JPS60136331A - ダイシング用フィルムから半導体チップの取外方法 - Google Patents

ダイシング用フィルムから半導体チップの取外方法

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JPS60136331A JP59248846A JP24884684A JPS60136331A JP S60136331 A JPS60136331 A JP S60136331A JP 59248846 A JP59248846 A JP 59248846A JP 24884684 A JP24884684 A JP 24884684A JP S60136331 A JPS60136331 A JP S60136331A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光凱傅背景 本発明は半導体チップの製造に有用な方法に係る。
昭和５９年７月３１日に出願した特願昭第５９−１５９
４８０号「ダイシングフィルムおよび方法」において、
多数の印刷回路を有する半導体ウェハを個々の回路（チ
ップ）にダイシング（ソーイング）するための導電性接
着剤（（Ｊ支持フィルムを開示した。この製品はウェハ
のダイシング後チップを支持フィルムから除去するとき
にチップと共に導電性接着剤層の清浄な剥離を許容する
ために重合体支持フィルム上に剥離層（コーティング）
を有する。
発明の概要 本発明は重合体支持フィルム上に残留接着剤の残留がな
いチップ／接着剤集合体の除去に係る。
加熱工程をダイシング操作に先行させれば、実質的に全
部の導電性接着剤がチップに残って、後のポンディング
工程に使用できる。加熱工程は接着剤／ウェハの付着を
改良し、それによって支持フ゛イルムと接着剤の間に所
望の剥離特性を提供する。
具止血設凱 本発明のダイシング用フィルム１１は剥離層が実質的に
存在しない表面１３を有する重合体支持フィルム１２と
、表面１３に何着されて後のダイシングのために半導体
ウェハ（図示せず）を受理する適当なパターンの導電性
接着剤１４とからなる。支持フィルム１２は炉内乾燥な
どの操作を許容しかつ選択的な接着剤パターンを充分に
支持する必要がある。それは、例えば、ダイシング操作
の後切断されたチップを支持する必要がある。表面１３
はダイシング操作後接着剤を損傷することなく導電性接
着剤／チップ集合体の取り外しを許容しなげればならな
い。導電性接着剤１４は、充分な導電性を有さなければ
ならず、ウェハとの間の充分な表面接触を許容する良好
な平滑さを有すべきであり、かつ、乾燥するか部分的に
硬化して適当な粘着状態になりその状態をウェハ付着段
階まで保持する必要がある。それは、充分な程度の凝集
性を（−ｉし”Ｃ１その物理的一体性を損なうことなく
支持フィルムから剥離することを許容しかつそれから任
意のカバーフィルムを剥離することを許容する必要かあ
る。導電性接着剤は適当な接着力を有し、かつチップを
接地面に接地するための電気的要件を満たずために、適
当なｊｒｉ−さ、例えば約６〜４０マイクロメートルの
１￥さを有すべきである。本発明は、チップ／接着剤集
合体をチップキャリヤ中に搭載して接着剤がチップを支
持するが接着剤はその支持領域以外は実質的に覆れない
ようにすることが可能である。これは、細線と導電性接
着剤の親密な近さのために起きる短絡（ショート）のお
それを増加することなく、チップを支持体にボンブイイ
ブするのに必要な細線のためのよりコンパクトな形杖を
許容する。
同様に、重合体製支持フィルム１２は、後述のように加
熱すると、それと導電性接着剤の間の剥離特性を改良し
て、認めうる接着剤を重合体フィルム上に残すことなく
接着剤と重合体フィルムの清浄な分離を許容しなければ
ならない。ポリプロピレンのようなポリオレフィンは好
