JPS60154573A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60154573A JPS60154573A JP1123584A JP1123584A JPS60154573A JP S60154573 A JPS60154573 A JP S60154573A JP 1123584 A JP1123584 A JP 1123584A JP 1123584 A JP1123584 A JP 1123584A JP S60154573 A JPS60154573 A JP S60154573A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
- H01L29/7785—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material with more than one donor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａ＋ 発明の技術分野
本発明は半導体装置、特に２次元電子ガスによる高電子
移動度を有して電流容量が従来より増大さｎた、高速度
かつ尚出力の゛１界効来トランジスタに関する。
移動度を有して電流容量が従来より増大さｎた、高速度
かつ尚出力の゛１界効来トランジスタに関する。
Ｔｂ） 技術の背景
現在エレクトロニクスの主役となっているシリコン（８
１）半導体＃ｃｍの＠昇を超える一運化、低消費電力化
をＳＡ机するために、キャリア特に電子の移動置かシリ
コンより畏に大きいガリウム・砒素（ＧａＡｓ）などの
化合資半導体を用いる半導体装置の開発が推進されてい
る。
１）半導体＃ｃｍの＠昇を超える一運化、低消費電力化
をＳＡ机するために、キャリア特に電子の移動置かシリ
コンより畏に大きいガリウム・砒素（ＧａＡｓ）などの
化合資半導体を用いる半導体装置の開発が推進されてい
る。
化合物半導体を用いるトランジスタとしては、その１ｌ
ｆｆｉ工程がバイポーラトランジスタより簡単であるな
どの理由によう又′域界幼来トランジスタ（以下ＦＩＴ
と略称する）の開発が先行しており、特に牛Ｍ！３練性
の化合資半導体を基板に用いて浮遊容量１に減少せしめ
たシ日ットキーバリア形ＦＥＴが主流と７．４″ってい
る。
ｆｆｉ工程がバイポーラトランジスタより簡単であるな
どの理由によう又′域界幼来トランジスタ（以下ＦＩＴ
と略称する）の開発が先行しており、特に牛Ｍ！３練性
の化合資半導体を基板に用いて浮遊容量１に減少せしめ
たシ日ットキーバリア形ＦＥＴが主流と７．４″ってい
る。
従来の構造の８１もしくはＧａＡｓ等の半導体装置にお
いては、キャリアは不純物イオンか介在している半導体
空間内を移動する。この移動に際してキャリアは格子振
動８よび不純物イオンによって散乱な受けるが、格子振
動による散乱の４１１！４な小さくするために温度を低
下させると不純物イオンｌこよる散乱の４１＋ｌが人き
くなり、キャリアの移動度はこオフによって制限さイす
る。
いては、キャリアは不純物イオンか介在している半導体
空間内を移動する。この移動に際してキャリアは格子振
動８よび不純物イオンによって散乱な受けるが、格子振
動による散乱の４１１！４な小さくするために温度を低
下させると不純物イオンｌこよる散乱の４１＋ｌが人き
くなり、キャリアの移動度はこオフによって制限さイす
る。
