JPS5857752A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5857752A JPS5857752A JP15570281A JP15570281A JPS5857752A JP S5857752 A JPS5857752 A JP S5857752A JP 15570281 A JP15570281 A JP 15570281A JP 15570281 A JP15570281 A JP 15570281A JP S5857752 A JPS5857752 A JP S5857752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- semiconductor
- temperature
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 2
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000029052 metamorphosis Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、とくに高抵抗性基板上
に設けられた半導体結晶層表面にショット中バリア穀触
鉦の電極を有すゐ半導体装１１１１りＩ！造方法に関す
る。
に設けられた半導体結晶層表面にショット中バリア穀触
鉦の電極を有すゐ半導体装１１１１りＩ！造方法に関す
る。
高抵抗性基板上の半導体結晶層を能ｗＪ累子とする半導
体装置は、 １） 電極バッド等の対地寄生要量が
小さい、２）素子間分離が容易である等の特続を持って
おり、超高周波、あるいは超高速スイ、チ／グ索子とし
て適している。その最も良い例が半絶縁性（８，１，）
ＧａＡｓ上のｎ聾（）ａＡｓ 層を用いたＧａ Ａ
ｓシ１．トキーバリ７・ゲート聾電界効果トランジスタ
（ＧＨＡ ｓ Ｍｇ８ ？ ＥＴ ）である。
体装置は、 １） 電極バッド等の対地寄生要量が
小さい、２）素子間分離が容易である等の特続を持って
おり、超高周波、あるいは超高速スイ、チ／グ索子とし
て適している。その最も良い例が半絶縁性（８，１，）
ＧａＡｓ上のｎ聾（）ａＡｓ 層を用いたＧａ Ａ
ｓシ１．トキーバリ７・ゲート聾電界効果トランジスタ
（ＧＨＡ ｓ Ｍｇ８ ？ ＥＴ ）である。
ＵａＡｓ Ｍｇ８ＦＥＴは１９７０年代に活発に研究開
発され、今では、従来の８１バイポーラトランジスタの
特性を完全に凌ぎ、数ギガヘルツ（ＧＨπ）以上のマイ
ク−波帯でのキー・デバイスとなっている。
発され、今では、従来の８１バイポーラトランジスタの
特性を完全に凌ぎ、数ギガヘルツ（ＧＨπ）以上のマイ
ク−波帯でのキー・デバイスとなっている。
また鰻近、ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ を１％巡スイ、
チングデバイスとして用いるｕａＡ龜ディジタルＩ（，
１０研究も活発に屈められている。スイッチング用の（
ｉｌＡ、 ｂｌｈＳＦｇＴ ｉｔ従来のマイクａａ４ｆ
で使われるＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ と基本的には同
じものであるが、スイッチング用ＰＥＴの場合には消費
電力を小さくするため１ｃＧａＡｓｌｌｌｆｂ作層の厚
み’に４＜ｔ、なければならない点が両者の間の重要な
相異点であふ。
チングデバイスとして用いるｕａＡ龜ディジタルＩ（，
１０研究も活発に屈められている。スイッチング用の（
ｉｌＡ、 ｂｌｈＳＦｇＴ ｉｔ従来のマイクａａ４ｆ
で使われるＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ と基本的には同
じものであるが、スイッチング用ＰＥＴの場合には消費
電力を小さくするため１ｃＧａＡｓｌｌｌｆｂ作層の厚
み’に４＜ｔ、なければならない点が両者の間の重要な
相異点であふ。
特にゲート信号が叩加されない状態では素子に電流が流
れないノーマリオフ１１０ｍＡｓ ＩＣにおいてはｍ
ｊｉｌ Ｇ＠Ａ、６層の厚みは約８００Ｘと極めて薄く
しなければならない、ここで、ｎ ｍ ＧａＡｓ動作層
が極めて薄い場合に生じる問題点を明らかにし、その問
題を克服するために従来試みられている方法を示すｅ
ｐｇ ”図はＧａＡｓ １層Ｍ８ＦＲＴ の基本構造
を示す断面図であり、１１は例えばりｐＡ（Ｃｒ）ｔ−
ドープした半絶縁性ＧａＡ１基板、１２は例えばム畠Ｃ
ＩＢ −Ｇａ Ｈｔ系を用いて成長（ハロゲン法）さ
せたキャリア密度ｌＸ１０ｃｘ 、厚み８００λの！
ＩＪＩＩＧＩＩＡＩ結晶層、１３は例えばアルミニウム
（人りを用いたゲート電極、１４．１５はＡｕＧ。
