JP3019918B2 - 半導体集積回路及びその電源供給回路 - Google Patents
半導体集積回路及びその電源供給回路Info
- Publication number
- JP3019918B2 JP3019918B2 JP21249596A JP21249596A JP3019918B2 JP 3019918 B2 JP3019918 B2 JP 3019918B2 JP 21249596 A JP21249596 A JP 21249596A JP 21249596 A JP21249596 A JP 21249596A JP 3019918 B2 JP3019918 B2 JP 3019918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- potential
- ground
- wiring
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 55
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 28
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，低電圧で大電流が
流れる半導体集積回路（以下，集積回路）及びその集積
回路に電源を供給する電源供給回路に関するものであ
る。
流れる半導体集積回路（以下，集積回路）及びその集積
回路に電源を供給する電源供給回路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は，従来の集積回路及び電源の接続
構成を示す図である。図４に示すように，集積回路１の
リードフレームの電源用リード端子２とグラウンド用リ
ード端子４との間に集積回路１が必要とする電圧値の電
圧源４１が接続される。電源用リード端子２とグラウン
ド用リード端子４は，リードフレームのアイランド４２
に搭載されたぺレット６上に設けられた電源用パッド
７，グラウンド用パッド８とそれぞれボンデイングワイ
ヤ１１で接続されている。
構成を示す図である。図４に示すように，集積回路１の
リードフレームの電源用リード端子２とグラウンド用リ
ード端子４との間に集積回路１が必要とする電圧値の電
圧源４１が接続される。電源用リード端子２とグラウン
ド用リード端子４は，リードフレームのアイランド４２
に搭載されたぺレット６上に設けられた電源用パッド
７，グラウンド用パッド８とそれぞれボンデイングワイ
ヤ１１で接続されている。
【０００３】ペレット６上の回路ブロック２６〜３０に
電源を供給するために，電源用パッド７には電源配線１
２が接続され，グラウンド用パッド８にはグラウンド配
線１３が接続されている。電源用リード端子２と電源用
パッド７をボンディングワイヤ１１で接続すると接触抵
抗などの寄生抵抗が生じ，電源配線１２も金属配線なの
で寄生抵抗が存在する。同様にグラウンド用リード端子
４，グラウンド用パッド８，ボンディングワイヤ１１，
グラウンド配線１３にも寄生抵抗が存在する。
電源を供給するために，電源用パッド７には電源配線１
２が接続され，グラウンド用パッド８にはグラウンド配
線１３が接続されている。電源用リード端子２と電源用
パッド７をボンディングワイヤ１１で接続すると接触抵
抗などの寄生抵抗が生じ，電源配線１２も金属配線なの
で寄生抵抗が存在する。同様にグラウンド用リード端子
４，グラウンド用パッド８，ボンディングワイヤ１１，
グラウンド配線１３にも寄生抵抗が存在する。
【０００４】図４の集積回路１への電源供給方法は，寄
生抵抗の電圧降下を考慮せずに，電源用リード端子２と
グラウンド用リード端子４間に電圧源４１による電圧が
印加されるだけである。
生抵抗の電圧降下を考慮せずに，電源用リード端子２と
グラウンド用リード端子４間に電圧源４１による電圧が
印加されるだけである。
【０００５】また，パツドを複数個設けることで配線な
どの寄生抵抗を減少させ，集積回路に安定した電源を供
給するための集積回路は，例えば，特開平６−１６３７
００号公報（以下，従来技術２と呼ぶ）に示されてい
る。
どの寄生抵抗を減少させ，集積回路に安定した電源を供
給するための集積回路は，例えば，特開平６−１６３７
００号公報（以下，従来技術２と呼ぶ）に示されてい
る。
【０００６】図５は，従来技術２の集積回路を説明した
図である。図５に示すように，集積回路基板中央部に
は，内部回路１０７が形成され，−つの外部電源端子１
０６と矩形基板上辺Ｓ１，左辺Ｓ２，右辺Ｓ３の近傍に
それぞれ設けられた電源用パッドＰ１，Ｐ２，Ｐ３は，
バッケージ内配線１０８により接続されている。内部回
路を機能させるための上辺Ｓ１側の機能回路１０４は，
電源用パッドＰ１と基板上に形成される金属膜配線Ｌ１
により接続され，左辺側の電源用パッドＰ２とは金属膜
配線Ｌ２により接続されている。下辺Ｓ４近傍の機能回
路１０５と電源用パッドＰ２とは金属膜配線Ｌ３により
接続され，電源用パッドＰ３とは金属膜配線Ｌ４により
接続されている。金属膜配線Ｌ５は，電源用パッドＰ１
と電源用パッドＰ３を接続している。金属膜配線Ｌ１，
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５にはそれぞれ寄生抵抗成分Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在する。外部電源端子
１０６とパッケージ内配線１０８で接続されている電源
用パッドＰ２，電源用パッドＰ３と，機能回路１０５と
の問を接続している金属膜配線の寄生抵抗は，金属膜配
線Ｌ３の寄生抵抗Ｒ３と金属膜配線Ｌ４の寄生抵抗Ｒ４
との並列抵抗である。図５で仮に，電源用パッドＰ２と
電源用パッドＰ３が存在しなかつたとすると，機能回路
１０５の電源は電源用パッドＰ１から供給されるだけ
で，機能回路１０５との間を接続している金属膜配線の
寄生抵抗は，金属膜配線Ｌ１の寄生抵抗Ｒ１と金属膜配
線Ｌ２の寄生抵抗Ｒ２と金属膜配線Ｌ３の寄生抵抗Ｒ３
の合成抵抗と金属膜配線Ｌ４の寄生抵抗Ｒ４と金属膜配
線Ｌ５の寄生抵抗Ｒ５の合成抵抗との並列抵抗となり，
電源用パッドＰ２及び電源用パッドＰ３が存在するとき
と比べ寄生抵抗値は増加する。図５のように電源用パッ
ドを複数個設けることで，配線の寄生抵抗を減少させ，
寄生抵抗による電圧降下を少なくし，集積回路に安定し
た電源を供給している。
図である。図５に示すように，集積回路基板中央部に
は，内部回路１０７が形成され，−つの外部電源端子１
０６と矩形基板上辺Ｓ１，左辺Ｓ２，右辺Ｓ３の近傍に
それぞれ設けられた電源用パッドＰ１，Ｐ２，Ｐ３は，
バッケージ内配線１０８により接続されている。内部回
路を機能させるための上辺Ｓ１側の機能回路１０４は，
電源用パッドＰ１と基板上に形成される金属膜配線Ｌ１
により接続され，左辺側の電源用パッドＰ２とは金属膜
配線Ｌ２により接続されている。下辺Ｓ４近傍の機能回
路１０５と電源用パッドＰ２とは金属膜配線Ｌ３により
接続され，電源用パッドＰ３とは金属膜配線Ｌ４により
接続されている。金属膜配線Ｌ５は，電源用パッドＰ１
と電源用パッドＰ３を接続している。金属膜配線Ｌ１，
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５にはそれぞれ寄生抵抗成分Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５が存在する。外部電源端子
１０６とパッケージ内配線１０８で接続されている電源
用パッドＰ２，電源用パッドＰ３と，機能回路１０５と
の問を接続している金属膜配線の寄生抵抗は，金属膜配
線Ｌ３の寄生抵抗Ｒ３と金属膜配線Ｌ４の寄生抵抗Ｒ４
との並列抵抗である。図５で仮に，電源用パッドＰ２と
電源用パッドＰ３が存在しなかつたとすると，機能回路
１０５の電源は電源用パッドＰ１から供給されるだけ
で，機能回路１０５との間を接続している金属膜配線の
寄生抵抗は，金属膜配線Ｌ１の寄生抵抗Ｒ１と金属膜配
線Ｌ２の寄生抵抗Ｒ２と金属膜配線Ｌ３の寄生抵抗Ｒ３
の合成抵抗と金属膜配線Ｌ４の寄生抵抗Ｒ４と金属膜配
線Ｌ５の寄生抵抗Ｒ５の合成抵抗との並列抵抗となり，
電源用パッドＰ２及び電源用パッドＰ３が存在するとき
と比べ寄生抵抗値は増加する。図５のように電源用パッ
ドを複数個設けることで，配線の寄生抵抗を減少させ，
寄生抵抗による電圧降下を少なくし，集積回路に安定し
た電源を供給している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の集積回路及び集
積回路への電源供給方法の問題点は，集積回路に低電圧
で大電流が流れる場合，集積回路が所望とする電源電圧
を得ることができないということである。その理由は，
寄生抵抗の影響が顕著になり，電源電位が下降し，グラ
ウンド電位が上昇することにある。
積回路への電源供給方法の問題点は，集積回路に低電圧
で大電流が流れる場合，集積回路が所望とする電源電圧
を得ることができないということである。その理由は，
寄生抵抗の影響が顕著になり，電源電位が下降し，グラ
ウンド電位が上昇することにある。
【０００８】また，従来技術２の集積回路の問題点は，
集積回路に低電圧で大電流が流れる場合，非常に多くの
電源用パツドを設ける必要があるということである。そ
の結果，電源用パッドに使用される面積が増加し，集積
回路の寸法が大きくなってしまう。その理由は，寄生抵
抗を無視できる程度に減少させるために，多くの電源用
パッドを設け，電源供給を行わなければならないことに
ある。
集積回路に低電圧で大電流が流れる場合，非常に多くの
電源用パツドを設ける必要があるということである。そ
の結果，電源用パッドに使用される面積が増加し，集積
回路の寸法が大きくなってしまう。その理由は，寄生抵
抗を無視できる程度に減少させるために，多くの電源用
パッドを設け，電源供給を行わなければならないことに
ある。
【０００９】そこで，本発明の技術的課題は，集積回路
が有する寄生抵抗により引き起こされる電圧降下を補償
して，集積回路に安定した電源供給することにある。
が有する寄生抵抗により引き起こされる電圧降下を補償
して，集積回路に安定した電源供給することにある。
【００１０】また，本発明の他の技術的課題は，電源用
リード端子数とグラウンド用リード端子数と共に，電源
用パッド数及びグラウンド用パッド数を減少させること
にある。
リード端子数とグラウンド用リード端子数と共に，電源
用パッド数及びグラウンド用パッド数を減少させること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題に対して本発明
では，集積回路に電源電位センス用リード端子とグラウ
ンド電位センス用リード端子を設け，電源配線をセンス
したセンス電位と電源用リファレンス電圧源によるリフ
ァレンス電位が入力される電源電位制御回路と，グラウ
ンド配線をセンスしたセンス電位とグラウンド電位のリ
ファレンス電位となる基準電位が入力されるグラウンド
電位制御回路を使用して電源供給を行う。
では，集積回路に電源電位センス用リード端子とグラウ
