JPS60182772A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60182772A JPS60182772A JP3932884A JP3932884A JPS60182772A JP S60182772 A JPS60182772 A JP S60182772A JP 3932884 A JP3932884 A JP 3932884A JP 3932884 A JP3932884 A JP 3932884A JP S60182772 A JPS60182772 A JP S60182772A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- capacitance
- oxide film
- electrodes
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
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- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
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- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置に関する。
たとえばトランジス６Ｉ特に高周波用のトランジスタで
はその接合容量を減少させるために、ベース、エミッタ
のパターンを小さくするのが普辿である。そのためベー
ス、エミッタの各電極とリードとのコンタクトをとるの
に、電極面積が不足するので、ベース、エミッタに連る
ｗｌ＠をベース。
はその接合容量を減少させるために、ベース、エミッタ
のパターンを小さくするのが普辿である。そのためベー
ス、エミッタの各電極とリードとのコンタクトをとるの
に、電極面積が不足するので、ベース、エミッタに連る
ｗｌ＠をベース。
エミッタの上方′７５＞ら延長して拡張させるととホ行
われて層る。
われて層る。
第１ノは従来のこの種のＮＰＮ ）ランジスタの場合の
断面を示し、１は半導体基体たとえばウェア７ｆ−コレ
クタとして利用され、２はベース−３はエミッタで、ど
れらは拡散によって各＠瀉型領域として形成される。４
は二酸化シリコンのような酸化膜、５はＯ化膜４にあけ
られた開口部４Ａを介してベース２に接続された正極−
６は四シ〕（酸化膜４にあけられた開口部４Ｂを介して
エミッタ３に接続さｉだ正極である。各電極５．６とリ
ードとのコンタクトをとるために、各’？ｔ 極５ 、
６を酸化膜４の表面に沿って延長させてポンディング
パッド川の拡張ｗ両部ｒｙＡ 、ｓＡを形成する。この
拡張’ＫＭにリードをポンディングして接続する。
断面を示し、１は半導体基体たとえばウェア７ｆ−コレ
クタとして利用され、２はベース−３はエミッタで、ど
れらは拡散によって各＠瀉型領域として形成される。４
は二酸化シリコンのような酸化膜、５はＯ化膜４にあけ
られた開口部４Ａを介してベース２に接続された正極−
６は四シ〕（酸化膜４にあけられた開口部４Ｂを介して
エミッタ３に接続さｉだ正極である。各電極５．６とリ
ードとのコンタクトをとるために、各’？ｔ 極５ 、
６を酸化膜４の表面に沿って延長させてポンディング
パッド川の拡張ｗ両部ｒｙＡ 、ｓＡを形成する。この
拡張’ＫＭにリードをポンディングして接続する。
７は窒化膜等からなる保護膜である。保護膜７は拡張甫
極部５ハ、６Ａの表面を除１八て波型形成される。
極部５ハ、６Ａの表面を除１八て波型形成される。
上記の構成によればベースのパターン７５；小さくとも
一拡張電極を充分広（とることができるので２リードの
ポンディングは十分可能となる。しかし甲から理解され
るように２各拡弛冒衝け、ベース。
一拡張電極を充分広（とることができるので２リードの
ポンディングは十分可能となる。しかし甲から理解され
るように２各拡弛冒衝け、ベース。
エミツｌの上方から外れて、コレクタの上方に酸化膜４
ｆ介して形成されるようになる。そのためコレクタと各
拡張？ｌｆ極部５Ａ、６Ａとの間の酸化膜４を誘冒体と
する」ンデンサが形成される。このコンデンサの容量は
一般に酸化）謂容量（ＭＯ８Ｏ８容量呼ばれてｂる。上
記のように拡張電極部を形成した場合ＭＯ８Ｏ８容量然
のことながら増大するようになる。
ｆ介して形成されるようになる。そのためコレクタと各
拡張？ｌｆ極部５Ａ、６Ａとの間の酸化膜４を誘冒体と
する」ンデンサが形成される。このコンデンサの容量は
一般に酸化）謂容量（ＭＯ８Ｏ８容量呼ばれてｂる。上
記のように拡張電極部を形成した場合ＭＯ８Ｏ８容量然
のことながら増大するようになる。
この発明は拡張電極を備えた半導体装冒にお−てそのＭ
Ｏ’Ｓ容量を簡単な構成によって低減させることを目的
とする。
Ｏ’Ｓ容量を簡単な構成によって低減させることを目的
とする。
この発明は酸化膜の表面に形成された保護膜の表面に拡
張Ｗ極を設けたことを特徴とする。このようにするとＭ
Ｏ８容量は酸化膜の容量と保護膜の容量との直列客数と
等価となる。その等価容量は酸化膜容量よりも当然小さ
くなるから、結果としてＭＯ３容量は小さくなるのであ
る。
張Ｗ極を設けたことを特徴とする。このようにするとＭ
Ｏ８容量は酸化膜の容量と保護膜の容量との直列客数と
等価となる。その等価容量は酸化膜容量よりも当然小さ
くなるから、結果としてＭＯ３容量は小さくなるのであ
る。
との発明をＮＰＮ ）ランジス−５２に適用した場合の
実施例を第２図により説明する。なお第１図と同じ符号
を付した部分は同−又は対応する部分を示す。ウェファ
１にベース９．エミッタ８を拡散形成したのち酸化膜４
を形成し、そのあと酸化膜４にあけた開口部４Ａ、４Ｂ
’ｆ−介してｉｆ極５．６をベース、エミッタに接緒す
ることは従来と同様である。このとき’ｆｌ極６．６ｆ
拡張させるととをしな−、、そのあと酸化＃４．電極５
．６を覆りように保護膜７を形成する。そしてこの保護
Ｈ７の、Ｗ＠５．６に相対する個所に各々開口部８．９
ｆ設は−ここを介してＷ極５．６のそれぞれに連る拡張
