
゜17.3,20.3,20.8,21.4及び27.
4に強いピークを示すX線回折図形を有するものと、7
.5,9.1,16.8,17.3,20.3,20.
8゜21.4.22.1,27.4及び28.5に強い
ピークを示すX線回折図形葡有するものが望ましい。
。即ち、無金属フタロシアニン100M量部とベンゼン
核に置換基を有する無金属7タロシアニン、ベンゼン核
に置換基を有しても良いフタロシアニン窒素同構体若し
くは金属フタロシアニンの1種若しくは2棟以上の混合
物50jjim部以下との混付物結晶であり、赤外性吸
収スペクトルが700〜760an−五の間に753±
1cm−’が最も強い4本の吸収帯を、1320±13
40an−’の間に2本のtまぼ同じ強さの吸収帯を、
3297±5crn−’に特徴的な吸収を冶する新規の
無金属フタロシアニン結晶多形である。本発明者の検討
によれば、η′型型金金属フタロシアニン、特にブラッ
ク角度(2θ±0.2度)が7.5.9.1.16.8
゜17.3,20.3,20.8,21.4及び27.
4に強いピークを示すX線回折図形を有するものと、7
.5,9.1,16.8,17.3,20.3,20.
8゜21.4.22.1,27.4及び28.5に強い
ピークを示すX線回折図形葡有するものが望ましい。
同、τ型、τ′型、η型、η′型のいずれの無金属7タ
ロシアニンも感光波長域の極太値が790〜81Qnm
の範囲にある。
ロシアニンも感光波長域の極太値が790〜81Qnm
の範囲にある。
本発明に用いるτ型及びτ′型型金金属フタロシアニン
下記要領で作製される。すなわち、α型無金属フタロシ
アニンを50〜180C,好葦しくは60〜130Cの
温度において結晶変換するのに十分な時間(n拌もしく
は機械的歪力をもって<’)ングすることによってτ′
′結晶形を有する無金属フタロシアニンが作製される。
下記要領で作製される。すなわち、α型無金属フタロシ
アニンを50〜180C,好葦しくは60〜130Cの
温度において結晶変換するのに十分な時間(n拌もしく
は機械的歪力をもって<’)ングすることによってτ′
′結晶形を有する無金属フタロシアニンが作製される。
本発明に使用されるα型フタロシアニンはモーザーおよ
びトーツスの[フタロシアニン化合物」(Moser
an(I Tllomes ”plBhalocyan
ineCompounds ” )等の公知方法および
他の適当な方法によって得られるものを使用する。例え
ば、無金属フタロシアニンは硫酸等の酸によって脱金属
ができる金属フタロンアニン、例えばリチウム7タロシ
アニン、ナトリウムフタロシアニン、カルシウムフタロ
シアニン、マグネシウムフタロシアニンなどを含んだ金
ス・4フタロシアニンの酸処理によって、また、フタロ
ジニトリル、アdノイミノイソインドレニンもしくはア
ルコキシイミノインインドレニンなどから直接的に作ら
れるものが用いられる。このように既によく知られた方
法によって得られる無金属フタロシアニンを望ましくは
5C以下で硫酸に一鹿溶解もしくは硫酸塩にしたものを
水または氷水中に注ぎ再v1出もしくは加水分解し、α
型無金属フタロシアニンが得られる。
びトーツスの[フタロシアニン化合物」(Moser
an(I Tllomes ”plBhalocyan
ineCompounds ” )等の公知方法および
他の適当な方法によって得られるものを使用する。例え
ば、無金属フタロシアニンは硫酸等の酸によって脱金属
ができる金属フタロンアニン、例えばリチウム7タロシ
アニン、ナトリウムフタロシアニン、カルシウムフタロ
シアニン、マグネシウムフタロシアニンなどを含んだ金
ス・4フタロシアニンの酸処理によって、また、フタロ
ジニトリル、アdノイミノイソインドレニンもしくはア
ルコキシイミノインインドレニンなどから直接的に作ら
れるものが用いられる。このように既によく知られた方
法によって得られる無金属フタロシアニンを望ましくは
5C以下で硫酸に一鹿溶解もしくは硫酸塩にしたものを
水または氷水中に注ぎ再v1出もしくは加水分解し、α
型無金属フタロシアニンが得られる。
この除熱様顔料を硫酸中もしくは杓析出溶液中に溶解又
は分散したものを用いると無Ka kl料を含むα型無
金属フタロシアニンが得られる。この無機顔料としては
、排水溶性の粉末であれば良く色材充填剤として用いら
れるもの、例えばチタン白、亜鉛華ホワイトカーボン、
炭酸カルシウム、等の他、粉体として多方面で用いられ
る。例えば金属粉、アルミナ、鹸化鉄粉、カオリンなど