ンド電位センス用リード端子を設け，電源配線をセンス
したセンス電位と電源用リファレンス電圧源によるリフ
ァレンス電位が入力される電源電位制御回路と，グラウ
ンド配線をセンスしたセンス電位とグラウンド電位のリ
ファレンス電位となる基準電位が入力されるグラウンド
電位制御回路を使用して電源供給を行う。
【００１２】また，本発明では，集積回路のリードフレ
ームに電源用リード端子とグラウンド電位リフアレンス
用リード端子を設け，前記電源電位制御回路と前記グラ
ウンド電位制御回路を集積回路のぺレットに内蔵して電
源供給を行う。
ームに電源用リード端子とグラウンド電位リフアレンス
用リード端子を設け，前記電源電位制御回路と前記グラ
ウンド電位制御回路を集積回路のぺレットに内蔵して電
源供給を行う。
【００１３】即ち、本発明によれば、第１のインピーダ
ンスを有する電源配線、第２のインピーダンスを有する
グランド配線、及び前記電源配線と前記グランド配線と
に接続された回路ブロックを備えたペレットと、前記ペ
レットとを搭載するアイランドを備えたリードフレーム
とを有する半導体集積回路において、前記ペレットは、
更に、前記電源配線の内の一か所に接続された第１のイ
ンピーダンスとは異なる第３のインピーダンスを有しセ
ンス電位を出力する電源電位センス配線と、前記グラン
ド配線の内の一か所に接続された前記第２のインピーダ
ンスとは異なる第４のインピーダンスを有しセンス電位
を出力するグランド電位センス配線とを備えていること
を特徴とする半導体集積回路が得られる。
ンスを有する電源配線、第２のインピーダンスを有する
グランド配線、及び前記電源配線と前記グランド配線と
に接続された回路ブロックを備えたペレットと、前記ペ
レットとを搭載するアイランドを備えたリードフレーム
とを有する半導体集積回路において、前記ペレットは、
更に、前記電源配線の内の一か所に接続された第１のイ
ンピーダンスとは異なる第３のインピーダンスを有しセ
ンス電位を出力する電源電位センス配線と、前記グラン
ド配線の内の一か所に接続された前記第２のインピーダ
ンスとは異なる第４のインピーダンスを有しセンス電位
を出力するグランド電位センス配線とを備えていること
を特徴とする半導体集積回路が得られる。
【００１４】また、本発明によれば、前記半導体集積回
路と，前記電源配線及び前記電源電位センス配線の夫々
に接続された電源電位制御回路と，前記グランド配線及
び前記グランド電位センス配線の夫々に接続されたグラ
ンド電位制御回路とを備え，前記電源電位制御回路は予
め定められたリファレンス電圧を基準として前記電源電
位センス配線の電位に基づいて前記電源配線を介して供
給される前記回路ブロックの電源電位を一定値にするよ
うに制御し，前記グランド電位制御回路は予め定められ
た基準電位を基準として前記グランド電位センス配線の
電位に基づいて，前記グランド配線を介して供給される
前記回路ブロックのグランド電位を一定値にするように
制御することを特徴とする電源制御型半導体集積回路が
得られる。
路と，前記電源配線及び前記電源電位センス配線の夫々
に接続された電源電位制御回路と，前記グランド配線及
び前記グランド電位センス配線の夫々に接続されたグラ
ンド電位制御回路とを備え，前記電源電位制御回路は予
め定められたリファレンス電圧を基準として前記電源電
位センス配線の電位に基づいて前記電源配線を介して供
給される前記回路ブロックの電源電位を一定値にするよ
うに制御し，前記グランド電位制御回路は予め定められ
た基準電位を基準として前記グランド電位センス配線の
電位に基づいて，前記グランド配線を介して供給される
前記回路ブロックのグランド電位を一定値にするように
制御することを特徴とする電源制御型半導体集積回路が
得られる。
【００１５】また、本発明によれば、前記半導体集積回
路に電源を供給する電源供給回路であって，前記電源配
線及び前記電源電位センス配線の夫々に接続された電源
電位制御回路と，前記グランド配線及び前記グランド電
位センス配線の夫々に接続されたグランド電位制御回路
と，前記電源電位制御回路に電源用電圧を供給する電源
用電圧源と，前記電源電位制御回路にリファレンス電圧
を供給する電源用リファレンス電圧源と，前記グランド
電位制御回路の基準電位と，前記グランド電位制御回路
にグランド電位を供給するグランド用電圧源とを備え，
前記電源電位制御回路は前記リファレンス電圧を基準と
して前記電源電位センス配線の電位に基づいて前記電源
配線を介して供給される前記回路ブロックの電源電位を
一定値にするように制御し，前記グランド電位制御回路
は前記基準電位を基準として前記グランド電位センス配
線の電位に基づいて，前記グランド配線を介して供給さ
れる前記回路ブロックのグランド電位を一定値にするよ
うに制御することを特徴とする電源供給回路が得られ
る。
路に電源を供給する電源供給回路であって，前記電源配
線及び前記電源電位センス配線の夫々に接続された電源
電位制御回路と，前記グランド配線及び前記グランド電
位センス配線の夫々に接続されたグランド電位制御回路
と，前記電源電位制御回路に電源用電圧を供給する電源
用電圧源と，前記電源電位制御回路にリファレンス電圧
を供給する電源用リファレンス電圧源と，前記グランド
電位制御回路の基準電位と，前記グランド電位制御回路
にグランド電位を供給するグランド用電圧源とを備え，
前記電源電位制御回路は前記リファレンス電圧を基準と
して前記電源電位センス配線の電位に基づいて前記電源
配線を介して供給される前記回路ブロックの電源電位を
一定値にするように制御し，前記グランド電位制御回路
は前記基準電位を基準として前記グランド電位センス配
線の電位に基づいて，前記グランド配線を介して供給さ
れる前記回路ブロックのグランド電位を一定値にするよ
うに制御することを特徴とする電源供給回路が得られ
る。
【００１６】また、本発明によれば、前記半導体集積回
路と前記電源供給回路とを備えたことを特徴とする電源
供給回路付半導体集積回路が得られる。
路と前記電源供給回路とを備えたことを特徴とする電源
供給回路付半導体集積回路が得られる。
【００１７】ここで、本発明において、前記電源電位制
御回路及び前記グランド電位制御回路は，前記リードフ
レームの外部に設けられ，前記電源電位制御回路と前記
グランド電位制御回路とは電気接続を介して，前記電源
配線及び前記電源電位センス配線と前記グランド配線及
び前記グランド電位センス配線とに夫々接続されている
ことが好ましく、また、前記電源電位制御回路及び前記
グランド電位制御回路は，前記ペレットに設けられ，電
気接続を介して，外部に引き出されていることも好まし
い。
御回路及び前記グランド電位制御回路は，前記リードフ
レームの外部に設けられ，前記電源電位制御回路と前記
グランド電位制御回路とは電気接続を介して，前記電源
配線及び前記電源電位センス配線と前記グランド配線及
び前記グランド電位センス配線とに夫々接続されている
ことが好ましく、また、前記電源電位制御回路及び前記
グランド電位制御回路は，前記ペレットに設けられ，電
気接続を介して，外部に引き出されていることも好まし
い。
【００１８】また、本発明において、前記電気的接続
は，前記ペレットに設けられたパッドと，前記リードフ
レームに設けられたリード端子と，前記パッドと前記リ
ード端子とを接続するボンディングワイヤとを介して行
われることが好ましい。
は，前記ペレットに設けられたパッドと，前記リードフ
レームに設けられたリード端子と，前記パッドと前記リ
ード端子とを接続するボンディングワイヤとを介して行
われることが好ましい。
【００１９】また、本発明において、前記第３のインピ
ーダンスは前記第１のインピーダンスよりも高く，前記
第４のインピーダンスは前記第２のインピーダンスより
も高いことが好ましい。
ーダンスは前記第１のインピーダンスよりも高く，前記
第４のインピーダンスは前記第２のインピーダンスより
も高いことが好ましい。
【００２０】また、本発明において、前記電源電位セン
ス配線は，前記電源配線の内の最も太い電源配線の太さ
の１０分の１以下の太さであり，前記グランド電位セン
ス配線は，前記グランド配線の内の最も太いグランド配
線の太さの１０分の１以下の太さであることがより好ま
しい。
ス配線は，前記電源配線の内の最も太い電源配線の太さ
の１０分の１以下の太さであり，前記グランド電位セン
ス配線は，前記グランド配線の内の最も太いグランド配
線の太さの１０分の１以下の太さであることがより好ま
しい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２２】図１は本発明の第１の実施の形態による電
源供給回路付半導体集積回路の構成を示す図である。図
１に示すように，集積回路１は，電源用リード端子２
と，電源電位センス用リード端子３と，グラウンド用リ
ード端子４と，グラウンド電位センス用リード端子５と
アイランド４２を有するリードフレームと，ぺレット６
と，ボンディングワイヤ１１で構成される。リードフレ
ームのアイランド４２は，ぺレット６が搭載される。ペ
レット６上には，電源用パッド７と，グラウンド用パッ
ド８と，電源電位センス用バッド９と，グラウンド電位
センス用バッド１０が設けられる。電源用パッド７は電
源用リード端子２と，グラウンド用パッド８は，グラウ
ンド用リード端子８と，電源電位センス用パッド９は電
源電位センス用リード端子３と，グラウンド電位センス
用パッド１０はグラウンド電位センス用リード端子５と
それぞれボンディングワイヤ１１で接続される。電源用
リード端子２と電源用パッド７を接続するボンディング
ワイヤ１１及びグラウンド用リード端子４とグラウンド
用パッド８を接続するボンディングワイヤ１１は，接続
による接触抵抗等の寄生抵抗が含まれる。
源供給回路付半導体集積回路の構成を示す図である。図
１に示すように，集積回路１は，電源用リード端子２
と，電源電位センス用リード端子３と，グラウンド用リ
ード端子４と，グラウンド電位センス用リード端子５と
アイランド４２を有するリードフレームと，ぺレット６
と，ボンディングワイヤ１１で構成される。リードフレ
ームのアイランド４２は，ぺレット６が搭載される。ペ
レット６上には，電源用パッド７と，グラウンド用パッ
ド８と，電源電位センス用バッド９と，グラウンド電位
センス用バッド１０が設けられる。電源用パッド７は電
源用リード端子２と，グラウンド用パッド８は，グラウ
ンド用リード端子８と，電源電位センス用パッド９は電
源電位センス用リード端子３と，グラウンド電位センス
用パッド１０はグラウンド電位センス用リード端子５と
それぞれボンディングワイヤ１１で接続される。電源用
リード端子２と電源用パッド７を接続するボンディング
ワイヤ１１及びグラウンド用リード端子４とグラウンド
用パッド８を接続するボンディングワイヤ１１は，接続
による接触抵抗等の寄生抵抗が含まれる。
【００２３】ペレット６は，回路ブロック２６〜３０を
有する。回路ブロック２６〜３０は，電源用パッド７と
接続された電源配線１２と，グラウンド用パッド８と接
続されたグラウンド配線１３が接続され，電源が供給さ
れる。電源配線１２とグラウンド配線１３は，低インビ