この不純吻畝＾Ｌ幼釆を耕法するために、不純つ力相）
加さｎ、る鎖酸とキャリアが移！ＩＩＩする懺職とをヘ
テロ接合界面によって空間的に分離して、臀に低温に石
＆ｊるキャリアの移動駄ン壇人せしめたヘテロ接合形’
ｔｔ界幼呆トランジスタ（以下ヘテロ接合形ＦＥ’ｌ“
と略称する）により℃一層の縄速化が実現されている。
加さｎ、る鎖酸とキャリアが移！ＩＩＩする懺職とをヘ
テロ接合界面によって空間的に分離して、臀に低温に石
＆ｊるキャリアの移動駄ン壇人せしめたヘテロ接合形’
ｔｔ界幼呆トランジスタ（以下ヘテロ接合形ＦＥ’ｌ“
と略称する）により℃一層の縄速化が実現されている。
（Ｃ１従来技術と問題点
１配ヘテロ接合形Ｆｇ’ｌ’の従来の構造の１例を第１
図（ａｌに示す。牛杷柩性Ｏｘ ａ Ａ ｓ基板１上に
、ノンドープのＩ型（ｉａＡｓ／＠２と、これ−こより
電子親和力の小さいｎｆｉ砒化アルミニウムガリウム（
１％−ｔＧａＡｓ）層３と、ｎ 型ＵａＡｓ鳩４とが設
けられている。ｎ屋のＡｔｕａＡｓＪ輪３（電子供給層
という）からｉ ｉｐ （Ｊ ａ Ａ Ｓ ｊ曽２（チ
ャネルｊ−という）へ遷移した電子によって内層のへテ
ロ接合界面近岱に生成される２次元−子ガス２Ａが１チ
ヤネルとして機能する。この２次元電子カス２人の向磯
度な制御するゲート電極５は、通常ｎｆｉ（ＪａＡｓ層
４を適訳的に除去したリセス構造によって、ｎ型ＡｚＧ
ａ、ムｊｖＡ月こ接して設けられる。また６はソース電
極、７はドレイン電極である。なお前員己ｎ ｔｉＡＬ
Ｇａ Ａｓ層３のｉ［（ＪａＡｓ層２との・＼テロ接合
界面近傍にドナー不純物を尋人しないスペーサｖＡ城を
設けて、２次元電子ガス２ＡＧこ対する不純物イオン散
乱効果を防止することがしはしは行なわれている。第１
図（ｂ）は本従来例の伝擲帝のエネルギーダイヤグラム
であり、第１図ｆａＪと同−符号により灼応を示す。
図（ａｌに示す。牛杷柩性Ｏｘ ａ Ａ ｓ基板１上に
、ノンドープのＩ型（ｉａＡｓ／＠２と、これ−こより
電子親和力の小さいｎｆｉ砒化アルミニウムガリウム（
１％−ｔＧａＡｓ）層３と、ｎ 型ＵａＡｓ鳩４とが設
けられている。ｎ屋のＡｔｕａＡｓＪ輪３（電子供給層
という）からｉ ｉｐ （Ｊ ａ Ａ Ｓ ｊ曽２（チ
ャネルｊ−という）へ遷移した電子によって内層のへテ
ロ接合界面近岱に生成される２次元−子ガス２Ａが１チ
ヤネルとして機能する。この２次元電子カス２人の向磯
度な制御するゲート電極５は、通常ｎｆｉ（ＪａＡｓ層
４を適訳的に除去したリセス構造によって、ｎ型ＡｚＧ
ａ、ムｊｖＡ月こ接して設けられる。また６はソース電
極、７はドレイン電極である。なお前員己ｎ ｔｉＡＬ
Ｇａ Ａｓ層３のｉ［（ＪａＡｓ層２との・＼テロ接合
界面近傍にドナー不純物を尋人しないスペーサｖＡ城を
設けて、２次元電子ガス２ＡＧこ対する不純物イオン散
乱効果を防止することがしはしは行なわれている。第１
図（ｂ）は本従来例の伝擲帝のエネルギーダイヤグラム
であり、第１図ｆａＪと同−符号により灼応を示す。
以上説明した如きｎ −ＡｔＧａ Ａｓ ／ １−（Ｊ
ａＡｓからなる従来のシングルへテロ構造の・＼テロ按
会形ＦｈｉＴにおいては、２次元電子カス２人の電子面
濃度Ｎｓに制限がある。すなわち２次元電子カス２人中
では電子が状ｍ田度が大きい置載で＃退しているために
、ｎ型ＡｔＧａ Ａｓ ７９４３のドｔ−不ｓ ！物議
Ｉｆを増大させても、フェルミ準位の変化が小さくで２
次元電子カス２人の電子面＃［Ｎ ｓが増加しない飽和
