JPS60103087A - 加熱用黒鉛部材 - Google Patents
加熱用黒鉛部材Info
- Publication number
- JPS60103087A JPS60103087A JP58209719A JP20971983A JPS60103087A JP S60103087 A JPS60103087 A JP S60103087A JP 58209719 A JP58209719 A JP 58209719A JP 20971983 A JP20971983 A JP 20971983A JP S60103087 A JPS60103087 A JP S60103087A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphite
- heating
- base material
- gas
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体用サセプター、るつぼ、ヒーター等の
加熱用黒鉛部材に関する。
加熱用黒鉛部材に関する。
直接通電、高周波誘導或は外部熱源からの熱輻射によっ
て加熱用部材を加熱昇温させ、その加熱用部材の上に塔
載した被加熱処理物を熱伝導により加熱することが良く
行なわれている。この加熱用部材としては黒鉛材料がい
ずれの加熱法によっても加熱ができ、黒度が大きいこと
、耐熱性が大きいこと、熱伝導性が良く温度分布の均一
性が秀れること、耐薬品性に秀れること寺によりもつと
も有利な材料である。
て加熱用部材を加熱昇温させ、その加熱用部材の上に塔
載した被加熱処理物を熱伝導により加熱することが良く
行なわれている。この加熱用部材としては黒鉛材料がい
ずれの加熱法によっても加熱ができ、黒度が大きいこと
、耐熱性が大きいこと、熱伝導性が良く温度分布の均一
性が秀れること、耐薬品性に秀れること寺によりもつと
も有利な材料である。
ところが従来の黒鉛材料には次の欠点がろる。
即ち、炭素質粉体を有機質結合材で結合、焼結。
黒鉛化したものである為に、欠陥を多くもった黒鉛多結
晶１体にとどまり１．そのために容易に表面の黒鉛結晶
微粒子が脱落し、その上に塔載されている製品に付着し
汚染するという欠点を有している。
晶１体にとどまり１．そのために容易に表面の黒鉛結晶
微粒子が脱落し、その上に塔載されている製品に付着し
汚染するという欠点を有している。
又有機質結合材が分解炭化して、炭素質粉体を結合する
時に、同時に熱分解ガスが発生する為１本質的に多孔質
であり、＠針の不純物元素が存在しても容易に表面へ熱
により拡散し、塔載している製品を汚染する欠点がある
。従って、これらの欠点が問題になる分野では前記の黒
鉛の有利性を犠牲にして他の材料を使用せざるを得ない
状況にある。例えば多孔質で表面欠陥の多い黒鉛材料の
欠点をカバーするために、化学蒸着法でＳｉ原子。
時に、同時に熱分解ガスが発生する為１本質的に多孔質
であり、＠針の不純物元素が存在しても容易に表面へ熱
により拡散し、塔載している製品を汚染する欠点がある
。従って、これらの欠点が問題になる分野では前記の黒
鉛の有利性を犠牲にして他の材料を使用せざるを得ない
状況にある。例えば多孔質で表面欠陥の多い黒鉛材料の
欠点をカバーするために、化学蒸着法でＳｉ原子。
Ｃ原子を有する原料ガスを送りこんで、黒鉛基材の表面
にＳｉＣを析出させたＳｉＣコーティング黒鉛材がおる
が、ＳｉＣの膜を形成させる場合、析出温度が高（（１
３００℃以上）コスト高になる。
にＳｉＣを析出させたＳｉＣコーティング黒鉛材がおる
が、ＳｉＣの膜を形成させる場合、析出温度が高（（１
３００℃以上）コスト高になる。
ハロゲンガスと反応して膜が剥離するなどの欠点で用途
が限屋されている。
が限屋されている。
又例えば２１００℃の黒鉛基材上にメタンガスを送りこ
んで得る熱分解炭素コーティング黒鉛材の熱分解炭素は
高度に異方比が大きく例えば熱膨張率では析出面に垂直
方向では室温〜１０００℃の平均でｚ７ｘｘｏ−５／’
ｃに対し平行方向では１、７ Ｘ １０−６／’ｃと大
幅に異なり、加熱、冷却のヒートサイクルを行なうと容
易に層状の亀裂や黒鉛基材からの剥離を起こしてしまう
。加熱、冷却サイクルが常時性なわれる加熱用部材とし
てはこのような熱膨張の異方性による熱応力の発生は好
ましくない。
んで得る熱分解炭素コーティング黒鉛材の熱分解炭素は
高度に異方比が大きく例えば熱膨張率では析出面に垂直
方向では室温〜１０００℃の平均でｚ７ｘｘｏ−５／’
ｃに対し平行方向では１、７ Ｘ １０−６／’ｃと大