ーダンスの金属配線であり，寄生抵抗成分が含まれる。
電源配線１２の一カ所と接続された電源電位センス配線
１４は，電源電位センス用パッド９と接続される。電源
配線１２の電位は，電源電位センス配線１４によりセン
スされる。電源配線１２のセンスされた電位は，電源電
位センス用バッド９とボンディングワイヤ１１を介して
電源電位センス用リード端子３にセンス電位として出力
される。グラウンド配線１３の一カ所と接続されたグラ
ウンド電位センス配線１５は，グラウンド電位センス用
パッド１０と接続される。
有する。回路ブロック２６〜３０は，電源用パッド７と
接続された電源配線１２と，グラウンド用パッド８と接
続されたグラウンド配線１３が接続され，電源が供給さ
れる。電源配線１２とグラウンド配線１３は，低インビ
ーダンスの金属配線であり，寄生抵抗成分が含まれる。
電源配線１２の一カ所と接続された電源電位センス配線
１４は，電源電位センス用パッド９と接続される。電源
配線１２の電位は，電源電位センス配線１４によりセン
スされる。電源配線１２のセンスされた電位は，電源電
位センス用バッド９とボンディングワイヤ１１を介して
電源電位センス用リード端子３にセンス電位として出力
される。グラウンド配線１３の一カ所と接続されたグラ
ウンド電位センス配線１５は，グラウンド電位センス用
パッド１０と接続される。
【００２４】グラウンド配線１３の電位は，グラウンド
電位センス配線１５によりセンスされる。グラウンド配
線１３のセンスされた電位は，グラウンド電位センス用
パッド１０とボンディングワイヤ１１を介してグラウン
ド電位センス用リード端子５にセンス電位として出力さ
れる。
電位センス配線１５によりセンスされる。グラウンド配
線１３のセンスされた電位は，グラウンド電位センス用
パッド１０とボンディングワイヤ１１を介してグラウン
ド電位センス用リード端子５にセンス電位として出力さ
れる。
【００２５】電源電位センス配線１４とグラウンド電位
センス配線１５は，電源配線１２とグラウンド配線１３
の太さの１０分の１以下である高インビーダンスの細線
で極めて微小な電流しか流れない配線である。
センス配線１５は，電源配線１２とグラウンド配線１３
の太さの１０分の１以下である高インビーダンスの細線
で極めて微小な電流しか流れない配線である。
【００２６】集積回路１の外部の電源電位制御回路１６
は，電源入力線１８と，電源用リファレンス電位入力線
１９と，電源線２０と，電源用センス電位入力線２１を
有する。電源線２０は，電源用リード端子２と接続し，
電源用センス電位入力線２１は，電源電位センス用リー
ド端子３と接続し，電源入力線１８は電源用電圧源３１
と接続し，電源用リファレンス電位入力線１９は電源用
リファレンス電圧源３２と接続する。電源用リフアレン
ス電圧源３２の値は，集積回路１が所望とする電圧値で
ある。電源用電圧源３１の値は，集積回路１が所望とす
る電圧値に，電源用リード端子２と電源用パッド７とボ
ンディングワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生抵抗
での電圧降下分を補償した正の値が加えられる。
は，電源入力線１８と，電源用リファレンス電位入力線
１９と，電源線２０と，電源用センス電位入力線２１を
有する。電源線２０は，電源用リード端子２と接続し，
電源用センス電位入力線２１は，電源電位センス用リー
ド端子３と接続し，電源入力線１８は電源用電圧源３１
と接続し，電源用リファレンス電位入力線１９は電源用
リファレンス電圧源３２と接続する。電源用リフアレン
ス電圧源３２の値は，集積回路１が所望とする電圧値で
ある。電源用電圧源３１の値は，集積回路１が所望とす
る電圧値に，電源用リード端子２と電源用パッド７とボ
ンディングワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生抵抗
での電圧降下分を補償した正の値が加えられる。
【００２７】また，集積回路１の外部のグラウンド電位
制御回路１７は，グラウンド電源入力線２２と，グラウ
ンド用リファレンス電位入力線２３と，グラウンド線２
４と，グラウンド用センス電位入力線２５を有する。グ
ラウンド電源線２４は，グラウンド用リード端子４と接
続し，グラウンド用センス電位入力線２５は，グラウン
ド電位センス用リード端子５と接続し，グラウンド電源
入力線２２は，グラウンド用電圧源３３と接続し，グラ
ウンド用リファレンス電位入力線２３は，基準電位３４
が入力される。グラウンド用リフアレンス電位入力線２
３は，集積回路１を含む回路システムでのシステムグラ
ウンドとなる。グラウンド用電圧源３３の値は，集積回
路１の基準電位３４の値に，グラウンド用リード端子４
とグラウンド用パッド８とボンディングワイヤ１１とグ
ラウンド配線１３が有する寄生抵抗での電圧降下分を補
償した負の値が加えられる。
制御回路１７は，グラウンド電源入力線２２と，グラウ
ンド用リファレンス電位入力線２３と，グラウンド線２
４と，グラウンド用センス電位入力線２５を有する。グ
ラウンド電源線２４は，グラウンド用リード端子４と接
続し，グラウンド用センス電位入力線２５は，グラウン
ド電位センス用リード端子５と接続し，グラウンド電源
入力線２２は，グラウンド用電圧源３３と接続し，グラ
ウンド用リファレンス電位入力線２３は，基準電位３４
が入力される。グラウンド用リフアレンス電位入力線２
３は，集積回路１を含む回路システムでのシステムグラ
ウンドとなる。グラウンド用電圧源３３の値は，集積回
路１の基準電位３４の値に，グラウンド用リード端子４
とグラウンド用パッド８とボンディングワイヤ１１とグ
ラウンド配線１３が有する寄生抵抗での電圧降下分を補
償した負の値が加えられる。
【００２８】次に，電源電位制御回路１６とグラウンド
電位制御回路１７の詳細な構成について説明する。これ
らの電位制御回路は，例えばトランジスタと増幅器の組
み合わせで実現できる。
電位制御回路１７の詳細な構成について説明する。これ
らの電位制御回路は，例えばトランジスタと増幅器の組
み合わせで実現できる。
【００２９】図２は，図１の電源電位制御回路１６の構
成例を示す図である。電源電位制御回路１６及びグラウ
ンド電位制御回路１７は同一構成のため，図２を用い
て，電源電位制御回路１６とグラウンド電位制御回路１
７を説明する。
成例を示す図である。電源電位制御回路１６及びグラウ
ンド電位制御回路１７は同一構成のため，図２を用い
て，電源電位制御回路１６とグラウンド電位制御回路１
７を説明する。
【００３０】図２において，電源電位制御回路１６は，
トランジスタ３５と増幅器３６により構成される。トラ
ンジスタ３５は，電源入力線１８を介して図１の電源用
電圧源３１の電位が入力される。また，増幅器３６は，
電源用リフアレンス電位入力線１９を介して図１の電源
用リフアレンス電圧源３２の電位がリファレンス電位と
して入力される。さらに，増幅器３６は，電源用センス
電位入力線２１を介して図１の電源電位センス用リード
端子３から出力される電位がセンス電位として入力され
る。増幅器３６は，入力されたリファレンス電位とセン
ス電位に基づき，トランジスタ３５を制御する電位を出
力する。トランジスタ３５は，電源線２０を介して集積
回路１に供給する電流を出力する。トランジスタ３５が
出力した電流は，図１の電源用リード端子２に入力さ
れ，集積回路１の電源配線１２に流れる。トランジスタ
３５の出力電流は，集積回路１の電源電位センス配線１
４によりセンスされる電源配線１２のセンス電位と図１
の電源用リファレンス電圧源３２によるリファレンス電
位が同電位になるように，増幅器３６の出力電位によっ
て制御される。
トランジスタ３５と増幅器３６により構成される。トラ
ンジスタ３５は，電源入力線１８を介して図１の電源用
電圧源３１の電位が入力される。また，増幅器３６は，
電源用リフアレンス電位入力線１９を介して図１の電源
用リフアレンス電圧源３２の電位がリファレンス電位と
して入力される。さらに，増幅器３６は，電源用センス
電位入力線２１を介して図１の電源電位センス用リード
端子３から出力される電位がセンス電位として入力され
る。増幅器３６は，入力されたリファレンス電位とセン
ス電位に基づき，トランジスタ３５を制御する電位を出
力する。トランジスタ３５は，電源線２０を介して集積
回路１に供給する電流を出力する。トランジスタ３５が
出力した電流は，図１の電源用リード端子２に入力さ
れ，集積回路１の電源配線１２に流れる。トランジスタ
３５の出力電流は，集積回路１の電源電位センス配線１
４によりセンスされる電源配線１２のセンス電位と図１
の電源用リファレンス電圧源３２によるリファレンス電
位が同電位になるように，増幅器３６の出力電位によっ
て制御される。
【００３１】図２の電源電位制御回路１６を図１で示す
グラウンド電位制御回路１７として使用する場合には，
電源入力線１８はグラウンド電源入力線２２と，電源用
リファレンス電位入力線１９は，グラウンド用リフアレ
ンス電位入力線２３と，電源用センス電位入力線２１は
グラウンド用センス電位入力線２５と，電源線２０はグ
ラウンド線２４と置き換えればよい。また，図１で，グ
ラウンド電源入力線２２には，グラウンド用電圧源３３
を接続し，グラウンド用リファレンス電位入力線２３に
は基準電位３４を接続し，グラウンド用センス電位入力
線には，グラウンド電位センス用リード端子５を接続
し，グラウンド線２４にはグラウンド用リード端子４を
接続すればよい。
グラウンド電位制御回路１７として使用する場合には，
電源入力線１８はグラウンド電源入力線２２と，電源用
リファレンス電位入力線１９は，グラウンド用リフアレ
ンス電位入力線２３と，電源用センス電位入力線２１は
グラウンド用センス電位入力線２５と，電源線２０はグ
ラウンド線２４と置き換えればよい。また，図１で，グ
ラウンド電源入力線２２には，グラウンド用電圧源３３
を接続し，グラウンド用リファレンス電位入力線２３に
は基準電位３４を接続し，グラウンド用センス電位入力
線には，グラウンド電位センス用リード端子５を接続
し，グラウンド線２４にはグラウンド用リード端子４を
接続すればよい。
【００３２】グラウンド電位制御回路１７は，トランジ
スタと増幅器により構成される。グラウンド電位制御回
路１７のトランジスタ３５は，グラウンド電源入力線２
２を介して図１のグラウンド用電圧源３３の電位が入力
される。また，グラウンド電位制御回路１７の増幅器３
６は，グラウンド用リファレンス電位入力線２３を介し
て図１の基準電位３４がリファレンス電位として入力さ
れる。さらに，グラウンド電位制御回路１７の増幅器３
６は，グラウンド用センス電位入力線２５を介して図１
のグランド電位センス用リード端子５から出力される電
位がセンス電位として入力される。グラウンド電位制御
回路１７の増幅器３６は，入力されたリファレンス電位
とセンス電位に基づき，グラウンド電位制御回路１７の
卜ランジスタ３５を制御する電位を出力する。グラウン
ド電位制御回路１７のトランジスタ３５は，図１のグラ
ウンド線２４とグラウンド用パッド８とボンディングワ
イヤ１１を介して，図１のグランド用リード端子４から
