JPH01255261A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH01255261A JPH01255261A JP8427288A JP8427288A JPH01255261A JP H01255261 A JPH01255261 A JP H01255261A JP 8427288 A JP8427288 A JP 8427288A JP 8427288 A JP8427288 A JP 8427288A JP H01255261 A JPH01255261 A JP H01255261A
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- JP
- Japan
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- heat
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- transistor
- elements
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
- H01L27/0211—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique adapted for requirements of temperature
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路を構成する素子の内部配置に関
するものであり、特に同一温度であることを要求される
素子の配置に関する。
するものであり、特に同一温度であることを要求される
素子の配置に関する。
半導体集積回路は内部素子の性質として絶対精度を得る
のは困難だが相対精度を得るのは容易である。この特質
を利用し、抵抗の相対比の良さ、トランジスタの相対特
性が良い等を積極的に回路構成に利用している。
のは困難だが相対精度を得るのは容易である。この特質
を利用し、抵抗の相対比の良さ、トランジスタの相対特
性が良い等を積極的に回路構成に利用している。
ところが素子の温度特性が悪いという欠点がある。特に
パワーＩＣ等では半導体集積回路自体に発熱部を持つた
め、相対精度の必要な素子の温度に差を生じ、電気特性
にも差が生じ、要求される特性を満足できず、電気特性
の満足しない半導体集積回路となってしまう。
パワーＩＣ等では半導体集積回路自体に発熱部を持つた
め、相対精度の必要な素子の温度に差を生じ、電気特性
にも差が生じ、要求される特性を満足できず、電気特性
の満足しない半導体集積回路となってしまう。
そこで従来技術では、熱の影響を受けないための工夫を
している。例えば、発熱体からの距離が等しい位置に置
くとか、熱源からできる限り離す等である。
している。例えば、発熱体からの距離が等しい位置に置
くとか、熱源からできる限り離す等である。
しかし、半導体集積回路に複数の発熱素子がある場合等
は、回路動作が変わると発熱の均一性がくずれる等で、
同一温度であることを要求される素子の温度差を生じて
しまう欠点がある。
は、回路動作が変わると発熱の均一性がくずれる等で、
同一温度であることを要求される素子の温度差を生じて
しまう欠点がある。
本発明による半導体集積回路は、その中の同一温度であ
ることを要求される複数の素子の近傍に、発熱のための
素子を備えたことを特徴とする特すなわち、同一温度で
あることを要求される複数の素子の近くに発熱部を備え
、その発熱により温度を等しく上昇させることで複数の
素子を同じ温度で高温に保持する。
ることを要求される複数の素子の近傍に、発熱のための
素子を備えたことを特徴とする特すなわち、同一温度で
あることを要求される複数の素子の近くに発熱部を備え
、その発熱により温度を等しく上昇させることで複数の
素子を同じ温度で高温に保持する。
次に本発明を図面を参照して説明する。
第１図は、ラジオ、テレビの音声出力用パワーアップを
半導体集積回路で構成した、第１の実施例のチップ上の
素子の配置を簡単に表したものである。
半導体集積回路で構成した、第１の実施例のチップ上の
素子の配置を簡単に表したものである。
出力端子は１．パワートランジスタ１と、２．パワート
ランジスタ２に接続されている。また入力端子は３．Ｎ
ＰＮ）ランジスタに接続され、フィードバック用の端子
は４．ＮＰＮ）ランジスタ２に接続される。３と４は差
動増幅回路を構成している。
ランジスタ２に接続されている。また入力端子は３．Ｎ
ＰＮ）ランジスタに接続され、フィードバック用の端子
は４．ＮＰＮ）ランジスタ２に接続される。３と４は差
動増幅回路を構成している。
ここで回路を動作させると１及び２が発熱し高温になる
、３及び４は１及び２から同じ距離部れている。しかし
回路のバランスがくずれ、■と２のパワートランジスタ
の発熱量が変わると、３と４ＯＮＰＮ ）ランジスタの
受ける熱の影響は変わってくる。仮に１．パワートラン
ジスタ１が発熱しない場合、２．パワートランジスタ２
のみの発熱となり、４．ＮＰＮ）ランジスタ２の温度が
、３、ＮＰＮ）ランジスタ１より高くなり、３と４は温
度差を生じてしまう。
、３及び４は１及び２から同じ距離部れている。しかし
回路のバランスがくずれ、■と２のパワートランジスタ
の発熱量が変わると、３と４ＯＮＰＮ ）ランジスタの
受ける熱の影響は変わってくる。仮に１．パワートラン
ジスタ１が発熱しない場合、２．パワートランジスタ２
のみの発熱となり、４．ＮＰＮ）ランジスタ２の温度が
、３、ＮＰＮ）ランジスタ１より高くなり、３と４は温
度差を生じてしまう。
そこで、本実施例では３と４の間に５発熱用ａトランジ
スタを設は発熱させている。近くに発熱体があることに
より、遠くのパワートランジスタによる３と４の影響は
小さくなる。
スタを設は発熱させている。近くに発熱体があることに
より、遠くのパワートランジスタによる３と４の影響は
小さくなる。
第２図は電源用の三端子レギュレータを半導体集積回路
で構成した実施例のチップ上の素子の配置を簡単に表し
たものである。
で構成した実施例のチップ上の素子の配置を簡単に表し
たものである。