が挙げられる。
は分散したものを用いると無Ka kl料を含むα型無
金属フタロシアニンが得られる。この無機顔料としては
、排水溶性の粉末であれば良く色材充填剤として用いら
れるもの、例えばチタン白、亜鉛華ホワイトカーボン、
炭酸カルシウム、等の他、粉体として多方面で用いられ
る。例えば金属粉、アルミナ、鹸化鉄粉、カオリンなど
が挙げられる。
この無機顔セを含むX型無金属フタロシアニンは、含ま
ないものと比べてM料化に際しきわめて暦砕され易く、
微粒子化が容易であり、省力化、省エネルギー化に効呆
的である。
ないものと比べてM料化に際しきわめて暦砕され易く、
微粒子化が容易であり、省力化、省エネルギー化に効呆
的である。
このような処理をしたα型無金属フタロシアニンは、乾
燥状態で用いることが好址しいが、水ペースト状のもの
を用いることもできる。攪拌、混練の分散メチイアとし
ては通常顔料の分散や乳化混付等に用いられるものでよ
く、例えばガ2スビ−ズ、スチールビーズ、アルミナボ
ール、フリント石が挙けられる。しかし分散メチイアは
必ずしも必要としない。磨砕助剤としては通常顔料の磨
砕助剤として用いられているものでよく、例えば、食塩
、止炭酸7ノーダ、はう硝等が挙けられる。しかし、こ
の心砕助沖]も必ずしも必要としない。
燥状態で用いることが好址しいが、水ペースト状のもの
を用いることもできる。攪拌、混練の分散メチイアとし
ては通常顔料の分散や乳化混付等に用いられるものでよ
く、例えばガ2スビ−ズ、スチールビーズ、アルミナボ
ール、フリント石が挙けられる。しかし分散メチイアは
必ずしも必要としない。磨砕助剤としては通常顔料の磨
砕助剤として用いられているものでよく、例えば、食塩
、止炭酸7ノーダ、はう硝等が挙けられる。しかし、こ
の心砕助沖]も必ずしも必要としない。
攪拌、混練、磨砕時に溶媒を必要とする場合には攪拌混
線時の温度において液状のものでよく、例えば、アルコ
ール系溶媒すなわちグリセリン、エチレングリコール、
ジエチレンクリコールモジくはポリエチレングリコール
系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノエチルエーテル等のセロンルブ系溶
剤、ケトン系浴剤、エステルケトン系浴剤等の群から1
独以上選択することが好ましい。
線時の温度において液状のものでよく、例えば、アルコ
ール系溶媒すなわちグリセリン、エチレングリコール、
ジエチレンクリコールモジくはポリエチレングリコール
系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールモノエチルエーテル等のセロンルブ系溶
剤、ケトン系浴剤、エステルケトン系浴剤等の群から1
独以上選択することが好ましい。
結晶転移工程において使用される装置として代表的なも
のを挙げると一般的な攪拌装置例えば、ホモミキサー、
テイスパーザー、アジター、スターラーあるいはニーグ
ー、バンバリーミキサ−、ボールミル、サンドミル、ア
トライター等がある。
のを挙げると一般的な攪拌装置例えば、ホモミキサー、
テイスパーザー、アジター、スターラーあるいはニーグ
ー、バンバリーミキサ−、ボールミル、サンドミル、ア
トライター等がある。
本発明の結晶転移工8Aにおける温度範囲は50〜18
0C1好ましくは60〜130Cの温度範囲内に行なう
。また、通常の結晶転移工程におけると同様に結晶核を
用いるのも有効な方法でめる。
0C1好ましくは60〜130Cの温度範囲内に行なう
。また、通常の結晶転移工程におけると同様に結晶核を
用いるのも有効な方法でめる。
本発明に用いるη型及びη′型型金金属フタロシアニン
製造する際使用されるα型フタロシアニンおよびベンー
ヒン核に置換基を有する無金属フタロシアニン、まだは
ベンゼン核に置換基ヲ崩してもよシフタロジアニン鴛素
同構体もしくは金属フタロシアニンは、前述したモーザ
ーおよびトーマスの1フタロシアニン化合J (Mo5
er ana’l’bomes ” 1Jhthalo
cyanine Compounds”)等の公知方法
および他の適当な方法によって得られるものを使用する
。例えば、αを無金属フタロシアニンもAiJ述と同様
の処方により得られ、これは他の無械顔料を含むもので
あってもよい。
製造する際使用されるα型フタロシアニンおよびベンー
ヒン核に置換基を有する無金属フタロシアニン、まだは
ベンゼン核に置換基ヲ崩してもよシフタロジアニン鴛素