出力される電流を引き込む。グラウンド電位制御回路１
７のトランジスタ３５が引き込む電流は，図１のグラウ
ンド電位センス配線１５によりセンスされるグラウンド
配線１３のセンス電位と図１の基準電位３４によるリフ
ァレンス電位が同電位になるように，グラウンド電位制
御回路１７の増幅器３６の出力電位によって制御され
る。
スタと増幅器により構成される。グラウンド電位制御回
路１７のトランジスタ３５は，グラウンド電源入力線２
２を介して図１のグラウンド用電圧源３３の電位が入力
される。また，グラウンド電位制御回路１７の増幅器３
６は，グラウンド用リファレンス電位入力線２３を介し
て図１の基準電位３４がリファレンス電位として入力さ
れる。さらに，グラウンド電位制御回路１７の増幅器３
６は，グラウンド用センス電位入力線２５を介して図１
のグランド電位センス用リード端子５から出力される電
位がセンス電位として入力される。グラウンド電位制御
回路１７の増幅器３６は，入力されたリファレンス電位
とセンス電位に基づき，グラウンド電位制御回路１７の
卜ランジスタ３５を制御する電位を出力する。グラウン
ド電位制御回路１７のトランジスタ３５は，図１のグラ
ウンド線２４とグラウンド用パッド８とボンディングワ
イヤ１１を介して，図１のグランド用リード端子４から
出力される電流を引き込む。グラウンド電位制御回路１
７のトランジスタ３５が引き込む電流は，図１のグラウ
ンド電位センス配線１５によりセンスされるグラウンド
配線１３のセンス電位と図１の基準電位３４によるリフ
ァレンス電位が同電位になるように，グラウンド電位制
御回路１７の増幅器３６の出力電位によって制御され
る。
【００３３】次に，図１の集積回路及び集積回路の電源
供給回路の動作について，説明する。ここでは，集積回
路１に低電圧で大電流が流れることを仮定し，集積回路
１に生じる寄生抵抗の影響が顕著であるとする。集積回
路１の電源用リード端子２には，電源電位制御回路１６
の電源線２０が接続され，電源電位センス用リード端子
３には電源用センス電位入力線２１が接続される。電源
配線１２の電位をセンスした電源電位センス配線１４
は，電源電位センス用リード端子３に，センス電位を出
力する。出力されたセンス電位は，電源電位制御回路１
６の電源用センス電位入力線２１に入力される。電源入
力線１８は，電源用電圧源３１から，集積回路１が所望
とする電圧値に，電源用リード端子２と電源用パッド７
とボンディングワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生
抵抗での電圧降下分を補償した正の値を加えた電位が入
力される。電源用リファレンス電位入力線１９は，電源
用リファレンス電圧源３２から，集積回路１が所望とす
る電源電位が入力される。
供給回路の動作について，説明する。ここでは，集積回
路１に低電圧で大電流が流れることを仮定し，集積回路
１に生じる寄生抵抗の影響が顕著であるとする。集積回
路１の電源用リード端子２には，電源電位制御回路１６
の電源線２０が接続され，電源電位センス用リード端子
３には電源用センス電位入力線２１が接続される。電源
配線１２の電位をセンスした電源電位センス配線１４
は，電源電位センス用リード端子３に，センス電位を出
力する。出力されたセンス電位は，電源電位制御回路１
６の電源用センス電位入力線２１に入力される。電源入
力線１８は，電源用電圧源３１から，集積回路１が所望
とする電圧値に，電源用リード端子２と電源用パッド７
とボンディングワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生
抵抗での電圧降下分を補償した正の値を加えた電位が入
力される。電源用リファレンス電位入力線１９は，電源
用リファレンス電圧源３２から，集積回路１が所望とす
る電源電位が入力される。
【００３４】図２を参照すると，電源電位制御回路１６
は，電圧フォロワ回路である。増幅器３６は，電源用リ
ファレンス電位入力線１９から，リファレンス電位が入
力される。また，増幅器３６は，電源用センス電位入力
線２１から，センス電位が入力される。増幅器３６は，
入力されたリファレンス電位とセンス電位に基づき，ト
ランジスタ３５を制御する電位を出力する。トランジス
タ３５は，電源線２０を介して集積回路１に供給する電
流を出力する。トランジスタ３５が出力した電流は，図
１の電源用リード端子２に入力され，集積回路１の電源
配線１２に流れる。トランジスタ３５の出力電流は，電
源電位センス配線１４によりセンスされる電源配線１２
のセンス電位と電源用リファレンス電圧源３２のリフア
レンス電位が同電位になるように，増幅器３６の出力電
位によって制御される。電源電位制御回路１６は，電源
用センス入力線２１に電源配線１２をセンスしたセンス
電位が帰還することで，寄生抵抗による電圧降下が補償
された一定値の電源電位を集積回路１に安定に供給し，
回路ブロック２６〜３０の誤動作を防ぐ。
は，電圧フォロワ回路である。増幅器３６は，電源用リ
ファレンス電位入力線１９から，リファレンス電位が入
力される。また，増幅器３６は，電源用センス電位入力
線２１から，センス電位が入力される。増幅器３６は，
入力されたリファレンス電位とセンス電位に基づき，ト
ランジスタ３５を制御する電位を出力する。トランジス
タ３５は，電源線２０を介して集積回路１に供給する電
流を出力する。トランジスタ３５が出力した電流は，図
１の電源用リード端子２に入力され，集積回路１の電源
配線１２に流れる。トランジスタ３５の出力電流は，電
源電位センス配線１４によりセンスされる電源配線１２
のセンス電位と電源用リファレンス電圧源３２のリフア
レンス電位が同電位になるように，増幅器３６の出力電
位によって制御される。電源電位制御回路１６は，電源
用センス入力線２１に電源配線１２をセンスしたセンス
電位が帰還することで，寄生抵抗による電圧降下が補償
された一定値の電源電位を集積回路１に安定に供給し，
回路ブロック２６〜３０の誤動作を防ぐ。
【００３５】また，集積回路１のグラウンド用リード端
子４には，グラウンド電位制御回路１７のグラウンド線
２４が接続され，グラウンド電位センス用リード端子５
にはグラウンド用センス電位入力線２５が接続される。
グラウンド配線１３の電位をセンスしたグラウンド電位
センス配線１５は，グラウンド電位センス用リード端子
５に，センス電位を出力する。出力されたセンス電位
は，グラウンド電位制御回路１７のグラウンド用センス
電位入力線２５に入力される。グラウンド入力線２２
は，グラウンド用電圧源３３から，集積回路１が所望と
する電圧値に，グラウンド用リード端子４とグラウンド
用バッド８とボンディングワイヤ１１とグラウンド配線
１３が有する寄生抵抗での電圧降下分を補償した負の値
を加えた電位が入力される。グラウンド用リファレンス
電位入力線２３は，基準電位３４が入力される。
子４には，グラウンド電位制御回路１７のグラウンド線
２４が接続され，グラウンド電位センス用リード端子５
にはグラウンド用センス電位入力線２５が接続される。
グラウンド配線１３の電位をセンスしたグラウンド電位
センス配線１５は，グラウンド電位センス用リード端子
５に，センス電位を出力する。出力されたセンス電位
は，グラウンド電位制御回路１７のグラウンド用センス
電位入力線２５に入力される。グラウンド入力線２２
は，グラウンド用電圧源３３から，集積回路１が所望と
する電圧値に，グラウンド用リード端子４とグラウンド
用バッド８とボンディングワイヤ１１とグラウンド配線
１３が有する寄生抵抗での電圧降下分を補償した負の値
を加えた電位が入力される。グラウンド用リファレンス
電位入力線２３は，基準電位３４が入力される。
【００３６】図２と同じ構成のグラウンド電位制御回路
１７は，電圧フォロワ回路である。グラウンド電位制御
回路１７の増幅器３６は，グラウンド用リファレンス電
位入力線２３から，リファレンス電位が入力される。ま
た，グラウンド電位制御回路１７の増幅器３６は，グラ
ウンド用センス電位入力線２５から，センス電位が入力
される。グラウンド電位制御回路１７の増幅器３６は，
人力されたリファレンス電位とセンス電位に基づき，グ
ラウンド電位制御回路１７のトランジスタ３５を制御す
る電位を出力する。グラウンド電位制御回路１７のトラ
ンジスタ３５は，グラウンド線２４を介して集積回路１
のグラウンド配線１３を流れる電流をグラウンド用リー
ド端子４から引き込む。トランジスタ３５が引き込む電
流は，グラウンド電位センス配線１５によりセンスされ
るグラウンド配線１３のセンス電位と基準電位３４によ
るリファレンス電位が同電位になるように，増幅器３６
の出力電位によって制御される。グラウンド電位制御回
路１７は，グラウンド用センス入力線２５にグラウンド
配線１３をセンスしたセンス電位が帰還することで，寄
生抵抗による電圧降下が補償された一定値のグラウンド
電位を集積回路１に安定に供給し，回路ブロック２６〜
３０の誤動作を防ぐ。
１７は，電圧フォロワ回路である。グラウンド電位制御
回路１７の増幅器３６は，グラウンド用リファレンス電
位入力線２３から，リファレンス電位が入力される。ま
た，グラウンド電位制御回路１７の増幅器３６は，グラ
ウンド用センス電位入力線２５から，センス電位が入力
される。グラウンド電位制御回路１７の増幅器３６は，
人力されたリファレンス電位とセンス電位に基づき，グ
ラウンド電位制御回路１７のトランジスタ３５を制御す
る電位を出力する。グラウンド電位制御回路１７のトラ
ンジスタ３５は，グラウンド線２４を介して集積回路１
のグラウンド配線１３を流れる電流をグラウンド用リー
ド端子４から引き込む。トランジスタ３５が引き込む電
流は，グラウンド電位センス配線１５によりセンスされ
るグラウンド配線１３のセンス電位と基準電位３４によ
るリファレンス電位が同電位になるように，増幅器３６
の出力電位によって制御される。グラウンド電位制御回
路１７は，グラウンド用センス入力線２５にグラウンド
配線１３をセンスしたセンス電位が帰還することで，寄
生抵抗による電圧降下が補償された一定値のグラウンド
電位を集積回路１に安定に供給し，回路ブロック２６〜
３０の誤動作を防ぐ。
【００３７】グランド電位制御回路１７のグラウンド用
リファレンス電位入力線２３は，基準電位３４が入力さ
れ，集積回路１を含む回路システムでのシステムグラウ
ンドとなる。
リファレンス電位入力線２３は，基準電位３４が入力さ
れ，集積回路１を含む回路システムでのシステムグラウ
ンドとなる。
【００３８】次に，本発明の第１の実施の形態の効果に
ついて説明する。本発明の第１の実施形態では，集積回
路に，電源配線及びグラウンド配線の電位をセンスした
センス電位を出力するリード端子が設けられているた
め，集積回路に安定した電源を供給し，一定に電源電位
を保つ電源制御回路及び一定にグラウンド電位を保つグ
ラウンド電位制御回路が使用できる。このため，集積回
路のリード端子，ボンディングワイヤ，パッド，配線な
どの寄生抵抗による電圧降下を補償した電源供給を行
い，集積回路の誤動作を防ぐことができる。
ついて説明する。本発明の第１の実施形態では，集積回