電極部５Ａ、６Ａを保護Ｍｅ ’７の表面に形成する。
実施例を第２図により説明する。なお第１図と同じ符号
を付した部分は同−又は対応する部分を示す。ウェファ
１にベース９．エミッタ８を拡散形成したのち酸化膜４
を形成し、そのあと酸化膜４にあけた開口部４Ａ、４Ｂ
’ｆ−介してｉｆ極５．６をベース、エミッタに接緒す
ることは従来と同様である。このとき’ｆｌ極６．６ｆ
拡張させるととをしな−、、そのあと酸化＃４．電極５
．６を覆りように保護膜７を形成する。そしてこの保護
Ｈ７の、Ｗ＠５．６に相対する個所に各々開口部８．９
ｆ設は−ここを介してＷ極５．６のそれぞれに連る拡張
電極部５Ａ、６Ａを保護Ｍｅ ’７の表面に形成する。
拡張電極部５Ａ、６Ａの大半はコレクタに相対する位置
に形成されることは言うまでもな−。
に形成されることは言うまでもな−。
この構成においても、第１図と同じ（拡張電極部５Ａ、
６Ａとコレクタとの間にＭＯ８容ｉｌが形成される。し
かし第１図に比較してこの容量は酸化膜４のみならず、
窒化膜等の保護膜７との重なりにより生じるものである
から一拡張ＷＭ部５Ａ。
６Ａとコレクタとの間にＭＯ８容ｉｌが形成される。し
かし第１図に比較してこの容量は酸化膜４のみならず、
窒化膜等の保護膜７との重なりにより生じるものである
から一拡張ＷＭ部５Ａ。
６Ａの面積が第１図のそれと同じであるとすれば、合成
客数は第１図の構成による容量よりも小さくなる。
客数は第１図の構成による容量よりも小さくなる。
なお６姿に応じてファラデーシー々ド層を拡弘Ｍ Ｗ
ｆＢ ｓ Ａの１ｗ下においてコレクタの表面に形戯す
るとと−ｉｚある。この形成（拡散）のためにファラデ
ーシーＶド層に向カ・い合ら酸化膜４の部分力・他の部
分よりも薄（形成されることがある。しカコしこのよう
に醇化膜が薄（なっても小さなＭＯ８Ｏ８容量ることが
できることけしらまでもない。
ｆＢ ｓ Ａの１ｗ下においてコレクタの表面に形戯す
るとと−ｉｚある。この形成（拡散）のためにファラデ
ーシーＶド層に向カ・い合ら酸化膜４の部分力・他の部
分よりも薄（形成されることがある。しカコしこのよう
に醇化膜が薄（なっても小さなＭＯ８Ｏ８容量ることが
できることけしらまでもない。
以上詳述したよらにこの発明によれば、単に保護層の表
面に拡張電極を形成するだけの簡単なＭへ成でＭＯ８容
量分小さくすることができる効果を奏する。
面に拡張電極を形成するだけの簡単なＭへ成でＭＯ８容
量分小さくすることができる効果を奏する。
第１１％Ｆｉ従来例の断面１図、第９．図はこの発明の
実施例を示す断面−である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・拡散層（ベ
ース）−８・・・・・・拡散層（エミツｉＬ ４・・・
・・・酸化膜−４Ａ、４丁・・・・・・開口部、Ｆｉ、
６・・・・・・′Ｗ極、５Ａ、６Ａ・・・・・・拡張冒
版郁−７・・・・・・保諦１１−Ｒ，９・・・・・・開
口部（ ［ し ！
実施例を示す断面−である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・拡散層（ベ
ース）−８・・・・・・拡散層（エミツｉＬ ４・・・
・・・酸化膜−４Ａ、４丁・・・・・・開口部、Ｆｉ、
６・・・・・・′Ｗ極、５Ａ、６Ａ・・・・・・拡張冒
版郁−７・・・・・・保諦１１−Ｒ，９・・・・・・開
口部（ ［ し ！
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の表面に形成された伝導型領域、前記伝導型
領域を含む前記半導体基板の表面に形成された酸化膜、
前記酸化１１りＶｃ設けられた開口部を介して前記伝導
型領域に連る電極、 Ａｉ前記酸酸化。 電極の表面を覆う保護１１り、前記保護膜に設けられた
開口部を介して前記電極に連り−カ・つ前記酸化膜の表
面を覆う保護膜の表面に形成された拡張電極とからなる
半導体装置、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3932884A JPS60182772A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3932884A JPS60182772A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182772A true JPS60182772A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12550029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3932884A Pending JPS60182772A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182772A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49116961A (ja) * | 1973-03-09 | 1974-11-08 | ||
| JPS5140866A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Nippon Electric Co | Handotaisochi |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3932884A patent/JPS60182772A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49116961A (ja) * | 1973-03-09 | 1974-11-08 | ||
| JPS5140866A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Nippon Electric Co | Handotaisochi |
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