れないノーマリオフ１１０ｍＡｓ ＩＣにおいてはｍ
ｊｉｌ Ｇ＠Ａ、６層の厚みは約８００Ｘと極めて薄く
しなければならない、ここで、ｎ ｍ ＧａＡｓ動作層
が極めて薄い場合に生じる問題点を明らかにし、その問
題を克服するために従来試みられている方法を示すｅ
ｐｇ ”図はＧａＡｓ １層Ｍ８ＦＲＴ の基本構造
を示す断面図であり、１１は例えばりｐＡ（Ｃｒ）ｔ−
ドープした半絶縁性ＧａＡ１基板、１２は例えばム畠Ｃ
ＩＢ −Ｇａ Ｈｔ系を用いて成長（ハロゲン法）さ
せたキャリア密度ｌＸ１０ｃｘ 、厚み８００λの！
ＩＪＩＩＧＩＩＡＩ結晶層、１３は例えばアルミニウム
（人りを用いたゲート電極、１４．１５はＡｕＧ。
台金よりなるオーム性電Ｊ１ｉ（１４：ソース電極、１
５ニドレイン電ｆｉ）である、裸の０ａｋＢｄ面に社非
常に高密度の表面単位が存在するために表面近傍の７エ
ルｊレベルが曲げられいわゆる表ｍｌ空乏層が生じてい
ることは広く認められており、第１図における１６はそ
の表面空乏層の領域を示す。
５ニドレイン電ｆｉ）である、裸の０ａｋＢｄ面に社非
常に高密度の表面単位が存在するために表面近傍の７エ
ルｊレベルが曲げられいわゆる表ｍｌ空乏層が生じてい
ることは広く認められており、第１図における１６はそ
の表面空乏層の領域を示す。
この表面空乏層は通常結晶表面から６００Ａ〜５ｏｏＸ
まで延びており、電気伝導に９！ＩＦ与する領域の厚み
を極めて薄くするため、第１図の構造においては。
まで延びており、電気伝導に９！ＩＦ与する領域の厚み
を極めて薄くするため、第１図の構造においては。
ゲート・ソース間、ゲート・ドレイ／間の抵抗が非常に
高くなり、スイッチング特性を著しく劣化させる。この
問題を避ける方法として、従来第２図（Ａ） 、 （Ｂ
） 、 （Ｃ） Ｋ示す方法が知られている。第２回内
はゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間の距離を０．
５μｍ以下と橋めて狭くした構造であるが、この様な構
造の素子の製造には極めて高精度な目合わせが要求され
るので、特別な方法を考案しない限り余り実用的とはｇ
い喝い、同図（Ｂ）はゲート電極Ｓ（チャンネル部）の
みを薄くし九いわゆる替セス（掘込み）＃＃造であるが
、掘込み深さの制御の問題、ウェーハ内での掘込み深さ
のばらつきの問題等が有り特にＩＣ化ｆ：考えた場合実
用的とはｄえない。同図（ｑは、ゲート金属ｔ−イオン
注入のマスクとして用い、ゲート金属をつげたままアニ
ールすることにより自己整合的にゲート電極に密着して
電極（ｎ ） を設けたものであるが、７二一ル温度が
通常８００℃〜９００℃と高いためゲート電極下の動作
層が熱変成を起こしやすい問題、さらＫは、ゲート金属
が上述の高温まで耐える必要があることからゲート金属
に対する選択の範囲が狭いとい５欠点があう九。
高くなり、スイッチング特性を著しく劣化させる。この
問題を避ける方法として、従来第２図（Ａ） 、 （Ｂ
） 、 （Ｃ） Ｋ示す方法が知られている。第２回内
はゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間の距離を０．
５μｍ以下と橋めて狭くした構造であるが、この様な構
造の素子の製造には極めて高精度な目合わせが要求され
るので、特別な方法を考案しない限り余り実用的とはｇ
い喝い、同図（Ｂ）はゲート電極Ｓ（チャンネル部）の
みを薄くし九いわゆる替セス（掘込み）＃＃造であるが
、掘込み深さの制御の問題、ウェーハ内での掘込み深さ
のばらつきの問題等が有り特にＩＣ化ｆ：考えた場合実
用的とはｄえない。同図（ｑは、ゲート金属ｔ−イオン
注入のマスクとして用い、ゲート金属をつげたままアニ
ールすることにより自己整合的にゲート電極に密着して
電極（ｎ ） を設けたものであるが、７二一ル温度が
通常８００℃〜９００℃と高いためゲート電極下の動作
層が熱変成を起こしやすい問題、さらＫは、ゲート金属
が上述の高温まで耐える必要があることからゲート金属
に対する選択の範囲が狭いとい５欠点があう九。
本発明は、従来提案されている方法における種々の欠点
に鑑みてなされたものであり、その目的紘、表面空乏層
の影響が軽減でき、しかも再現性。
に鑑みてなされたものであり、その目的紘、表面空乏層
の影響が軽減でき、しかも再現性。
量産性に豊んだ半導体装置の装造°方法を提供すること
にある。
にある。
本発明によれば、高抵抗性基板上に設けられた半導体層
表面の所定の領域に、該半導体層とシ１、ト午−接触を
なし、かつ該シ１．ト千−接触が５００’ｃ以上の高温
に耐えられる金属電極を形成する工程と、前記半導体層
表面に気相成長法により前記と同−導電層の半導体層表
面を形成する工程を含む半導体装置の製造方法が得られ
る。気相成長法としては従来のハロゲン法と、ＭＯＣＶ