路に，電源配線及びグラウンド配線の電位をセンスした
センス電位を出力するリード端子が設けられているた
め，集積回路に安定した電源を供給し，一定に電源電位
を保つ電源制御回路及び一定にグラウンド電位を保つグ
ラウンド電位制御回路が使用できる。このため，集積回
路のリード端子，ボンディングワイヤ，パッド，配線な
どの寄生抵抗による電圧降下を補償した電源供給を行
い，集積回路の誤動作を防ぐことができる。
【００３９】また，電源電位制御回路及びグラウンド電
位制御回路の使用により，電源用リード端子とグラウン
ド用リード端子に流れる電流値によらず，寄生抵抗によ
る電源配線の電位降下とグラウンド配線の電位上昇を補
償した電源が供給されるため，一つの電源用リード端子
及びグラウンド用リード端子に流せる電流値を増大する
ことができる。そのため，集積回路の電源用リード端子
数とグラウンド用リード端子数を減少することができる
と共に，電源用パッド数とグラウンド用パッド数も減少
でき，集積回路の寸法を小さくすることができる。
位制御回路の使用により，電源用リード端子とグラウン
ド用リード端子に流れる電流値によらず，寄生抵抗によ
る電源配線の電位降下とグラウンド配線の電位上昇を補
償した電源が供給されるため，一つの電源用リード端子
及びグラウンド用リード端子に流せる電流値を増大する
ことができる。そのため，集積回路の電源用リード端子
数とグラウンド用リード端子数を減少することができる
と共に，電源用パッド数とグラウンド用パッド数も減少
でき，集積回路の寸法を小さくすることができる。
【００４０】次に，本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００４１】図３は本発明の第２の実施の形態の電源供
給回路付半導体集積回路の構成を示す図である。図３に
示すように，集積回路１は，電源用リード端子２と，電
源電位リファレンス用リード端子３７と，グラウンド用
リード端子４と，グラウンド電位リファレンス用リード
端子３９とアイランド４２を有するリードフレームと，
ペレット６と，ボンディングワイヤ１１で構成される。
ぺレット６は，リードフレームのアイランド４２に搭載
される。ぺレット６上に，電源用パッド７と，グラウン
ド用パッド８と，電源電位リファレンス用パッド３８
と，グラウンド電位リファレンス用パッド４０が設けら
れる。電源用パッド７は電源用リード端子２と，グラウ
ンド用パッド８はグラウンド用リード端子４と，電源電
位リファレンス用パッド９は電源電位リファレンス用リ
ード端子３７と，グラウンド電位リファレンス用パッド
４０はグラウンド電位リファレンス用リード端子３９と
それぞれボンディングワイヤ１１で接続される。図２の
電源電位制御回路１６は，集積回路１のぺレット６上に
設けられる。電源入力線１８は電源用パッド７と接続さ
れ，電源用リファレンス電位入力線１９は電源電位リフ
ァレンス用パッド３８と接続され，電源線２０は電源配
線１２と接続され，電源用センス電位入力線２１は電源
配線１２の一カ所と接続された電源配線１２の太さの１
０分の１以下である高インピーダンスで極めて微小な電
流しか流れない細い電源電位センス配線１４と接続され
る。電源配線１２の電位は，電源電位センス配線１４に
よりセンスされる。その電位は，電源電位制御回路１６
の電源用センス電位入力線２１にセンス電位として入力
される。図１の集積回路１と同様に，電源用リード端子
２，電源用パッド７，ボンディングワイヤ１１，電源配
線１２等は寄生抵抗が存在する。電源入力線１８は，電
源用リード端子２と電源用パッド７とボンディングワイ
ヤ１１を介して電源用電圧源３１の電位が入力され，電
流が流れる。電源用リファレンス電位入力線１９は，電
源電位リファレンス用リード端子３７と電源電位リファ
レンス用パッド３８とボンディングワイヤ１１を介して
電源用リファレンス電圧源３２の電位が入力される。電
源用電圧源３１の値は，集積回路１が所望とする電圧値
に，電源用リード端子２と電源用パッド７とボンディン
グワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生抵抗での電圧
降下分を補償した正の値が加えられる。電源用リファレ
ンス電圧源３２の値は，集積回路１が所望とする電圧値
である。
給回路付半導体集積回路の構成を示す図である。図３に
示すように，集積回路１は，電源用リード端子２と，電
源電位リファレンス用リード端子３７と，グラウンド用
リード端子４と，グラウンド電位リファレンス用リード
端子３９とアイランド４２を有するリードフレームと，
ペレット６と，ボンディングワイヤ１１で構成される。
ぺレット６は，リードフレームのアイランド４２に搭載
される。ぺレット６上に，電源用パッド７と，グラウン
ド用パッド８と，電源電位リファレンス用パッド３８
と，グラウンド電位リファレンス用パッド４０が設けら
れる。電源用パッド７は電源用リード端子２と，グラウ
ンド用パッド８はグラウンド用リード端子４と，電源電
位リファレンス用パッド９は電源電位リファレンス用リ
ード端子３７と，グラウンド電位リファレンス用パッド
４０はグラウンド電位リファレンス用リード端子３９と
それぞれボンディングワイヤ１１で接続される。図２の
電源電位制御回路１６は，集積回路１のぺレット６上に
設けられる。電源入力線１８は電源用パッド７と接続さ
れ，電源用リファレンス電位入力線１９は電源電位リフ
ァレンス用パッド３８と接続され，電源線２０は電源配
線１２と接続され，電源用センス電位入力線２１は電源
配線１２の一カ所と接続された電源配線１２の太さの１
０分の１以下である高インピーダンスで極めて微小な電
流しか流れない細い電源電位センス配線１４と接続され
る。電源配線１２の電位は，電源電位センス配線１４に
よりセンスされる。その電位は，電源電位制御回路１６
の電源用センス電位入力線２１にセンス電位として入力
される。図１の集積回路１と同様に，電源用リード端子
２，電源用パッド７，ボンディングワイヤ１１，電源配
線１２等は寄生抵抗が存在する。電源入力線１８は，電
源用リード端子２と電源用パッド７とボンディングワイ
ヤ１１を介して電源用電圧源３１の電位が入力され，電
流が流れる。電源用リファレンス電位入力線１９は，電
源電位リファレンス用リード端子３７と電源電位リファ
レンス用パッド３８とボンディングワイヤ１１を介して
電源用リファレンス電圧源３２の電位が入力される。電
源用電圧源３１の値は，集積回路１が所望とする電圧値
に，電源用リード端子２と電源用パッド７とボンディン
グワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生抵抗での電圧
降下分を補償した正の値が加えられる。電源用リファレ
ンス電圧源３２の値は，集積回路１が所望とする電圧値
である。
【００４２】また，図２と同様の構成のグラウンド電位
制御回路１７は，ぺレット６上に設けられる。グラウン
ド電源入力線２２はグラウンド用パッド８と接続され，
グラウンド用リファレンス電位入力線２３はグラウンド
電位リファレンス用パッド４０と接続され，グラウンド
線２４はグラウンド配線１３と接続され，グラウンド用
センス電位入力線２５はグラウンド配線１３の一カ所と
接続されたグラウンド配線１３の太さの１０分の１以下
である高インピーダンスで極めて微小な電流しか流れな
い細いグラウンド電位センス配線１５と接続される。グ
ラウンド配線１３の電位は，グラウンド電位センス配線
１５によりセンスされる。センスされた電位は，グラウ
ンド電位制御回路１７のグラウンド用センス電位入力線
２５にセンス電位として入力される。図１の集積回路１
と同様に，グラウンド用りード端子４，グラウンド用パ
ッド８，ボンディングワイヤ１１，グラウンド配線１３
等は寄生抵抗が存在する。グラウンド電源入力線２２
は，グラウンド用リード端子４とグラウンド用パッド８
とボンディングワイヤ１１を介してグラウンド用電圧源
３３の電位が入力され，電流が流れる。グラウンド用電
圧源３３の値は，集積回路１の基準電位３４に，グラウ
ンド用リード端子４とグラウンド用パッド８とボンディ
ングワイヤ１１とグラウンド配線１３が有する寄生抵抗
での電圧降下分を補償した負の値が加えられる。グラウ
ンド用リファレンス電位入力線２３は，グラウンド電位
リファレンス用リード端子３９とグラウンド電位リファ
レンス用パッド４０とボンディングワイヤ１１を介して
基準電位３４が入力される。グラウンド電位リファレン
ス用リード端子３７は，集積回路１を含む回路システム
でのシステムグラウンドとなる。回路ブロック２６〜３
０は，電源線２０に接続された電源配線１２とグラウン
ド線２４に接続されたグラウンド配線１３に接続され，
電源供給を受ける。電源電位制御回路１６とグラウンド
電位制御回路１７は，図２で示した回路構成と同じで，
それぞれの回路の入出力線の置き換えも第１の実施の形
態と同じである。
制御回路１７は，ぺレット６上に設けられる。グラウン
ド電源入力線２２はグラウンド用パッド８と接続され，
グラウンド用リファレンス電位入力線２３はグラウンド
電位リファレンス用パッド４０と接続され，グラウンド
線２４はグラウンド配線１３と接続され，グラウンド用
センス電位入力線２５はグラウンド配線１３の一カ所と
接続されたグラウンド配線１３の太さの１０分の１以下
である高インピーダンスで極めて微小な電流しか流れな
い細いグラウンド電位センス配線１５と接続される。グ
ラウンド配線１３の電位は，グラウンド電位センス配線
１５によりセンスされる。センスされた電位は，グラウ
ンド電位制御回路１７のグラウンド用センス電位入力線
２５にセンス電位として入力される。図１の集積回路１
と同様に，グラウンド用りード端子４，グラウンド用パ
ッド８，ボンディングワイヤ１１，グラウンド配線１３
等は寄生抵抗が存在する。グラウンド電源入力線２２
は，グラウンド用リード端子４とグラウンド用パッド８
とボンディングワイヤ１１を介してグラウンド用電圧源
３３の電位が入力され，電流が流れる。グラウンド用電
圧源３３の値は，集積回路１の基準電位３４に，グラウ
ンド用リード端子４とグラウンド用パッド８とボンディ
ングワイヤ１１とグラウンド配線１３が有する寄生抵抗
での電圧降下分を補償した負の値が加えられる。グラウ
ンド用リファレンス電位入力線２３は，グラウンド電位
リファレンス用リード端子３９とグラウンド電位リファ
レンス用パッド４０とボンディングワイヤ１１を介して
基準電位３４が入力される。グラウンド電位リファレン
ス用リード端子３７は，集積回路１を含む回路システム
でのシステムグラウンドとなる。回路ブロック２６〜３
０は，電源線２０に接続された電源配線１２とグラウン
ド線２４に接続されたグラウンド配線１３に接続され，
電源供給を受ける。電源電位制御回路１６とグラウンド
電位制御回路１７は，図２で示した回路構成と同じで，
それぞれの回路の入出力線の置き換えも第１の実施の形
態と同じである。
【００４３】次に，図３の第２の実施の形態による電源
供給回路付半導体集積回路の動作について説明する。
供給回路付半導体集積回路の動作について説明する。
【００４４】ここでは，集積回路１に低電圧で大電流が