傾向を示す。この結果、曲ｉ！ｒ２従来例においては、
温度７７ （Ｋ〕において例えば２次元電子カスの電子
移動度μ＝５ＸｌＯ’（ｃｊ／Ｖ−８）を得るためには
、その凹線［Ｎ ｓが６〜７ＸｌＯ”（ｃｍ−２）程度
以下に制限され、大−流動作は期待しがたく才だオーミ
ック接触抵抗、雑材（ｄ畝の低減などが１蝋である。
ａＡｓからなる従来のシングルへテロ構造の・＼テロ按
会形ＦｈｉＴにおいては、２次元電子カス２人の電子面
濃度Ｎｓに制限がある。すなわち２次元電子カス２人中
では電子が状ｍ田度が大きい置載で＃退しているために
、ｎ型ＡｔＧａ Ａｓ ７９４３のドｔ−不ｓ ！物議
Ｉｆを増大させても、フェルミ準位の変化が小さくで２
次元電子カス２人の電子面＃［Ｎ ｓが増加しない飽和
傾向を示す。この結果、曲ｉ！ｒ２従来例においては、
温度７７ （Ｋ〕において例えば２次元電子カスの電子
移動度μ＝５ＸｌＯ’（ｃｊ／Ｖ−８）を得るためには
、その凹線［Ｎ ｓが６〜７ＸｌＯ”（ｃｍ−２）程度
以下に制限され、大−流動作は期待しがたく才だオーミ
ック接触抵抗、雑材（ｄ畝の低減などが１蝋である。
２次元電子ガスの電子面濃度を増大するために、ノンド
ープのｉ ｆｆ１（ｊ ａ Ａ ｓチャネルｊ餉Ｙ：挾
んでヌ寸称的に上下２層の口型ＡＬＧａＡｓ電子供ｍ１
ｊ−を設けることが試みられる。この構造のエネルギー
ダイヤグラムな第２図をこ示す。図において、ｌｌは基
板側のＡｔ Ｇａ Ａ ａ ％子供給層、ｌｌａはその
ドナー不純物を′ざむｎ型１１Ａ坂、ｌｌｂはノンドー
プのｒｍ領域、１２ ｉ；！ ｉ ｍＵｄＡｓチャ＊ル
ー、１３はチャネルＭｆ１２上曇こエピタキシャル成長
しｆｓｋＬ（ｈＡ ｓ ′電子供給層、１３ａはそのノ
ンドープの１ｍ領域、１３ｂはドナー不純齋を甘むｎ緘
惧域であるＯ この様なメ寸称的なａ遺に２いては、チャネル］胃１２
０基板側のへテロ接合界面近傍に生成される２次元電子
ガス１２Ｂの電子移動度が、前記従来例の２次元電子ガ
スの電子移動度の１１５程度以下に低下する。なおチャ
ネル層１２の上側のへテロ接合界面近傍に生成される２
次元′電子ガスｌい・についてもチャネル層１２の厚さ
が薄い場合には２次元電子カス相互間の干渉幼果によっ
てその電子移動度が低下して、両２次元電子ガスが一体
化する厚さく １０ （ｎｍ）程＆ ） ＩＣおいては
前記従来例の１１ａ程度の電子移動度となる。
ープのｉ ｆｆ１（ｊ ａ Ａ ｓチャネルｊ餉Ｙ：挾
んでヌ寸称的に上下２層の口型ＡＬＧａＡｓ電子供ｍ１
ｊ−を設けることが試みられる。この構造のエネルギー
ダイヤグラムな第２図をこ示す。図において、ｌｌは基
板側のＡｔ Ｇａ Ａ ａ ％子供給層、ｌｌａはその
ドナー不純物を′ざむｎ型１１Ａ坂、ｌｌｂはノンドー
プのｒｍ領域、１２ ｉ；！ ｉ ｍＵｄＡｓチャ＊ル
ー、１３はチャネルＭｆ１２上曇こエピタキシャル成長
しｆｓｋＬ（ｈＡ ｓ ′電子供給層、１３ａはそのノ
ンドープの１ｍ領域、１３ｂはドナー不純齋を甘むｎ緘
惧域であるＯ この様なメ寸称的なａ遺に２いては、チャネル］胃１２
０基板側のへテロ接合界面近傍に生成される２次元電子
ガス１２Ｂの電子移動度が、前記従来例の２次元電子ガ
スの電子移動度の１１５程度以下に低下する。なおチャ
ネル層１２の上側のへテロ接合界面近傍に生成される２
次元′電子ガスｌい・についてもチャネル層１２の厚さ
が薄い場合には２次元電子カス相互間の干渉幼果によっ
