JPS60167356A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は固体撮像装置等の半導体装置に関するものであ
る。

従来例の構成とその問題点 近年、半導体装置はます捷す高密度化、高性能化されて
いる。

以下に従来の半導体装置について説明する。

第１図は従来の半導体装置のＭＯＳ電解効果トランジス
タの断面図を示すものであり、１は一伝導形の半導体基
板、２はフィールド酸化膜、３は他伝導形拡散層、４は
ゲート酸化膜、５はゲート電極、６は層間絶縁膜、７は
アルミニウム配線である。

しかしながら、上記のような構成では、エレクトロマイ
グレーションを抑制するためＶこアルミニウム配線７中
に混合されているＣμ原子が、ＰＮ接合中に拡散し、空
乏層内に配位すると、ＰＮ接合のリーク電流を増大させ
るという問題があった。

またアルミニウム配線７により凹凸か形成され、上記配
線よＱ上での平担化が困難であるという問題点を有して
いた。

発明の目的 本発明は上記従来の問題点を解消するもので、ＰＮ接合
のリーク電流の原因となるＣμ原子を用いずにエレクト
ロマイグレーションを抑止し、ＰＮ接合のリーク電流を
減少させ、かつ平担化の可能な半導体装置を提供するこ
とを目的とする。

発明の構成 本発明は、絶縁膜のコンタクトホール中に基板と反対仏
心形シリコン層が形成され、絶縁膜、シリコン層上に不
純物をドープしたポリアセチレンからなる配線と配線間
の絶縁用の不純物とドープしないポリアセチレンからな
る層とが形成された半導体装置であシ、この構成により
、エレクトロマイグレーションは発生せず、ＰＮ接合の
リーク電流は減少し、また平担化も可能と々る。

実施例の説明 第２図は本発明の実施例における半導体装置のＭＯＳ電
界効果トランジスタの断面図を示すものである。１は一
伝導形の半導体基板、２はフィールド酸化膜、３は反対
伝導膨拡散層、４はゲート酸化膜、５はゲート電極、６
は層間絶縁膜、８は不純物をドープしたポリアセチレン
、９は不純物をドープしないポリアセチレン、１０は反
対伝導形シリコン層である。

本実施例では、ＣＶＤ法によりＳ　ｉｏ２膜を成長させ
、層間絶縁膜６を形成し、コンタクトホールをあけ、そ
こに、ｎ形シリコンＮｒ１０”ｋ選択エピタキシャル課
長により形成し、その後ポリアセチレンを全面に付着さ
ぜた。次に、光リングラフィ技術を用いて、配線部分ヲ
ハターニングし、配線部分にＡｓ原子をドープした。

以上のように本実施例によれば、コンタクトホール中に
反対伝導形シリコン層とその上部に配線用の不純物をド
ープしたポリアセチレンと上記配線の絶縁用の不純物を
ドープしないポリアセチレンを設けることにより、エレ
クトロマイグレーションの抑止、ＰＮ接合のリーク電流
の減少、また平担化を可能とすることができる。

発明の効果 本発明の半導体装置は、コンタクトホール中に反対仏心
形のシリコン島と配線用の不純物をドープしたポリアセ
チレンと上記配線の絶縁用の不純物をドープしないポリ
アセチレンを設けることにより、エレクトロマイグレー
ションの抑止、ＰＮ接合のリーク電流の減少、また平担
化が可能とな９、その実用的効果は太きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半導体装置のＭＯＳ電界効果トランジス
タの断面図、第２図は本発明の半導体装置のＭＯＳ電界
効果トランジスタの断面図である。 １・・・・・・−伝導形半導体基板、６・・・・・・層
間絶縁膜、７・・・・・・アルミニウム配線、８・・・
・・・不純物をドープしたポリアセチレン、９・・・・
・・不純物をドープしないポリアセチレン、１０・・・
・・・反対伝導形シリコン層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 一伝導形半導体基板表面に形成された反対伝導形不純物
   層上に絶縁膜のコンタクトホールが形成され、前記コン
   タクトホール中には反対伝導形のシリコン層が埋設形成
   され、前記絶縁膜及びシリコン層上にはポリアセチレン
   層が形成されており、前記ポリアセチレン層には選択的
   に不純物がドープされ、このドープされた部分が前記シ
   リコン層に接続された配線となることを特徴とする半導
   体装置。