幅に異なり、加熱、冷却のヒートサイクルを行なうと容
易に層状の亀裂や黒鉛基材からの剥離を起こしてしまう
。加熱、冷却サイクルが常時性なわれる加熱用部材とし
てはこのような熱膨張の異方性による熱応力の発生は好
ましくない。
本発明の目的は、上記した欠点を解消する加熱用黒鉛部
材を提供することにりる。
材を提供することにりる。
本発明者等は、炭素基材の表面で炭化水素化合物を比較
的低温（１５００℃以下）で分解させ熱膨張係数が黒鉛
基材とほぼ同一で等方性を有し。
的低温（１５００℃以下）で分解させ熱膨張係数が黒鉛
基材とほぼ同一で等方性を有し。
黒鉛結晶子のあまり発達していないアモルファスな熱分
解炭素を形成させることにより上記目的を達成し得るこ
とを見出し本発明を完成するに至った。
解炭素を形成させることにより上記目的を達成し得るこ
とを見出し本発明を完成するに至った。
本発明は、炭化水素化合物のガスを黒鉛基材上で熱分解
させ、アモルファスな炭素（Ｘ線回折における（００４
）面の回折ピークが殆ど検知できないか又はその半値幅
が５°以上のもの）を黒鉛基材の表面にコーティングし
てなる加熱用黒鉛部材に関する。
させ、アモルファスな炭素（Ｘ線回折における（００４
）面の回折ピークが殆ど検知できないか又はその半値幅
が５°以上のもの）を黒鉛基材の表面にコーティングし
てなる加熱用黒鉛部材に関する。
本発明に用いる黒鉛基材は、ｐＡ膨張係数が３〜５Ｘ１
０／’Ｃでその異方比が１．１以下のものが好ましい。
０／’Ｃでその異方比が１．１以下のものが好ましい。
この黒鉛基材表面に生成させるアモルファスな炭素はＸ
線回折角２０が５４°付近の（００４）面の回折ピーク
が殆ど検知できないが又はその半値幅が５°以上でるる
ことが必要である。この要件を満さないと熱衝撃によっ
てコーテイング膜の剥離を生ずる。このために用いる炭
化水素化合物としてはハロゲン化炭化水素が好ましく、
黒鉛基材上で熱分解させる温度を１５００℃以下にする
ことが好ましい。生成するアモルファスな炭素の結晶子
の配向性を小さくするためである。
線回折角２０が５４°付近の（００４）面の回折ピーク
が殆ど検知できないが又はその半値幅が５°以上でるる
ことが必要である。この要件を満さないと熱衝撃によっ
てコーテイング膜の剥離を生ずる。このために用いる炭
化水素化合物としてはハロゲン化炭化水素が好ましく、
黒鉛基材上で熱分解させる温度を１５００℃以下にする
ことが好ましい。生成するアモルファスな炭素の結晶子
の配向性を小さくするためである。
黒鉛基材は公知の加熱方式により加熱し、キャリヤーガ
スを用いるなどして炭化水素化合物のカスを導き、黒鉛
基材上に分解析出させる。
スを用いるなどして炭化水素化合物のカスを導き、黒鉛
基材上に分解析出させる。
次に実施例を説明する。
実施例１
水冷ジャケット付石英管（内径４ｏ［［ＩＩＩ＋）の内
ｆＡ１１中央にセットした２０ｍｍφＸ５０ｍｍｊで常
温〜１０００℃ニオける熱膨張係数；６＝４．５ｘｘｏ
−’／’Ｃ及び４．８ Ｘ １０＝／’Ｃ（異方比１．
０７） （ＤＪＩＡ鉛Ｍ材を石英管の外側に設けた高周
波誘導コイルにょる誘導加熱で７００℃に加熱した。こ
れに１！！／分の量のＮ２ガスをキャリアガスたしてジ
クロルメタン（ＣＨ２Ｃ２ｚ ）を２．６７ Ｘ １０
−３モル／分の量で送りこみ、黒鉛基材上で熱分解させ
その表面に炭素のコーテイング膜を形成させた。コーチ
インク時間は６０分とした。
ｆＡ１１中央にセットした２０ｍｍφＸ５０ｍｍｊで常
温〜１０００℃ニオける熱膨張係数；６＝４．５ｘｘｏ
−’／’Ｃ及び４．８ Ｘ １０＝／’Ｃ（異方比１．
０７） （ＤＪＩＡ鉛Ｍ材を石英管の外側に設けた高周
波誘導コイルにょる誘導加熱で７００℃に加熱した。こ
れに１！！／分の量のＮ２ガスをキャリアガスたしてジ
クロルメタン（ＣＨ２Ｃ２ｚ ）を２．６７ Ｘ １０
−３モル／分の量で送りこみ、黒鉛基材上で熱分解させ
その表面に炭素のコーテイング膜を形成させた。コーチ
インク時間は６０分とした。
得られたコーテイング膜の面は銀色光沢の硬い第１図は
Ｘ線回折の結果を示し、コーテイング膜００折波形２は
８′″′７′４鉛基材窪１折波形１０１うな（００４）
面の回折ピーク１ａが見られなかった。第２図はコーテ
イング膜及び用いた黒鉛基材を平面研磨後、銅アンモニ
ア水で電解エツチングした表面の拡大組織与Ａを示し、
第２図（ａｌは黒鉛基材、第２図ｆｂ）はコーテイング
膜である。第２図からコーテイング膜には黒鉛基材のよ
うな明瞭な結晶粒界腐蝕が見られず非常にアモルフーｒ
スｌ構造となっていることがわかる。