てその電子移動度が低下して、両２次元電子ガスが一体
化する厚さく １０ （ｎｍ）程＆ ） ＩＣおいては
前記従来例の１１ａ程度の電子移動度となる。
手
！ヤネル層を対称的に電子供ｆｌ＆層で挾む横這は電子
面ｆＩｋ度の増大は実現するものの、以上説明した如き
電子移動度の大幅な低下を伴なうために、高速化を目的
とするヘテロ接合形ＦＥＴには適しない０ （ｄ） 発明の目的 本発明は以上説明した問題点に対処し、ヘテロ接合形Ｆ
Ｗ’ｌ”について、電子移動度の低下を招くむとなくそ
の電流容麓が増大される構造を提供することを目的とす
る。
面ｆＩｋ度の増大は実現するものの、以上説明した如き
電子移動度の大幅な低下を伴なうために、高速化を目的
とするヘテロ接合形ＦＥＴには適しない０ （ｄ） 発明の目的 本発明は以上説明した問題点に対処し、ヘテロ接合形Ｆ
Ｗ’ｌ”について、電子移動度の低下を招くむとなくそ
の電流容麓が増大される構造を提供することを目的とす
る。
（ｅ） 発明の構成
本発明の前記目的は、化合物子導体基板上に、五の・＼
テロ接合が、ｄ１第１の化合物牛擲体′ｌＩＩ：該基板
側にして抜数個形成され、該ヘテロ接合相互間に該第２
の化金物半導体かりｔｉ第ｌの化合物千尋体まで組成が
連続的に変化する半導体領域が設けられて、該・＼テロ
接合を介して該＃ｇ１の化合物子導体領域へ遷移する電
子によって生成される２次元電子ガスを電流路とする半
導体装置により達成される。
テロ接合が、ｄ１第１の化合物牛擲体′ｌＩＩ：該基板
側にして抜数個形成され、該ヘテロ接合相互間に該第２
の化金物半導体かりｔｉ第ｌの化合物千尋体まで組成が
連続的に変化する半導体領域が設けられて、該・＼テロ
接合を介して該＃ｇ１の化合物子導体領域へ遷移する電
子によって生成される２次元電子ガスを電流路とする半
導体装置により達成される。
本発明の構造の工ｌルギーバンド図の例を第３図に示す
。図において２１は前記第１の化合物千尋体よりなる領
域であり第ｌの化金物半導体として例えばＧ ａ Ａ
ｓが用いられる。２２は前記第２の化合物千尋体よりな
る鎖酸であり、第２の化金物半導体として例えばＡｔｘ
Ｇａｌ−ｘＡｓが用いられる。
。図において２１は前記第１の化合物千尋体よりなる領
域であり第ｌの化金物半導体として例えばＧ ａ Ａ
ｓが用いられる。２２は前記第２の化合物千尋体よりな
る鎖酸であり、第２の化金物半導体として例えばＡｔｘ
Ｇａｌ−ｘＡｓが用いられる。
２３は＠記の第２の化合物千尋体から第１の化金物半導
体まで組成か連続的に変化する牛埠体狽域であり、Ｎｉ
ｌ Ｈｔの（ＪａＡｓ、Ａｔｘｕａｔ−ｘＡｓを用いた
場合にはＡｔｙＧａｔ−ｙＡｓ、Ｏ≦ｙ≦ｘとすルＯコ
（’） 構造によって前記の領域２１と領域２２との界
面に領域２１を基板側にするヘテロ接合が形成され、隣
接するこのヘテロ接合相互間にはへテロ接合が形成され
ず伝導帯は滑らかである。
体まで組成か連続的に変化する牛埠体狽域であり、Ｎｉ
ｌ Ｈｔの（ＪａＡｓ、Ａｔｘｕａｔ−ｘＡｓを用いた
場合にはＡｔｙＧａｔ−ｙＡｓ、Ｏ≦ｙ≦ｘとすルＯコ
（’） 構造によって前記の領域２１と領域２２との界
面に領域２１を基板側にするヘテロ接合が形成され、隣
接するこのヘテロ接合相互間にはへテロ接合が形成され
ず伝導帯は滑らかである。
前記へテロ接合の第２の化金物半導体側に電子供給層と
してドナー不純物が導入される。ただしヘテロ接合界面
近傍は通常ノンドープのスペーサ領域とし、また１ｔＩ