流れることを仮定し，集積回路１に生じる寄生抵抗の影
響が顕著であるとする。集積回路１の電源用リード端子
２は，電源用電圧源３１が接続される。電源電位制御回
路１６の電源入力線１８は，電源用リード端子２と電源
用パッド７とボンディングワイヤ１１を介して電源用電
圧源３１の電位が入力され，電流が流れる。電源入力線
１８は，電源用電圧源３１から，集積回路１が所望とす
る電圧値に，電源用リード端子２と電源用パッド７とボ
ンディングワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生抵抗
での電圧降下分を補償した正の値を加えた電位が入力さ
れる。集積回路１の電源電位リファレンス用リード端子
３７は，電源用リファレンス電圧源３２が接続される。
電源電位制御回路１６の電源用リファレンス電位入力線
１９は，電源電位リファレンス用リード端子３７と電源
電位リファレンス用パッド３８とボンディングワイヤ１
１を介して電源用リファレンス電圧源３２から，集積回
路１が所望とする電源電位がリファレンス電位として入
力される。電源電位センス配線１４は，電源配線１２の
電位をセンスする。その電位は，電源電位制御回路１６
の電源用センス電位入力線２１にセンス電位として入力
される。
流れることを仮定し，集積回路１に生じる寄生抵抗の影
響が顕著であるとする。集積回路１の電源用リード端子
２は，電源用電圧源３１が接続される。電源電位制御回
路１６の電源入力線１８は，電源用リード端子２と電源
用パッド７とボンディングワイヤ１１を介して電源用電
圧源３１の電位が入力され，電流が流れる。電源入力線
１８は，電源用電圧源３１から，集積回路１が所望とす
る電圧値に，電源用リード端子２と電源用パッド７とボ
ンディングワイヤ１１と電源配線１２が有する寄生抵抗
での電圧降下分を補償した正の値を加えた電位が入力さ
れる。集積回路１の電源電位リファレンス用リード端子
３７は，電源用リファレンス電圧源３２が接続される。
電源電位制御回路１６の電源用リファレンス電位入力線
１９は，電源電位リファレンス用リード端子３７と電源
電位リファレンス用パッド３８とボンディングワイヤ１
１を介して電源用リファレンス電圧源３２から，集積回
路１が所望とする電源電位がリファレンス電位として入
力される。電源電位センス配線１４は，電源配線１２の
電位をセンスする。その電位は，電源電位制御回路１６
の電源用センス電位入力線２１にセンス電位として入力
される。
【００４５】電源電位制御回路１６は，図２に示す第１
の実施の形態の電源電位制御回路１６と同様に動作す
る。増幅器３６は，電源用リファレンス電位入力線１９
から，リファレンス電位が入力される。また，増幅器３
６は，電源用センス電位入力線２１から，センス電位が
入力される。増幅器３６は，入力されたリファレンス電
位とセンス電位に基づき，トランジスタ３５を制御する
電位を出力する。トランジスタ３５は，電源線２０を介
して集積回路１に供給する電流を出力する。トランジス
タ３５の出力電流は，図３の電源配線１２に入力され
る。トランジスタ３５が出力する電流は，電源電位セン
ズ配線１４によりセンスされる電源配線１２のセンス電
位と電源用リファレンス電圧源３２のリファレンス電位
が同電位になるように，増幅器３６の出力電位によって
制御される。電源電位制御回路１６は，電源用センス入
力線２１に電源配線１２のセンス電位が帰還すること
で，寄生抵抗による電圧降下が補償された一定値の電源
電位を集積回路１に安定に供給し，回路ブロック２６〜
３０の誤動作を防ぐ。
の実施の形態の電源電位制御回路１６と同様に動作す
る。増幅器３６は，電源用リファレンス電位入力線１９
から，リファレンス電位が入力される。また，増幅器３
６は，電源用センス電位入力線２１から，センス電位が
入力される。増幅器３６は，入力されたリファレンス電
位とセンス電位に基づき，トランジスタ３５を制御する
電位を出力する。トランジスタ３５は，電源線２０を介
して集積回路１に供給する電流を出力する。トランジス
タ３５の出力電流は，図３の電源配線１２に入力され
る。トランジスタ３５が出力する電流は，電源電位セン
ズ配線１４によりセンスされる電源配線１２のセンス電
位と電源用リファレンス電圧源３２のリファレンス電位
が同電位になるように，増幅器３６の出力電位によって
制御される。電源電位制御回路１６は，電源用センス入
力線２１に電源配線１２のセンス電位が帰還すること
で，寄生抵抗による電圧降下が補償された一定値の電源
電位を集積回路１に安定に供給し，回路ブロック２６〜
３０の誤動作を防ぐ。
【００４６】また，集積回路１のグラウンド用リード端
子４は，グラウンド用電圧源３３が接続される。グラウ
ンド電位制御回路１７のグラウンド入力線２２は，グラ
ウンド用リード端子４とグラウンド用パッド８とボンデ
ィングワイヤ１１を介してグラウンド用電圧源３３の電
位が入力され，電流が流れる。グラウンド入力線２２
は，グラウンド用電圧源３３から，集積回路１が所望と
する電圧値に，グラウンド用リード端子４とグラウンド
用パッド８とボンディングワイヤ１１とグラウンド配線
１３が有する寄生抵抗での電圧降下分を補償した負の値
を加えた電位が入力される。集積回路１のグラウンド電
位リファレンス用リード端子３９は，基準電位３４が入
力される。グラウンド電位制御回路１７のグラウンド用
リファレンス電位入力線２３は，グラウンド電位リファ
レンス用リード端子３９とグラウンド電位リファレンス
用パッド４０とボンディングワイヤ１１を介してグラウ
ンド用リファレンス電圧源３３から，集積回路１が所望
とするグラウンド電位がリファレンス電位として入力さ
れる。グラウンド電位センス配線１５は，グラウンド配
線１３の電位をセンスする。その電位は，グラウンド電
位制御回路１６のグラウンド用センス電位入力線２５に
センス電位として入力される。
子４は，グラウンド用電圧源３３が接続される。グラウ
ンド電位制御回路１７のグラウンド入力線２２は，グラ
ウンド用リード端子４とグラウンド用パッド８とボンデ
ィングワイヤ１１を介してグラウンド用電圧源３３の電
位が入力され，電流が流れる。グラウンド入力線２２
は，グラウンド用電圧源３３から，集積回路１が所望と
する電圧値に，グラウンド用リード端子４とグラウンド
用パッド８とボンディングワイヤ１１とグラウンド配線
１３が有する寄生抵抗での電圧降下分を補償した負の値
を加えた電位が入力される。集積回路１のグラウンド電
位リファレンス用リード端子３９は，基準電位３４が入
力される。グラウンド電位制御回路１７のグラウンド用
リファレンス電位入力線２３は，グラウンド電位リファ
レンス用リード端子３９とグラウンド電位リファレンス
用パッド４０とボンディングワイヤ１１を介してグラウ
ンド用リファレンス電圧源３３から，集積回路１が所望
とするグラウンド電位がリファレンス電位として入力さ
れる。グラウンド電位センス配線１５は，グラウンド配
線１３の電位をセンスする。その電位は，グラウンド電
位制御回路１６のグラウンド用センス電位入力線２５に
センス電位として入力される。
【００４７】また，グラウンド電位制御回路１７は，図
２に示す構成の第１の実施の形態のグラウンド電位制御
回路１７と同様に動作する。グラウンド電位制御回路１
７の増幅器３６は，グラウンド用リファレンス電位入力
線２３から，グラウンド電位リファレンス用リード端子
３９を介して基準電位３４がリファレンス電位として入
力される。また，グラウンド電位制御回路１７の増幅器
３６は，グラウンド用センス電位入力線２５から，セン
ス電位が入力される。グラウンド電位制御回路１７の増
幅器３６は，入力されたリファレンス電位とセンス電位
に基づき，トランジスタ３５を制御する電位を出力す
る。トランジスタ３５は，グラウンド線２４を介して集
積回路１のグラウンド配線１３を流れる電流を引き込
む。トランジスタ３５が引き込む電流は，グラウンド電
位センス配線１５によりセンスされるグラウンド配線１
３のセンス電位と基準電位３４によるリファレンス電位
が同電位になるように，増幅器３６の出力電位によって
制御される。グラウンド電位制御回路１７は，グラウン
ド用センス入力線２５にグラウンド配線１３をセンスし
たセンス電位が帰還することで，寄生抵抗による電圧降
下が補償された一定値のグラウンド電位を集積回路１に
安定に供給し，回路ブロック２６〜３０の誤動作を防
ぐ。
２に示す構成の第１の実施の形態のグラウンド電位制御
回路１７と同様に動作する。グラウンド電位制御回路１
７の増幅器３６は，グラウンド用リファレンス電位入力
線２３から，グラウンド電位リファレンス用リード端子
３９を介して基準電位３４がリファレンス電位として入
力される。また，グラウンド電位制御回路１７の増幅器
３６は，グラウンド用センス電位入力線２５から，セン
ス電位が入力される。グラウンド電位制御回路１７の増
幅器３６は，入力されたリファレンス電位とセンス電位
に基づき，トランジスタ３５を制御する電位を出力す
る。トランジスタ３５は，グラウンド線２４を介して集
積回路１のグラウンド配線１３を流れる電流を引き込
む。トランジスタ３５が引き込む電流は，グラウンド電
位センス配線１５によりセンスされるグラウンド配線１
３のセンス電位と基準電位３４によるリファレンス電位
が同電位になるように，増幅器３６の出力電位によって
制御される。グラウンド電位制御回路１７は，グラウン
ド用センス入力線２５にグラウンド配線１３をセンスし
たセンス電位が帰還することで，寄生抵抗による電圧降
下が補償された一定値のグラウンド電位を集積回路１に
安定に供給し，回路ブロック２６〜３０の誤動作を防
ぐ。
【００４８】次に，本発明の第２の実施の形態の効果に
ついて説明する。本発明の第２の実施の形態の効果は，
第１の実施の形態の効果に加え，電源電位制御回路及び
グラウンド電位制御回路を集積回路に内蔵することで，
集積回路外部の電源供給回路の接続が不用となる。この
ため，集積回路は，電源用電圧源とグラウンド用電圧源
と電源用リファレンス電圧源とグラウンド用リファレン
ス電圧源と基準電位を接続するだけで安定した動作が得
られる。
ついて説明する。本発明の第２の実施の形態の効果は，
第１の実施の形態の効果に加え，電源電位制御回路及び
グラウンド電位制御回路を集積回路に内蔵することで，
集積回路外部の電源供給回路の接続が不用となる。この
ため，集積回路は，電源用電圧源とグラウンド用電圧源
と電源用リファレンス電圧源とグラウンド用リファレン
ス電圧源と基準電位を接続するだけで安定した動作が得
られる。
【００４９】
【発明の効果】以上，説明したように，本発明では，低
電圧で大電流が流れる集積回路において，電源電位セン
ス用りード端子とグラウンド電位センス用リード端子あ
るいは電源電位リファレンス用リード端子とグラウンド
電位リファレンス用リード端子を設け，電源配線からセ
ンスした電位と電源のリファレンス電位により集積回路
に供給する電源電位を制御する電源電位制御回路及びグ
ラウンド配線からセンスした電位とグラウンドのリファ
レンス電位により半導体集積回路に供給するグラウンド
電位を制御するグラウンド電位制御回路を用いること
