JPH05121650A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH05121650A JPH05121650A JP3305667A JP30566791A JPH05121650A JP H05121650 A JPH05121650 A JP H05121650A JP 3305667 A JP3305667 A JP 3305667A JP 30566791 A JP30566791 A JP 30566791A JP H05121650 A JPH05121650 A JP H05121650A
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- JP
- Japan
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- circuit
- voltage
- integrated circuit
- circuits
- power supply
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源配線の抵抗や電流による電圧降下を少な
くし、しかも特定箇所の回路性能を低下さることなく、
基板上の内部回路搭載面積を大きくとれるようにする。 【構成】 電源電圧変換回路４の出力電圧を集積回路内
の内部回路５の電源電圧として用いる集積回路装置にお
いて、基準電圧発生回路２を、集積回路を含む基板１上
の特定領域に配置し、その出力電圧Ｖref を参照するド
ライバ回路３を当該集積回路内に分散配置する。そし
て、基準電圧発生回路２の個数をドライバ回路３の個数
より少なくして、内部回路５に外部供給電圧より低い内
部電圧を供給する。
くし、しかも特定箇所の回路性能を低下さることなく、
基板上の内部回路搭載面積を大きくとれるようにする。 【構成】 電源電圧変換回路４の出力電圧を集積回路内
の内部回路５の電源電圧として用いる集積回路装置にお
いて、基準電圧発生回路２を、集積回路を含む基板１上
の特定領域に配置し、その出力電圧Ｖref を参照するド
ライバ回路３を当該集積回路内に分散配置する。そし
て、基準電圧発生回路２の個数をドライバ回路３の個数
より少なくして、内部回路５に外部供給電圧より低い内
部電圧を供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路におい
て外部から与えられた入力直流電圧に対し、小型低消費
電力にして入力電圧より低い安定な直流電圧を発生する
電源電圧変換回路を搭載した集積回路装置に関するもの
である。
て外部から与えられた入力直流電圧に対し、小型低消費
電力にして入力電圧より低い安定な直流電圧を発生する
電源電圧変換回路を搭載した集積回路装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】外部供給電圧を受け集積回路上に搭載し
た電源電圧変換回路により低い電圧に変換して内部回路
に供給する方式は、集積回路中の内部回路を構成する素
子の耐圧が外部供給電圧により低い場合に有効である。
この方法では外部供給電圧を直接内部回路に印加する方
法に比べて消費電力が低減されるという特長も併せて持
っている。
た電源電圧変換回路により低い電圧に変換して内部回路
に供給する方式は、集積回路中の内部回路を構成する素
子の耐圧が外部供給電圧により低い場合に有効である。
この方法では外部供給電圧を直接内部回路に印加する方
法に比べて消費電力が低減されるという特長も併せて持
っている。
【０００３】従来、この電源電圧変換回路を搭載した半
導体集積回路装置としては、図３に示すように、集積回
路が形成された半導体基板１上の１箇所に基準電圧発生
回路２およびドライバ回路３を有した電源電圧変換回路
４を配置し、そのドライバ出力端子からの供給電圧を電
源配線６を通して内部回路５に供給するものがある。
導体集積回路装置としては、図３に示すように、集積回
路が形成された半導体基板１上の１箇所に基準電圧発生
回路２およびドライバ回路３を有した電源電圧変換回路
４を配置し、そのドライバ出力端子からの供給電圧を電
源配線６を通して内部回路５に供給するものがある。
【０００４】また、従来の別の例として、図４に示すよ
うに、基準電圧発生回路２およびドライバ回路３を有し
た電源電圧変換回路４を内部回路５の周辺部に分散して
配置し、電源電圧変換回路４からの外部供給電圧より低
い電圧を出力電圧とし、電源配線６を通して内部回路５
に供給するものもある。
うに、基準電圧発生回路２およびドライバ回路３を有し
た電源電圧変換回路４を内部回路５の周辺部に分散して
配置し、電源電圧変換回路４からの外部供給電圧より低
い電圧を出力電圧とし、電源配線６を通して内部回路５
に供給するものもある。
【０００５】なお、図２はドライバ回路３の構成例を示
すもので、このドライブ回路３は、増幅器３１と、出力
制御素子３２と、出力検出用分圧抵抗３３及び３４から
なり、出力電圧Ｖoutの変動分と基準電圧発生回路１の
出力電圧Ｖrefを増幅器３１で比較増幅し、その出力に
基づき出力制御素子３２を制御することによりその出力
電圧Ｖout を半導体集積回路の内部回路５に電源電圧と
して供給するものとなっている。ただし図２中３５は入
力端子、３６は出力端子である。
すもので、このドライブ回路３は、増幅器３１と、出力
制御素子３２と、出力検出用分圧抵抗３３及び３４から
なり、出力電圧Ｖoutの変動分と基準電圧発生回路１の
出力電圧Ｖrefを増幅器３１で比較増幅し、その出力に
基づき出力制御素子３２を制御することによりその出力
電圧Ｖout を半導体集積回路の内部回路５に電源電圧と
して供給するものとなっている。ただし図２中３５は入
力端子、３６は出力端子である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来例のも
のは、内部回路５がメモリー集積回路のように消費電力
が小さい電源電圧変換回路４の供給電流が小さい場合に
有効である。しかし、内部回路５が論理集積回路などの
ように大消費電力の場合にこの構成を採用すると、１箇
所から供給された大電流を長い電源配線６で引き回して
内部回路５の各部へ供給することにより、配線の抵抗お
よび電流により電圧降下が発生し、回路動作による電流
変動によって電圧降下量が変化するので、出力電圧の安
定度が悪いという欠点がある。また、ドライバ回路３に
よる発熱が集積回路の特定箇所に集中し、温度上昇によ
りその付近の回路性能を悪化させるという欠点があっ
た。
のは、内部回路５がメモリー集積回路のように消費電力
が小さい電源電圧変換回路４の供給電流が小さい場合に
有効である。しかし、内部回路５が論理集積回路などの