ｋのドナー不＝＝専人狽域の化金物半導体の組成かへテ
ロ接合界面近傍の組成と等しい必要はない。
してドナー不純物が導入される。ただしヘテロ接合界面
近傍は通常ノンドープのスペーサ領域とし、また１ｔＩ
ｋのドナー不＝＝専人狽域の化金物半導体の組成かへテ
ロ接合界面近傍の組成と等しい必要はない。
前記へテロ接合の第１の化付物半導体側はチャ息
ネルとなる。このチャネル層のへテロ接合界面近傍に２
次元電子ガス２４が生成されるが、その波動関数力５分
布する軛曲はノンドープの皿型とすることが必要である
・なおこの波動開数が分布する １深さは１０（ｎｍ）
程度である。
次元電子ガス２４が生成されるが、その波動関数力５分
布する軛曲はノンドープの皿型とすることが必要である
・なおこの波動開数が分布する １深さは１０（ｎｍ）
程度である。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明な実施例により更に具体的に説明する。
第４図（ａ）は本発明の実施例を示す断面図、同図（ｂ
ｌはそのエネルギーバンド図である。本実施例の半尋体
裁体は午絶縁性（ｊ ａ Ａ ｓｉ＆３０上に、例えば
分子−エビメキシャル成兼方法或いは有機釡槁熱分解気
孔成長方法によって既長じた下記の半導体層が設けられ
ている。ただし下記表中、組成比Ｘか０はＵａＡｓ 、
０．３はＡｔｏ、５Ｇａｏ、ｔＡｓ 、 ０〜０．３
は（ｊａＡＪｉｉと人ｔｏ、ａＧａｏ、ｔＡｓ層との間
を連続的につなぐＯσ記の組成比が変化１−るＡｔ１ａ
ｓｓ ）Ｗｉ’ｆｔ示し、各数値は１例を示す。
ｌはそのエネルギーバンド図である。本実施例の半尋体
裁体は午絶縁性（ｊ ａ Ａ ｓｉ＆３０上に、例えば
分子−エビメキシャル成兼方法或いは有機釡槁熱分解気
孔成長方法によって既長じた下記の半導体層が設けられ
ている。ただし下記表中、組成比Ｘか０はＵａＡｓ 、
０．３はＡｔｏ、５Ｇａｏ、ｔＡｓ 、 ０〜０．３
は（ｊａＡＪｉｉと人ｔｏ、ａＧａｏ、ｔＡｓ層との間
を連続的につなぐＯσ記の組成比が変化１−るＡｔ１ａ
ｓｓ ）Ｗｉ’ｆｔ示し、各数値は１例を示す。
３８ ０〜０．３ ７×１ｏ１７ ３゜３７ ０．３
’７Ｘ１０” ２０ ３６ ０．３ ノンドープ ６ ３５ ０ ノンドープ ３０ ３４ ０〜０．３ ５Ｘ１０１７２０ ３３ ｇ、３ １ＸＩＯ” １０ ３２ Ｑ、３ ノンドープ ６ ３１ Ｑ ノンドープ ５１（１（１ これらの半導体層のうち１ｆｉＧａＡｓ層３１と３５と
がチャネルノーであり、それぞれに２久元電子ガス３１
Ａと３５Ａとが生成されている。またこの半導体基体に
ゲート電極４０．ソース１１Ｌ極４１及びドレイン電極
４２が配設されている。ゲート電極４０はｎｆｉＧａＡ
ｓ層３９’！ｒ３０（ｎｍ）程度悠択的に除去したリセ
ス構造に、ケート長駒１〔μｍ〕。
’７Ｘ１０” ２０ ３６ ０．３ ノンドープ ６ ３５ ０ ノンドープ ３０ ３４ ０〜０．３ ５Ｘ１０１７２０ ３３ ｇ、３ １ＸＩＯ” １０ ３２ Ｑ、３ ノンドープ ６ ３１ Ｑ ノンドープ ５１（１（１ これらの半導体層のうち１ｆｉＧａＡｓ層３１と３５と
がチャネルノーであり、それぞれに２久元電子ガス３１
Ａと３５Ａとが生成されている。またこの半導体基体に
ゲート電極４０．ソース１１Ｌ極４１及びドレイン電極
４２が配設されている。ゲート電極４０はｎｆｉＧａＡ
ｓ層３９’！ｒ３０（ｎｍ）程度悠択的に除去したリセ
ス構造に、ケート長駒１〔μｍ〕。
