JPH0352238A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPH0352238A JPH0352238A JP18615789A JP18615789A JPH0352238A JP H0352238 A JPH0352238 A JP H0352238A JP 18615789 A JP18615789 A JP 18615789A JP 18615789 A JP18615789 A JP 18615789A JP H0352238 A JPH0352238 A JP H0352238A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物半導体装置の製造方法に関し，特に、
マイクロ波帯の高周波トランジスタや高速ディジタルＩ
Ｃなどの化合物半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
マイクロ波帯の高周波トランジスタや高速ディジタルＩ
Ｃなどの化合物半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来の化合物半導体装置の製造方法について，低拡散ド
レイン（ＬＤＤ）構造のガリウムヒ素電界効果形トラン
ジスタ（以下ＭＥＳＦＥＴと称す）を例として第３図に
より説明する。
レイン（ＬＤＤ）構造のガリウムヒ素電界効果形トラン
ジスタ（以下ＭＥＳＦＥＴと称す）を例として第３図に
より説明する。
第３図（ａ）ないし（ｅ）は、従来の製造工程を工程順
に示した要部拡大断面図である。
に示した要部拡大断面図である。
まず、半絶縁性ガリウムヒ素（以下ＧａＡｓと称す）基
板１１の表面に２ケイ素（Ｓｉ）イオンを、加速電圧４
０ｋｅＶ、濃度２．Ｏ Ｘ ｔｏ°ａｎ−”の条件で注
入し、ｎ形導電域となる活性層１２を形成する（第３図
（ ，ｉ ’） ），次に，スバッタ法などにより高融
点金属の薄層、例えば厚さ４０００入のケイ化タングス
テン（以下ＷＳｉと称す）層を全面に形或した後、写真
食刻およびドライエッチングによって．ＷＳＬゲート１
３を形成する．次に．ＷＳｉゲート１３をマスクとして
，加速電圧５０ｋａＶ．濃度５．Ｏ Ｘ １０′″国−
２の条件でイオンを注入し，自己整合的に低濃度（ｎ′
）拡散領域ｔ４を形或する（第３図（ｂ））．続いて，
加速電圧１００ｋｅＶ ，濃度？．Ｏ Ｘ １０” ａ
ｍ−”の条件でイオンを注入シ、自己整合的に高濃度（
ｎ′）拡散領域１５を形威した？、常圧化学的気相成長
（以下ＣＶＤと称す）法などにより，任意の厚さの二酸
化ケイ素（以下Ｓｕｎ，と称す）膜ｌ６を堆積し、アル
ゴン水素などの不活性ガス雰囲気の拡散炉の中で，温度
８００℃ないし１０００℃で拡散熱処理を施す（第３図
（ｃ） ）．次に，プラズマ化学的気相成長（ＰＣ：Ｖ
Ｄ）法により厚さ２０００人の窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜
１７を堆積した（第３図（ｄ））後、Ａ ｕ Ｇ ｅな
どの金属により，オーミック電極１８を形成する（第３
図（ｅ））と．ＭＥＳＦＥＴが完或する． （発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記の製造方法では、拡散熱処理方法や
装置によって、活性層１２、低濃度（ｎ′）拡散領域ｌ
４および高濃度（ｎ０）拡散領域１５の活性化率が最高
となるＳｉＯ■膜１６の膜厚が決まり、特に低濃度（ｎ
′）拡散領域■４および高濃度（ｎ”）拡散領域１５の
活性化率を良くするために厚さ５００人以上のＳｉｎ２
膜ｌ６を堆積していた。
板１１の表面に２ケイ素（Ｓｉ）イオンを、加速電圧４
０ｋｅＶ、濃度２．Ｏ Ｘ ｔｏ°ａｎ−”の条件で注
入し、ｎ形導電域となる活性層１２を形成する（第３図
（ ，ｉ ’） ），次に，スバッタ法などにより高融
点金属の薄層、例えば厚さ４０００入のケイ化タングス
テン（以下ＷＳｉと称す）層を全面に形或した後、写真
食刻およびドライエッチングによって．ＷＳＬゲート１
３を形成する．次に．ＷＳｉゲート１３をマスクとして
，加速電圧５０ｋａＶ．濃度５．Ｏ Ｘ １０′″国−
２の条件でイオンを注入し，自己整合的に低濃度（ｎ′
）拡散領域ｔ４を形或する（第３図（ｂ））．続いて，
加速電圧１００ｋｅＶ ，濃度？．Ｏ Ｘ １０” ａ
ｍ−”の条件でイオンを注入シ、自己整合的に高濃度（