ように大消費電力の場合にこの構成を採用すると、１箇
所から供給された大電流を長い電源配線６で引き回して
内部回路５の各部へ供給することにより、配線の抵抗お
よび電流により電圧降下が発生し、回路動作による電流
変動によって電圧降下量が変化するので、出力電圧の安
定度が悪いという欠点がある。また、ドライバ回路３に
よる発熱が集積回路の特定箇所に集中し、温度上昇によ
りその付近の回路性能を悪化させるという欠点があっ
た。
【０００７】一方、図４に示す従来例のものは、電流供
給機能が集積回路内で分散して配置されているので、図
３に示した従来例のような欠点を解消できる。しかしな
がら本方式では、基準電圧発生回路２およびドライバ回
路３を有した電源電圧変換回路４が多数配置されるた
め、基板上の回路占有面積が大きくなるという欠点があ
った。
給機能が集積回路内で分散して配置されているので、図
３に示した従来例のような欠点を解消できる。しかしな
がら本方式では、基準電圧発生回路２およびドライバ回
路３を有した電源電圧変換回路４が多数配置されるた
め、基板上の回路占有面積が大きくなるという欠点があ
った。
【０００８】本発明は以上の点に鑑み、上記のような課
題を解決するためになされたもので、その目的は、電源
配線の抵抗や電流による電圧降下を少なくし、しかも特
定箇所の回路性能を低下さることなく、基板上の内部回
路搭載面積を大きくとれる半導体集積回路装置を提供す
ることにある。
題を解決するためになされたもので、その目的は、電源
配線の抵抗や電流による電圧降下を少なくし、しかも特
定箇所の回路性能を低下さることなく、基板上の内部回
路搭載面積を大きくとれる半導体集積回路装置を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は、基準電圧発生回路およびドライバ回路から
構成される電源電圧変換回路の出力電圧を集積回路内の
内部回路の電源電圧として用いる集積回路装置におい
て、基準電圧発生回路を集積回路の特定領域に配置し、
この電圧を参照するドライバ回路を当該集積回路内に分
散配置するとともに、その基準電圧発生回路の個数をド
ライバ回路の個数より少なくして、内部回路に外部供給
電圧より低い内部電圧を供給するようにしたものであ
る。
め本発明は、基準電圧発生回路およびドライバ回路から
構成される電源電圧変換回路の出力電圧を集積回路内の
内部回路の電源電圧として用いる集積回路装置におい
て、基準電圧発生回路を集積回路の特定領域に配置し、
この電圧を参照するドライバ回路を当該集積回路内に分
散配置するとともに、その基準電圧発生回路の個数をド
ライバ回路の個数より少なくして、内部回路に外部供給
電圧より低い内部電圧を供給するようにしたものであ
る。
【００１０】
【作用】したがって、本発明では電源電圧変換回路のう
ち基準電圧発生回路を基板上の特定領域に配置し、ドラ
イバ回路を分散配置するので、電源配線が短くでき配線
抵抗による電圧降下が小さくなる。さらに、ドライバ回
路による発熱が特定領域に集中しないので、特定領域の
温度上昇による回路性能低下がなく、かつ電源電圧変換
回路の占有面積の縮小化が図れる。
ち基準電圧発生回路を基板上の特定領域に配置し、ドラ
イバ回路を分散配置するので、電源配線が短くでき配線
抵抗による電圧降下が小さくなる。さらに、ドライバ回
路による発熱が特定領域に集中しないので、特定領域の
温度上昇による回路性能低下がなく、かつ電源電圧変換
回路の占有面積の縮小化が図れる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図１
は本発明の一実施例による半導体集積回路装置の各回路
部の配置構成を示す模式図である。この実施例の半導体
集積回路装置において、基準電圧発生回路２は半導体基
板１上の４つのコーナー部に配置されていて、その出力
電圧が基準電圧信号線７を通して各々のドライバ回路３
に供給されている。そして各ドライバ回路３は、前述し
た図２と同様に増幅器３１，出力制御素子３２，分圧抵
抗３３および３４から構成されるもので、基準電圧発生
回路２の出力電圧Ｖref と本回路の出力電圧Ｖout を比
較増幅して帰還することによりその基準電圧に比例し
た、外部供給電圧より低い電圧を電源配線６を通して内
部回路５へ供給するものとなっている。
は本発明の一実施例による半導体集積回路装置の各回路
部の配置構成を示す模式図である。この実施例の半導体
集積回路装置において、基準電圧発生回路２は半導体基
板１上の４つのコーナー部に配置されていて、その出力
電圧が基準電圧信号線７を通して各々のドライバ回路３
に供給されている。そして各ドライバ回路３は、前述し
た図２と同様に増幅器３１，出力制御素子３２，分圧抵
抗３３および３４から構成されるもので、基準電圧発生
回路２の出力電圧Ｖref と本回路の出力電圧Ｖout を比
較増幅して帰還することによりその基準電圧に比例し
た、外部供給電圧より低い電圧を電源配線６を通して内
部回路５へ供給するものとなっている。
【００１２】この場合、ドライブ回路３は図示するよう
に半導体基板１上に分散配置されており、電流供給機能
が分散されているので電源配線６が短くて済む。そのた
め配線抵抗を原因とする電圧降下は小さく、かつドライ
ブ回路３による発熱が基板上で均等化される。また基準
電圧発生回路２の領域が限定され、しかもその個数がド
ライバ回路３より少なくて済むので、電源電圧変換回路
４の占有面積が縮小でき、特に本実施例では通常の集積
回路では空き領域となるコーナー部に配置しているの
で、内部回路５の搭載面積を広く取れる利点を有する。
に半導体基板１上に分散配置されており、電流供給機能
が分散されているので電源配線６が短くて済む。そのた
め配線抵抗を原因とする電圧降下は小さく、かつドライ
ブ回路３による発熱が基板上で均等化される。また基準
電圧発生回路２の領域が限定され、しかもその個数がド
ライバ回路３より少なくて済むので、電源電圧変換回路
４の占有面積が縮小でき、特に本実施例では通常の集積
回路では空き領域となるコーナー部に配置しているの
で、内部回路５の搭載面積を広く取れる利点を有する。
【００１３】なお、上記実施例は１つの例示であって、
本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の変更あるいは
改良を行いうることは云うまでもない。
本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の変更あるいは
改良を行いうることは云うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電流供給
源が回路基板つまりチップ上で分散されているので、電
源配線の抵抗と電流による電圧降下が少なくなり、安定
した電圧が供給され、かつドライバ回路の発熱を原因と