ゲート幅約１００〔μｍ：１４こアルミニウム（Ａｔ）
を電極材料として形成している。ソース電極４１及びド
レイン電極４２はｎｆｆ１ＧａＡＳＪ曽３９上に金ゲル
マニウム／ 蛇（ＡｕＧｅ／Ａｕ）’ｌ用いて形成して
いる。 ・ 本実施例は温度７７ （Ｋ）において、電子＃−＃贋μ
：４５，０００ ＣａｖＶ” Ｓ）、 ’ｉｔ子Ｉｊ濃
［ＩＮｓ ： １．５ Ｘ１０”［ｃｍ−２Ｊで、ゲー
ト暢１００ （μｍ）あたり約３５ （ｍＡ）の電流谷
瀘が得られた。この電流各層は従来構造のほば′２倍で
あり、季発明の構ｆＬによって高電子移動就で大篭流各
童が得られることが実証された。
を電極材料として形成している。ソース電極４１及びド
レイン電極４２はｎｆｆ１ＧａＡＳＪ曽３９上に金ゲル
マニウム／ 蛇（ＡｕＧｅ／Ａｕ）’ｌ用いて形成して
いる。 ・ 本実施例は温度７７ （Ｋ）において、電子＃−＃贋μ
：４５，０００ ＣａｖＶ” Ｓ）、 ’ｉｔ子Ｉｊ濃
［ＩＮｓ ： １．５ Ｘ１０”［ｃｍ−２Ｊで、ゲー
ト暢１００ （μｍ）あたり約３５ （ｍＡ）の電流谷
瀘が得られた。この電流各層は従来構造のほば′２倍で
あり、季発明の構ｆＬによって高電子移動就で大篭流各
童が得られることが実証された。
以上の説明はＧａＡｓ／Ａｔ１ｊａＡｓを用いて本発明
の牛導体装置を構成しているが、例えば１００．５３Ｇ
ａｏ、４ｙＡｓ／ｌｎｏ、４ｇＡｔｏ、５２Ａｓなど他
の化合１牛導体を用いても本発明の牛導体装置！ｔを実
現することができる。
の牛導体装置を構成しているが、例えば１００．５３Ｇ
ａｏ、４ｙＡｓ／ｌｎｏ、４ｇＡｔｏ、５２Ａｓなど他
の化合１牛導体を用いても本発明の牛導体装置！ｔを実
現することができる。
（ｇｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明によれ龜、２次元電子カスの電子
移動此を低下することなく電流容量の増大が実現されて
、尚速度で尚出力の早番体装置を提供することができる
。
移動此を低下することなく電流容量の増大が実現されて
、尚速度で尚出力の早番体装置を提供することができる
。
第１図＋ａ）は従来のへテロ接合形１” Ｅ ｉ’の断
面図、同図（ｂ）はそのエネルギーバンド図、第２図は
従来の試みを説明１−るエネルギーバンド図、第３図は
本発明を己明１−るエネルギーバンド図、第４図（ａ）
は本発明の実厖例の断面図、同図（ｂ）はそのエネルギ
ーバンド図である。 図において、２１はノンドープのＱａＡＳ偵域、２２は
Ａ４Ｘ ＧＨ１−ｚ Ａ ｓ 領域、２３はＡｔｙ Ｇ
ａ５−ｙＡｓ（Ｏｓｙ５ｘ）ｄ域、２４は２久九電子ガ
ス、３０は牛杷城ａＧ ａ Ａ ｓ譲叡、３１及び３５
はノンドｉプＯＧ ａ Ａ ｓ層、３１Ａ及び３５Ａは
２次元電子ガス１３２及び３６はノンドープのＡＬ ｏ
、ａ Ｇ ａｇ、７ Ａ ｓ層、３３及び３７はｎ ｆ
ｌｌ ＡｔＯ，ａ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ 鳩、３４及び３
８はｎ ｇ ＡＬｘ Ｇａｔ−ｘＡｓ （Ｑ≦Ｘ≦０．
３ ） Ｍ、３９はｎｆｆ１ＧａＡｓＪＷＩ、 ４０は
ゲートｔａｍ、４１はソース電極、４２はドレイン旭物
を示す。 第１ 図 第２図 第３図
面図、同図（ｂ）はそのエネルギーバンド図、第２図は
従来の試みを説明１−るエネルギーバンド図、第３図は
本発明を己明１−るエネルギーバンド図、第４図（ａ）
は本発明の実厖例の断面図、同図（ｂ）はそのエネルギ
