JPS62235774A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62235774A JPS62235774A JP7976786A JP7976786A JPS62235774A JP S62235774 A JPS62235774 A JP S62235774A JP 7976786 A JP7976786 A JP 7976786A JP 7976786 A JP7976786 A JP 7976786A JP S62235774 A JPS62235774 A JP S62235774A
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- Japan
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- electrode
- silicon
- insulating film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置特に低コンタクト抵抗を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
従来の技術
従来の半導体装置は第２図に示すような構成であった。
ｐ型基板上のｎ型拡散層にアルミニウムコンタクトが取
られる場合、コンタクト抵抗低減のためアルミニウム配
線形成前にコンタクト窓か２ページ らシリコン基板に高濃度のリンが注入され、アルミニウ
ムー拡散層間のコンタクトの構造は第２図のようになる
。第２図においてはｐ型シリコン基板１上にｎ型拡散層
２、ＬＯＣＯ８酸化膜３、絶縁膜４、アルミニウム電極
７を形成した構造となっている。
られる場合、コンタクト抵抗低減のためアルミニウム配
線形成前にコンタクト窓か２ページ らシリコン基板に高濃度のリンが注入され、アルミニウ
ムー拡散層間のコンタクトの構造は第２図のようになる
。第２図においてはｐ型シリコン基板１上にｎ型拡散層
２、ＬＯＣＯ８酸化膜３、絶縁膜４、アルミニウム電極
７を形成した構造となっている。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、コンタクト窓が微細になる
に従い、アルミニウム等の金属が十分に充填されないか
あるいは配線金属がシリコンを含むアルミニウムであれ
ばコンタクト部分にシリコンが析出することによりコン
タクト抵抗が増大することになる。
に従い、アルミニウム等の金属が十分に充填されないか
あるいは配線金属がシリコンを含むアルミニウムであれ
ばコンタクト部分にシリコンが析出することによりコン
タクト抵抗が増大することになる。
このような構造の電極を用いた場合、アナログ素子にお
いては、配線一基板間のコンタクト械抗が高くなるにつ
れてオン抵抗が増大する等の問題点が生じる。まだ、デ
ィジタル素子においてもコンタクト抵抗が高いために電
気特性不良になることがしばしばある。更に、超ＬＳＩ
装置においては集積度を増すためにコンタクト窓の大き
さが非３ページ 常に小さくなりコンタクト抵抗が増大するという問題が
生じる等の問題があった。
いては、配線一基板間のコンタクト械抗が高くなるにつ
れてオン抵抗が増大する等の問題点が生じる。まだ、デ
ィジタル素子においてもコンタクト抵抗が高いために電
気特性不良になることがしばしばある。更に、超ＬＳＩ
装置においては集積度を増すためにコンタクト窓の大き
さが非３ページ 常に小さくなりコンタクト抵抗が増大するという問題が
生じる等の問題があった。
本発明は、このような問題点を解決するだめのもので、
拡散層と金属電極のコンタクト抵抗を低減し、さらに金
属電極の被覆形状を改善した電極構造を提供することを
目的とするものである。
拡散層と金属電極のコンタクト抵抗を低減し、さらに金
属電極の被覆形状を改善した電極構造を提供することを
目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
前記の問題点を解決するために本発明は、半導体基板の
表面近傍の所定の領域に、一導電型の不純物拡散領域を
有し、前記拡散領域上に開孔部を有する絶縁膜を前記半
導体基板上に有し、前記開孔部内にチタニウム膜と前記
拡散層と同導電型の低抵抗半導体層とが順次積層され、
前記半導体層に附着した電極、配線用の導電層を前記絶
縁膜上に有する事を特徴とする半導体装置を提供する。
表面近傍の所定の領域に、一導電型の不純物拡散領域を
有し、前記拡散領域上に開孔部を有する絶縁膜を前記半
導体基板上に有し、前記開孔部内にチタニウム膜と前記
拡散層と同導電型の低抵抗半導体層とが順次積層され、
前記半導体層に附着した電極、配線用の導電層を前記絶
縁膜上に有する事を特徴とする半導体装置を提供する。
作 用
この構成によシ微細なコンタクト窓でも金属配線の段切
れは無く、チタニウムが配線金属のマイグレーションの
バリアとして働くためにコンタクト抵抗の小さな金属配
線を安定して形成することができる。
れは無く、チタニウムが配線金属のマイグレーションの
バリアとして働くためにコンタクト抵抗の小さな金属配
線を安定して形成することができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例による電極構造の断面図であ
る。第１図において、１はｐ型シリコン基板、２はｎ型
拡散層、３はＬＯＣＯ８酸化膜、４は絶縁膜、５は低抵
抗シリコン、６はチタニウム膜、７はアルミニウム電極
である。すなわち、コンタクト窓内の一部に低抵抗シリ
コン層及びチタニウム膜が埋込まれている点が従来と異
なっている。この構造によれば、電極金属としてシリコ