する特定箇所の回路性能低下がない。また基準電圧発生
回路は特定の領域に限定配置されているので、電源電圧
変換回路の半導体基板上の占有面積は削減でき内部回路
搭載面積を大きくできる、などの優れた効果がある。
源が回路基板つまりチップ上で分散されているので、電
源配線の抵抗と電流による電圧降下が少なくなり、安定
した電圧が供給され、かつドライバ回路の発熱を原因と
する特定箇所の回路性能低下がない。また基準電圧発生
回路は特定の領域に限定配置されているので、電源電圧
変換回路の半導体基板上の占有面積は削減でき内部回路
搭載面積を大きくできる、などの優れた効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す模式図である。
【図２】ドライバ回路の構成例を示す図である。
【図３】従来の一例を示す図である。
【図４】従来の別の例を示す図である。
１ 半導体基板 ２ 基準電圧発生回路 ３ ドライバ回路 ４ 電源電圧変換回路 ５ 内部回路 ６ 電源配線 ７ 基準電圧信号線
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｇ 8427−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に、基準電圧発生回路、お
よび出力電圧の変動を検出し、その検出電圧と前記基準
電圧発生回路の出力電圧を比較増幅して出力制御素子へ
負帰還をかける回路を備えたドライバ回路からなる電源
電圧変換回路を搭載し、この電源電圧変換回路の出力電
圧を当該半導体集積回路の内部回路の電源電圧として用
いる集積回路装置において、 前記基準電圧発生回路を半導体基板上の１つまたは複数
の限定された領域に配置するとともに、前記ドライブ回
路を複数個基板上の任意の場所に分散配置する構成と
し、かつ前記基準電圧発生回路の個数を前記ドライバ回
路の個数より少なくしたことを特徴とする半導体集積回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305667A JPH05121650A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3305667A JPH05121650A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121650A true JPH05121650A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17947904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3305667A Pending JPH05121650A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121650A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083872A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| JP2002298576A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| US7042026B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power switching device |
| US7725124B2 (en) | 2004-10-19 | 2010-05-25 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and module having a transceiver with a built-in regulator |
| JP2012094886A (ja) * | 2000-06-22 | 2012-05-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| JP2015228440A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP3305667A patent/JPH05121650A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083872A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| US8139327B2 (en) | 2000-06-22 | 2012-03-20 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit |
| JP2012094886A (ja) * | 2000-06-22 | 2012-05-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| US8634170B2 (en) | 2000-06-22 | 2014-01-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit |
| JP2002298576A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| US7042026B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power switching device |
| US7725124B2 (en) | 2004-10-19 | 2010-05-25 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and module having a transceiver with a built-in regulator |
| JP2015228440A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| US9760107B2 (en) | 2014-06-02 | 2017-09-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US10101761B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-10-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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