ーバンド図である。 図において、２１はノンドープのＱａＡＳ偵域、２２は
Ａ４Ｘ ＧＨ１−ｚ Ａ ｓ 領域、２３はＡｔｙ Ｇ
ａ５−ｙＡｓ（Ｏｓｙ５ｘ）ｄ域、２４は２久九電子ガ
ス、３０は牛杷城ａＧ ａ Ａ ｓ譲叡、３１及び３５
はノンドｉプＯＧ ａ Ａ ｓ層、３１Ａ及び３５Ａは
２次元電子ガス１３２及び３６はノンドープのＡＬ ｏ
、ａ Ｇ ａｇ、７ Ａ ｓ層、３３及び３７はｎ ｆ
ｌｌ ＡｔＯ，ａ Ｇａｏ、ｙ Ａｓ 鳩、３４及び３
８はｎ ｇ ＡＬｘ Ｇａｔ−ｘＡｓ （Ｑ≦Ｘ≦０．
３ ） Ｍ、３９はｎｆｆ１ＧａＡｓＪＷＩ、 ４０は
ゲートｔａｍ、４１はソース電極、４２はドレイン旭物
を示す。 第１ 図 第２図 第３図
Claims (1)
- 化合物半導体基板上に、１ｆｆｉの第１の化合物半導体
と、該第１の化合物半導体より電子親和力が小さい第２
の化合資半導体とのへテロ接合が、該第１の化合資半導
体を該基板側にして複数１−形成され、咳へテロ接合相
互間にｇｌＥｊｇ２の化合物半導体から該第１の化合資
半導体まで組成が連続的に変化する半導体領域が設けら
ｎて、該・＼テロ接合を介して該ｆｓｌの化合物半導体
領域へ遷移する電子によって生成される２次元電子ガス
ＶＷ流路とすることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123584A JPS60154573A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123584A JPS60154573A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154573A true JPS60154573A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11772270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123584A Pending JPS60154573A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154573A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235476A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH01183859A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP1123584A patent/JPS60154573A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235476A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH01183859A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
| JP2652647B2 (ja) * | 1988-01-19 | 1997-09-10 | 住友電気工業株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
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