同構体もしくは金属フタロシアニンは、前述したモーザ
ーおよびトーマスの1フタロシアニン化合J (Mo5
er ana’l’bomes ” 1Jhthalo
cyanine Compounds”)等の公知方法
および他の適当な方法によって得られるものを使用する
。例えば、αを無金属フタロシアニンもAiJ述と同様
の処方により得られ、これは他の無械顔料を含むもので
あってもよい。
また、フタロシアニン窒素同構体としては、各種のポル
フィン類、例えばフタロシアニンのベンゼン核の一つ以
上をキノリン核に置き換えた銅テトラビリジノボルフイ
ラジンなどがあシ、また金属フタロシアニンとしては、
銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、アルミニウムなど
の各種のものを挙げることができる。
フィン類、例えばフタロシアニンのベンゼン核の一つ以
上をキノリン核に置き換えた銅テトラビリジノボルフイ
ラジンなどがあシ、また金属フタロシアニンとしては、
銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、アルミニウムなど
の各種のものを挙げることができる。
また、置換基としては、アミノ基、ニトロ基、アルキル
基、アルコシキ基、シアノ基、メルカプト基、ハロゲン
原子などがあシ、さらにスルホン酸基、カルボン敵基筐
たはその金属塩、アンモニワム塩、アミン塩などを比較
的簡単なものとして例示することができる。更にベンゼ
ン核にアルキレン基、スルボニル基、カルボニル基、イ
ミノ基などを介して種々の置換基を導入することができ
、これらは従来フタロシアニン顔料の技術的分野におい
て凝集防止剤あるいは結晶変換防止剤として公知のもの
(例えば、米国特許第3973981号公報、同408
8507号の明細書参照)、もしくは未知のものが挙り
゛られる。各置換基の尋人法は、公知のものについては
省略する。また、公知でないものについては実施例中に
参考例として記載する。
基、アルコシキ基、シアノ基、メルカプト基、ハロゲン
原子などがあシ、さらにスルホン酸基、カルボン敵基筐
たはその金属塩、アンモニワム塩、アミン塩などを比較
的簡単なものとして例示することができる。更にベンゼ
ン核にアルキレン基、スルボニル基、カルボニル基、イ
ミノ基などを介して種々の置換基を導入することができ
、これらは従来フタロシアニン顔料の技術的分野におい
て凝集防止剤あるいは結晶変換防止剤として公知のもの
(例えば、米国特許第3973981号公報、同408
8507号の明細書参照)、もしくは未知のものが挙り
゛られる。各置換基の尋人法は、公知のものについては
省略する。また、公知でないものについては実施例中に
参考例として記載する。
本発明において、α型無金属フタロシアニンとベンゼン
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、ま:tはベ
ンゼン核に置換基を有してもよいフタロシアニン輩素同
構体もしくは金民フタロシアニンとの混合割合は100
150(重hl比)以上であればよいが、望ましくは1
00/30/10010.1(重を比)とする。この比
以上では得られたη型及びη′型スフタロシアニンブリ
ードし易くなシ顔料としての適性が低下する。
核に置換基を有する無金属フタロシアニン、ま:tはベ
ンゼン核に置換基を有してもよいフタロシアニン輩素同
構体もしくは金民フタロシアニンとの混合割合は100
150(重hl比)以上であればよいが、望ましくは1
00/30/10010.1(重を比)とする。この比
以上では得られたη型及びη′型スフタロシアニンブリ
ードし易くなシ顔料としての適性が低下する。
本発明において上述のような割合で混合するには、単に
混合してもよいし、α型無金属フタロシアニンをアシッ
ドペースティングする前に混合してもよい。このように
して混合された混合物の攪拌おるいはミリングの方法は
通常顔料の分散、乳化、混合等に用いられるものでよ<
、fit拌、混線の分散メディアとしては例えばガラス
ピーズ、スチールビーズ、アルミナボール、フリント石
が挙げられるが、分散メディアは必ずしも必要としない
。
混合してもよいし、α型無金属フタロシアニンをアシッ
ドペースティングする前に混合してもよい。このように
して混合された混合物の攪拌おるいはミリングの方法は
通常顔料の分散、乳化、混合等に用いられるものでよ<
、fit拌、混線の分散メディアとしては例えばガラス