Ｘ線回折の結果を示し、コーテイング膜００折波形２は
８′″′７′４鉛基材窪１折波形１０１うな（００４）
面の回折ピーク１ａが見られなかった。第２図はコーテ
イング膜及び用いた黒鉛基材を平面研磨後、銅アンモニ
ア水で電解エツチングした表面の拡大組織与Ａを示し、
第２図（ａｌは黒鉛基材、第２図ｆｂ）はコーテイング
膜である。第２図からコーテイング膜には黒鉛基材のよ
うな明瞭な結晶粒界腐蝕が見られず非常にアモルフーｒ
スｌ構造となっていることがわかる。
実施例２
高周波誘導により９００℃に加熱された外径１６０ｍｍ
の円筒型黒鉛ヒーターの中央部に実施例１と同一の熱膨
張係数を有する等方性の黒鉛円板１００ｍｍφＸ１０ｍ
ｍｔをセットし黒鉛ヒーターにより輻射熱で８５０℃に
加熱した。Ｎ２ガスを送り乍ら、真空ポ／プでヒーター
内部を５０Ｔｏｒｒに減圧した。そのめと、ジクロロメ
タン（ＣＨ２Ｃ１２）をＮ２ガスをキャリアガスにして
圧力５０ Ｔｏｒｒに保ち乍ら、 ３ Ｘ １０＝ ｍ
ｏｔ！／ｌ Ｎ２の濃度で送りこんだ。キャリアガスＮ
２量は３ｏｌ／分である。この条件で６０分コーティン
グを行なった。コーティング膜厚は４５μでるり、Ｘ線
回折における（００４）面の回折ピークは発見できず、
電解エツチング後の表面の状態も実施例１と同様でらっ
た。
の円筒型黒鉛ヒーターの中央部に実施例１と同一の熱膨
張係数を有する等方性の黒鉛円板１００ｍｍφＸ１０ｍ
ｍｔをセットし黒鉛ヒーターにより輻射熱で８５０℃に
加熱した。Ｎ２ガスを送り乍ら、真空ポ／プでヒーター
内部を５０Ｔｏｒｒに減圧した。そのめと、ジクロロメ
タン（ＣＨ２Ｃ１２）をＮ２ガスをキャリアガスにして
圧力５０ Ｔｏｒｒに保ち乍ら、 ３ Ｘ １０＝ ｍ
ｏｔ！／ｌ Ｎ２の濃度で送りこんだ。キャリアガスＮ
２量は３ｏｌ／分である。この条件で６０分コーティン
グを行なった。コーティング膜厚は４５μでるり、Ｘ線
回折における（００４）面の回折ピークは発見できず、
電解エツチング後の表面の状態も実施例１と同様でらっ
た。
実施例１及び実施例２で得られた加熱用黒鉛部材につい
て以下に述べるように従来の黒鉛材料（比較例）との比
較試験を行なった。
て以下に述べるように従来の黒鉛材料（比較例）との比
較試験を行なった。
（１）実施例１で得られた加熱用黒鉛部材の表面硬度は
Ｈｖで４０００ Ｋｙ／ｍｍ２以上でるり１通常の黒鉛
材料のよりなＨｖで１００〜１０００Ｋｆ／ｎ＋ｍ”程
度のものよりはるかに大きく又、焼結８ｉＣのＨｖ（３
０００Ｋｇ／ｗｎ２）よりも大きく粒子間結合が強いこ
とを示し９表面からの黒鉛又は炭素の微粒子の脱落によ
る汚染の心配はない。
Ｈｖで４０００ Ｋｙ／ｍｍ２以上でるり１通常の黒鉛
材料のよりなＨｖで１００〜１０００Ｋｆ／ｎ＋ｍ”程
度のものよりはるかに大きく又、焼結８ｉＣのＨｖ（３
０００Ｋｇ／ｗｎ２）よりも大きく粒子間結合が強いこ
とを示し９表面からの黒鉛又は炭素の微粒子の脱落によ
る汚染の心配はない。
（２）同じ〈実施例１で得られた加熱用黒鉛部材を次の
条件でと一トサイクル熱衝撃試験を行なった。即ち試料
を４００℃の炉内に入れ１０分保持後、２０℃の水中に
投入する試験を繰返し行なった。その結果、１０回のサ
イクルテストで公〈汲化が認められなかまた。 − 比較例１として黒鉛基材の表面をＣ３Ｈ８カスで２１０
０℃で熱分フリイし生じた炭素でコーティングしたもの
は１回で表面クラック発生した。又比較例２とし土黒鉛
基材の表面をＣＨｓＳｉＣｌａガスを１３００℃で熱分
解し、ＳｉＣでコーティングしたものは５回で表面クラ
ンク発生した。これらの結果は本発明の加熱用黒鉛部材
のコーテイング膜が比較例１のような結晶の配向性の大
きいものに比して、アモルファスで熱膨張係数がグラフ
シーカーボンの４〜５Ｘ１０＝／℃と同等な値を有しか
つ。
条件でと一トサイクル熱衝撃試験を行なった。即ち試料
を４００℃の炉内に入れ１０分保持後、２０℃の水中に
投入する試験を繰返し行なった。その結果、１０回のサ
イクルテストで公〈汲化が認められなかまた。 − 比較例１として黒鉛基材の表面をＣ３Ｈ８カスで２１０
０℃で熱分フリイし生じた炭素でコーティングしたもの
は１回で表面クラック発生した。又比較例２とし土黒鉛
基材の表面をＣＨｓＳｉＣｌａガスを１３００℃で熱分
解し、ＳｉＣでコーティングしたものは５回で表面クラ
ンク発生した。これらの結果は本発明の加熱用黒鉛部材
のコーテイング膜が比較例１のような結晶の配向性の大
きいものに比して、アモルファスで熱膨張係数がグラフ
シーカーボンの４〜５Ｘ１０＝／℃と同等な値を有しか
つ。
異方性が小さいためである。