ｎ′）拡散領域１５を形威した？、常圧化学的気相成長
（以下ＣＶＤと称す）法などにより，任意の厚さの二酸
化ケイ素（以下Ｓｕｎ，と称す）膜ｌ６を堆積し、アル
ゴン水素などの不活性ガス雰囲気の拡散炉の中で，温度
８００℃ないし１０００℃で拡散熱処理を施す（第３図
（ｃ） ）．次に，プラズマ化学的気相成長（ＰＣ：Ｖ
Ｄ）法により厚さ２０００人の窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜
１７を堆積した（第３図（ｄ））後、Ａ ｕ Ｇ ｅな
どの金属により，オーミック電極１８を形成する（第３
図（ｅ））と．ＭＥＳＦＥＴが完或する． （発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上記の製造方法では、拡散熱処理方法や
装置によって、活性層１２、低濃度（ｎ′）拡散領域ｌ
４および高濃度（ｎ０）拡散領域１５の活性化率が最高
となるＳｉＯ■膜１６の膜厚が決まり、特に低濃度（ｎ
′）拡散領域■４および高濃度（ｎ”）拡散領域１５の
活性化率を良くするために厚さ５００人以上のＳｉｎ２
膜ｌ６を堆積していた。
第３図において、このような厚いＳｉ○，膜１６を用い
ると、ＷＳｉゲート１３とＳｉｏ．膜１６の境界に接す
るガリウムヒ素基板１１表面で顕著にガリウム（Ｇａ）
元素やヒ素（Ａｓ）元素がぬけるエッチング溝１９が形
威される．これは、Ｓｉｏ２中に含まれている酸素がＧ
ａと結合して安定な酸化ガリウム（Ｇａ，○，）を形戊
する反応が、境界で集中して起きるもので，Ｓｉｎ，膜
１６が厚いほど大きくエッチングされ、数百人の大きさ
になるという問題があった。
ると、ＷＳｉゲート１３とＳｉｏ．膜１６の境界に接す
るガリウムヒ素基板１１表面で顕著にガリウム（Ｇａ）
元素やヒ素（Ａｓ）元素がぬけるエッチング溝１９が形
威される．これは、Ｓｉｏ２中に含まれている酸素がＧ
ａと結合して安定な酸化ガリウム（Ｇａ，○，）を形戊
する反応が、境界で集中して起きるもので，Ｓｉｎ，膜
１６が厚いほど大きくエッチングされ、数百人の大きさ
になるという問題があった。
このようなエッチング溝ｌ９は，例えば，電流の減少、
閾値電圧のばらつき、耐圧の減少として現われトランジ
スタの特性を低下させるという問題があった。
閾値電圧のばらつき、耐圧の減少として現われトランジ
スタの特性を低下させるという問題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、エッチング溝の
発生しない、安定したＦＥＴ等が得られる化合物半導体
装置の製造方法を提供するものである． （課題を解決するための手段） 上記の課題を解決するため、本発明は，拡散熱処理時に
保護膜として用いるＳｉｎ２膜の膜厚を３００Ａ以下に
して、アニールによって起きるＷ Ｓ ｉゲートとＳｉ
ｎ，膜の境界で発生するエッチングを？えるものである
． （作 用） 上記の構成により，ＳｉＯ■膜の膜厚に比例するＳｉｏ
，によるＧａ，Ｏ，の形或反応が少なくなるので、ガリ
ウムヒ素基板のエッチングを防ぐことができる。
発生しない、安定したＦＥＴ等が得られる化合物半導体
装置の製造方法を提供するものである． （課題を解決するための手段） 上記の課題を解決するため、本発明は，拡散熱処理時に
保護膜として用いるＳｉｎ２膜の膜厚を３００Ａ以下に
して、アニールによって起きるＷ Ｓ ｉゲートとＳｉ
ｎ，膜の境界で発生するエッチングを？えるものである
． （作 用） 上記の構成により，ＳｉＯ■膜の膜厚に比例するＳｉｏ
，によるＧａ，Ｏ，の形或反応が少なくなるので、ガリ
ウムヒ素基板のエッチングを防ぐことができる。
（実施例）
本発明の一実施例を従来例と同じＭＥＳＦＥＴを例とし
て第１図により説明する． 第ｌ図（ａ）ないし（ａ）は，本発明によるＭＥＳＦＥ
Ｔの製造方法を工程順に示す要部拡大断面図で、１は半
絶縁性ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板，２は活性層、３
はＷＳｉゲート，４は低濃度（ｎ′）拡散領域，５は高
濃度（ｎ０）拡散領域，６は二酸化ケイ素（ＳｉＯ■）
膜、７は窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜，８はオーミック電極
である．第３図（ａ）ないし（ｓ）に示した従来例と異
なる点は、第１図（ｃ）で、ＣＶＤ法などにより厚さ３
００人以下のＳｉｏ，膜６を形成した点と，第１図（ｄ