ピーズ、スチールビーズ、アルミナボール、フリント石
が挙げられるが、分散メディアは必ずしも必要としない
。
磨砕助剤、混練時の溶媒、結晶軸、1多工程において使
用する材料、装置は、前述のτ型及びτ′型型金金属フ
タロシアニン場合と同様である。
用する材料、装置は、前述のτ型及びτ′型型金金属フ
タロシアニン場合と同様である。
η型及びη′型型金金属フタロシアニン結晶転移工程に
おける温度範囲は30〜22(N;’、好ましくは60
〜130υの温糺範囲内に行なう。より高温ではβ型に
転移し易く、またよシ低温では・η型及びη′型への転
移に時間がかかる。また、通常の結晶転移工程における
と同様に結晶核を用いるのも有効な方法である。
おける温度範囲は30〜22(N;’、好ましくは60
〜130υの温糺範囲内に行なう。より高温ではβ型に
転移し易く、またよシ低温では・η型及びη′型への転
移に時間がかかる。また、通常の結晶転移工程における
と同様に結晶核を用いるのも有効な方法である。
本発明の電荷発生物質と電荷搬送物質との組合せが好適
な理由は明確でない。e帯電時において高感度が得られ
ることから、電荷発生物質から電荷搬送物質への正孔注
入が効率良く行われていると予憇する。
な理由は明確でない。e帯電時において高感度が得られ
ることから、電荷発生物質から電荷搬送物質への正孔注
入が効率良く行われていると予憇する。
本発明の複合型の電子写真用感光体の作製は、尋′屯性
支持体上に、電荷発生物質の鳩を形成し、さらにその上
に、電荷搬送物質の層を形成する。
支持体上に、電荷発生物質の鳩を形成し、さらにその上
に、電荷搬送物質の層を形成する。
電荷発生物質の層の形成方法としては、τ型。
τ′型、η型、η′型無金属フタロシアニンを少なくと
も1桃以上を含み必要に応じて結着剤樹脂と混合した糸
をホールばルやロールミル等でam(粒径5μIT1以
下、特に1μI11以下)に粉砕、混合した塗液を作製
して、塗工によシ形成できる。
も1桃以上を含み必要に応じて結着剤樹脂と混合した糸
をホールばルやロールミル等でam(粒径5μIT1以
下、特に1μI11以下)に粉砕、混合した塗液を作製
して、塗工によシ形成できる。
電荷発生物質の層の膜厚は、保水される感度やτ型無金
属フタロシアニンと結着剤樹脂との混合割合で異なるが
、通常20μm11以下、特に0.5〜3μmが好まし
く、膜厚が大きくなると感度が低下するばかりでなく、
膜としての可とり性がなくなシ剥離を生じたシする。ま
た、電荷発生物質と結着剤樹脂との配合割合は、前者1
重量部に対し後者4乗量部以下が良く、これ以上になる
と感度が次第に低下する傾向を示す。
属フタロシアニンと結着剤樹脂との混合割合で異なるが
、通常20μm11以下、特に0.5〜3μmが好まし
く、膜厚が大きくなると感度が低下するばかりでなく、
膜としての可とり性がなくなシ剥離を生じたシする。ま
た、電荷発生物質と結着剤樹脂との配合割合は、前者1
重量部に対し後者4乗量部以下が良く、これ以上になる
と感度が次第に低下する傾向を示す。
まだ、1に荷搬送物質の層の形成も塗工により行われる
。”−荷搬送物質の層には、膜としての機械的強度を持
たぜるために、結着剤樹脂が必要である。電荷搬送物質
および結着剤樹脂共に溶解できる有機溶剤を用いて、両
者を溶解でせた的液を塗液とする。電荷搬送物質の層の
膜厚は、感光体として必要な帯電特性によシ決定される
が、通常5〜100μnl、好ましくは8〜30μmと
するのが過当である。又、電荷搬送物質と結着剤4m(
脂との配合割合は、前者1重量部に対し後者0.5〜4
M(景部の馳回内とするのが適当である。
。”−荷搬送物質の層には、膜としての機械的強度を持
たぜるために、結着剤樹脂が必要である。電荷搬送物質
および結着剤樹脂共に溶解できる有機溶剤を用いて、両
者を溶解でせた的液を塗液とする。電荷搬送物質の層の
膜厚は、感光体として必要な帯電特性によシ決定される
が、通常5〜100μnl、好ましくは8〜30μmと
するのが過当である。又、電荷搬送物質と結着剤4m(
脂との配合割合は、前者1重量部に対し後者0.5〜4
M(景部の馳回内とするのが適当である。
電荷発生物質及び電荷搬送物質の層に用いられる結対剤
樹脂としては、既知の電子写真用感光体例えばフェノー
ル樹脂、ユリア41ti 1117 、メラミン樹脂、
7ンン4f’l’ JJif 、エポキシ樹脂、ケイ素
樹脂、塩ビー酢と共重合体、キシレン樹脂、トルエン樹
脂、ウレタン樹脂、酢ビ−メタクリル共重合体、アクリ