（３）実施例２で（４１られたアモルファスな炭素でコ
ーティングした円板を第３図にボす石英製ガンス管３内
に電極４として用い、外側から赤外線ランプ５で４００
℃に加熱し、真窒ボングで１〜２ＴＯｒｒに減圧し乍ら
（矢印人）、四弗化炭素ガス（ＣＦ４）６をｌＮ１１分
の量で流し、電極間に電圧を加えて放電させ、弗素イオ
ン又は弗化炭素のラデイカルを生成させ、これとの反応
による電極の耐蝕性を調べた。その結果１本発明による
電極材は６０分間の放電試験後も変化がなかった。前記
比較例２の黒鉛基材をＳｉＣで厚さ７０μコーテイング
した材料と電極板に用いた場合は６０分間で局部的にＳ
ｉＣが剥離、消耗した。これにより本発明の加熱用黒鉛
部材はハロゲンガスに対しても耐蝕性が大きく、ハロゲ
ンガスを使う分野にもその応用が可能でるる。
ーティングした円板を第３図にボす石英製ガンス管３内
に電極４として用い、外側から赤外線ランプ５で４００
℃に加熱し、真窒ボングで１〜２ＴＯｒｒに減圧し乍ら
（矢印人）、四弗化炭素ガス（ＣＦ４）６をｌＮ１１分
の量で流し、電極間に電圧を加えて放電させ、弗素イオ
ン又は弗化炭素のラデイカルを生成させ、これとの反応
による電極の耐蝕性を調べた。その結果１本発明による
電極材は６０分間の放電試験後も変化がなかった。前記
比較例２の黒鉛基材をＳｉＣで厚さ７０μコーテイング
した材料と電極板に用いた場合は６０分間で局部的にＳ
ｉＣが剥離、消耗した。これにより本発明の加熱用黒鉛
部材はハロゲンガスに対しても耐蝕性が大きく、ハロゲ
ンガスを使う分野にもその応用が可能でるる。
（４）実施例１で得られた加熱用黒鉛部材を黒鉛るつぼ
の中にアモルファスな炭素をコーティングする前の黒鉛
基材と並べて設置し、アルミニウム小塊を同時に加えて
、この黒鉛るつぼを真空溶解炉の中に入れ１４５０℃で
１２０分加熱処理しアルミニウムの溶解液及びアルミニ
ウム蒸気と接触きせたのぢ取り出したところ、第４図（
ａｌのように。
の中にアモルファスな炭素をコーティングする前の黒鉛
基材と並べて設置し、アルミニウム小塊を同時に加えて
、この黒鉛るつぼを真空溶解炉の中に入れ１４５０℃で
１２０分加熱処理しアルミニウムの溶解液及びアルミニ
ウム蒸気と接触きせたのぢ取り出したところ、第４図（
ａｌのように。
本発明になる加熱用黒鉛部材７はアルミニウム９の付着
はあるが、黒鉛部材そのものの形状変化はを（認められ
なかった。これに対し、第４図（ｂ）に示すように黒鉛
基拐そのままのものは著しく膨張。
はあるが、黒鉛部材そのものの形状変化はを（認められ
なかった。これに対し、第４図（ｂ）に示すように黒鉛
基拐そのままのものは著しく膨張。
変形を起こした。このことは従来の黒鉛基イΔそのまま
では多孔質で結晶欠陥が多く存在するため。
では多孔質で結晶欠陥が多く存在するため。
アルミニウム原子が高温で黒鉛基材内部まで拡散し内部
で反応してアルミニウムカーバイト（ｉ’ｙｌｓｃ４ｅ
ｔｃ）になるためで必り、これに対し本発明の加熱用黒
鉛部材は気孔がなく且つ結晶粒界の欠陥も著しく少ない
ことからアルミニウム原子の内部への熱拡散を防止でき
ることを示している。
で反応してアルミニウムカーバイト（ｉ’ｙｌｓｃ４ｅ
ｔｃ）になるためで必り、これに対し本発明の加熱用黒
鉛部材は気孔がなく且つ結晶粒界の欠陥も著しく少ない
ことからアルミニウム原子の内部への熱拡散を防止でき
ることを示している。
本発明によれば、多孔率な黒鉛基材の表面をアモルファ
スな炭素でコーティングしたので、（１）黒鉛基材結晶
のｇｌ、粒子が脱落したり、製品を汚染したりすること
がない、（２）加熱、冷却サイクルによってコーテイン
グ膜が／１３１離したり、クランクを生ずることがない
、（３）耐蝕性に医れる等の効果を有 。
スな炭素でコーティングしたので、（１）黒鉛基材結晶
のｇｌ、粒子が脱落したり、製品を汚染したりすること
がない、（２）加熱、冷却サイクルによってコーテイン
グ膜が／１３１離したり、クランクを生ずることがない
、（３）耐蝕性に医れる等の効果を有 。
し、高純度が要求される半導体ナセノクー、ヒーター及
びるつぼ、β◇いｒＪニアルミニウム蒸７ｉ′Ｊ用ゐつ
は等に用いて極めて有効でりる。
びるつぼ、β◇いｒＪニアルミニウム蒸７ｉ′Ｊ用ゐつ
は等に用いて極めて有効でりる。
第１図はＸ線回折の結果を示すグラフ、第２図は本発明
の一実施例になる加熱用黒鉛部材の拡大ｕｉ織写真で（
ａｌはコーテイング膜及び（ｂｌは黒鉛基材で必り、第
３図はハロゲン気中での放電耐蝕試験の説明図、第４図
はアルミニウム気液と接触後の形状を示す正面図で必る