出力端子は１１パワートランジスタに接続される。入力
端子は電源入力である。
端子は電源入力である。
三端子レギュレータには出力電圧の基準となる基準電圧
回路を内部に備えており、本実施例ではバンドギャップ
リファレンスと称される基準電圧回路をＮＰＮ）ランジ
スタ１２．１３と抵抗１４，１５゜１６を使い構成する
。バンドギャップリファレンスはその全体の温度の高低
にかかわらずほぼ一定の基準電圧を発生できるが、温度
差があると出力電圧が変化してしまう。本実施例での発
熱源は１１パワートランジスタであるので、できるだけ
離して配置するが、それでも温度勾配を生じるのでバン
ドギャップリファレンス中央に１７発熱用トランジスタ
を置いて素子の温度差なくしている。
回路を内部に備えており、本実施例ではバンドギャップ
リファレンスと称される基準電圧回路をＮＰＮ）ランジ
スタ１２．１３と抵抗１４，１５゜１６を使い構成する
。バンドギャップリファレンスはその全体の温度の高低
にかかわらずほぼ一定の基準電圧を発生できるが、温度
差があると出力電圧が変化してしまう。本実施例での発
熱源は１１パワートランジスタであるので、できるだけ
離して配置するが、それでも温度勾配を生じるのでバン
ドギャップリファレンス中央に１７発熱用トランジスタ
を置いて素子の温度差なくしている。
以上説明したように本発明は同一温度を要求される複数
の素子の近傍に発熱体を置くことにより、他の発熱体か
らの熱の影響を少なく抑えることができる。
の素子の近傍に発熱体を置くことにより、他の発熱体か
らの熱の影響を少なく抑えることができる。
しかしながら、以上の説明で明らかな様に熱の影響を少
なくできるが完全にはなくせない。本来の配置として熱
の影響を少なく、しかも均等に受ける様装置した後本発
明を用いれば効果が大きくなる。
なくできるが完全にはなくせない。本来の配置として熱
の影響を少なく、しかも均等に受ける様装置した後本発
明を用いれば効果が大きくなる。
別の利用法として発熱素子は回路に関係なく動作させる
ことができるため、温度差が生じた場合発熱素子の発熱
量をコントロールすることも可能であり、より積極的に
温度差をなくすこともできる。
ことができるため、温度差が生じた場合発熱素子の発熱
量をコントロールすることも可能であり、より積極的に
温度差をなくすこともできる。
第１図は本発明の第１の実施例のチップ上の素子配置を
示す図であり、第２図は本発明の第２の実施例のチップ
上の素子配置を示す図である。 １．２・・・・・・パワートランジスタ、３，４・・・
・・・ＮＰＮ）ランジスタ、５・・・・・・発熱用トラ
ンジスタ、１１・・・・・・パワートランジスタ、１２
．１３・・・・・・ＮＰＮ）ランジスタ、１４，１５．
１６・・・・・・抵抗、１７・・・・・・発熱用トラン
ジスタ。 代理人 弁理士 内 原 晋
示す図であり、第２図は本発明の第２の実施例のチップ
上の素子配置を示す図である。 １．２・・・・・・パワートランジスタ、３，４・・・
・・・ＮＰＮ）ランジスタ、５・・・・・・発熱用トラ
ンジスタ、１１・・・・・・パワートランジスタ、１２
．１３・・・・・・ＮＰＮ）ランジスタ、１４，１５．
１６・・・・・・抵抗、１７・・・・・・発熱用トラン
ジスタ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体集積回路において同一温度であることを要求さ
れる複数の素子の近傍に発熱のための素子を備えたこと
を特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8427288A JPH01255261A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8427288A JPH01255261A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255261A true JPH01255261A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13825819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8427288A Pending JPH01255261A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255261A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002062103A3 (en) * | 2000-10-27 | 2003-05-15 | Ray B Ridley | Audio sound quality enhancement apparatus |
| US7474536B2 (en) | 2000-10-27 | 2009-01-06 | Ridley Ray B | Audio sound quality enhancement apparatus and method |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8427288A patent/JPH01255261A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002062103A3 (en) * | 2000-10-27 | 2003-05-15 | Ray B Ridley | Audio sound quality enhancement apparatus |
| US6765802B1 (en) | 2000-10-27 | 2004-07-20 | Ridley Engineering, Inc. | Audio sound quality enhancement apparatus |
| US7474536B2 (en) | 2000-10-27 | 2009-01-06 | Ridley Ray B | Audio sound quality enhancement apparatus and method |
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