ル(v(脂、ボリカーボネー1[脂、ポリエステル樹層
、繊維素誘導体などが適宜選択して用いられる。更には
、光導電性を示す、ポIJ−N−ビニルカルバゾール、
ポリ−9−(P−ビニルフェニル)アントラセン等のカ
ルバゾール娘、アントラセン槙をr(11鎖に肩する高
分子、ヒシゾリン壊、ジベ/ゾモオフエン坂などの他の
へテロ猿、芳香族環を側鎖に有する高分子も結加剤樹脂
゛として利用される。
樹脂としては、既知の電子写真用感光体例えばフェノー
ル樹脂、ユリア41ti 1117 、メラミン樹脂、
7ンン4f’l’ JJif 、エポキシ樹脂、ケイ素
樹脂、塩ビー酢と共重合体、キシレン樹脂、トルエン樹
脂、ウレタン樹脂、酢ビ−メタクリル共重合体、アクリ
ル(v(脂、ボリカーボネー1[脂、ポリエステル樹層
、繊維素誘導体などが適宜選択して用いられる。更には
、光導電性を示す、ポIJ−N−ビニルカルバゾール、
ポリ−9−(P−ビニルフェニル)アントラセン等のカ
ルバゾール娘、アントラセン槙をr(11鎖に肩する高
分子、ヒシゾリン壊、ジベ/ゾモオフエン坂などの他の
へテロ猿、芳香族環を側鎖に有する高分子も結加剤樹脂
゛として利用される。
本発明における電荷発生9勿質の層及び電荷搬送物質の
層には、必要に応じて界面活性剤や可塑剤を添加するこ
とも可能で1、これらの添加により、接着性、耐摩耗性
などの機械的性質、成膜性可とり性等の物理的性質、銅
材の分散性向上による亀子写真特性の改良ができる。
層には、必要に応じて界面活性剤や可塑剤を添加するこ
とも可能で1、これらの添加により、接着性、耐摩耗性
などの機械的性質、成膜性可とり性等の物理的性質、銅
材の分散性向上による亀子写真特性の改良ができる。
導電性支持体としては、真ちゅう、アルミニウム、金、
銅等が用いられ、これらは過当な厚さ。
銅等が用いられ、これらは過当な厚さ。
硬さ又は屈曲性のあるシート、薄板1円筒状であっても
良く、プラスチックの薄層で被覆されていても良い。壕
だ、金属被俊、金属プラスチックシート、ヨウ化アルミ
ニウム、ヨウ化銅、酸化インジウム又は酸化スズの薄層
で被覆′されたガラスであっても良い。通常支持体は、
それ自体導電性か導−性の表面を持ち、取扱うのに十分
な強度のあることが望ましい。
良く、プラスチックの薄層で被覆されていても良い。壕
だ、金属被俊、金属プラスチックシート、ヨウ化アルミ
ニウム、ヨウ化銅、酸化インジウム又は酸化スズの薄層
で被覆′されたガラスであっても良い。通常支持体は、
それ自体導電性か導−性の表面を持ち、取扱うのに十分
な強度のあることが望ましい。
本発明の複合型の°電子写真用感光体は、e帯電時に高
感度を示し、特に著しい特徴は感光波長域にあシ、特に
790〜81QnlTiに感度のピークを示す。この点
が半導体レーザ用として本発明の感光体が好適な理由で
ある。
感度を示し、特に著しい特徴は感光波長域にあシ、特に
790〜81QnlTiに感度のピークを示す。この点
が半導体レーザ用として本発明の感光体が好適な理由で
ある。
以下、本発明を実力l!i例により、具体的に説明する
。
。
実施例1
τ型無金属フタロシアニン(東洋インキ社製、平均粒径
:φ0.3x1μm)l重量部、変性シリコーン樹脂(
信越化学社製、KR−5221、固形分60 % )
2 重量MIS、メチルフェニルシロキサン系化合物(
信越化学社製、KP−323) 0.005重量部とテ
トラヒドロフラン37重量部をボールミルで約5時間混
練して電荷発生層用塗液を調整した。その後、厚さi
o o 11m、寸法70X100Ill m角のアル
ミ箔にオートマチックアプリケータ(東洋精機社製)を
用いて上記調整液を塗工、130Cで2時間乾燥して電
荷発生物質の層を形成した。この層の厚さは、0.5μ
mである。
:φ0.3x1μm)l重量部、変性シリコーン樹脂(
信越化学社製、KR−5221、固形分60 % )
2 重量MIS、メチルフェニルシロキサン系化合物(
信越化学社製、KP−323) 0.005重量部とテ
トラヒドロフラン37重量部をボールミルで約5時間混
練して電荷発生層用塗液を調整した。その後、厚さi
o o 11m、寸法70X100Ill m角のアル
ミ箔にオートマチックアプリケータ(東洋精機社製)を
用いて上記調整液を塗工、130Cで2時間乾燥して電
荷発生物質の層を形成した。この層の厚さは、0.5μ
mである。
次に、下記構造式の電荷搬送物質1重量部、ポリカーボ
ネート樹脂(GE社製、レキサン141−111)0.
