JPS60103631A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS60103631A
JPS60103631A JP58211793A JP21179383A JPS60103631A JP S60103631 A JPS60103631 A JP S60103631A JP 58211793 A JP58211793 A JP 58211793A JP 21179383 A JP21179383 A JP 21179383A JP S60103631 A JPS60103631 A JP S60103631A
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bonding
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circuit device
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Yoshinori Sato
義則 佐藤
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関し、特に半導体チップ
内の配線抵抗を実質的に減少させた半導体集積回路装置
に関する。
〔従来技術〕
従来、半導体チップのポンディングパッドは第1図に示
すように半導体チップ10の周辺に配列して設けられ、
そのポンディングパッド4はそれぞれ対向する外部引出
しリード5に対し金属線6で結線されている。なをポン
ディングパッドにはそれぞれ1個の信号線が接続されて
いる。図中1゜2.3は信号線である。
またチップ内部にポンディングパッドが設けられる場合
もあるが1つの信号線に対しては1個のみ設けられてい
る。
これらのポンディングパッドのレイアウト方法ではポン
ディングパッドから内部の回路まで配線を延ばすと、配
線自身に数Ω〜数十Ωの抵抗が付加されるために、電源
レベルの低下、グランドレベルの上昇、電源とグランド
レベルのゆれ等が発生し、回路動作上トラブルの原因と
なシ易いという欠点があった。
最近、たとえば半導体メモリでは記憶容量の増犬に伴う
チップの大型化、或いは多機能化の具備の要求に対し周
辺回路の増加が生じてきている。
そのため従来のポンディングパッドのレイアウト方法で
は必然的に信号線をチップ内で長く引き回すことになる
従来、例えば4μm幅のアルミ配線を611111L延
した場合、抵抗は約40Ωとなシ、ピーク電流10mA
の時0.4 Vの電源電圧の低下が生じて動作不良を起
こすことになる。
さらにアルミニウム配線の途中にポリシリコンを20μ
mX100μm介在させた場合は抵抗が140Ωとなり
、電源電圧の低下はおよそ1.4■となる。
従って信号線に抵抗が付加したシ、他の信号線によシレ
ペルのゆれを受けるためK、回路を正常に動作させるこ
とが困難になυつつある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、以上の欠点を除去し、記憶容量の増大
に伴うチップの大型化、多機能化の進展に伴う周辺回路
の増加があっても、回路が正常に動作する半導体集積回
路装置を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明の半導体集積回路装置は、半導体チップの周縁に
ポンディングパッドが配列して設けられ外部引出しリー
ドと金属線で結線されている半導体集積回路装置におい
て、一つの信号線に対して他の信号線を挟んでチップ周
縁に1個とチップ内部に少なくとも1個のポンディング
パッドを設け、それぞれのポンディングパッドを同一外
部引出しリードにそれぞれ金属線で結線したポンディン
グパッドの組を少なくとも1組有することによ多構成さ
れる。
〔実施例の説明〕
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
第2図は本発明の一実施例の平面図を示す。
第2図に示すように、半導体チップ10の周縁にポンデ
ィングパッド4が配列して設けられ、外部引出しり−ド
5と金属線6で結線されている半導体集積回路装置にお
いて、一つの信号線に対して他の信号線1,2.3等を
挟んでチップ周縁14“のポンディングパッドを同一の
外部引出しリード5′にそれぞれ金属線6′、6“で結
線したポンディングパッドの組を少なくとも1組備えて
構成されている。
本実施例によればチップ内部に設けたポンディングパッ
ド4“から周縁のポンディングパッド4フ間にポリシリ
コンによる配線を設ける必要はなくなシ、配線抵抗を2
0Ωにさけることができ、また電源電圧の低下も50チ
少なくさせることができ、0.2■に抑えることができ
る。
なお配線構造は多層構造にすれば良く、またボンディン
グ用の金属線と他の信号線の絶縁は空気絶縁でも本実施
例の実施は可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、回路動作上トラ
ブルの原因となシ易い電源レベルとグラ5− ンドレペルのゆれを減少させ、電源レベルの低下。
グランドレベルの上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体集積回路装置のノ(ラドレイアウ
トを示す平面図、第2図は本発明の一実施例のパッドレ
イアウトを示す平面図で必る。 1.2.3・・・・・・信号線、4.4’ 、4“・・
・・・・ポンディングパッド、5.5’・・・・・・外
部引出しリード、6.6′・・・・・・金属線%10・
・・・・・半導体チップ。 6−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップの周縁にポンディングパッドが配列して設
    けられ外部引出しリードと金属線で結線されている半導
    体集積回路装置において、一つの信号線に対して他の信
    号線を挟んでチップ周縁に1個とチップ内部に少なくと
    も1個のポンディングパッドを設け、それぞれのポンデ
    ィングパッドを同一外部引出しリードにそれぞれ金属線
    で結線したポンディングパッドの組を少なくとも1組有
    することを特徴とする半導体集積回路装置。
JP58211793A 1983-11-11 1983-11-11 半導体集積回路装置 Granted JPS60103631A (ja)

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JP58211793A JPS60103631A (ja) 1983-11-11 1983-11-11 半導体集積回路装置

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JP58211793A JPS60103631A (ja) 1983-11-11 1983-11-11 半導体集積回路装置

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JPS60103631A true JPS60103631A (ja) 1985-06-07
JPH0241904B2 JPH0241904B2 (ja) 1990-09-19

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Cited By (3)

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