Ｄ法が適用可能であるがここではまずハロゲン法を用い
た場合について実施例を示す、また以下の実施例では、
本発明による方法をＯａｋ＠ Ｍｌｉｔ８ＦＩＴ、の裏
ａＫ応用し丸鋼について示す。
表面の所定の領域に、該半導体層とシ１、ト午−接触を
なし、かつ該シ１．ト千−接触が５００’ｃ以上の高温
に耐えられる金属電極を形成する工程と、前記半導体層
表面に気相成長法により前記と同−導電層の半導体層表
面を形成する工程を含む半導体装置の製造方法が得られ
る。気相成長法としては従来のハロゲン法と、ＭＯＣＶ
Ｄ法が適用可能であるがここではまずハロゲン法を用い
た場合について実施例を示す、また以下の実施例では、
本発明による方法をＯａｋ＠ Ｍｌｉｔ８ＦＩＴ、の裏
ａＫ応用し丸鋼について示す。
第３図は、第１の実施例を説明するための図で主要工程
における素子断面図である。同図（Ａ）においてＳ、
Ｉ、 ＧａＡｓ １１上のａ ｍｌ ＧａＡｓ １２１
１ 爾Ｋ例えげタングステンＷ）３０を５０００Ａ Ｏ
厚さだけスパッタ蒸着法で付着せしめ、同図（Ｂ）にお
いて。
における素子断面図である。同図（Ａ）においてＳ、
Ｉ、 ＧａＡｓ １１上のａ ｍｌ ＧａＡｓ １２１
１ 爾Ｋ例えげタングステンＷ）３０を５０００Ａ Ｏ
厚さだけスパッタ蒸着法で付着せしめ、同図（Ｂ）にお
いて。
例えば所定の形状１（設けたホトレジスト腹３１をマス
クとしてスバ、タエ、チング法により不要な領域のＷ展
を除去する０次にホトレジスト３１７４３１を除去した
後１通常のＡｂｅｌ、系のハロゲン法により、例えば温
度６００℃において中ヤリアＩＩＩ度１ｘｌＯｗ＠度の
ｎ ｔｌｉ Ｇａム、ｊｌ［３２を付着せしめる。この
時のｎ ｍ ＧａＡｓ Ｍ ３２の厚みは例えば２００
０人とする。ハロゲン法においては、金属の表面に１２
：ｆｉ品層は成長せず、仮りに彼量に成梃しても非晶質
であるので抵抗も大きく全く問題はない。次にｍ３１Ｗ
（ＤＪに示すごとく、ソース、ドレイン電−１４．１５
ｔ−光に第１図において説明したと同様にｔｂ成すれば
ＧＩＡｓ ＭＦｆ８ＰＥＴ が得られる。この方法に
おいて製作されたａｍ人、 Ｍｇ８ＦＢＴにおいてはソ
ース・ｌゲート閾、ゲート・ドレイン間における０１人
ｌ結晶層の厚みが厚いため、先に第２図中）で示した□
セス構造と同様に表面空乏層の影響の小さいＧａＡｓ
ＭＥ８ＦＥＴが見られる。またハロゲン法での成長温度
は６００℃と低くしたため、先に第２図（Ｑにおいて説
明した如きチャンネル領域（ゲート電極直下゛）の熱変
成も起こり錐く、またシ１．トキー電極金属の耐熱性に
対する要求も緩和される。
クとしてスバ、タエ、チング法により不要な領域のＷ展
を除去する０次にホトレジスト３１７４３１を除去した
後１通常のＡｂｅｌ、系のハロゲン法により、例えば温
度６００℃において中ヤリアＩＩＩ度１ｘｌＯｗ＠度の
ｎ ｔｌｉ Ｇａム、ｊｌ［３２を付着せしめる。この
時のｎ ｍ ＧａＡｓ Ｍ ３２の厚みは例えば２００
０人とする。ハロゲン法においては、金属の表面に１２
：ｆｉ品層は成長せず、仮りに彼量に成梃しても非晶質
であるので抵抗も大きく全く問題はない。次にｍ３１Ｗ
（ＤＪに示すごとく、ソース、ドレイン電−１４．１５
ｔ−光に第１図において説明したと同様にｔｂ成すれば
ＧＩＡｓ ＭＦｆ８ＰＥＴ が得られる。この方法に
おいて製作されたａｍ人、 Ｍｇ８ＦＢＴにおいてはソ
ース・ｌゲート閾、ゲート・ドレイン間における０１人
ｌ結晶層の厚みが厚いため、先に第２図中）で示した□
セス構造と同様に表面空乏層の影響の小さいＧａＡｓ
ＭＥ８ＦＥＴが見られる。またハロゲン法での成長温度
は６００℃と低くしたため、先に第２図（Ｑにおいて説
明した如きチャンネル領域（ゲート電極直下゛）の熱変
成も起こり錐く、またシ１．トキー電極金属の耐熱性に
対する要求も緩和される。
次に、本発明の第２の実施例について説明する。
この場合の主要工程における素子断面図は第３図の場合
と同じである。本実施例が先の第１の実施例と興なる点
は、ｔＪ１３図Ｃ）において、トリメチルガリウム（Ｃ
Ｈｓ）ａＧａとアルシンＡｓＨ参 との熱分解を利用
し九ＭＯＣＶＤ法によりａ！ｌＧａＡｓ結晶層３２が得
られている点である。 ＭＯＣＶＤの条件としてはトリ
メチルガリウムが例えば１．５Ｘ１０”１１１ＨＪＩ、
アル、／／１．５Ｘ１０ ｗｘＨｌｌの雰囲気中で
５００℃の温度が適当である。ｎｌｌｌＧｓ人Ｓ結晶層
２２の厚みは、先の実施例と同様２０Ｇ０ Ａ＠度でよ
い。この実施例における長所は、ＭＯＣＶＤＯ場舎には
、先のハロゲン法における場合よりも更に低い温度で成
長可−である点であり、ゲート金属の耐温度性はｓ００
’ｃｌｉ＆でも適用可能である。
と同じである。本実施例が先の第１の実施例と興なる点
は、ｔＪ１３図Ｃ）において、トリメチルガリウム（Ｃ
Ｈｓ）ａＧａとアルシンＡｓＨ参 との熱分解を利用
し九ＭＯＣＶＤ法によりａ！ｌＧａＡｓ結晶層３２が得
られている点である。 ＭＯＣＶＤの条件としてはトリ
メチルガリウムが例えば１．５Ｘ１０”１１１ＨＪＩ、
アル、／／１．５Ｘ１０ ｗｘＨｌｌの雰囲気中で
５００℃の温度が適当である。ｎｌｌｌＧｓ人Ｓ結晶層
２２の厚みは、先の実施例と同様２０Ｇ０ Ａ＠度でよ
い。この実施例における長所は、ＭＯＣＶＤＯ場舎には
、先のハロゲン法における場合よりも更に低い温度で成
長可−である点であり、ゲート金属の耐温度性はｓ００
’ｃｌｉ＆でも適用可能である。
第４図は本発明の第３の実施例を説明するための図であ
る。先の第１．第２の実施例においては、ゲート電極（
ロ）の表面に何も付着せしめていないが、本実施例にお
いては、第４図体）でタングステンの表ｄｉａｒＣ５ｉ
ｆｔ １１ノ４ｅ＋ｍｊＫ （厚ミ２０００ Ａ ）
４１を通常のＣＶＤ法により付着せしめ、ゲート電伽を
タングステン／ ｓＩｏ、０２層構造としている（第４
が設げゆれているためグー）ｉ１！樹上への結晶の成員
は更に少なくなる。また必要によっては後で以上本発明
の夾−施例１ｒ詳しく説明したが、シ。
る。先の第１．第２の実施例においては、ゲート電極（
ロ）の表面に何も付着せしめていないが、本実施例にお
いては、第４図体）でタングステンの表ｄｉａｒＣ５ｉ
ｆｔ １１ノ４ｅ＋ｍｊＫ （厚ミ２０００ Ａ ）
４１を通常のＣＶＤ法により付着せしめ、ゲート電伽を
タングステン／ ｓＩｏ、０２層構造としている（第４
が設げゆれているためグー）ｉ１！樹上への結晶の成員
は更に少なくなる。また必要によっては後で以上本発明
の夾−施例１ｒ詳しく説明したが、シ。
、トキー金属としてｒｉＷに限ることｒｌｌなく、実施
例の龜明かりも解る工５にハロゲン法、ＭＯＣＶＤ法に
よる気相成長温ｆＫ耐えればよい、 ＭＯＣＶＤ法では
３００℃〜４００℃と低温でも成長可能であるが結晶性
等考慮すると５００℃程度以上で成長させることが好ま
しく、この点を考慮するとシ１．トキー金属としてはｓ
ｏｏ’ｃ以上の温度に耐えるものが好ましい０例えば、
Ｍ＠、Ｔｉ・Ｗ合金でもよく。
例の龜明かりも解る工５にハロゲン法、ＭＯＣＶＤ法に
よる気相成長温ｆＫ耐えればよい、 ＭＯＣＶＤ法では
３００℃〜４００℃と低温でも成長可能であるが結晶性
等考慮すると５００℃程度以上で成長させることが好ま
しく、この点を考慮するとシ１．トキー金属としてはｓ
ｏｏ’ｃ以上の温度に耐えるものが好ましい０例えば、
Ｍ＠、Ｔｉ・Ｗ合金でもよく。
また多層金属でもよい、また本発明の実施例では、Ｇ１
ム、 Ｍｇ８ＰＲ’ｒ を製造する場合について示し
たが１本発明による製造方法はＧａＡ−ＭＢＳＦ！！、
Ｔ の製造に限られることはなく、ＩｎＰ 、 ＧａＡ
１人−等の傭の結晶を用いたデバイスにも適用てきるこ
と杜言うまでもない。
ム、 Ｍｇ８ＰＲ’ｒ を製造する場合について示し
たが１本発明による製造方法はＧａＡ−ＭＢＳＦ！！、
Ｔ の製造に限られることはなく、ＩｎＰ 、 ＧａＡ
１人−等の傭の結晶を用いたデバイスにも適用てきるこ
と杜言うまでもない。
纂１図はＧ、Ａ、 ＭＢ８ＰＭＴ Ｏ基本構造を示す図
、第２図はＧａＡ＠Ｍｆｆ８ＰＥＴ の従来の製造方
法を説明するための図、第３図、第４図は本発明の各実
施例を説明する丸めの図である０図において。 １１−一半絶縁性Ｇａ人３基板、１２−ｎ戯（ｊｍＡｓ
ｉｆｆ晶層１ｌ３−ゲート電極、１４・−ソース電極
。 １５・−ドレイン電橋、３０・−タングステン膜、３１
−ホトレジスト族、３２−ｎ型ＧａＡ＠結晶層、４ｌ−
８ｉｏ、＊＠ −一、ｒ−７／ 一＼？ ／ ／ ｌＸ−一ノ／ ／′Ｌ／ｌｌ 第２図 １／２ ／２−” ＼（−／ ／
−／”／／第３図 第４図
、第２図はＧａＡ＠Ｍｆｆ８ＰＥＴ の従来の製造方
法を説明するための図、第３図、第４図は本発明の各実
施例を説明する丸めの図である０図において。 １１−一半絶縁性Ｇａ人３基板、１２−ｎ戯（ｊｍＡｓ
ｉｆｆ晶層１ｌ３−ゲート電極、１４・−ソース電極
。 １５・−ドレイン電橋、３０・−タングステン膜、３１
−ホトレジスト族、３２−ｎ型ＧａＡ＠結晶層、４ｌ−
８ｉｏ、＊＠ −一、ｒ−７／ 一＼？ ／ ／ ｌＸ−一ノ／ ／′Ｌ／ｌｌ 第２図 １／２ ／２−” ＼（−／ ／
−／”／／第３図 第４図
Claims (1)
- 高抵抗性基板上に設けちれた半導体結晶層表面の所定の
領域に、該半導体結晶層とシ、、トキー接触をなし、か
つ該シ、、）キー接触が５００℃以上の高温に耐えられ
る金属電極を形成する工程と、前記半導体結晶層表面に
気相成長法により前記半導体結晶と同一導電ｊｌＯ牛導
体結晶層を形成する工、ｉ！を含むことを特徴とする半
導体装置Ｃ＋ｍ造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570281A JPS5857752A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570281A JPS5857752A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857752A true JPS5857752A (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=15611643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15570281A Pending JPS5857752A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857752A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898982A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 砒化ガリウムｍｅｓｆｅｔ素子の製造方法 |
| JPS5979576A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置 |
| JPS59222965A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-14 | Nec Corp | シヨツトキ−障壁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS6077468A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS60136264A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61220476A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Fumio Hasegawa | ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及びその製造方法 |
| JPS62257769A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-10 | Hitachi Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322378A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Fujitsu Ltd | Production of field effect transistor s |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15570281A patent/JPS5857752A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322378A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-01 | Fujitsu Ltd | Production of field effect transistor s |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898982A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-13 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 砒化ガリウムｍｅｓｆｅｔ素子の製造方法 |
| JPS5979576A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置 |
| JPH0429225B2 (ja) * | 1982-10-29 | 1992-05-18 | ||
| JPS59222965A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-14 | Nec Corp | シヨツトキ−障壁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS6077468A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPH0326537B2 (ja) * | 1983-10-04 | 1991-04-11 | Nippon Electric Co | |
| JPS60136264A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0216008B2 (ja) * | 1983-12-23 | 1990-04-13 | Nippon Electric Co | |
| JPS61220476A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Fumio Hasegawa | ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及びその製造方法 |
| JPS62257769A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-10 | Hitachi Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107768252A (zh) | 一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构及其制备方法 | |
| CN105789315A (zh) | 一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管及其制备方法 | |
| JPS5857752A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03262136A (ja) | シリコン基板上に第３族−第５族材料で製造された高性能トランジスタの改良及びその製造方法 | |
| JPH0613411A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS59222965A (ja) | シヨツトキ−障壁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| KR100261461B1 (ko) | 비대칭 리쎄스 구조를 갖는 화합물반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR920004365B1 (ko) | 매립형 저항성 접촉의 형성방법 | |
| KR20000039191A (ko) | 계단형 게이트 전극을 구비한 화합물반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS62156877A (ja) | シヨツトキ−ゲ−ト電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH0831846A (ja) | 高耐圧ｆｅｔを作製する方法 | |
| JPS583303Y2 (ja) | シヨツトキバリアダイオ−ド | |
| JPS6057977A (ja) | シヨツトキゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH05129345A (ja) | マイクロ波集積回路の製造方法 | |
| JPH0563946B2 (ja) | ||
| JPH0697430A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ | |
| JPH05114615A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07201887A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| KR940010558B1 (ko) | 전자의 파동성을 이용한 수직형 게이트의 양자간섭 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH05206171A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6143443A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0216008B2 (ja) | ||
| JPS59161076A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61174671A (ja) | シヨツトキ接合型半導体装置及びその製法 | |
| JPS59161878A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 |