JPS60136264A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60136264A JPS60136264A JP58243318A JP24331883A JPS60136264A JP S60136264 A JPS60136264 A JP S60136264A JP 58243318 A JP58243318 A JP 58243318A JP 24331883 A JP24331883 A JP 24331883A JP S60136264 A JPS60136264 A JP S60136264A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243318A JPS60136264A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243318A JPS60136264A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136264A true JPS60136264A (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0216008B2 JPH0216008B2 (enExample) | 1990-04-13 |
Family
ID=17102047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58243318A Granted JPS60136264A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136264A (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025437A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JPH07273318A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Nec Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857752A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5898982A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 砒化ガリウムmesfet素子の製造方法 |
| JPS5979576A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置 |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP58243318A patent/JPS60136264A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857752A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5898982A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 砒化ガリウムmesfet素子の製造方法 |
| JPS5979576A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025437A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JPH07273318A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Nec Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0216008B2 (enExample) | 1990-04-13 |
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