で，半導体集積回路の電源端子とグラウンド端子に生じ
る寄生抵抗が引き起こす電源電位の下降またはグラウン
ド電位の上昇を補償した電源供給を行い，集積回路内部
の電源電圧を所望の電圧に保つという効果がある。例え
ば，従来の集積回路が電源電圧３Ｖで動作し，１０Ａの
電流が流れ，電源用リード端子と電源用パッドとボンデ
ィングワイヤと電源配線の寄生抵抗が０．１Ωで，グラ
ウンド用リード端子とグラウンド用パッドとボンディン
グワイヤとグラウンド配線の寄生抵抗が０．１Ωの場
合，集積回路の寄生抵抗のために２Ｖの電圧降下生じ，
集積回路内部の電源電圧は１Ｖとなり誤動作を招く。そ
こで，本発明の半導体集積回路，電圧制御型半導体集積
回路，又は電源供給回路付半導体集積回路を使用すれ
ば，寄生抵抗が引き起こす電圧降下による半導体集積回
路の誤動作を防ぐことができる。
電圧で大電流が流れる集積回路において，電源電位セン
ス用りード端子とグラウンド電位センス用リード端子あ
るいは電源電位リファレンス用リード端子とグラウンド
電位リファレンス用リード端子を設け，電源配線からセ
ンスした電位と電源のリファレンス電位により集積回路
に供給する電源電位を制御する電源電位制御回路及びグ
ラウンド配線からセンスした電位とグラウンドのリファ
レンス電位により半導体集積回路に供給するグラウンド
電位を制御するグラウンド電位制御回路を用いること
で，半導体集積回路の電源端子とグラウンド端子に生じ
る寄生抵抗が引き起こす電源電位の下降またはグラウン
ド電位の上昇を補償した電源供給を行い，集積回路内部
の電源電圧を所望の電圧に保つという効果がある。例え
ば，従来の集積回路が電源電圧３Ｖで動作し，１０Ａの
電流が流れ，電源用リード端子と電源用パッドとボンデ
ィングワイヤと電源配線の寄生抵抗が０．１Ωで，グラ
ウンド用リード端子とグラウンド用パッドとボンディン
グワイヤとグラウンド配線の寄生抵抗が０．１Ωの場
合，集積回路の寄生抵抗のために２Ｖの電圧降下生じ，
集積回路内部の電源電圧は１Ｖとなり誤動作を招く。そ
こで，本発明の半導体集積回路，電圧制御型半導体集積
回路，又は電源供給回路付半導体集積回路を使用すれ
ば，寄生抵抗が引き起こす電圧降下による半導体集積回
路の誤動作を防ぐことができる。
【００５０】また，本発明によれば，電源電位制御回路
とグラウンド電位制御回路の使用により，電源端子とグ
ラウンド端子に流れる電流値によらず，寄生抵抗による
電圧降下を補償した電源が供給されるため，１個の電源
端子及びグラウンド端子に流せる電流値を増大すること
ができるという効果がある。
とグラウンド電位制御回路の使用により，電源端子とグ
ラウンド端子に流れる電流値によらず，寄生抵抗による
電圧降下を補償した電源が供給されるため，１個の電源
端子及びグラウンド端子に流せる電流値を増大すること
ができるという効果がある。
【００５１】更に，本発明においては，１個の電源端子
及びグラウンド端子に流せる電流値が増大することがで
き，これは，半導体集積回路の電源端子数及びグラウン
ド端子数を減少することができると共に，電源用パッド
数も減少することができ，集積回路の寸法を小さくする
ことができるという効果がある。
及びグラウンド端子に流せる電流値が増大することがで
き，これは，半導体集積回路の電源端子数及びグラウン
ド端子数を減少することができると共に，電源用パッド
数も減少することができ，集積回路の寸法を小さくする
ことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による電源供給回路
付半導体集積回路の構成の概略を示す図である。
付半導体集積回路の構成の概略を示す図である。
【図２】図１の電源電位制御回路の詳細な回路を示す図
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による電源供給回路
付半導体集積回路の構成の概略を示す図である。
付半導体集積回路の構成の概略を示す図である。
【図４】従来の集積回路の構成と電源の接続の概略を示
す図である。
す図である。
【図５】従来技術２の集積回路の構成を示す図である。
１ 集積回路 ２ 電源用リード端子 ３ 電源電位センス用リード端子 ４ グラウンド用リード端子 ５ グラウンド電位センス用リード端子 ６ ペレット ７ 電源用パッド ８ グラウンド用パッド ９ 電源電位センス用パッド １０ グラウンド電位センス用パッド １１ ボンディングワイヤ １２ 電源配線 １３ グラウンド配線 １４ 電源電位センス配線 １５ グラウンド電位センス配線 １６ 電源電位制御回路 １７ グラウンド電位制御回路 １８ 電源入力線 １９ 電源用リファレンス電位入力線 ２０ 電源線 ２１ 電源用センス電位入力線 ２２ グラウンド電源入力線 ２３ グラウンド用リファレンス電位入力線 ２４ グラウンド線 ２５ グラウンド用センス電位入力線 ２６，２７，２８，２９，３０ 回路ブロック ３１ 電源用電圧源 ３２ 電源用リファレンス電圧源 ３３ グラウンド用電圧源 ３４ 基準電位 ３５ トランジスタ ３６ 増幅器 ３７ 電源電位リファレンス用リード端子 ３８ 電源電位リファレンス用パッド ３９ グラウンド電位リファレンス用リード端子 ４０ グラウンド電位リファレンス用パッド ４１ 電圧源 ４２ アイランド １０４，１０５ 機能回路 １０７ 内部回路 １０８ パッケージ内配線 Ｓ１ 基板上辺 Ｓ２ 基板左辺 Ｓ３ 基板右辺 Ｓ４ 基板下辺 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５ 基板上の金属膜配線 Ｐ１ 基板上辺の電源用パッド Ｐ２ 基板左辺の電源用パッド Ｐ３ 基板右辺の電源用パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 H01L 21/822 H01L 27/118 H01L 27/04
Claims (20)
- 【請求項１】 第１のインピーダンスを有する電源配
線、第２のインピーダンスを有するグランド配線、及び
前記電源配線と前記グランド配線とに接続された回路ブ
ロックを備えたペレットと、前記ペレットとを搭載する
アイランドを備えたリードフレームとを有する半導体集
積回路において、 前記ペレットは、更に、前記電源配線の内の一か所に接
続された第１のインピーダンスとは異なる第３のインピ
ーダンスを有しセンス電位を出力する電源電位センス配
線と、前記グランド配線の内の一か所に接続された前記
第２のインピーダンスとは異なる第４のインピーダンス
を有しセンス電位を出力するグランド電位センス配線と
を備えていることを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路におい
て，前記電源配線，前記グランド配線，前記電源電位セ
ンス配線，及び前記グランド電位センス配線と外部との
電気接続は，前記ペレットに設けられたパッドと，前記
リードフレームに設けられたリード端子と，前記パッド
と前記リード端子とを接続するボンディングワイヤを介
して行われることを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体集積回路におい
て，前記第３のインピーダンスは前記第１のインピーダ
ンスよりも高く，前記第４のインピーダンスは前記第２
のインピーダンスよりも高いことを特徴とする半導体集
積回路。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体集積回路におい
て，前記電源電位センス配線は，前記電源配線の内の最
も太い電源配線の太さの１０分の１以下の太さであり，
前記グランド電位センス配線は，前記グランド配線の内
の最も太いグランド配線の太さの１０分の１以下の太さ
であることを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体集積回路と，前記
電源配線及び前記電源電位センス配線の夫々に接続され
た電源電位制御回路と，前記グランド配線及び前記グラ
ンド電位センス配線の夫々に接続されたグランド電位制
御回路とを備え，前記電源電位制御回路は予め定められ
たリファレンス電圧を基準として前記電源電位センス配
線の電位に基づいて前記電源配線を介して供給される前
記回路ブロックの電源電位を一定値にするように制御
し，前記グランド電位制御回路は予め定められた基準電
位を基準として前記グランド電位センス配線の電位に基
づいて，前記グランド配線を介して供給される前記回路
ブロックのグランド電位を一定値にするように制御する
ことを特徴とする電源制御型半導体集積回路。 - 【請求項６】 請求項５記載の電源制御型半導体集積回
路において，前記電源電位制御回路及び前記グランド電
位制御回路は，前記リードフレームの外部に設けられ，
前記電源電位制御回路と前記グランド電位制御回路とは
電気接続を介して，前記電源配線及び前記電源電位セン
ス配線と前記グランド配線及び前記グランド電位センス
配線とに夫々接続されていることを特徴とする電源制御
型半導体集積回路。 - 【請求項７】 請求項５記載の電源制御型半導体集積回
路において，前記電源電位制御回路及び前記グランド電
位制御回路は，前記ペレットに設けられ，電気接続を介
して，外部に引き出されていることを特徴とする電源制
御型半導体集積回路。 - 【請求項８】 請求項６又は７記載の電源制御型半導体
集積回路において，前記電気的接続は，前記ペレットに
設けられたパッドと，前記リードフレームに設けられた
リード端子と，前記パッドと前記リード端子とを接続す
るボンディングワイヤとを介して行われることを特徴と
する電源制御型半導体集積回路。 - 【請求項９】 請求項８記載の電源制御型半導体集積回
路において，前記第３のインピーダンスは前記第１のイ
ンピーダンスよりも高く，前記第４のインピーダンスは
前記第２のインピーダンスよりも高いことを特徴とする
電源制御型半導体集積回路。 - 【請求項１０】 請求項９記載の電源制御型半導体集積
回路において，前記電源電位センス配線は，前記電源配
線の内の最も太い電源配線の太さの１０分の１以下の太
さであり，前記グランド電位センス配線は，前記グラン
ド配線の内の最も太いグランド配線の太さの１０分の１
以下の太さであることを特徴とする電源制御型半導体集
積回路。 - 【請求項１１】 請求項１記載の半導体集積回路に電源
を供給する電源供給回路であって，前記電源配線及び前
記電源電位センス配線の夫々に接続された電源電位制御
回路と，前記グランド配線及び前記グランド電位センス
配線の夫々に接続されたグランド電位制御回路と，前記
電源電位制御回路に電源用電圧を供給する電源用電圧源
と，前記電源電位制御回路にリファレンス電圧を供給す
る電源用リファレンス電圧源と，前記グランド電位制御
回路の基準電位と，前記グランド電位制御回路にグラン
ド電位を供給するグランド用電圧源とを備え，前記電源
電位制御回路は前記リファレンス電圧を基準として前記
電源電位センス配線の電位に基づいて前記電源配線を介
して供給される前記回路ブロックの電源電位を一定値に
するように制御し，前記グランド電位制御回路は前記基