）の拡散熱処理で，水素雰囲気の拡散熱処理炉の中で、
温度８２０℃で１５分間拡散を行う点である．その他は
従来例と変わらないので、その説明を省略する． なお、本実施例では、Ｓｉｎ．膜６の厚さを３００大と
したが、それ以下の膜厚あるいは、Ｓｉｏ，膜６を形威
しなくてもよい．また、Ｓｉｏ．膜６を単独膜として用
いたが、その上に例えばＷ Ｓ ｉ Ｎのような高融点
金属を蒸着した２層以上の膜か、あるいは．Ｓｉｎ．膜
６なしに、高融点金属の単独膜を用いてもよい．要は，
０〜３００人の膜厚でＳｉｏ．膜６を設定することであ
る。
て第１図により説明する． 第ｌ図（ａ）ないし（ａ）は，本発明によるＭＥＳＦＥ
Ｔの製造方法を工程順に示す要部拡大断面図で、１は半
絶縁性ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板，２は活性層、３
はＷＳｉゲート，４は低濃度（ｎ′）拡散領域，５は高
濃度（ｎ０）拡散領域，６は二酸化ケイ素（ＳｉＯ■）
膜、７は窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜，８はオーミック電極
である．第３図（ａ）ないし（ｓ）に示した従来例と異
なる点は、第１図（ｃ）で、ＣＶＤ法などにより厚さ３
００人以下のＳｉｏ，膜６を形成した点と，第１図（ｄ
）の拡散熱処理で，水素雰囲気の拡散熱処理炉の中で、
温度８２０℃で１５分間拡散を行う点である．その他は
従来例と変わらないので、その説明を省略する． なお、本実施例では、Ｓｉｎ．膜６の厚さを３００大と
したが、それ以下の膜厚あるいは、Ｓｉｏ，膜６を形威
しなくてもよい．また、Ｓｉｏ．膜６を単独膜として用
いたが、その上に例えばＷ Ｓ ｉ Ｎのような高融点
金属を蒸着した２層以上の膜か、あるいは．Ｓｉｎ．膜
６なしに、高融点金属の単独膜を用いてもよい．要は，
０〜３００人の膜厚でＳｉｏ．膜６を設定することであ
る。
本実施例のように、Ｓｉｎ２膜６の厚さを３００ Ａ以
下にすると、Ｓｉｏ，膜６から供給される酸素が制限さ
れるため、酸化ガリウムの形或が抑えられて、エッチン
グ溝１９（第３図）が発生しない．次に、Ｓｉｏ．膜の
膜厚を３００λ以下とした理由について説明する． 第２図の横軸は問題とするＳｉｏ．膜の膜厚の大きさで
あり，縦軸はアニール後に発生するＧａＡｓのエッチン
グ溝の深さである。この結果によるとＳｉｎ，膜の膜厚
がＯのとき最も良＜ＦＥＴの電流も最も流れ易いが，通
常のＭＥＳＦＥＴの活性贋の深さが、浅いときには５０
０ Ａ程度であることを考慮すると、Ｓｉｎ．膜の膜厚
が３７０入まで厚くなるにしたがい，電流は流れにくく
なり、３７０入を越えるとエッチング溝が５００人を越
え、電流が全く流れなくなる．従って、最低限電流を流
すことを考えると、Ｓｉｎ．の膜厚は３００人以下が妥
当である． （発明の効果） 以」二説明したように、本発明によれば拡散熱処理時に
ＷＳｉゲートとＳｉｎ，膜の境界で顕著に発生していた
Ｇ ａ Ａ ｓ基板のエッチング溝がほとんど発生しな
いので、特性の安定した化合物半導体装置が得られる。
下にすると、Ｓｉｏ，膜６から供給される酸素が制限さ
れるため、酸化ガリウムの形或が抑えられて、エッチン
グ溝１９（第３図）が発生しない．次に、Ｓｉｏ．膜の
膜厚を３００λ以下とした理由について説明する． 第２図の横軸は問題とするＳｉｏ．膜の膜厚の大きさで
あり，縦軸はアニール後に発生するＧａＡｓのエッチン
グ溝の深さである。この結果によるとＳｉｎ，膜の膜厚
がＯのとき最も良＜ＦＥＴの電流も最も流れ易いが，通
常のＭＥＳＦＥＴの活性贋の深さが、浅いときには５０
０ Ａ程度であることを考慮すると、Ｓｉｎ．膜の膜厚
が３７０入まで厚くなるにしたがい，電流は流れにくく
なり、３７０入を越えるとエッチング溝が５００人を越
え、電流が全く流れなくなる．従って、最低限電流を流
すことを考えると、Ｓｉｎ．の膜厚は３００人以下が妥
当である． （発明の効果） 以」二説明したように、本発明によれば拡散熱処理時に
ＷＳｉゲートとＳｉｎ，膜の境界で顕著に発生していた
Ｇ ａ Ａ ｓ基板のエッチング溝がほとんど発生しな
いので、特性の安定した化合物半導体装置が得られる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による化合物半導体装置
（ＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を工程順に示す要部拡大断