ましいものの１つである。支持フィルムのＪ７さは約２
５〜１５０マイクロメートルの範囲内にあることができ
、７５〜１５０マイクロメートルの厚さが好ましい。
好ましいより大きいＪ７さである７５〜１５０マイクロ
メートルの厚さを有するフィルムは、ダイシング操作に
おける実際上の作業の許容度の可能な変化という点にお
いていくらかより大きい安全性を与える。過剰に薄いフ
ィルムは、製造工程における固有ではない変化のために
全部を貫通して切断した場合に、ウェハに必要な支持を
提供しないであろう。
支持フィルムの露出表面１３に適当なパターンの導電性
接着剤１４を付着してダイシングすべき半導体ウェハ１
５の取付場所を形成する。一般的に、導電性接着剤パタ
ーンはその上に載置すべきウニへの直径に近い適当な寸
法（例えば、約２．５４〜１５．２ｃｍ）の円形の接着
剤の列からなることができる。接着剤の厚さは約５〜４
０マイクロメートルであることができる。用い得る適当
な導電性接着剤組成物には、導電性の要件を満たす充填
物（例えば、約２〜７５重量％の適当な導電性材料）を
充填した接着材料がある。代表的な導電性材料には微粉
砕した導電性金属（例えば、アルミニュウム、ｆＪＬ♀
艮、金、パラジウム）またはカーボンブラックがある。
導電性材料のマトリックスになりうる代表的な接着材料
にはポリイミド、アクリル、エポキシ、シリコーンおよ
び所望の熱および導電性要件を満たずいろいろな改質重
合体材料がある。
また好ましい態様において、本発明のダイシング用−フ
ィルム製品１１は汚染および（または）損傷（例えば、
好ましい実質的に平坦な上方表面の不注意による破壊）
から保護するために接着剤の露出表面上に適当な剥離ラ
イナー１６を有する。
例えば、剥離塗工紙は剥離ライナー材料として用いるこ
とができる。剥離ライナーは表面１３より劣る剥離特性
を有することができる。
第４〜６図は本発明のダイシング用フィルムの用い方の
概要を示す。第４図は積層したウエノ＼１５の列１９か
ら半導体ウェハを拾い上げるピボット式真空吸着板装置
を示す。第５図はフィルム１２の記録マーク２２に応答
して真空吸着板２１をウェハおよび接着剤と整合すべく
案内する電子アイ２０の様子を示す。第６図はウエノ＼
付着工程ならびに導電性接着剤１４／ダイシング用フイ
ルム１２集合体から剥離ライナー１６を剥がす先行工程
を示す。実際の商業的実施では、適当な土中ウェハ搭載
装置（例えば、Ｋｕｌｉｃｋｅ　ａｎｄ　５ｏｆｆａＩ
ｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社の商品名Ｍｏｄｅｌ　３６６）を
用いることが好ましい。
本発明のダイシング用フィルムは慣用の積層および印刷
操作を用いて作成し得る。適当な印刷手法（例えば回転
または平台式スクリーン印刷法）で、乾燥した剥離層表
面に導電性接着剤のパターンを適用し、次いでその接着
剤を支持フィルム１２に積層して転写する。接着剤の露
出表面上に剥離ライナーが存在することが望ましいなら
ば、それも慣用の積層法で適用し得る。
支持フィルム表面１３／導電性接着剤１４界面の！、１
　Ｍｌ！特性を改良する本発明の加熱工程はダイシング
上程に先立つ“ζウェハ／接着剤／フィルムの複合体に
実施する。この加熱工程は約４５〜７０°Ｃの温度で約
０．２５〜３分間であることができる。
ダイシング用、支持フィルム側に冷却空気を用いてチッ
プの剥離を最適化することができる。加熱工程と必要に
応して空気冷却工程を用いるごとによって非剥５１］塗
布重合体ヰ１料を前出特願昭５９−１５９４８０号明細
病に一般的に開示したタイプのダイシング用フィルムに
おＩＪる支持フィルムとしてより有効に使用することが
できる。
ここに用いるとして記載した加熱工程は、接着剤が乾＜
　（ｗｅｔｔｉｎｇ　ｏｕｔ）のを助けてウェハと接着
剤の間の接着を改良し、その結果接着剤が支持フィルム