5〜5 重(iL メチルフェニルシロキサン系化合物
KP−3230,001〜0.007重量部を塩化メチ
レンと1.2−ジクロルエタンの容量比40/60の混
合物20〜50重量部に溶解し、m荷搬送物質と結着剤
樹脂(ポリカーボネート)の配合比が110.5.1/
1.1/2.1/3.1/4,115の電荷搬送層用塗
液6種類を作製した。この塗液をオートマチックアプリ
ケータを用いて上記電荷発生物質の層上に塗工、100
Cで2時間乾燥して電荷搬送物質の層を形成した。
ネート樹脂(GE社製、レキサン141−111)0.
5〜5 重(iL メチルフェニルシロキサン系化合物
KP−3230,001〜0.007重量部を塩化メチ
レンと1.2−ジクロルエタンの容量比40/60の混
合物20〜50重量部に溶解し、m荷搬送物質と結着剤
樹脂(ポリカーボネート)の配合比が110.5.1/
1.1/2.1/3.1/4,115の電荷搬送層用塗
液6種類を作製した。この塗液をオートマチックアプリ
ケータを用いて上記電荷発生物質の層上に塗工、100
Cで2時間乾燥して電荷搬送物質の層を形成した。
この場合の電荷搬送物質の層の膜厚は、いずれも15μ
mでめった。
mでめった。
上記6種類の複合型の電子写真用感光体について、静電
記録紙試験装置(川口電機社製、5P−428型)を用
いて、電子写A:特性を測定した。
記録紙試験装置(川口電機社製、5P−428型)を用
いて、電子写A:特性を測定した。
測定は、ダイナミックモードで、θ5KVのコロナ帯電
をio秒間行い、30秒間暗所放置後、タングステン灯
で露光を行った。この間、感光体の表面電位をレコーダ
で記録し、コロナ帯電終了後の電位■o、30秒間暗所
放置後の電位V3G+V30が1/2になるまでの半減
露光量E、。(ム・8)を読み取った。結果を第1表に
示す。
をio秒間行い、30秒間暗所放置後、タングステン灯
で露光を行った。この間、感光体の表面電位をレコーダ
で記録し、コロナ帯電終了後の電位■o、30秒間暗所
放置後の電位V3G+V30が1/2になるまでの半減
露光量E、。(ム・8)を読み取った。結果を第1表に
示す。
分が多くなるとE5oが悪くなる傾向がある。
実施例2
τ′型型金金属フタロシアニン東洋インキ社製)1重量
部とブチラール樹脂(二ニオ/カーバイト社製、XYH
L)1重量部をキシレンを溶剤とした6重量%の液にな
るようにして、ボールミルで5時間混練して、実施例1
と同様な方法によシ、電荷発生物質の層を得た。
部とブチラール樹脂(二ニオ/カーバイト社製、XYH
L)1重量部をキシレンを溶剤とした6重量%の液にな
るようにして、ボールミルで5時間混練して、実施例1
と同様な方法によシ、電荷発生物質の層を得た。
次に、下記に示す電荷搬送物質1重量部と飽和1重量部
、実施例1と同様なKP−3230,003重量部をテ
トラヒドロフラン20〜50n量*l[溶解させ、実施
例1と同様な方法により、電荷搬送物質の層の膜厚が異
なる複合型の電子写真用感光体を得た。実施例1と同様
な方法で特性を測定した結果を第2表に示す。
、実施例1と同様なKP−3230,003重量部をテ
トラヒドロフラン20〜50n量*l[溶解させ、実施
例1と同様な方法により、電荷搬送物質の層の膜厚が異
なる複合型の電子写真用感光体を得た。実施例1と同様
な方法で特性を測定した結果を第2表に示す。
このように、電荷搬送物質の層の膜厚が大きくなるのに
従い、VoやVao/’Vgは良くなるが、逆にEso
は悪く外る傾向を示す。
従い、VoやVao/’Vgは良くなるが、逆にEso
は悪く外る傾向を示す。
実施例3
η型無金属フタロシアニン(東洋インキ社製、平均粒径
φ0.5 X 1.5μm)inn郡部実施例1と同様
な変性シリコーン樹脂0.5〜5重量部、実施例1と同
様なメチルフェニルシロキサン系化合物0.005ff
i量部をテトラヒドロフランを溶剤とした5重量%の液
になるようにして、ボールミルで5時間混練して、実施
例1と同様な方法によシ、電荷発生物質の層を得た。
φ0.5 X 1.5μm)inn郡部実施例1と同様
な変性シリコーン樹脂0.5〜5重量部、実施例1と同
様なメチルフェニルシロキサン系化合物0.005ff
i量部をテトラヒドロフランを溶剤とした5重量%の液
になるようにして、ボールミルで5時間混練して、実施
例1と同様な方法によシ、電荷発生物質の層を得た。
次に、下記に示す電荷搬送物質1重量部と実施例2と同
様な飽和ポリエステル樹脂1重量部及びメチルフェニル