。 符号の説明 １・・・黒鉛基材の回折波形 １ａ・・・回折ビーク２
・・・コーテイング膜の回折波形 ３・・・石英ガラス菅 ４・・・電極 ５・・・赤外線ランノ ６・・・四弗化炭素７・・・実
施例１の黒鉛部材 ８・・・コーティング前の黒鉛基材 ９・・・アルミニウム 亮 ） 図 （ａ−９ 特許庁長官殿 １．−＄件の表示 昭和５８年特許願第２０９７１９号 ２、発明の名称 加熱用黒鉛部材 ３、補正をする者 ４、代 理 人 居 所 東京都新宿区西新宿二丁目１番１号構造を示し
、」と補正します。 以上
の一実施例になる加熱用黒鉛部材の拡大ｕｉ織写真で（
ａｌはコーテイング膜及び（ｂｌは黒鉛基材で必り、第
３図はハロゲン気中での放電耐蝕試験の説明図、第４図
はアルミニウム気液と接触後の形状を示す正面図で必る
。 符号の説明 １・・・黒鉛基材の回折波形 １ａ・・・回折ビーク２
・・・コーテイング膜の回折波形 ３・・・石英ガラス菅 ４・・・電極 ５・・・赤外線ランノ ６・・・四弗化炭素７・・・実
施例１の黒鉛部材 ８・・・コーティング前の黒鉛基材 ９・・・アルミニウム 亮 ） 図 （ａ−９ 特許庁長官殿 １．−＄件の表示 昭和５８年特許願第２０９７１９号 ２、発明の名称 加熱用黒鉛部材 ３、補正をする者 ４、代 理 人 居 所 東京都新宿区西新宿二丁目１番１号構造を示し
、」と補正します。 以上
Claims (2)
- （１） 炭化水素化合物のガスを黒鉛基材上で熱分解さ
せ、アモルファスな炭素（Ｘ線回折における（００４）
面の回折ピークが殆ど検知できないか又はその半値幅が
５°以上のもの）を、黒鉛基材の表面にコーティングし
てなる加熱用黒鉛部材。 - （２）炭化水素化合物がハロゲン化炭化水素である特許
請求の範囲第１項に記載の加熱用黒鉛部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209719A JPS60103087A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 加熱用黒鉛部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209719A JPS60103087A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 加熱用黒鉛部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103087A true JPS60103087A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16577509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58209719A Pending JPS60103087A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | 加熱用黒鉛部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103087A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256993A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引上げ装置用黒鉛子るつぼ及びヒ−タ− |
| JPS62252394A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 半導体融解装置用黒鉛部材の製造方法 |
| JPS62270489A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 液相エピタキシヤル成長装置用ボ−ト部材 |
| JPS6345188A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-26 | 電気化学工業株式会社 | ガラス状炭素被覆体 |
| JPS6374995A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | Toyo Tanso Kk | エピタキシヤル成長用黒鉛材料 |
| JPS6379761A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-09 | 東洋炭素株式会社 | 溶融金属用黒鉛材料 |