に対してよりもウェハに対して実質的により多く凝集的
にイ」着するようになる。これによって所望のようにウ
ェハと接着剤が清浄に除去されるであろう。
以下、本発明を例によって更に説明する。
比較例 この例は本発明に従わない場合に得られる不利な結果を
示す。
試験した例の各々のために用いた一般的な手順では剥離
塗工紙上に適当な接着剤パターン（すなわち、直径約７
．６　ｃｍ、厚さ約２５．４マイクロメートルの円形の
連続）をスクリーン印刷した。ｉｒ、ｌ　ｒｎｌｉ塗上
紙は４２ボンド重￥半漂白クラフト紙°Ｃあった。接着
剤は根変性ポリイミド（断＋ｏｘｙ　１’（シｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ社のｉ！ｆｉ晶Ｐ−Ｌｏｌｌ）てあった。次い
て得られる積層体を炉で２５分間約６７．２°Ｃて乾燥
し、それから室温に冷ノ、１１シた。
」上記−１・順で作成した積層体を選択した支持フィル
ムと共に接着剤パターンを支持フィルムに面せしめて加
１ｉニップ間を通して接着剤パターンをそれに積層した
。充分な圧力を用いてそうした転写を実施し、その複合
体を１分間約６７．２°Ｃに加熱した。
この例に用いるために選択した支持フィルムは１ｉさ１
２７マイクロメー１−ルのボリプＸ」ピレン（ｌｌｃｒ
ｃｕｌ（４ｓ社の商品Ｎ１００）であり、接着剤パター
ンを積層する側Ｇこは全く剥離層（コーチインク）をイ
ｊし−こいないものＣあった。
接着剤パターンを支持フィルＪ、に転写した後、接着剤
のスクリーン印刷に当υＪ用いたと同しタイプの１１（
を接、ｉ′１′ｆｔ１パターンの露出表面のカバーシー
トとじて用いた。このカバーシートは接着剤／支１ろフ
ィルＪ、積層体と共に２つの加圧ニップ間を通して、接
着剤パターンの露出表面と剥離層（コーティング）が−
ＮＨに充分な圧力下にもたらされて４ｆ、＋昆１［紙と
積層体が何着するようにした。
それから（カバーシー１〜を除去後）上記のタイプの積
層体を試験して接着剤か支持フィルムから容易に分＾１
（するかどうかを調べた。次の手順を用いた。シリコン
ウェハをスクィーシーの作用で連マー１空気を除去して
接着剤に何着した。（−Ｊ着が完了後、乎てウェハとそ
れに（＝Ｊ　着した接着剤を支持フィルムから？１１；
浄に取り外すことを試みた。
上記の手順を用いて半タースの試料を用意した。
各試料の支持フィルムからウェハを取り外す試みを行っ
たが、僅かに約５０〜９０％の接着剤が支持フィルムか
らウェハに清浄に移るのが見い出さ才し］こ。
プ」１殉 この例は本発明の詳細な説明する。
仕較例に述べた手順を用いたが、但し、ウェハを接着剤
パターンから取り外ず前に、ウェハおよび接着剤／支持
フィルム積層体の４−Ｊ着接合体を１分間約６７．２°
Ｃで加熱した。ウェハを取り外す試みを行なったところ
、実質的に全部の接着剤がつエバと共に支持フィルムか
ら清浄に剥離した。
上記の例は本発明の詳細な説明するものであり、限定を
なすものではない。保護の範囲は特許請求の範囲に与え
られている。
【図面の簡単な説明】
第１図はダイシング用フィルムならびに印刷つエバと接
触するためのダイシング用フィルムに接着した導電性接
着剤パターンを示す斜視図、第２図は本発明の方法に用
いるのに適したダイシング用フィルムの態様の要部拡大
横断面図、第３図は本発明の方法に用いるのに適したダ
イシング用フィルムの態様の平面図、第４図はウェハを
ダイシング用フィルムに移すために拾い上げようとして
いる様子を示す側面図、第５図はウェハと接着剤の４１
着を行なうためにウェハと接着剤パターンを整合する様
子を示す側面図、第６図はウェハ／接着剤付着手法を示
す側面図である。 １１・−ダイシング用フィルム、１２−支持フィルム、
１３−・−表面、１４−導電性接着剤、１５−半導体ウ
ェハ、１６−剥離ライナー、２０−・電子アイ、２１−
真空吸着板。 特許出願人 ストウファー　ケミカル カンパニー 特許出願代理人 弁理士　青　木　朗 弁理士西舘和之 弁理士古賀性成 弁理士　山　口　昭　之 弁理士西山雅也 １９ ＦＩＧ、　１ ＦｌＧ、２ ＦｌＧ、５ ＦＩＧ、４ Ｆｌ　Ｇ、　５

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、（ａｌ　導電性接着剤を付着する側に実質的に剥離
    層が存在しないプラスチック製支持フィルムに（＝Ｊ　
    Ｍした導電性接着剤に半導体ウェハを取付け、ｆｂ）　
    半導体ウェハのダイシングに先立って、得られる集合体
    を加熱して導電性接着剤とプラスチック製支持フィルム
    の間の剥離特性を改良し、そして （Ｃ）　ダイシング工程が完了した後、プラスチック製
    支持フィルム上に実質的に全く導電性接着剤を残すこと
    なく、半導体チップをそれに実質的に付着した導電性接
    着剤とともに取り外す工程を含む半導体ウェハをダイシ
    ングして半導体ウェハから個別チップを製造する方法。 ２、　プラスチック製支持フィルムがポリオレフィン重
    合体からなる特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、　プラスチック製支持フィルムがポリプロピレンで
    ある特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、　プラスチック製支持フィルムが約２５〜１５０マ
    イクロメートルの厚さを有する特許請求の範囲第１項記
    載の方法。 ５、　プラスチック製支持フィルムが厚さ約２５〜１５
    ０マイクロメートルのポリオレフィンである特許請求の
    範囲第１項記載の方法。 ６、　プラスチック製支持フィルムが厚さ約２５〜１５
    ０マイクロメートルのポリプロピレンである特許請求の
    範囲第１項記載の方法。 ７、導電性接着剤が約６〜４０マイクロメートルの厚さ
    を有する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ８、導電性接着剤が接着剤マトリックス中に導電性にと
    って有効量の導電性金属を含有するものである特許請求
    の範囲第１項記載の方法。 ９、プラスチック製支持フィルムが約２５〜１５０マイ
    クロメートルの厚さ、導電性接着剤が約６〜４０マイク
    ロメートルの厚さを有する特許請求の範囲第２項記載の
    方法。 １０、ｉ’Ｅ電性接着剤が約６〜４０マイクロメートル
    の厚さを有しかつ接着マトリックス中に導電性にとって
    有効量の導電性金属を含有する特許請求の範囲第３項記
    載の方法。 １１、前記ｆｂｌ工程の加熱が約０．２５〜３分間約４
    ５〜７０°Ｃである特許請求の範囲第１項記載の方法。 １２、前記工程ｔｂｌの加熱が約０．２５〜３分間約４
    ５〜７０°Ｃである特許請求の範囲第２項記載の方法。 １３、前記工程（ｂｌの加熱が約０．２５〜３分間約４
    ５〜７０℃である特許請求の範囲第３項記載の方法。
JP59248846A 1983-12-19 1984-11-27 ダイシング用フィルムから半導体チップの取外方法 Granted JPS60136331A (ja)

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US06/562,899 US4664739A (en) 1983-12-19 1983-12-19 Removal of semiconductor wafers from dicing film
US562899 1983-12-19

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