シロキサン系化合物0.003重量部をテトラヒドロフ
ラン25重量部に溶解させ、実施例1と同様な方法によ
り、電荷発生物質のBjの膜厚が異なる複合型の電子写
真用感光体を得た。
様な飽和ポリエステル樹脂1重量部及びメチルフェニル
シロキサン系化合物0.003重量部をテトラヒドロフ
ラン25重量部に溶解させ、実施例1と同様な方法によ
り、電荷発生物質のBjの膜厚が異なる複合型の電子写
真用感光体を得た。
実施例1と同様な方法で特性を測定した結果を第3表に
示す。
示す。
このように、電荷発生物質の層中のシリコーン樹脂の配
合量が多くなるのに従い1.Esoは悪くなる傾向を示
す。
合量が多くなるのに従い1.Esoは悪くなる傾向を示
す。
実施例4
η′型型金金属フタロシアニン東洋インキ社製、平均粒
径φ0.4x1.3μm)1重量部と実施例1と同様な
変性シリコーン樹脂1重量部及びメチルフェニルシロキ
サン系化合物0.005重量部をテトラヒドロフランを
溶剤とした3〜20:mi%の液になるようにして、ホ
ールミルで5時間混線して、実施例1と同様な方法によ
シ、電荷発生物質の層の膜厚を変えた。
径φ0.4x1.3μm)1重量部と実施例1と同様な
変性シリコーン樹脂1重量部及びメチルフェニルシロキ
サン系化合物0.005重量部をテトラヒドロフランを
溶剤とした3〜20:mi%の液になるようにして、ホ
ールミルで5時間混線して、実施例1と同様な方法によ
シ、電荷発生物質の層の膜厚を変えた。
次に、下記に示す電荷搬送物質1重量部と実施ム4
例2と同様な飽和ポリエステル樹脂1重量及びメチルフ
ェニルシロキサン系化合物0.003重量部をテトラヒ
ドロフラン25重量部に溶解させて、実施例1と同様な
方法によシ、複合型の電子写真用感光体を得た。実施例
1と同様な方法で特性を測定した結果を第4表に示す。
ェニルシロキサン系化合物0.003重量部をテトラヒ
ドロフラン25重量部に溶解させて、実施例1と同様な
方法によシ、複合型の電子写真用感光体を得た。実施例
1と同様な方法で特性を測定した結果を第4表に示す。
第4表
このように電荷発生物質の層の膜厚は、0.5〜3μm
の範囲が好ましい。
の範囲が好ましい。
?実施例5
実施例1〜4までにおいて作製した複合型の電子写真用
感光体のA 2 、 Ai、 10 、 A 14 、
A 20の4種類のサンプルについて、分光感度を測
定した。測定は、上記実施例と同様の測定系を用い、光
源にハロゲン幻(600W)を分光器で分光したものを
使用し、各波長に対する感度をめた。
感光体のA 2 、 Ai、 10 、 A 14 、
A 20の4種類のサンプルについて、分光感度を測
定した。測定は、上記実施例と同様の測定系を用い、光
源にハロゲン幻(600W)を分光器で分光したものを
使用し、各波長に対する感度をめた。
結果を図に示す。これから明らかなように、本発明の複
合型の電子写真用感光体は、8000mの長波長域にお
いても良好な感度を有する。
合型の電子写真用感光体は、8000mの長波長域にお
いても良好な感度を有する。
このように、本発明の複合型の電子写真用感光体は、長
波長域でも高感展を鳴し、特に半導体し−ザを光源とす
る半導体レーザプリンタ用の感光体として適している。
波長域でも高感展を鳴し、特に半導体し−ザを光源とす
る半導体レーザプリンタ用の感光体として適している。
図は、本発明に係る複合型の電子写真用感光体第1頁の
続き 0発 明 者 岡 弘 幸 @発 明 者 森 端 樹 @発明者高野 緊圧 0発 明 者 澤 1) 学 @発明者熊野 勇夫 @発明者榎1)年男 日立市幸町3丁目1番1号 株式会社日立製作所日立研
究所内 日立市幸町3丁目1番1号 株式会社日立製作所日立研
究所内 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋インキ製造株
式会社内 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋インキ製造株
式会社内 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋インキ製造株
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式会社内
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究所内 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋インキ製造株
式会社内 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋インキ製造株
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式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性支持体上に、電荷発生物質と電荷搬送物質を
含む屑を設けた複合型の電子写真用感光体において、電
荷発生物質としてτ型、τ′型、η型、η′型から選ば
れる無金属フタロシアニンを用い、電荷搬送物質として
、下記一般式(A)で表わされる化合物を用いた複合型
の電子写真用感光体。 11 X2 N N (式中、Xt 、x、及びX3は、置換されていても良
い、アリール基を示し、nは、0又は1を示す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58196596A JPS6087336A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 複合型の電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58196596A JPS6087336A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 複合型の電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6087336A true JPS6087336A (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=16360366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58196596A Pending JPS6087336A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 複合型の電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6087336A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0849993A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Matsushita Seiko Co Ltd | 熱交換素子 |
US10443482B2 (en) | 2014-06-25 | 2019-10-15 | Nippon Thermostat Co., Ltd. | Thermostat valve with temperature responsive thermo-element |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58182639A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6019153A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58196596A patent/JPS6087336A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58182639A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS6019153A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0849993A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-20 | Matsushita Seiko Co Ltd | 熱交換素子 |
US10443482B2 (en) | 2014-06-25 | 2019-10-15 | Nippon Thermostat Co., Ltd. | Thermostat valve with temperature responsive thermo-element |
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