準電位を基準として前記グランド電位センス配線の電位
に基づいて，前記グランド配線を介して供給される前記
回路ブロックのグランド電位を一定値にするように制御
することを特徴とする電源供給回路。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の電源供給回路におい
て，前記電源電位制御回路及び前記グランド電位制御回
路は，前記リードフレームの外部に設けられ，前記電源
電位制御回路と前記グランド電位制御回路とは電気接続
を介して，前記電源配線及び前記電源電位センス配線と
前記グランド配線及び前記グランド電位センス配線とに
夫々接続されていることを特徴とする電源供給回路。 - 【請求項１３】 請求項１１記載の電源供給回路におい
て，前記電源電位制御回路及び前記グランド電位制御回
路は，前記ペレットに設けられ，電気接続を介して，外
部に引き出されていることを特徴とする電源供給回路。 - 【請求項１４】 請求項１２又は１３記載の電源供給回
路において，前記電気的接続は，前記ペレットに設けら
れたパッドと，前記リードフレームに設けられたリード
端子と，前記パッドと前記リード端子とを接続するボン
ディングワイヤとを介して行われることを特徴とする電
源供給回路。 - 【請求項１５】 請求項１記載の半導体集積回路と請求
項１１記載の電源供給回路とを備えたことを特徴とする
電源供給回路付半導体集積回路。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の電源供給回路付半導
体集積回路において， 前記電源電位制御回路及び前記
グランド電位制御回路は，前記リードフレームの外部に
設けられ，前記電源電位制御回路と前記グランド電位制
御回路とは電気接続を介して，前記電源配線及び前記電
源電位センス配線と前記グランド配線及び前記グランド
電位センス配線とに夫々接続されていることを特徴とす
る電源供給回路付半導体集積回路。 - 【請求項１７】 請求項１５記載の電源供給回路付半導
体集積回路において，前記電源電位制御回路及び前記グ
ランド電位制御回路は，前記ペレットに設けられ，電気
接続を介して，外部に引き出されていることを特徴とす
る電源供給回路付半導体集積回路。 - 【請求項１８】 請求項１６又は１７記載の電源供給回
路付半導体集積回路において，前記電気的接続は，前記
ペレットに設けられたパッドと，前記リードフレームに
設けられたリード端子と，前記パッドと前記リード端子
とを接続するボンディングワイヤとを介して行われるこ
とを特徴とする電源供給回路付半導体集積回路。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の電源供給回路付半導
体集積回路において，前記第３のインピーダンスは前記
第１のインピーダンスよりも高く，前記第４のインピー
ダンスは前記第２のインピーダンスよりも高いことを特
徴とする電源供給回路付半導体集積回路。 - 【請求項２０】 請求項１９記載の電源供給回路付半導
体集積回路において，前記電源電位センス配線は，前記
電源配線の内の最も太い電源配線の太さの１０分の１以
下の太さであり，前記グランド電位センス配線は，前記
グランド配線の内の最も太いグランド配線の太さの１０
分の１以下の太さであることを特徴とする電源供給回路
付半導体集積回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21249596A JP3019918B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体集積回路及びその電源供給回路 |
| US08/907,923 US5939780A (en) | 1996-08-12 | 1997-08-11 | Power supply circuit for a semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21249596A JP3019918B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体集積回路及びその電源供給回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056071A JPH1056071A (ja) | 1998-02-24 |
| JP3019918B2 true JP3019918B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=16623613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21249596A Expired - Fee Related JP3019918B2 (ja) | 1996-08-12 | 1996-08-12 | 半導体集積回路及びその電源供給回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5939780A (ja) |
| JP (1) | JP3019918B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6861739B1 (en) * | 2001-05-15 | 2005-03-01 | Lsi Logic Corporation | Minimum metal consumption power distribution network on a bonded die |
| JP5404999B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2014-02-05 | インベンサス、コーポレーション | 集積回路への電力供給方法、システム及びそれに使用される集積回路 |
| JP5160295B2 (ja) * | 2008-04-30 | 2013-03-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び検査方法 |
| US8461858B1 (en) * | 2008-12-11 | 2013-06-11 | Altera Corporation | Adjustable power supply sag and bounce generator |
| JP6292325B1 (ja) | 2017-01-20 | 2018-03-14 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路、半導体システムおよび方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2531827B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0512862A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH06163700A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 集積回路装置 |
-
1996
- 1996-08-12 JP JP21249596A patent/JP3019918B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-11 US US08/907,923 patent/US5939780A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1056071A (ja) | 1998-02-24 |
| US5939780A (en) | 1999-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6331105B2 (ja) | ||
| US20050145880A1 (en) | Strobe light control circuit and IGBT device | |
| US7675165B2 (en) | Mount for a programmable electronic processing device | |
| JP2006351633A (ja) | 半導体集積回路装置、電子部品実装基板および半導体集積回路装置のレイアウト設計方法 | |
| KR880011800A (ko) | 데이터출력버퍼회로를 갖춘 반도체장치 | |
| JPS598365A (ja) | 集積回路チツプ | |
| JP3019918B2 (ja) | 半導体集積回路及びその電源供給回路 | |
| US6049470A (en) | Package with reticulated bond shelf | |
| US5672997A (en) | Method and apparatus for reducing the nominal operating voltage supplied to an integrated circuit | |
| US7989935B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH09120974A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0540926B1 (en) | Protection circuit on a lead of a power device | |
| KR930010104B1 (ko) | 반도체 집적회로 | |
| JPH03148827A (ja) | 半導体集積回路 | |
| US6060946A (en) | Semiconductor device having improved immunity to power supply voltage fluctuations | |
| US20030223302A1 (en) | Semiconductor device having semiconductor memory | |
| JPH05121650A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR20000017465A (ko) | 반도체장치 | |
| JPH0377666B2 (ja) | ||
| JPH06163700A (ja) | 集積回路装置 | |
| US6952783B2 (en) | Multiple return terminal power supply methods and apparatus | |
| JP3554251B2 (ja) | 安定化直流電源装置 | |
| JP3108772B2 (ja) | 発振回路 | |
| JPH0360222B2 (ja) | ||
| JP2002076176A (ja) | ボールグリッドアレイパッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |