JPS60123061A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60123061A JPS60123061A JP23083983A JP23083983A JPS60123061A JP S60123061 A JPS60123061 A JP S60123061A JP 23083983 A JP23083983 A JP 23083983A JP 23083983 A JP23083983 A JP 23083983A JP S60123061 A JPS60123061 A JP S60123061A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- diffusion layer
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- wiring
- aluminum
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体装置は最近ますます高密度化、高性能化されてい
る。
る。
以下に図面を参照しながら従来の半導体装置について説
明する。
明する。
第１図は従来の半導体装置のＭＯ８４界効果トランジス
タの断面図を示すものであり、１はＰ形半導体基板、２
はＮ膨拡散層、３は層間絶縁膜、４はアルミニウム配線
、５はコンタクトホールである。
タの断面図を示すものであり、１はＰ形半導体基板、２
はＮ膨拡散層、３は層間絶縁膜、４はアルミニウム配線
、５はコンタクトホールである。
上記のような構成では、アルミニウム配線４を形成する
場合、アルミニウムがＮ膨拡散層２を突き抜けて、Ｐ形
基板１と短絡することがあり、又、コンタクトホール６
のマスク合せかずれると、アルミニウム配線４がＰ形基
板１と短絡する。またアルミニウム配線４がコンタクト
ホール５」二で凹部を形成し、断線するという問題点を
有していた。
場合、アルミニウムがＮ膨拡散層２を突き抜けて、Ｐ形
基板１と短絡することがあり、又、コンタクトホール６
のマスク合せかずれると、アルミニウム配線４がＰ形基
板１と短絡する。またアルミニウム配線４がコンタクト
ホール５」二で凹部を形成し、断線するという問題点を
有していた。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、配線金属
の拡散層の突き抜けが全くなく、コンタクトホールのマ
スク合せがずれても配線が基板と短絡せず、丑だ前記配
線が平坦化される半導体装置を提供するものである。
の拡散層の突き抜けが全くなく、コンタクトホールのマ
スク合せがずれても配線が基板と短絡せず、丑だ前記配
線が平坦化される半導体装置を提供するものである。
発明の構成
本発明は、基板と反対導電型の拡散層と金属配線との間
に前記拡散層と同一導電型のシリコンを設けた半導体装
置であり、この構成により電極の前記拡散層突き抜けが
防止され、コンタクトホールのマスク合せがずれても前
記配線が前記基板と短絡せず前記配線の平坦化が可能と
なる。
に前記拡散層と同一導電型のシリコンを設けた半導体装
置であり、この構成により電極の前記拡散層突き抜けが
防止され、コンタクトホールのマスク合せがずれても前
記配線が前記基板と短絡せず前記配線の平坦化が可能と
なる。
実施例の説明
第２図は本発明の実施例忙おけるＭＯ８電界効果トラン
ジスタの断面図であり、１はＰ形半導体基板、２はＮ膨
拡散層、３は層間絶縁膜、４はアルミニウム配線、６は
コンタクトホール、６はＮ形シリコンである。
ジスタの断面図であり、１はＰ形半導体基板、２はＮ膨
拡散層、３は層間絶縁膜、４はアルミニウム配線、６は
コンタクトホール、６はＮ形シリコンである。
本実施例では、Ｎ膨拡散層２を形成したのちシランガス
を用いたＣＶＤ法により１μｍ厚のＳ ｉ ０２からな
る層間絶縁膜３を形成し、反応性イオンエツチングでコ
ンタクトホール５を開けた。次に選択エピタキシャル成
長によりシランガスとホスフィンガスを用いてコンタク
トホール６中ＫＮ形シリコン６を形成し、１μｍのアル
ミニウム配線４ヲ行ない、コンタクトを形成した。
を用いたＣＶＤ法により１μｍ厚のＳ ｉ ０２からな
る層間絶縁膜３を形成し、反応性イオンエツチングでコ
ンタクトホール５を開けた。次に選択エピタキシャル成
長によりシランガスとホスフィンガスを用いてコンタク
トホール６中ＫＮ形シリコン６を形成し、１μｍのアル
ミニウム配線４ヲ行ない、コンタクトを形成した。
以上のように本実施例によれば、Ｎ膨拡散層２とアルミ
ニウム配線４の間のコンタクトを形成する場合、コンタ
クトホール５中にＮ形シリコン６を設けることにより、
アルミニウム４のＮ膨拡散層２の突き抜けが防止され、
コンタクトホール５のマスク合せが多少ずれだ場合でも
、Ｎ形シリコン６とＰ形基板１でＰＮ接合が形成される
ので、アルミニウム配線４７５？ Ｐ形基板１と短絡す
ることがなく、またアルミニウム配線４の平・担化が可
能となる。
ニウム配線４の間のコンタクトを形成する場合、コンタ
クトホール５中にＮ形シリコン６を設けることにより、
アルミニウム４のＮ膨拡散層２の突き抜けが防止され、
コンタクトホール５のマスク合せが多少ずれだ場合でも
、Ｎ形シリコン６とＰ形基板１でＰＮ接合が形成される
ので、アルミニウム配線４７５？ Ｐ形基板１と短絡す
ることがなく、またアルミニウム配線４の平・担化が可
能となる。
発明の効果
以上のように本発明は、拡散層と金属配線とのコンタク
トを形成する場合、層間絶縁膜のコンタ 。
トを形成する場合、層間絶縁膜のコンタ 。
クトホール中に前記拡散層と同一導電型のシリコンを設
けることにより、金属の前記拡散層の突き抜けを防止し
、コンタクトホールのマスク合せかずれた場合でも前記
配線が基板と短絡せずまた、配線を平坦化することがで
き、その実用的効果は大きい。
けることにより、金属の前記拡散層の突き抜けを防止し
、コンタクトホールのマスク合せかずれた場合でも前記
配線が基板と短絡せずまた、配線を平坦化することがで
き、その実用的効果は大きい。
第１図は従来のＭＯ８電界効果トランジスタの断面図、
第２図は本発明の実施例におけるＭＯ８電界効果トラン
ジスタの断面図である。 １・・・・・・Ｐ形半導体基板、２・・・・・・Ｎ膨拡
散層、３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・アル
ミニウム配線、５・・・・・・コンタクトホール、６・
・・−・・Ｎ形シリコン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏男 ほか１名第１図 第２図
第２図は本発明の実施例におけるＭＯ８電界効果トラン
ジスタの断面図である。 １・・・・・・Ｐ形半導体基板、２・・・・・・Ｎ膨拡
散層、３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・アル
ミニウム配線、５・・・・・・コンタクトホール、６・
・・−・・Ｎ形シリコン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏男 ほか１名第１図 第２図
Claims (1)
- 一導電型のシリコン基板の表面に前記−導電型とは反対
導電型の拡散層が形成されるとともに、前記拡散層の上
に開孔部を有する絶縁膜が前記基板の上に形成され、前
記開孔部に前記反対導電型のシリコンが埋設され、前記
シリコンに金属配線が接続されていることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23083983A JPS60123061A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23083983A JPS60123061A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123061A true JPS60123061A (ja) | 1985-07-01 |
Family
ID=16914088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23083983A Pending JPS60123061A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123061A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235774A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPH02278769A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP0410390A2 (en) * | 1989-07-27 | 1991-01-30 | Seiko Instruments Inc. | Method of producing semiconductor device |
| JPH0392984A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-18 | Nippon Denki Sekiyuritei Syst Kk | 画像入力装置 |
-
1983
- 1983-12-07 JP JP23083983A patent/JPS60123061A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235774A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPH02278769A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP0410390A2 (en) * | 1989-07-27 | 1991-01-30 | Seiko Instruments Inc. | Method of producing semiconductor device |
| US6329274B1 (en) | 1989-07-27 | 2001-12-11 | Seiko Instruments Inc. | Method of producing semiconductor device |
| JPH0392984A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-18 | Nippon Denki Sekiyuritei Syst Kk | 画像入力装置 |
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