| JPS63236798A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Toyo Tanso Kk | Ｇａ化合物単結晶引き上げ装置用黒鉛材料 |
| JPS63310143A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Ibiden Co Ltd | 黒鉛製治具 |
| JPS649900A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-13 | Ibiden Co Ltd | Jig for heat-treating semiconductor wafer |
| JPH01145312A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Toshiro Yamashina | アウトガスの少ない炭素材料の製造方法及びその製法で得られた炭素材料を使用した炭素構造材料 |
| JPH0337109A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Ibiden Co Ltd | 黒鉛材料 |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP58209719A patent/JPS60103087A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256993A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引上げ装置用黒鉛子るつぼ及びヒ−タ− |
| JPS62252394A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 半導体融解装置用黒鉛部材の製造方法 |
| JPS62270489A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 液相エピタキシヤル成長装置用ボ−ト部材 |
| JPH0246550B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1990-10-16 | Denki Kagaku Kogyo Kk | |
| JPS6345188A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-26 | 電気化学工業株式会社 | ガラス状炭素被覆体 |
| JPS6374995A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | Toyo Tanso Kk | エピタキシヤル成長用黒鉛材料 |
| JPS6379761A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-09 | 東洋炭素株式会社 | 溶融金属用黒鉛材料 |
| JPS63236798A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Toyo Tanso Kk | Ｇａ化合物単結晶引き上げ装置用黒鉛材料 |
| JPS63310143A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Ibiden Co Ltd | 黒鉛製治具 |
| JPS649900A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-13 | Ibiden Co Ltd | Jig for heat-treating semiconductor wafer |
| JPH0471880B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1992-11-16 | Ibiden Co Ltd | |
| JPH01145312A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Toshiro Yamashina | アウトガスの少ない炭素材料の製造方法及びその製法で得られた炭素材料を使用した炭素構造材料 |
| JPH0337109A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Ibiden Co Ltd | 黒鉛材料 |
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