面図、第２図はＳｉｏ，膜の厚さを３００入以下とした
理由を説明するための図、第３図は従来のＭＥＳＦＥＴ
の製造工程を工程順に示す要部拡大断面図である。 工 ・・・半絶縁性ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板、
２・・・活性層、 ３ ・・・ＷＳｉゲート，４・・・
低濃度（ｎ′）拡散領域， ５ ・・・高濃度（ｎ”）
拡散領域、 ６ ・・・二酸化ケイ素（Ｓｕｎ．）膜５
７・・・窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜、 ８・・・オーミ
ック電極。
（ＭＥＳＦＥＴ）の製造工程を工程順に示す要部拡大断
面図、第２図はＳｉｏ，膜の厚さを３００入以下とした
理由を説明するための図、第３図は従来のＭＥＳＦＥＴ
の製造工程を工程順に示す要部拡大断面図である。 工 ・・・半絶縁性ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板、
２・・・活性層、 ３ ・・・ＷＳｉゲート，４・・・
低濃度（ｎ′）拡散領域， ５ ・・・高濃度（ｎ”）
拡散領域、 ６ ・・・二酸化ケイ素（Ｓｕｎ．）膜５
７・・・窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜、 ８・・・オーミ
ック電極。
Claims (1)
- 化合物半導体基板の表面に、選択的に高融点金属膜パタ
ーンを形成する工程と、上記の高融点金属パターンを含
め上記の化合物半導体基板の表面に酸化ケイ素膜を堆積
する工程と、上記の化合物半導体基板に注入されたイオ
ンを拡散する熱処理工程からなる化合物半導体装置の製
造方法において、上記の酸化ケイ素膜の膜厚を３００Å
以下とし、拡散熱処理を温度８２０℃水素雰囲気炉中で
行うことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18615789A JPH0352238A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18615789A JPH0352238A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352238A true JPH0352238A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16183380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18615789A Pending JPH0352238A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352238A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004056593A1 (de) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Daimlerchrysler Ag | Verfahren zum betreiben einer klimaanlage |
| JP2008539915A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-11-20 | スポーツ アンド サポーツ リミテッド | コルセット |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18615789A patent/JPH0352238A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004056593A1 (de) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Daimlerchrysler Ag | Verfahren zum betreiben einer klimaanlage |
| JP2008539915A (ja) * | 2005-05-10 | 2008-11-20 | スポーツ アンド サポーツ リミテッド | コルセット |
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