ンを含むアルミニウムを用いた場合でもシリコンのコン
タクト部への析出が抑えられコンタクト抵抗の低減につ
ながる。また、例えばＯ，ＳμｍＸ０．８μｍのサイズ
のコンタクト窓が１μｍ厚の絶縁膜に形成された場合で
も、０．５μｍの厚みでシリコンを充填することにより
電極金属の被覆形状も良好となり配線抵抗の低減につな
がる。
る。第１図において、１はｐ型シリコン基板、２はｎ型
拡散層、３はＬＯＣＯ８酸化膜、４は絶縁膜、５は低抵
抗シリコン、６はチタニウム膜、７はアルミニウム電極
である。すなわち、コンタクト窓内の一部に低抵抗シリ
コン層及びチタニウム膜が埋込まれている点が従来と異
なっている。この構造によれば、電極金属としてシリコ
ンを含むアルミニウムを用いた場合でもシリコンのコン
タクト部への析出が抑えられコンタクト抵抗の低減につ
ながる。また、例えばＯ，ＳμｍＸ０．８μｍのサイズ
のコンタクト窓が１μｍ厚の絶縁膜に形成された場合で
も、０．５μｍの厚みでシリコンを充填することにより
電極金属の被覆形状も良好となり配線抵抗の低減につな
がる。
尚、この実施例においては、ｐ型シリコン基板内のｎ型
拡散層に低抵抗ｎ型シリコンを用いたが、ｎ型シリコン
基板内のｐ型拡散層に低抵抗ｐ型シ５ページ リコンを用いても同様の効果が得られることは言うまで
もないことである。
拡散層に低抵抗ｎ型シリコンを用いたが、ｎ型シリコン
基板内のｐ型拡散層に低抵抗ｐ型シ５ページ リコンを用いても同様の効果が得られることは言うまで
もないことである。
発明の効果
以上のように、本発明によれば半導体基板と金属電極の
コンタクト抵抗を低減し、しかも金属電極の段切れ等も
無くなるために、金属配線の信頼性が向上する。特に１
μｍＸ１μｍ以下のサイズの微細コンタクトの金属配線
の信頼性向上に効果がある。
コンタクト抵抗を低減し、しかも金属電極の段切れ等も
無くなるために、金属配線の信頼性が向上する。特に１
μｍＸ１μｍ以下のサイズの微細コンタクトの金属配線
の信頼性向上に効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示す断面
図、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・ｐ型シリコン基板、２・・・・・・ｎ型
拡散層、３・・・・・・ＬＯＣＯ８酸化膜、４・・・・
・・絶縁膜、５・・・・・・ｎ型シリコン層、６・・・
・・・チタニウム膜、７・・・・・・アルミニウム電極
。
図、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・ｐ型シリコン基板、２・・・・・・ｎ型
拡散層、３・・・・・・ＬＯＣＯ８酸化膜、４・・・・
・・絶縁膜、５・・・・・・ｎ型シリコン層、６・・・
・・・チタニウム膜、７・・・・・・アルミニウム電極
。
Claims (1)
- 半導体基板の表面近傍の所定の領域に、一導電型の不純
物拡散領域を有し、前記拡散領域上に開孔部を有する絶
縁膜を前記半導体基板上に有し、前記開孔部内にチタニ
ウム膜と前記拡散層と同導電型の低抵抗半導体層とが順
次積層され、前記半導体層に附着した電極、配線用の導
電層を前記絶縁膜上に有する事を特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7976786A JPS62235774A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7976786A JPS62235774A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235774A true JPS62235774A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13699358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7976786A Pending JPS62235774A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62235774A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583253A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS6037772A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS60123061A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS61222224A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP7976786A patent/JPS62235774A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583253A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS6037772A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS60123061A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS61222224A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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